【課題】ハーフピッチ６５ｎｍ以降のフォトリソグラフィ技術に用いられ、微小パターンの寸法精度に優れ、かつ寸法の面内分布の均一性が高いマスクパターンを有するマスクを安価に製造するフォトマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】透明基板と、この透明基板の一主面上に少なくとも遮光膜が形成されたフォトマスクブランクスを用い、前記遮光膜上に非感光性の有機基を有するシリコン系ポリマー層を塗布形成し、前記シリコン系ポリマー層は塩素系ガスによるドライエッチング耐性が大きく、前記透明基板が合成石英ガラスであり、前記遮光膜がクロムを主成分とし、前記シリコン系ポリマー層をフッ素系ガスによりドライエッチングし、前記遮光膜を塩素系ガスによりドライエッチングして遮光膜パターンを形成することを特徴とする。
【選択図】 図３
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【課題】磁気抵抗効果素子のスピン注入磁化反転特性の劣化が抑制され、製造歩留まりが高い不揮発性記憶装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、複数のメモリセルを有する不揮発性記憶装置の製造方法であって、前記メモリセルのそれぞれは、第１電極を含む下地層と、前記下地層の上に設けられた磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子の上に設けられた第２電極と、を有する。前記磁気抵抗効果素子は、記憶層である第１磁性層と、前記第１磁性層の上に設けられたトンネルバリア層と、前記トンネルバリア層の上に設けられ、参照層である第２磁性層と、を含む。前記第２磁性層の表面の一部もしくは前記第１磁性層の表面の一部にイオン化されたガスクラスタを照射して、前記第２磁性層の一部および前記第１磁性層の一部をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】加工対象物の部位に応じて異なるエッチング量を実現可能な加工方法を提供すること。
【解決手段】チャンバー（１１）内に設けられた一対の電極の一方の表面に加工対象物（２０）を配置するステップと、チャンバー（１１）内にエッチングガスを導入するステップと、一対の電極間に電圧を印加して一対の電極間にプラズマを発生させることで加工対象物（２０）をエッチングするステップと、を備え、加工対象物（２０）が、その第１部位より第２部位において高いエッチングレートで加工されるように、少なくとも一方の電極として、電極表面の第１部位に対応する位置に凹部（１３ａ）が設けられ、電極表面の第２部位に対応する位置に凸部（１３ｂ）が設けられた電極を用いることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】マスク倒れを防止でき、しかもＡｌＣｕ配線のサイドエッチングを防止することができる半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】ＳｉＣからなる第２層間膜１７上に、下側ＴｉＮ／Ｔｉ膜２９、ＡｌＣｕ膜３０および上側ＴｉＮ／Ｔｉ膜３１を順に積層することによってＡｌＣｕ配線層３４を形成する。次に、ＡｌＣｕ配線層３４上に、ＳｉＯ_２からなるハードマスク３７を形成する。そして、このハードマスク３７を利用してＡｌＣｕ配線層３４をドライエッチングすることにより、第１ＡｌＣｕ配線２０を形成する。第１ＡｌＣｕ配線２０の形成後、第２層間膜１７をエッチングすることにより低段部２８を形成する。このとき、第２層間膜１７（ＳｉＣ）からＣを解離させ、その解離したＣを含む反応生成物を側壁保護膜３２に定着させることによって、側壁保護膜３２を厚くする。 （もっと読む）

【課題】マスク倒れを防止でき、しかもＡｌＣｕ配線のサイドエッチングを防止することができる半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】第２層間膜１７上に、下側ＴｉＮ／Ｔｉ膜２９、ＡｌＣｕ膜３０および上側ＴｉＮ／Ｔｉ膜３１を順に積層することによってＡｌＣｕ配線層３４を形成する。次に、ＡｌＣｕ配線層３４上に、ＳｉＯ_２からなるハードマスク３７を形成する。そして、このハードマスク３７を利用してＡｌＣｕ配線層３４をドライエッチングすることにより、第１ＡｌＣｕ配線２０を形成する。第１ＡｌＣｕ配線２０の形成後、この配線２０を窒素プラズマに曝露する。これにより、既存の側壁保護膜３２にＡｌＮが合わさって側壁保護膜３２を分厚くすることができる。 （もっと読む）

【課題】マスク倒れを防止でき、しかもＡｌＣｕ配線のサイドエッチングを防止することができる半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】第２層間膜１７上に、下側ＴｉＮ／Ｔｉ膜２９、ＡｌＣｕ膜３０および上側ＴｉＮ／Ｔｉ膜３１を順に積層することによってＡｌＣｕ配線層３４を形成する。次に、ＡｌＣｕ配線層３４上に、ＳｉＯ_２からなるハードマスク３７を形成する。そして、このハードマスク３７を利用してＡｌＣｕ配線層３４をドライエッチングすることにより、第１ＡｌＣｕ配線２０を形成する。第１ＡｌＣｕ配線２０の形成後、この配線２０の表面を覆うように、ＳｉＮ膜３８を形成する。これにより、既存の側壁保護膜３６にＳｉＮ膜３８が合わさって側壁保護膜３２が形成される。 （もっと読む）

【課題】 本発明はドライプラズマエッチングを用いた基板のエッチング方法に関する。
【解決手段】 ドライプラズマエッチングシステム内で誘電体層をシリコン及びポリシリコンに対して選択的な均一エッチングを行う方法及びシステムが記載されている。エッチング用化学は、たとえばCH₂F₂やCHF₃のようなフルオロハイドロカーボンを有する。高いエッチング選択性及び受容可能な均一性は、CH₂F₂の流速やドライプラズマエッチングシステムと結合する出力を含むプロセス条件を選択することによって実現されて良い。それにより、エッチングプラズマ中での活性エッチングラジカルとポリマー生成ラジカルとの適切なバランスがとられる。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板を貫通するビアホールの形成時におけるノッチの発生を抑制することができ、製造歩留まり及び信頼性の向上をはかる。
【解決手段】 シリコン基板貫通電極を有する半導体装置の製造方法であって、表面側に機能素子と配線層１５が形成され、且つ配線層１５の下層にエッチング停止層１２を有するシリコン基板１０の表面側に支持基板３０を取着した後、基板１０の裏面側を研削して厚みを減少させる。次いで、基板１０の裏面側に、ビアホール用開口及び該開口よりも小径のダミーホール用開口を有するマスクを形成した後、基板１０の裏面側からエッチングすることにより、配線層１５の一部に達するビアホール４２を形成すると共に、基板１０の途中までダミーホール４３を形成する。次いで、ビアホール４２の側面に絶縁膜４４を形成した後、ビアホール４２内に配線材料を形成する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理チャンバを含むプラズマ処理システムにおいて、基材のエッチングに対する耐性を最適化する方法を提供する。
【解決手段】本願の方法は、エッチングガス混合物と親和性を有するプレコート（pre-coat）ガス混合物をプラズマ処理チャンバに流入させる工程、プレコートガス混合物の第一プラズマを照射する工程、基材を含む基板を導入する工程を含む。また該方法は、プラズマ処理チャンバ内にエッチングガス混合物を流入させる工程、エッチングガス混合物からの第二プラズマを照射する工程、第二プラズマにより基板をエッチングする工程、を含む。そして、プラズマ処理チャンバ内で、第一プラズマが表面にプレコート残留膜を形成し、基材のエッチング耐性を実質的に維持することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】エッチング対象が透光性を有し、且つパターンが微細である場合であってもエッチング処理の終点検出の精度を向上させることができる基板の製造装置および基板の製造方法を提供することである。
【解決手段】実施形態に係る基板の製造装置は、処理容器と、前記処理容器の内部にガスを供給するガス供給部と、前記処理容器の内部を排気する排気部と、前記処理容器の内部にプラズマを発生させるプラズマ発生部と、前記処理容器の内部に設けられ基板を載置する載置部と、前記載置部に載置された前記基板の前記載置部に対峙する側の面に検出光を入射させ、前記基板からの反射光に基づいてエッチング処理の終点を検出する終点検出部と、を備えている。そして、前記終点検出部は、前記基板の前記面に対して垂直な方向から前記検出光を入射させ、前記基板の透光性を有する材料から形成された部分における前記エッチング処理の終点を検出する。 （もっと読む）

【課題】成長用基板に形成された窒化物半導体層を容易に剥離できる窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体発光素子の製造方法では、第１のサイズｄ１を有する第１基板３１に窒化物半導体層１１を形成する。窒化物半導体層１１上に第１のサイズｄ１より小さい第２のサイズｄ２を有する第１接着層１２ａを形成し、第２基板３２上に第２接着層１２ｂ形成する。第１および第２接着層１２ａ、１２ｂを重ね合わせ、第１および第２基板３１、３２を張り合わせる。第２のサイズｄ２より大きいまたは等しい第３のサイズｄ３を有する凹部３１ａを生じるように第１基板３１を除去する。凹部３１ａに薬液を注入し、窒化物半導体層１１が露出するまで第１基板３１をエッチングする。薬液で、露出した窒化物半導体層１１を更にエッチングし、窒化物半導体層１１の露出面を粗面化する。 （もっと読む）

【課題】チタンを含有する金属化合物の膜を含むウエハを、フッ素を含有するガスを用いてエッチングするエッチング処理室をプラズマクリーニングするプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】チタンを含有する金属化合物の膜を含むウエハ１０２を、エッチング処理室１０１内の試料台１０３に載置し、ガス導入部１０４からフッ素を含有するガスを導入してエッチング処理を行い、Ｃｌ_２ガスとＣＨＦ_３ガスの混合ガス、または、Ｃｌ_２ガスとＣＨＦ_３ガスとＳｉの混合ガスを用いて、エッチング処理室１０１内に蓄積されるフッ化チタン系反応生成物を除去するプラズマクリーニングを行う。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極の側壁側にサイドウォールを精度よく形成することが可能な半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】まず、ＳＯＩ基板５の一方面側においてゲート電極３４上及びゲート電極３４の周囲の領域に第１絶縁膜４０を形成する。次に、第１絶縁膜４０上に積層させる構成で第１絶縁膜４０とは材質の異なる第２絶縁膜４２を形成する。そして、第１絶縁膜４０及び第２絶縁膜４２におけるゲート電極３４の側壁３４ａ側の部分を残しつつ、第２絶縁膜４２よりも第１絶縁膜４０のほうが、エッチング速度が遅くなるように第１絶縁膜４０及び第２絶縁膜４２を除去し、ゲート電極３４の側壁３４ａ側にサイドウォール４５を形成する。 （もっと読む）

【課題】微細化及び高集積化を達成した酸化物半導体を用いた半導体装置、及び半導体装置の作製工程において、安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。また、上記半導体装置の作製工程において、不良を抑制し、歩留まりよく作製する技術を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層を含むトランジスタを有する半導体装置において、酸化物半導体膜を、絶縁層に設けられたトレンチに設ける。トレンチは下端コーナ部及び曲率半径が２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下の曲面状の上端コーナ部を含み、酸化物半導体膜は、トレンチの底面、下端コーナ部、上端コーナ部、及び内壁面に接して設けられる。酸化物半導体膜は、少なくとも上端コーナ部において表面に概略垂直なｃ軸を有している結晶を含む酸化物半導体膜である。 （もっと読む）

【課題】シリコン球状体の上の半球部分のみならず下の半球部分にもテクスチャー形状を形成できるシリコン球状体用の加工電極装置及び加工方法を提供する。
【解決手段】電極２上に載置して真空雰囲気内でテクスチャーを加工される加工電極装置は、シリコン球状体１４の表面に対して、磁力線が少なくとも４５°の角度になるように構成した磁石組み込み電極を有する。加工方法は、前記処理基板に、シリコン球状体の表面に対して、磁力線が少なくとも４５°になるように構成した磁石１２を組み込み、反応性イオンエッチング法により、エッチングガスとしてμテクスチャーを形成する際に反応に寄与するフッ素系ガスと、マスク材をより効率的に形成しテクスチャー形成を促す塩素系ガスと、シリコン球状体の表面を酸化させまたマスク材のポリマーの大きさを制御する酸素ガスとを含むガスを使用して、シリコン球状体の表面に微細なμテクスチャーを加工する。 （もっと読む）

【課題】従来のプラズマ処理では、ウエハ外周周辺部の等電位面が湾曲し、ウエハ外周部周辺のエッチングレートが不均一であるという課題がある。
【解決手段】ウエハ載置用電極１１１の段差部に、ウエハ載置用電極１１１と同電位となるように設けたリング状部材３０３が配置され、かつ前記リング状部材３０３の上面をウエハ載置用電極１１１の上面より高くすることでウエハ外周部周辺の等電位面３０１の湾曲を改善し、ウエハ外周周辺部のエッチングレートを高均一化するプラズマ処理装置および処理方法。 （もっと読む）

【課題】プラズマの逆流を防止して冷却板の損傷を防ぐことができ、被処理基板に面内均一なプラズマ処理を行わせることができるプラズマ処理装置用電極板を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置内においてウエハ（被処理基板）と対向配置されるプラズマ処理装置用電極板３に、プラズマ生成用ガスを通過させるための、厚さ方向に貫通する複数の通気孔１１を形成し、通気孔１１の内壁面に、その通気孔１１の長さ方向に沿う螺旋状の溝１１ａを、少なくとも一条設ける。 （もっと読む）

【課題】電極板の洗浄回数を減らすことができ、洗浄から次の洗浄までのプラズマエッチング時間を一層長くして、効率良くプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理装置用電極板を提供する。
【解決手段】電極板３は、両電極構成板３１，３２が積層され、両電極構成板３１，３２の厚さ方向に貫通する通気孔１１が複数設けられてなり、通気孔１１は、放電側電極構成板３１に設けられる小径の第１穴部２１と、固定側電極構成板３２に設けられ第１穴部２１より穴径が大きい大径の第２穴部２２とが互いに連通して形成されており、第２穴部２２の内壁面には、その第２穴部２２の長さ方向に沿う複数の溝が周方向に間隔をおいて形成され、第１穴部２１と第２穴部２２との接続部には、第１穴部２１の開口を取り囲むようにリング状の凹溝部２３が設けられ、凹溝部２３の内周壁面と第１穴部２１の内壁面とで形成される立壁部２４が設けられている。 （もっと読む）

【課題】良好な側壁形状の開口を有する半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ基板１０１上に形成された誘電体膜１０２の一部を誘電体膜１０２の表面から所定の深さまでエッチングする第１のエッチング工程と、第１のエッチング工程により誘電体膜１０２がエッチングされた第１のエッチング領域１１において誘電体膜１０２をエッチングしてＧａＡｓ基板１０１の表面を露出し、かつ、第１のエッチング領域１１を包含する第２のエッチング領域１２において第１のエッチング領域１１以外の領域に配置された誘電体膜１０２を所定の膜厚までエッチングする第２のエッチング工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】シリコン等をエッチングするための反応ガスの利用効率を高め、エッチングレートを高くする。
【解決手段】被処理物９を搬入側排気チャンバー２０、処理チャンバー１０、搬出側排気チャンバー３０の順に搬送する。処理チャンバー１０内に反応ガスを導入する。排気手段５によって、排気チャンバー２０，３０の内圧が外部の圧力及び処理チャンバー１０の内圧より低圧になるよう、排気チャンバー２０，３０内のガスを吸引して排気する。好ましくは、連通口１３，１４におけるガス流の流速を０．３ｍ／ｓｅｃ〜０．７ｍ／ｓｅｃとする。 （もっと読む）