【課題】フォーカスリングの交換時期を的確かつ迅速に判定することができる判定方法、制御方法、判定装置、パターン形成システム及びプログラムを提供する。
【解決手段】基板上の膜をエッチングしてパターンを形成する際に、該パターンの面内均一性を高めるために該基板の周囲に配置されるフォーカスリングの交換時期を判定する判定方法において、前記パターンの形状又は寸法を測定する測定工程と、測定した前記パターンの形状又は寸法に基づいて、前記フォーカスリングの交換時期を判定する判定工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチング処理の実施中に異常が発生した場合に、基板とステージとの間に供給される冷却用ガスの圧力に起因して基板がステージ上より跳ね上がって位置ズレが生じることを防止する。
【解決手段】ドライエッチング処理の異常発生が検出された場合に、ステージおよび基板の間に供給される第１流路内の冷却用ガスの圧力と処理室内の圧力との間の差圧を減少させる処理を開始する。これにより、エッチング処理中に異常が発生した場合であっても、処理室内の圧力と第１流路内の圧力との差圧が減少されるため、差圧により基板がステージより跳ね上がって位置ズレ等が生じることを防止できる。 （もっと読む）

【課題】基板に対してプラズマ処理を行う装置についてダミー基板を用いずにプラズマによりクリーニングするにあたり、載置台表面の損傷を抑制することのできる技術を提供すること。
【解決手段】プラズマエッチング処理後に、サセプタ３の表面を露出した状態でプラズマエッチング装置の真空容器１の内部をプラズマＰによりクリーニングし真空容器１の内部に付着した反応生成物Ａを除去する。このとき、プラズマＰに直流電圧を印加する。これにより、高密度なプラズマＰを得ながらそのプラズマＰのイオンエネルギーを低減させることができるため、良好なクリーニングを行いつつサセプタ３の表面の損傷を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、エッチング側壁を２段以上の傾斜構造にしてテーパー角を低角度にするとともに、エッチング後の剥離工程を簡素化できるドライエッチング方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 ＳｉＣ基板にSF₆のみ又はSF₆とAｒとの混合ガスによるドライエッチングにより凹部を形成する祭に、エッチングマスクとしてレジスト現像後に１３０℃〜１６０℃の温度で１分〜５分ポストベークするとともに、基板印加バイアス電力とアンテナ電力との比（基板印加バイアス電力／アンテナ電力）を０．０１〜０．１としたことを特徴とするドライエッチング方法である。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板の表面にマスクパターンに応じた凹凸構造を形成する基板のプラズマ処理において、凹凸構造を形成するための第１プラズマ処理により生じる副生成物を除去するための第２プラズマ処理の時間を短縮化する。
【解決手段】基板のプラズマ処理方法において、サファイア基板をチャンバ内に配置して、ＢＣｌ_３が主体のガスに、ＣＦ_４、ＳＦ_６およびＮＦ_３のいずれかのガスを混合した混合ガスをチャンバ内に供給して、サファイア基板に対してプラズマ処理を行い、サファイア基板の表面にマスクパターンに応じた凹凸構造を形成する、第１プラズマ処理工程と、チャンバ内へ処理ガスを供給してプラズマ処理を実施し、第１プラズマ処理工程の実施によりチャンバ内に付着した副生成物を除去する第２プラズマ処理工程とを含んで実施する。 （もっと読む）

【課題】ハロゲンガスを用いずに少なくとも白金を含む層をエッチングすることができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】ウエハＷに形成された白金マンガン層３７を所定のパターン形状を有するタンタル層３８を用いてエッチングする際、一酸化炭素ガス、水素ガス及びアルゴンガスを含む処理ガスを用い、該処理ガスにおける一酸化炭素ガス及び水素ガスの流量合計に対する水素ガスの流量比が５０％乃至７５％である。 （もっと読む）

【課題】誘電率値に不利に影響せずに基板を効果的に洗浄することができる基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置は、イオン水素含有化学種とラジカル水素含有化学種との第一比率を有する活性ガスを形成するために水素含有ガスを遠隔励起するリモートソースを有する。本装置は、基板支持体と、遠隔励起ガスをろ過して、イオン水素含有化学種とラジカル水素含有化学種の第二比率を有し、第二比率が第一比率と異なる、ろ過された励起ガスを形成するイオンフィルタと、チャンバにろ過された励起ガスを導入するガス分配器とを備えたプロセスチャンバを有する。 （もっと読む）

【課題】ボーイングの発生を抑制し、側壁形状を垂直に維持しつつ高アスペクト比のコンタクトホールを形成することのできるプラズマエッチング方法及びコンピュータ記録媒体を提供する。
【解決手段】炭素とフッ素の比率（Ｃ／Ｆ）が第１の値である第１処理ガスを含む処理ガスを用いたプラズマエッチングにより、マスク層の残量と、ホールのボーイングＣＤとの相関関係を調べ、ボーイングＣＤの変化量が増大する変化点に相当するマスク層の残量を求める準備工程と、第１処理ガスを含む処理ガスを用い、マスク層の残量が変化点となるまでプラズマエッチングを行う第１プラズマエッチング工程と、第１プラズマエッチング工程の後に行う、第２プラズマエッチング工程とを具備し、第２プラズマエッチング工程は、少なくとも、第１の値よりＣ／Ｆが小さい第２処理ガスを含む処理ガスを用いたプラズマエッチングを行う期間を含む。 （もっと読む）

【課題】ガス吐出部分が金属とセラミックスの２層構造のシャワープレートを有するシャワーヘッドを用い、均一な処理を行うことが可能な基板処理装置を提供すること。
【解決手段】シャワーヘッド１８は、ガス導入孔６１ａが形成された金属製の上部プレート６１と、複数のガス通過孔６６が形成された金属製の下部プレート６２と、上部プレート６１と下部プレート６２との間に設けられたガス拡散空間Ｓと、下部プレート６２の下側全面を覆うように設けられ、ガス通過孔６６に対応して複数のガス吐出孔６７が形成されたセラミックス製のカバー部材６４と、ガス拡散空間Ｓ内に上部プレート６１と下部プレート６２との間を接続するように設けられ、処理にともなって発生する熱を上方へ伝熱する複数の伝熱部材７０ａ，７０ｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】基板収容孔に基板を収容したトレイを基板サセプタ上に配置するプラズマ処理装置において、トレイを高効率で冷却する。
【解決手段】トレイ１５の厚み方向に貫通する基板収容孔１９Ａ〜１９Ｄに基板２が収容される。チャンバ３内の誘電体板２３は、トレイ１５の下面１５ｃを支持するトレイ支持面２８と基板載置部２９Ａ〜２９Ｄを備え、静電吸着用電極４０，２０２，２０４を内蔵している。トレイ１５がトレイ支持面２８に載置されると、基板載置部２９Ａ〜２９Ｄの上端面である基板載置面３１に基板２が載置される。基板２は静電吸着用電極４０，２０４により基板載置面３１に静電吸着され、トレイ１５は静電吸着用電極２０２，２０４によりトレイ支持面２８に静電吸着される。冷媒循環装置６１により誘電体板２３が冷却される。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波を用いたプラズマ処理装置において、プラズマ処理の均一性を向上する。
【解決手段】リング状空洞共振器２０４を用いたプラズマ処理装置において、処理室の中心軸と同心に設置されたプラズマ発生用電磁波導入経路を有し、電磁波を複数の出力ポートに分配する分岐回路の出力ポートに接続され、プラズマ発生用電磁波の導入経路と同心に設置されたリング状空洞共振器２０４を備え、プラズマ発生用電磁波導入経路が円形導波管２０１により構成され、分岐回路が、該処理室の中心軸に対して均等な角度で配置された複数の導波路で構成され、円形導波管２０１に円偏波の発生機構６０２を備えて、共振器内部に進行波を励振する。 （もっと読む）

【課題】処理室内の処理ガスの圧力を制御する際の精度を加工条件ごとに向上できる圧力制御装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１の処理室９０内における処理ガスの圧力を制御する圧力制御装置７０であって、検知部２０と、排気管３０と、調整弁４０と、圧力制御部４２、４３とを備える。調整弁４０は、排気管３０に配されている。圧力制御部４２、４３は、検知部２０により検知される圧力が目標値に一致するように調整弁４０を制御する。調整弁４０は、弁口と変更部とスライド弁とを有する。弁口は、排気管３０に連通されている。変更部は、弁口の形状を、中心が排気管３０の中心軸ＣＡの近傍に位置した異なる形状に変更する。スライド弁は、変更部により変更された弁口の開度を調整する。圧力制御部４２、４３は、変更部による弁口の形状の変更と、スライド弁による弁口の開度の調整とを制御する。 （もっと読む）

【課題】プラズマの均一性を高める。
【解決手段】平行平板型のプラズマ処理装置用の上部電極１０５であって、所望の誘電体から形成された基材１０５ａと、前記基材１０５ａの表面のうち、少なくとも前記プラズマ処理装置の下部電極２１０側の表面の一部に形成された導電体層１１０と、を含み、前記導電体層１１０は、前記下部電極２１０側の表面の外側が内側より密になるように疎密のパターンを有する上部電極１０５が提供される。 （もっと読む）

【課題】従来に比べてより細かなプラズマの制御を可能とすることのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】導電性材料から全体形状がリング状に形成され、少なくとも一部が処理空間に露出するように処理チャンバー内に配設され接地電位を形成するための第一のグランド部材と、処理チャンバーの下方に形成された排気空間内に、第一のグランド部材と対向するように設けられ、導電性材料から全体形状がリング状に形成され、少なくとも一部が排気空間に露出する、接地電位を形成するための第二のグランド部材と、第一及び第二のグランド部材の間で上下動させ、第一及び第二のグランド部材のいずれかと接触させて、第一及び第二のグランド部材の接地状態を調整可能とされた接地棒とを具備したプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】基板洗浄チャンバ、チャンバコンポーネント及び基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板洗浄チャンバは、基板支持体に面する弧状面を有する輪郭付けされた天井電極を含み、弧状面と基板支持体との間のギャップの大きさを変えて基板支持体にわたり変化するプラズマ密度を与えるための可変断面厚みを有している。洗浄チャンバのための誘電体リングは、ベースと、峰部と、基板支持体の周囲リップをカバーする半径方向内方の張出部とを含む。ベースシールドは、少なくとも１つの周囲壁を有する円形ディスクを含む。洗浄チャンバのための洗浄及びコンディショニングプロセスについても説明する。 （もっと読む）

【課題】被エッチング膜の上に積層された、有機膜と、その有機膜の上に積層されたレジストパターンが開口したレジスト膜とを備える、被エッチング膜のエッチングマスクとなる複数層レジストの前記有機膜に、高い垂直性を有するマスクパターンを形成すること。
【解決手段】前記複数層レジストの前記有機膜を、二酸化炭素と水素とを含む処理ガスをプラズマ化して得たプラズマにより前記レジストパターンに沿ってエッチングして、前記被エッチング膜をエッチングするためのマスクパターンを形成する。実験により複数層レジストを構成する有機膜に垂直性が高いマスクパターンを得ることができることが示されている。 （もっと読む）

【課題】基板におけるプラズマ処理の面内分布が均一となる真空処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｓが設置される基板設置部及びプラズマを形成するプラズマ形成部を備えた真空チャンバ１１を備える真空処理装置１において、基板設置部には、基板Ｓが載置される基板載置台１３と、真空チャンバ１１に設けられると共に排気手段に接続される排気口３４と、基板載置台３１の周囲を囲むシールド部材５０とが設けられ、シールド部材５０は、その周方向に複数の開口が離間して形成されており、排気手段側に形成された開口の総面積が、排気手段とは逆側に形成された開口の総面積よりも狭い。 （もっと読む）

【課題】改善されたウエハ領域圧力制御を提供するプラズマ処理室を実現する。
【解決手段】プラズマ処理室は、プラズマを発生し維持するために接続される装置を持つ真空チャンバである。この装置の一部は、エッチング用ガス源および排気口である。閉じ込めリングはウエハ上の領域を定義する。ウエハ領域圧力はこの閉じ込めリングにわたる圧力降下に依存する。閉じ込めリングは、１００％より大きいウエハ領域圧力制御範囲を提供するウエハ領域圧力制御装置の一部である。そのようなウエハ領域圧力制御装置は、所望のウエハ領域圧力制御を提供するのに用いられるホルダ上の３つの調節可能閉じ込めリングおよび閉じ込めブロックでありえる。 （もっと読む）

【課題】試料の径方向について処理の特性や加工形状の均一さを向上させたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器内部に配置され内部でプラズマが形成される処理室と、この処理室内に配置された試料台と、前記処理室の上方に配置され前記プラズマを形成する電界が透過する誘電体製の円形の板部材と、この板部材の上方に配置され内部に前記電界が導入される円筒形の空洞部と、この空洞の上部の中心に連結され上下に延在した内部を前記電界が伝播する円筒形の管路と、この管路の端部に配置され前記電界を発生する発生器とを備え、前記空洞部が前記板部材を底面とする径の大きな円筒形の空洞を有した第１の円筒空洞部とこの第１の円筒空洞部の上方でこれに接続されて配置され径の小さな円筒形の空洞を有した第２の円筒空洞部と、前記第１及び第２の円筒空洞部との間でこれらを接続する段差部とを備えた。 （もっと読む）

【課題】大型の基板であっても、その表面全体を均一にエッチングすることができ、また、エッチング形状の悪化が生じない基板エッチング装置を提供する。
【解決手段】プラズマ生成空間９及び処理空間６を有するチャンバ２と、プラズマ生成空間９に対応する部分の外方に配設されたコイル１６と、処理空間６に設けられた基板Ｋ載置用の基台１０と、プラズマ生成空間９に処理ガスを供給する処理ガス供給手段１９と、コイル１６に高周波電力を供給する高周波電力供給手段１７と、基台１０に高周波電力を供給する基台電力供給手段１３とを備える。プラズマ密度調整部材２０を、プラズマ生成空間９と基台１０との間のチャンバ２内壁に固設する。プラズマがプラズマ密度調整部材２０を通過する際にその平面内密度が平準化されて、基板Ｋに導かれる。 （もっと読む）