【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットＴにおいて、ソレノイドコイル３が、第一石英板４、第二石英板５、及び、複数の石英管６によって囲まれた長尺チャンバの周囲に配置され、最下部にプラズマ噴出口８が設けられる。石英管６の内部には冷却水が供給される。長尺チャンバ内部の空間７にガスを供給しつつ、ソレノイドコイル３に高周波電力を供給して、長尺チャンバ内部の空間７にプラズマを発生させ、基材２に照射する。 （もっと読む）

【課題】処理容器内の処理空間に接する部材の表面に対するカーボン膜の密着性を向上させてパーティクルの発生を抑制することができる成膜装置の運用方法を提供する。
【解決手段】処理容器２内で保持手段２２に保持された被処理体Ｗの表面にカーボン膜を成膜する成膜工程を行うと共に不要なカーボン膜を除去するためにクリーニングガスでクリーニング工程を行なうようにした成膜装置の運用方法において、成膜工程に先立って、処理容器内の処理空間に接する部材の表面にカーボン膜７４の密着性を向上させ且つクリーニングガスに対して耐性を有する耐性プリコート膜７０を形成す。これにより、カーボン膜の密着性を向上させ、しかも不要なカーボン膜を除去するクリーニング処理を行っても耐性プリコート膜を残存させる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の信頼性を向上させることができる技術を提供する。特に、ゲート電極をメタル材料で構成する電界効果トランジスタを有する半導体装置において、安定した動作特性を得ることのできる技術を提供する。
【解決手段】レジストパターン１２をマスクとしたドライエッチングにより、ゲート電極１３ｎまたはゲート電極１３ｐを形成した後、酸素および水素を含むプラズマ雰囲気中においてアッシング処理を施すことにより、レジストパターン１２を除去し、ゲート電極１３ｎまたはゲート電極１３ｐの側面に付着した反応生成物１４を酸化する。その後、洗浄処理を施して、反応生成物１４を除去する。 （もっと読む）

【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットＴにおいて、スパイラルコイル３が第一石英板４に接合され、誘導結合型プラズマトーチユニットＴの最下部にプラズマ噴出口８が設けられる。第二石英板５及び第三石英板６に囲まれた長尺チャンバ内部の空間７にガスを供給しつつ、スパイラルコイル３に高周波電力を供給して、長尺チャンバ内部の空間７にプラズマを発生させ、基材２に照射する。 （もっと読む）

【課題】実効的な低配線間容量を維持しつつ、高密着性かつ高い配線間絶縁信頼性を有する多層配線技術を提供する。
【解決手段】第一の絶縁膜は、シリコン、酸素及び炭素を含むシロキサン構造を含む少なくとも１層以上の絶縁膜であり、第一の絶縁膜内部のシロキサン構造は炭素原子数がシリコン原子数よりも多く、第一の絶縁膜と金属との界面及び第一の絶縁膜と第二の絶縁膜との界面のうち少なくとも何れか一方に、第一の絶縁膜内部よりも単位体積当たりの炭素原子数が少なく、且つ酸素原子数が多い改質層が形成されていることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】 テーパー角度を９０度未満とするプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】 反応性エッチングガスとしてフッ素と酸素とを真空容器１内に導入し、コイル６に高周波電力を供給して誘導結合型プラズマ７を発生し、このプラズマによって基板電極８上にエッチング部材１０として配置されたシリコンをエッチングし、基板電極８に基板電極用交流電源１１から供給する交流電力の周波数によってシリコンにエッチングされる形状を制御する。 （もっと読む）

【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットＴにおいて、多重の渦形のスパイラルコイル３が第一石英板４に接合され、誘導結合型プラズマトーチユニットＴの最下部にプラズマ噴出口８が設けられる。第二石英板５及び第三石英板６に囲まれた長尺チャンバ内部の空間７にガスを供給しつつ、スパイラルコイル３に高周波電力を供給して、長尺チャンバ内部の空間７にプラズマを発生させ、基材２に照射する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、低マイクロ波電力から高マイクロ波電力の広範囲において、安定的なプロセス領域を確保できるプラズマ処理方法及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明は、連続放電によるプラズマの生成が困難になる領域にて、プラズマの生成を容易にするとともに前記容易に発生させられたプラズマにより被処理物をプラズマ処理するプラズマ処理方法において、オンとオフを繰り返すパルス放電により前記プラズマを容易に生成し、前記パルス放電を生成する高周波電力のオン期間の電力は、前記連続放電によるプラズマの生成が容易になる電力とし、前記パルス放電のデューティー比は、前記高周波電力の一周期あたりの平均電力が前記連続放電によるプラズマの生成が困難になる領域の電力となるように制御されることを特徴とするプラズマ処理方法である。 （もっと読む）

【課題】レジスト層、中間層、レジスト層のパターン形状をさらに良好にする半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】下層フォトレジスト７、無機材料の中間層８、上層フォトレジスト９を形成し、上層フォトレジスト９をパターニングして上層レジストパターン9aを形成し、半導体基板１をチャンバー内の下部電極上に設置し、チャンバー内に二酸化硫黄ガス、酸素ガスを有する第１反応ガスを導入してプラズマを発生させるとともに下部電極への高周波電力の供給を切断して上層レジストパターン9aをトリミングし、第１反応ガスを第２反応ガスに置換するとともに下部電極に高周波電力を供給して上層レジストパターン9aをマスクにして中間層８をエッチングして中間層パターン8aを形成し、第２反応ガスを第３反応ガスに置換してプラズマを発生させるとともに下部電極に高周波電力を供給して中間層パターン8aをマスクにして下層フォトレジスト層７をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】配線間の絶縁性に優れ信頼性の高い配線構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】スピンコート法により、ベースポリマーがポリイミド樹脂である非感光性樹脂のワニスを塗布後、ベーク、キュアしてポリイミド樹脂を硬化、膜を形成する。これを第１絶縁膜１２とする。次いで、めっきシード層１８形成、フォトレジスト溝パターン２２形成、めっき、フォトレジスト溝パターン２２除去、配線下以外のめっきシード層１８除去に依り、第１の絶縁膜上に配線２６を形成する。そして、第１絶縁膜の表面上にシリカ粒子３０を分散し、散したシリカ粒子３０をマスクとして、ＣＦ４及びＯ２を混合したガスで、第１絶縁膜１２をドライエッチングすることに依り、段差が１００ｎｍ以上の凹凸３２を形成する。最後に前述と同様にして、スピンコート法により、第２絶縁膜としてのポリイミド樹脂膜３４を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板をエッチングする際、ハードマスクの肩落ちによるエッチング深さの基板面内での粗密差を低減する。
【解決手段】半導体基板１上に、絶縁層（１０，１１）とアッシング除去可能な材料層を形成する工程と、材料層をパターニングする工程と、パターニングされた材料層をマスクに、絶縁層を貫通し、少なくとも半導体基板の一部をエッチングする第１のエッチング工程と、材料層がなくなる前にエッチングを一旦停止し、残存する材料層（１２）をアッシング除去する工程と、絶縁層をマスクに半導体基板を所定の深さにエッチングする第２のエッチング工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】ラジカル密度を均一化し、エッチングの均一性を向上させることのできる無電極方式のプラズマエッチング装置を提供する。
【解決手段】減圧処理室２０と、第一のガス導入機構１６と、誘電体窓２６と、プラズマ生成手段（１３、１５）と、試料２１を載置する試料台１８と、試料台１８に接続された第一の高周波電源２９とを有する無電極方式のプラズマエッチング装置において、第二のガスを供給するためのガス導入機構（３６、４０）と、試料２１の外周周辺にラジカルを発生させる高周波電力を投入するための第二の高周波電源２とを更に有する。 （もっと読む）

【課題】穴部の側壁を基板の表面に対して垂直に形成するとともに、高速にシリコン層をエッチングするプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】レジスト層をマスクとしてシリコン層をプラズマエッチングする方法であって、前記プラズマエッチング工程が、所定の比率で混合した堆積性ガスおよびエッチング性ガスの混合ガスを処理容器内に導入し、該混合ガス雰囲気で前記被処理基板をプラズマエッチングする第１のエッチングステップと、前記処理容器内に前記堆積性ガスを導入し、前記第１のエッチングステップによりプラズマエッチングされた被処理基板を該堆積性ガスが主体の雰囲気で堆積処理する堆積ステップ、および、前記処理容器内に前記エッチング性ガスを導入し、前記堆積ステップにより堆積処理された被処理基板を該エッチング性ガスが主体の雰囲気でプラズマエッチングする第２のエッチングステップを、複数回繰り返す。 （もっと読む）

【課題】極めて平坦度が高く、かつ、微小欠陥（凹状欠陥、凸状欠陥）を低減したマスクブランク用ガラス基板の製造方法を提供する。
【解決手段】研磨パッド２１，１１が貼り付けられ上下に対向して設けられた上定盤２０と下定盤１０との間に、複数のガラス基板を挟持し、ガラス基板に上定盤側２０より研磨液を供給しながら、ガラス基板の両主表面を両面研磨する。ガラス基板の形状は四角形で、そのコーナー部においてノッチマークを少なとも１以上有する。ガラス基板の上記両面研磨は、ノッチマークが形成されていない一方の主表面を上定盤２０側にセットして行う。 （もっと読む）

【課題】複雑な構造で、高精確性を有し、且つ生産コストが低い三次元ナノ構造体アレイ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の三次元ナノ構造体アレイの製造方法は、基板を提供する第一ステップと、前記基板の表面にマスク層を設置する第二ステップと、前記マスク層を加工して、前記マスク層の表面に、並列した複数のストリップ状の突部構造を形成し、隣接する該ストリップ状の突部構造の間に、凹溝を形成させる第三ステップと、前記マスク層をエッチングして、前記凹溝と対応する領域における前記基板の表面を露出させる第四ステップと、エッチングによって、前記隣接するストリップ状の突部構造を二つずつ互いに接近させて、更に接触させ、三次元ナノ構造体予備成形物を形成する第五ステップと、前記マスク層を取り除き、三次元ナノ構造体アレイを形成する第六ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】改良されたチャンバ洗浄機構、装置、および方法を提供する。
【解決手段】エッチング処理のさらなる調整を可能にするために利用されてもよい。一実施形態において、プラズマを生成するよう構成されたプラズマ処理チャンバ１００は、基板を受けるよう構成された内側下部電極１３１と、内側下部電極の外側に配置された外側下部電極１３５とを備えた下部電極アセンブリ１３０を備えている。プラズマ処理チャンバは、上部電極１１１を備え内側下部電極と外側下部電極との真上に配置された上部電極アセンブリ１１０を、さらに備える。 （もっと読む）

【課題】工程および装置構成を煩雑にすることなく、高エッチングレートで銅を異方性エッチングする装置、及びその方法を実施するプログラムを記憶した媒体を提供する。
【解決手段】チャンバ内に表面に銅膜１０４を有する基板１０１を配置し、チャンバ内を真空状態としつつ、チャンバ内に有機化合物１０６を供給し、銅膜に酸素ガスクラスターイオンビームを照射し、酸素ガスクラスターイオンビーム中の酸素ガスクラスターイオン１０７により、銅膜の銅を酸化させて酸化銅とするとともに、酸化銅と有機化合物を反応させて銅膜を異方的にエッチングする。 （もっと読む）

【課題】複数回のリソグラフィ工程を実施することなく、多段の凸形状からなる微細３次元構造パターンを形成することが可能なパターン形成方法及びパターン形成体を提供する。
【解決手段】基板９００の面上に第１と第２のエッチングマスク層１００，２００と、パターニング処理した第３層目のエッチングマスク３０１を積層し、この第１層目から第３層目のエッチングマスク層１００，２００、３０１において、隣接する上層のエッチングマスクをエッチング用マスクとして下層のエッチングマスクをエッチングし上層のエッチングマスクに形成されたパターンを下層のエッチングマスクに転写する。そして、第３層目のエッチングマスク３０１のパターンをトリミングした後、該トリミング後のエッチングマスクとエッチング後の第１及び第２層目のエッチングマスクを用いて基板を順にエッチングし、第１及び第２層目のエッチングマスクのパターンを基板９００に転写する。 （もっと読む）

【課題】トレンチ・ビア形状のウエハ面内均一性を向上できるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】基板上の第１配線層の上に絶縁層と金属層とを形成するステップと、絶縁層内に形成される第２配線層のためのトレンチを画成する金属マスク層を金属層から形成するステップと、金属マスク層を覆う平坦化膜を形成するステップと、トレンチの底部に形成され第１及び第２配線層を接続するビアを画成するマスク層を平坦化膜から形成するステップと、マスク層で、絶縁層の厚さよりも小さい開口を形成する第１ステップと、金属マスク層で絶縁層をエッチングしてトレンチを形成し、開口を深くしてビアを形成する第２ステップとが行われる。第１及び第２ステップでは、供給されたエッチングガスの拡散の影響が支配的な位置と、供給されたエッチングガスの流れの影響が支配的な位置とに対応してエッチングガス供給条件が調整される。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を含み、高速動作が可能なトランジスタを提供する。または、該トランジスタを含む信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】下地絶縁層中に埋め込まれ、上面の少なくとも一部が下地絶縁層から露出した電極層上に、一対の低抵抗領域及びチャネル形成領域を含む酸化物半導体層を設け、電極層において、または、酸化物半導体層の低抵抗領域であって電極層と重畳する領域において、酸化物半導体層の上層に設けられる配線層との電気的な接続を行うトランジスタを提供する。 （もっと読む）