【課題】基板のエッジ領域に導入するエッジガスが基板のセンタ領域に拡散することを抑制する。
【解決手段】 基板のセンタ領域とその周りのエッジ領域に向けてガスを別々に供給するガス導入部を構成する上部電極２００を設ける。上部電極はセンタガスのガス孔２１２を複数設けたセンタガス導入部２０４と，エッジガスのガス孔２１４を複数設けたエッジガス導入部２０６とを備え，エッジガス導入部のガス孔に連通するガス孔２３２が形成されたガス孔形成板２３０をエッジガス導入部の下面に取り付けることによって，エッジガス噴出口の垂直位置を調整できるようにした。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ダミー材料の除去により形成される溝や孔に容易にトップラウンドを設けることができるドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】本発明は、層間酸化膜に周囲を囲まれたダミー材料を除去することにより溝または孔を形成するドライエッチング方法において、前記ダミー材料を所定の深さまでエッチングし、前記エッチング後に等方性エッチングを行い、等方性エッチング後に前記ダミー材料の残りを除去することを特徴とするドライエッチング方法である。 （もっと読む）

【課題】難エッチング材料を、高速、高精度及び低ダメージでエッチングする。
【解決手段】実施形態に係わるエッチング装置は、上面側に披処理基板１９が搭載されるステージ１１と、ステージ１１の上面側を覆うチャンバー１２と、ステージ１１の下面側に付加され、開口部を有する下部電極１３ａと、チャンバー１２内にエッチングガスを供給するガス供給部１４と、下部電極１３ａに高周波を印加することにより、チャンバー１２内のエッチングガスをプラズマ化する高周波電源部１７と、下部電極１３ａの開口部を介して被処理基板１９にマイクロ波を印加することにより、披処理基板１９の温度を最適範囲内に設定するマイクロ波発生部１５と、ガス供給部１４、高周波電源部１７及びマイクロ波発生部１５を制御する制御部１８とを備える。 （もっと読む）

【課題】過剰なエッチングを抑制するとともに半導体表面の突起物を除去する半導体光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体光素子の製造方法は、エッチストップ層１３及び複数の半導体層を含み、半導体光素子のための半導体積層１０を半導体基板１１の主面１１ａにエピタキシャル成長させる半導体積層成長工程と、半導体積層１０の最表面から突出する突起物の先端部が露出するように、最表面にマスク層を形成するマスク層形成工程と、マスク層を用いて、ウェットエッチングにより突起物をエッチングするウェットエッチング工程と、ウェットエッチングの後に、ドライエッチングにより突起物を除去するドライエッチング工程と、突起物を除去した後に、最表面からマスク層を除去するマスク層除去工程と、マスク層を除去した後に、半導体積層１０に半導体光素子のための加工を行う加工工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】基板表面処理量の面内均一性も改善することができるアンテナ、誘電体窓、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】アンテナは、誘電体窓と、前記誘電体窓の一方面に設けられたスロット板とを備えている。前記誘電体窓の他方面は、環状の第１凹部１４７に囲まれた平坦面１４６と、平坦面１４６の重心位置を囲むように、平坦面１４６内に形成された複数の第２凹部１５３とを有している。前記スロット板の主表面に垂直な方向からみた場合、前記スロット板におけるそれぞれのスロット１３３内に、それぞれの第２凹部１５３の重心位置が重なって位置している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、堆積性のガスを用いたプラズマ処理において、被処理体の処理枚数の増加による異物を抑制できるプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】本発明は、処理室内に導入された堆積性ガスからプラズマを生成し、当該処理室内に設けられた試料台上に載置される被処理体を、高周波電力を印加した状態で前記プラズマに曝すことにより前記被処理体のエッチングを行うプラズマ処理方法において、前記被処理体を前記プラズマに曝す第一の期間と、前記被処理体を前記プラズマに曝し当該第一の期間よりも前記被処理体に対するエッチングレートの低い第二の期間とを繰り返すことにより、前記処理室内壁面への堆積膜がアモルファスになるエッチング条件で前記被処理体をエッチングすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ハーフピッチ６５ｎｍ以降のフォトリソグラフィ技術に用いられ、微小パターンの寸法精度に優れ、かつ寸法の面内分布の均一性が高いマスクパターンを有するマスクを安価に製造するフォトマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】透明基板と、この透明基板の一主面上に少なくとも遮光膜が形成されたフォトマスクブランクスを用い、前記遮光膜上に非感光性の有機基を有するシリコン系ポリマー層を塗布形成し、前記シリコン系ポリマー層は塩素系ガスによるドライエッチング耐性が大きく、前記透明基板が合成石英ガラスであり、前記遮光膜がクロムを主成分とし、前記シリコン系ポリマー層をフッ素系ガスによりドライエッチングし、前記遮光膜を塩素系ガスによりドライエッチングして遮光膜パターンを形成することを特徴とする。
【選択図】 図３
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【課題】磁気抵抗効果素子のスピン注入磁化反転特性の劣化が抑制され、製造歩留まりが高い不揮発性記憶装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、複数のメモリセルを有する不揮発性記憶装置の製造方法であって、前記メモリセルのそれぞれは、第１電極を含む下地層と、前記下地層の上に設けられた磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子の上に設けられた第２電極と、を有する。前記磁気抵抗効果素子は、記憶層である第１磁性層と、前記第１磁性層の上に設けられたトンネルバリア層と、前記トンネルバリア層の上に設けられ、参照層である第２磁性層と、を含む。前記第２磁性層の表面の一部もしくは前記第１磁性層の表面の一部にイオン化されたガスクラスタを照射して、前記第２磁性層の一部および前記第１磁性層の一部をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】非晶質炭素膜を用いて形成する電極のアスペクト比を増大させる。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板上に第１非晶質炭素膜を形成し、周辺回路領域の第１非晶質炭素膜を除去してメモリセル領域の第１非晶質炭素膜を第２非晶質炭素膜とし、第２非晶質炭素膜を覆う第１シリコン酸化膜を基板全面に形成し、第２非晶質炭素膜上の第１シリコン酸化膜を除去して周辺回路領域の第１シリコン酸化膜を第２シリコン酸化膜とし、第２非晶質炭素膜と第２シリコン酸化膜を覆う第１絶縁膜を形成し、第１絶縁膜に第１開口を形成し、第１開口を埋め込む第２絶縁膜を形成し、第２絶縁膜に第２開口を形成し、第２開口と第１開口が重なる位置に露出する第２非晶質炭素膜にホールを形成し、ホール内に下部電極を形成し、第２絶縁膜を除去して第１開口内に第２非晶質炭素膜を露出させ、露出した第２非晶質炭素膜を全て除去する。 （もっと読む）

【課題】光散乱封じ込め効果を有効に発揮すると共に、後工程で所定の薄膜を形成するような場合でも、カバレッジよく成膜できるようにしたテクスチャー構造を持つシリコン基板を効率よく製造できる低コストのドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板Ｗを配置した減圧下の成膜室１２内に、フッ素含有ガスとハロゲン含有ガスと酸素ガスとを含む第１のエッチングガスを導入し、放電用電力を投入してシリコン基板表面をエッチングする第１工程と、第１工程でエッチング済みのシリコン基板を配置した減圧下の成膜室内に、フッ素含有ガスとハロゲン含有ガスとのいずれか一方を主成分とし、これに酸素ガスを添加した第２エッチングガスを導入し、放電用電力を投入してシリコン基板表面を更にエッチングする第２工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】反跳したパーティクルの処理室内への侵入を防止することができる反射装置を提供する。
【解決手段】反射装置３６は、排気マニホールド１６の内部に配置され、ＴＭＰ１８に対向するように配置された円板状の第１の反射面部材４１と、該第１の反射面部材４１の周縁に配置され且つＴＭＰ１８の回転軸４３を指向するように面角度が設定された円環状の第２の反射面部材４２とから成る反射板３８を備える。 （もっと読む）

【課題】ＣｌＦ₃，ＸｅＦ₂，ＢｒＦ₃およびＢｒＦ₅のガスを用いつつ、量産化に対応可能な半導体基板表面をエッチングする装置を提供すること。
【解決手段】大気圧以下に減圧可能な反応室と；反応室内を移動可能であり、半導体基板を載置するための移動ステージと；半導体基板表面に向けて、ＣｌＦ₃，ＸｅＦ₂，ＢｒＦ₃およびＢｒＦ₅からなる群から選ばれる一以上のガスを含むエッチングガスを噴射するノズルと；半導体基板に向けて、窒素ガスまたは不活性ガスを含む冷却ガスを噴射するノズルと、大気圧以下に減圧可能な洗浄室と；洗浄室内を移動可能であり、半導体基板を載置するための移動ステージと；半導体基板表面に向けて、純水、フッ化水素水からなる一以上のガスを含むエッチングガスを噴射するノズルと；半導体基板に向けて、窒素ガスまたは不活性ガスを含む乾燥ガスを噴射するノズルとを有する、半導体基板の表面エッチング装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】基板の表面をエッチングして穴部を形成する際に、穴部の側壁を基板の表面に対して垂直にできるとともに、高速にシリコン層をエッチングできるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】シリコン層の上方にレジスト層が形成されてなる被処理基板が設置されている処理容器内に、酸素ガスとフッ化硫黄ガスとを含んだエッチングガスを所定の流量で供給し、供給したエッチングガスをプラズマ化したプラズマにより、シリコン層をエッチングするプラズマエッチング方法において、フッ化硫黄ガスの流量に対する酸素ガスの流量の流量比を第１の流量比とした状態でエッチングする第１のステップＳ１と、流量比が第１の流量比から第１の流量比よりも小さい第２の流量比になるように、酸素ガスの流量を減少させながらエッチングする第２のステップＳ２と、流量比を第２の流量比とした状態でエッチングする第３のステップＳ３とを有する。 （もっと読む）

【課題】Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系半導体を用いた半導体装置を作製する際の加工技術を確立する。
【解決手段】Ｃｌ_２または、ＢＣｌ_３または、ＳｉＣｌ_４などの塩素を含むガスを用いたドライエッチングによりＩｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系半導体層を選択的にエッチングする。Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系半導体層上に接して形成する導電層を選択的に除去してソース電極層及びドレイン電極層を形成する場合、塩素を含むガスに加えて酸素を含むガス、またはフッ素を含むガスを用い、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系半導体層がほとんど除去されないように導電層を選択的にエッチングすることができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明はドライプラズマエッチングを用いた基板のエッチング方法に関する。
【解決手段】 ドライプラズマエッチングシステム内で誘電体層をシリコン及びポリシリコンに対して選択的な均一エッチングを行う方法及びシステムが記載されている。エッチング用化学は、たとえばCH₂F₂やCHF₃のようなフルオロハイドロカーボンを有する。高いエッチング選択性及び受容可能な均一性は、CH₂F₂の流速やドライプラズマエッチングシステムと結合する出力を含むプロセス条件を選択することによって実現されて良い。それにより、エッチングプラズマ中での活性エッチングラジカルとポリマー生成ラジカルとの適切なバランスがとられる。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板を貫通するビアホールの形成時におけるノッチの発生を抑制することができ、製造歩留まり及び信頼性の向上をはかる。
【解決手段】 シリコン基板貫通電極を有する半導体装置の製造方法であって、表面側に機能素子と配線層１５が形成され、且つ配線層１５の下層にエッチング停止層１２を有するシリコン基板１０の表面側に支持基板３０を取着した後、基板１０の裏面側を研削して厚みを減少させる。次いで、基板１０の裏面側に、ビアホール用開口及び該開口よりも小径のダミーホール用開口を有するマスクを形成した後、基板１０の裏面側からエッチングすることにより、配線層１５の一部に達するビアホール４２を形成すると共に、基板１０の途中までダミーホール４３を形成する。次いで、ビアホール４２の側面に絶縁膜４４を形成した後、ビアホール４２内に配線材料を形成する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理チャンバを含むプラズマ処理システムにおいて、基材のエッチングに対する耐性を最適化する方法を提供する。
【解決手段】本願の方法は、エッチングガス混合物と親和性を有するプレコート（pre-coat）ガス混合物をプラズマ処理チャンバに流入させる工程、プレコートガス混合物の第一プラズマを照射する工程、基材を含む基板を導入する工程を含む。また該方法は、プラズマ処理チャンバ内にエッチングガス混合物を流入させる工程、エッチングガス混合物からの第二プラズマを照射する工程、第二プラズマにより基板をエッチングする工程、を含む。そして、プラズマ処理チャンバ内で、第一プラズマが表面にプレコート残留膜を形成し、基材のエッチング耐性を実質的に維持することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】被処理基板における凹凸形状を備えた面と下地基板の表面とを仮接着した後に減圧下において処理する際の、加工精度、処理効率、及び／又は処理の安全性を高める。
【解決手段】本発明の１つの貼り合せ構造体４０の製造方法は、凹部４２Ａ及び凸部４２Ｂが形成された第１表面を備える被処理基板４１の第１表面４２上に、２５℃における粘度が０．０２Ｐａ・ｓ以上０．１Ｐａ・ｓ以下である溶液状仮接着材を供給する溶液状仮接着材供給工程と、その溶液状仮接着材を加熱することにより、第１表面４２の凸部４２Ｂを１０μｍ超２０μｍ以下の厚みの仮接着材４６Ｂによって覆う仮接着材形成工程と、その仮接着材４６Ｂを介して、第１表面４２と平板状の下地基板４８とを一時的に貼り合わせる貼り合せ工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】処理ガスの供給を交互に切り換える際に，これらの処理ガスが混ざり合うことなく，過渡現象を従来以上に抑制する。
【解決手段】ウエハのプラズマ処理中に少なくとも２種類以上の処理ガス（例えばＣ_４Ｆ_６ガスとＣ_４Ｆ_８ガス）を交互に切り換えて処理室内に供給する際に，切り換える処理ガスを供給する各ガス供給路については，そのガス供給路に設けられたマスフローコントローラ（ＭＦＣ）の下流側の開閉バルブを開いたまま，マスフローコントローラに所定流量とゼロ流量を繰り返して設定することによって，各処理ガスの供給を交互にオンオフする。 （もっと読む）

【課題】反射防止膜を確実に除去して半導体装置の欠陥発生を低減する。
【解決手段】第１の層間絶縁膜の上に、絶縁膜と、反射防止膜と、レジスト膜とを順番に形成する。レジスト膜を用いて反射防止膜と絶縁膜をエッチングし、絶縁膜からハードマスクを作成する。この後、ラジカル照射によってレジスト膜と反射防止膜を除去する。ラジカル照射は、基板温度を１００℃、１５０℃、２５０℃と順番に上昇させながら行う。基板温度が低い初期段階では、反射防止膜の膜材料の飛散防止と、反射防止膜の表面に残留する他の物質の除去が行われる。この後、基板温度を高くすることで、反射防止膜が確実に除去される。 （もっと読む）