【課題】マイクロ波放電装置において、放電空間に対する構造的な制約を増すことなく、大気圧プラズマによって活性化した粒子に流速を付与可能とする。
【解決手段】マイクロ波放電装置１は、マイクロ波を導波する第１および第２の導体２１，２２と、各導体２１，２２の終端部２１ａ，２２ａに形成された放電空間２３と、放電空間２３に生成されるプラズマ中の荷電粒子に作用させる電界を生成する電圧源３とを備えている。プラズマＰは、両導体２１，２２により導波されるマイクロ波によって生成される。電圧源３が印加する電界は、プラズマ中の荷電粒子に電磁気力を作用させて荷電粒子を含む気体の流れを発生させる。電界は、終端部２１ａ，２２ａを電極として印加することができ、放電空間２３に対する構造的な制約を増すことがない。流速を付与された気体中には、プラズマに起因する活性化した粒子が含まれる。 （もっと読む）

【課題】パッシブ素子の特性の設計値からの低下を抑制することができる光集積素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上に、活性コア層を含む半導体積層構造で形成された、アクティブ素子を形成するためのアクティブ領域と、パッシブコア層を含む半導体積層構造で形成された、パッシブ素子を形成するためのパッシブ領域とを形成し、アクティブ領域とパッシブ領域とに被覆部と開口部とを有する第１エッチングマスクを形成し、アクティブ領域およびパッシブ領域において開口部からドライエッチングを行い、アクティブ領域にアクティブ素子のアクティブメサ構造を形成するとともにパッシブ領域にパッシブ素子のパッシブメサ構造を形成し、パッシブ領域に第２エッチングマスクを形成し、パッシブメサ構造を第２エッチングマスクにて保護しながらアクティブメサ構造をウェットエッチングする、ことを含む。 （もっと読む）

【課題】高温状態のトレイによる基板の加熱を抑制する。
【解決手段】基板２の下面縁と当接可能なテーパー面２１ｅ，２１ｆを含む内周面を備える基板収容孔２１ｄが形成されたトレイ２１を用いる基板のドライエッチング方法において、基板収容孔２１ｄの中心軸Ａｃと静電チャック１１の基板載置面１３ａの中心Ｃ２とが重なるようにトレイ２１を位置決めして所定の位置に降下させることにより、下面縁の少なくとも一部がテーパー面２１ｅ，２１ｆから離間した状態で基板２を基板載置面１３ａに載置し、基板２が基板載置面１３ａから離れるまでトレイ２１を上昇させることにより、テーパー面２１ｅ，２１ｆと接触する基板２の下面縁の部分を該テーパー面にならわせ、基板２の中心Ｃ１を基板収容孔２１ｄの中心軸Ａｃ上に位置合わせし、トレイ２１を所定の位置に降下させることにより、トレイ２１から離間した状態で基板２を基板載置面１３ａに載置する。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波プラズマエッチングによるシリコン深溝トレンチの高速エッチングを実現することによる生産性の高いエッチング方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１１１やＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板１１１に高アスペクト比(アスペクト比＝トレンチ深さ/トレンチ幅)の深いシリコントレンチまたは穴を形成するプラズマエッチング方法において、マイクロ波によって生成されたプラズマを用い、プラズマを形成するマイクロ波は、高圧力、高マイクロ波出力においても安定したプラズマを形成するため、導波管１０４の一部にマイクロ波回転発生器１０５を設け、マイクロ波回転発生器１０５を通過したものであり、また、プラズマ形成に用いるガスとして少なくともフッ素を含むガスとＯ_２の混合ガスを用い、かつ、試料台１１０に高周波電源１１２によりバイアス電圧を印加することにより深いシリコントレンチまたは穴を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＩＣＰプラズマ処理装置における誘導磁場分布を調整し試料上でのプラズマ分布を補正して、試料に対して均一なプラズマ処理を行う。
【解決手段】ＩＣＰプラズマ処理装置において、誘導コイル４と誘電体窓１ａの間に、誘導コイルに沿って少なくとも誘導コイルの周方向の一部に併設された導体１２を設け、誘導コイルから導体の表面までの最短距離をＬｒとし、誘導コイルから誘電体窓直下のプラズマまでの最短距離をＬｐとし、誘導コイルからの誘導磁場強度を弱めたい箇所で、Ｌｐ≧Ｌｒの関係を満たす位置に導体を設置する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理室内の付着物の堆積を取り除く処理のタイミングをより適切にすることで、プラズマ処理装置の非稼働時間を低減し、処理の効率向上させるプラズマ処理装置及びその運転方法を提供する。
【解決手段】真空容器の内部に配置された処理室内にウエハを配置してこの処理室内にプラズマを形成して処理するプラズマ処理装置の運転方法であって、予め定められた間隔で前記処理室内にプラズマを形成してこの処理室内側の壁面の付着物を除去するクリーニング動作を行うクリーニング用モードを有し、このモードにおいて検出した前記プラズマを用いたクリーニングの際の付着物の量と前記プラズマを用いたクリーニング後の前記処理室のリーク量との各々が所定の値以下である場合に前記クリーニング用モードを終了する。 （もっと読む）

【課題】基板を均一に処理するために有利な処理装置を提供する。
【解決手段】処理装置は、処理空間において基板を支持する基板支持部と、前記処理空間を外部空間から仕切る仕切り部材３０，４２と、前記処理空間にガスを供給するための環状ガス流路９０とを備える。環状ガス流路９０の前記処理空間への出口は、環状スリットであり、環状ガス流路９０に対して供給されるガスが環状スリットを通して前記処理空間に供給される。 （もっと読む）

【課題】高圧下において面内均一性の向上を図るとともに、エッチングレートの低下を抑制することができるエッチング装置及びエッチング方法を提供する。
【解決手段】基板Ｓを収容する真空槽１１と、基板Ｓが載置される下部電極２５と、下部電極２５に対してプラズマ生成空間ＰＬを介して対向する上部電極１２と、下部電極２５に接続された高周波電源２６と、真空槽１１にエッチングガスを供給するガス導入口１２ａと、真空槽１１内の圧力を調整する排気系制御部Ｃ２とを備えるエッチング装置であって、高周波電源２６は、下部電極２５にＶＨＦ周波数帯の高周波電力を供給し、排気系制御部Ｃ２は、真空槽１１内を５０Ｐａ以上１５０Ｐａ以下に調整し、下部電極２５と上部電極１２との間の電極間距離Ｌが５０ｍｍ以上１００ｍｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】プラズマの密度及び均一性の向上を図るプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｓｂを収容する処理室５０を有する真空槽１１と、電磁波を処理室５０へ出力する高周波アンテナ２０と、高周波アンテナ２０と処理室５０との間に介在し、電磁波の導入口となる誘電体窓１２とを備えたプラズマ処理装置において、誘電体窓１２には、電磁波を処理室５０に導入する窓部と、窓部よりも厚い補強部とが一体に形成されている。 （もっと読む）

【課題】真空処理室に設けられる基板載置台の表面部の状態の確認や当該表面部の交換を行うことによる真空処理の停止時間を短くすると共に、前記表面部の状態を精度高く管理すること。
【解決手段】基板が搬送される常圧雰囲気の常圧搬送室と、常圧搬送室とロードロック室を介して接続される真空処理室と、前記真空処理室に設けられ、本体部と、当該本体部に対して着脱自在な表面部とを有する基板載置台と、前記ロードロック室または常圧搬送室に設けられ、前記表面部を収納するための保管部と、常圧搬送室からロードロック室を介して真空処理室へ基板を搬送し、また前記保管部と前記真空処理室の本体部との間で前記表面部を搬送するための搬送機構と、を備えるように基板処理装置を構成する。これによって真空処理室の大気開放を防ぐと共に表面部の状態の確認が容易になるので当該表面部を精度高く管理することができる。 （もっと読む）

【課題】ガス及び電磁波を供給可能な、プラズマ処理装置及びプラズマ発生用アンテナを提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置は、プラズマ処理が行われる処理容器と、供給された電磁波を透過する遅波板４８０と、遅波板４８０に隣接して設けられたシャワーヘッド２１０を有するプラズマ発生用アンテナ２００とを備え、シャワーヘッド２１０は、導電体で形成され、複数のガス穴２１５が形成され、複数のガス穴２１５と分離した位置に電磁波を通す複数のスロット２２０を有する。 （もっと読む）

【課題】エッチングにおける加工制御性を向上することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、内部が減圧されるチャンバ１１と、該チャンバ１１内に配置されてウエハＷを載置するサセプタ１２と、プラズマ生成用高周波電圧をサセプタ１２に印加するＨＦ高周波電源１８と、バイアス電圧発生用高周波電圧をサセプタ１２に印加するＬＦ高周波電源２０と、矩形波状の直流電圧をサセプタ１２に印加する直流電圧印加ユニット２３とを備える。 （もっと読む）

【課題】広範囲の繰り返し周波数帯域で高精度に制御可能な時間変調された間欠的な高周波電力を供給する高周波電源を備えるプラズマ処理装置及び前記プラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】真空容器と、該真空容器内にプラズマを生成するプラズマ生成手段と、前記真空容器内に設置され試料を載置する試料台と、時間変調された間欠的な高周波電力を前記試料台に印加する高周波電源とを備えるプラズマ処理装置において、前記高周波電源は、２つ以上の異なる周波数帯域を有し、前記周波数帯域のそれぞれが使用するアナログ信号の範囲が同じである繰り返し周波数によって高周波電力を時間変調することを特徴とするプラズマ処理装置である。 （もっと読む）

【課題】段差を有する膜構造を高精度にエッチングするプラズマ処理装置またはドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】真空容器１０７と、この真空容器内部の処理室内に配置されその上面にエッチング対象のウェハ１１２が載せられる下部電極１１３と、下部電極１１３にバイアス電位を形成するための高周波電力を供給するバイアス印加装置１１８，１２０と、前記処理室内に反応性ガスを導入するガス供給手段１１１と、前記処理室内にプラズマを生成するための電界を供給する電界供給手段１０１〜１０３と、前記高周波電力により前記ウェハ１１２に入射する前記プラズマ中のイオンのエネルギーの分布を調節する調節装置１２７とを備えたプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】誘導結合型のプラズマ処理においてチャンバ内に形成されるドーナツ状プラズマ内のプラズマ密度分布を効率よく任意に制御すること。
【解決手段】この誘導結合型プラズマ処理装置においては、誘導結合プラズマを生成するために誘電体窓５２の上に設けられるＲＦアンテナ５４が径方向で内側コイル５８、中間コイル６０および外側コイル６２に分割されている。高周波給電部６６の高周波伝送路上に設けられる第１ノードＮ_Aと第２ノードＮ_Bとの間で、中間コイル６０および外側コイル６２には可変の中間コンデンサ８６および外側コンデンサ８８がそれぞれ電気的に直列接続され、内側コイル５８にはリアクタンス素子が一切接続されない。 （もっと読む）

【課題】リング部材の温度を制御することにより、基板裏面への堆積物の付着量を抑えること。
【解決手段】容量結合型のプラズマエッチング装置において、載置台３の基板載置領域３２を囲むように、当該載置台３上にプラズマの状態を調整するためのフォーカスリング５を設ける。また、前記載置台３の上面と前記フォーカスリング５の下面との間に、フォーカスリング５に沿ってリング状の絶縁部材６を設けると共に、この絶縁部材６に対してウエハＷの径方向に隣接する位置であって、前記載置台３の上面と前記フォーカスリング５の下面との間に、これら上面及び下面に密着するように伝熱部材７を設ける。プラズマ処理の際、フォーカスリング５の熱は伝熱部材７を介して載置台３に伝熱するので、フォーカスリング５が冷却され、ウエハＷ裏面への堆積物の付着量を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】新規な電極構造を有する、横電界方式の液晶表示装置とその作製方法の提案。
【解決手段】絶縁表面を有する第１基板と、絶縁表面上の第１導電膜及び第２導電膜と、第１導電膜上の第１絶縁膜と、第２導電膜上の第２絶縁膜と、第１基板と対峙する第２基板と、第１基板と第２基板の間に位置する液晶層と、を有し、第１導電膜の一部は第１絶縁膜の側部にも位置し、なおかつ、第２導電膜の一部は第２絶縁膜の側部にも位置し、液晶層は、ブルー相を示す液晶を含んでいる液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】微細かつ均一なパターンの形成に好適なパターン形成方法およびパターン形成体を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明によれば、レジストパターンが形成される領域は、ハードマスク層に形成した段差の領域よりも大きくし、ハードマスクの上段部は基板表面を覆うようにハードマスク層を残存させることと、下段部は基板表面の一部が露出するようにハードマスク層へ異方性エッチングを行うことで、基板に均一なパターンを形成することが出来る。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、エッチング側壁を２段以上の傾斜構造にしてテーパー角を低角度にするとともに、エッチング後の剥離工程を簡素化できるドライエッチング方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 ＳｉＣ基板にSF₆のみ又はSF₆とAｒとの混合ガスによるドライエッチングにより凹部を形成する祭に、エッチングマスクとしてレジスト現像後に１３０℃〜１６０℃の温度で１分〜５分ポストベークするとともに、基板印加バイアス電力とアンテナ電力との比（基板印加バイアス電力／アンテナ電力）を０．０１〜０．１としたことを特徴とするドライエッチング方法である。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板の表面にマスクパターンに応じた凹凸構造を形成する基板のプラズマ処理において、凹凸構造を形成するための第１プラズマ処理により生じる副生成物を除去するための第２プラズマ処理の時間を短縮化する。
【解決手段】基板のプラズマ処理方法において、サファイア基板をチャンバ内に配置して、ＢＣｌ_３が主体のガスに、ＣＦ_４、ＳＦ_６およびＮＦ_３のいずれかのガスを混合した混合ガスをチャンバ内に供給して、サファイア基板に対してプラズマ処理を行い、サファイア基板の表面にマスクパターンに応じた凹凸構造を形成する、第１プラズマ処理工程と、チャンバ内へ処理ガスを供給してプラズマ処理を実施し、第１プラズマ処理工程の実施によりチャンバ内に付着した副生成物を除去する第２プラズマ処理工程とを含んで実施する。 （もっと読む）