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Fターム[5F031HA33]の内容

Fターム[5F031HA33]に分類される特許

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【課題】現状の設備から改造無しで、ウエハによるウエハ載置台の汚染や損傷を回避しつつ、ウエハとウエハ載置台との間での良好な熱伝導を確保することができるウエハ載置機構及びウエハ載置ステージ、並びに、このようなウエハ載置ステージを用いたレジスト形成装置を得る。
【解決手段】ウエハの処理を行う際に該ウエハを支持するウエハ載置ステージ100aにおいて、ウエハを支持するための載置ステージ本体111と、該載置ステージ本体上に、該載置ステージ本体の表面に密着するよう、該載置ステージ本体に着脱自在に設けられ、該ウエハを載置するためのスペーサ部材112とを備えた。 (もっと読む)


【課題】貫通孔の中心軸と円筒部材の中心軸とを一致させ、円筒部材を貫通孔に同心状に装着させることができる円筒部材装着治具を提供する。
【解決手段】リフターピン21が貫通する貫通孔41と、貫通孔41に連通し、貫通孔41よりも径が大きい座繰り穴42とを有する基材13において貫通孔41にスリーブ45を装着するための治具であって、座繰り穴42に嵌合する台座部51と、台座部51から突出し、リフターピン21の外形よりも太く且つスリーブ45の内径よりも細い位置合わせピン52を備え、この位置合わせピン52は、台座部51を座繰り穴42に嵌合させた際、位置合わせピン52の中心軸52aが貫通孔41の中心軸41aと重なるように位置決めされている。 (もっと読む)


【課題】サセプタのマーキングとしての刻印を打つ位置の特定方法を提供し、それにより刻印を打ったサセプタを提供する。また、好ましい刻印の条件についても教示する。
【解決手段】刻印は、気相成長等においてウェーハの品質に影響を及ぼさない位置になされるべきであり(第1の条件)、かつ、サセプタを単独で取り扱う際に容易に判読可能な位置になされるべきであり(第2の条件)、かつ、刻印は表面を削るので、削られるサセプタの機械的強度に影響の少ないところになされるべきである(第3の条件)。そのため、サセプタの裏側の面で、ウェーハ載置のためのポケットに対応する位置に刻印を施す。 (もっと読む)


【課題】テーブルユニットの小型化や軽量化が図れる。
【解決手段】加工対象品101が隙間10に横方向から搬入された後、昇降駆動機構4が下降駆動するのに伴い、上クランプユニット7の自重だけで又は第1弾性部材9の弾力又は第2弾性部材17の弾力の作用により上クランプユニット7が下降して、上クランプユニット7と下クランプユニット8とが加工対象品101の周縁部を上下方向から掴むように支持し、テーブルユニット5が加工対象品101の中央部を下から支持した後、昇降駆動機構4が上クランプユニット7及びテーブルユニット5から機構的に離れた縁切れ状態となることにより、上クランプユニット7を開閉する駆動機構に必要な電気駆動のためのケーブルや空気駆動のためのエアーチューブなどがテーブルユニット5から除去するこができるようになっている。 (もっと読む)


【課題】基板を効率良く冷却して基板処理のスループットを高くすることができるロードロック装置を提供すること。
【解決手段】真空室に対応する圧力と大気圧との間で圧力を変動可能に設けられた容器31と、容器31内にパージガスを供給するパージガス供給機構48と、容器31内を排気する排気機構44と、容器31内が真空室5と連通した際に容器31内の圧力を真空室5に対応する圧力に調整し、容器31内が大気雰囲気の空間と連通した際に容器31内の圧力を大気圧に調整する圧力調整機構49と、容器31内に設けられ、基板が近接配置されまたは載置されて基板を冷却する冷却部材32と、冷却部材32に近接配置されまたは載置された基板に対向する位置に設けられ、基板の輻射熱を吸収する吸熱層61とを具備する。 (もっと読む)


【課題】基板を容易にホットプレート上の所定位置に位置決めする。
【解決手段】熱処理装置は、基板(ウェハ1)を加熱するホットプレート2と、ホットプレート2上の所定の熱処理位置にて基板の外周を位置決めする複数のガイド部材(ガイドピン3)とを有する。熱処理装置は、更に、ガイド部材の少なくとも1つである可動ガイド部材(可動ガイドピン31)を移動させる移動部4を有する。移動部4は、基板が熱処理位置に位置するときの基板の外形線よりも外側の第1位置から、基板が熱処理位置に位置するときに可動ガイド部材により基板の外形線を位置決めする第2位置へと、可動ガイド部材を移動させる。 (もっと読む)


【課題】位置計測用のマークが存在しない移動体の位置を管理することを可能にする。
【解決手段】 所定形状のプレート50が着脱可能に搭載された移動体WSTの位置をその移動座標系を規定する計測装置18等で計測しつつ、プレート50の一部をアライメント系ALGで検出するとともにその検出結果と対応する前記計測装置の計測結果とに基づいてプレート50の外周エッジの位置情報を取得する。このため、その移動体WST上に位置計測用のマーク(基準マーク)などが存在しなくても、プレートの外周エッジの位置情報に基づいて、プレートの位置、すなわち移動体の位置を前記計測装置で規定される移動座標系上で管理することが可能になる。 (もっと読む)


【課題】プラズマ処理中に基板の縁部およびトレイに付着した副生成物の除去を行って、製品の品質を向上させる。
【解決手段】基板が収容される複数の基板収容孔が設けられ、この基板収容孔の内壁から突出する基板支持部を有するトレイを基板ステージのトレイ支持部上に載置するとともにそれぞれの基板保持部上に基板を載置して、基板保持部の端縁よりはみ出した基板の縁部と基板支持部とを離間させた状態とする基板載置工程と、チャンバ内を減圧するとともに処理ガスを供給して、それぞれの基板に対するプラズマ処理を行う第1プラズマ処理工程と、トレイおよびそれぞれの基板が基板ステージ上に載置された状態にて、チャンバ内を減圧するとともに処理ガスを供給してプラズマ処理を実施し、第1プラズマ処理工程の実施により基板の縁部と基板支持部とに付着した副生成物を除去する第2プラズマ処理工程とを実施する。 (もっと読む)


【課題】熱処理プレートに基板を受け渡すときの基板の横滑りによる位置ずれが起きないようにして加熱処理の適正な処理が行われる熱処理装置(方法)を提供すること。
【解決手段】熱処理プレート60の基板載置面と基板の裏面との間に第1の隙間距離をとるための伸縮自在な弾性部材からなる複数の第1の載置支持部材64と、基板載置面と基板の裏面との間に前記第1の隙間距離よりも小さい隙間距離となる第2の隙間距離を設けるための複数の第2の載置支持部材62と、熱処理プレート60の基板載置面に設けられ前記基板の裏面との隙間の空間を吸引するための複数の吸引孔63と、を備えて、前記吸引孔により第1の載置支持部材64上に支持された基板を吸引することで第1の載置支持部材64を収縮させて第2の載置支持部材62に基板を支持させる。 (もっと読む)


【課題】処理ユニットの設置スペースを小さくして、装置の小型化を図ると共に、基板の処理時間の短縮化及び搬送時間の短縮化によりスループットの向上を図れるようにすること。
【解決手段】ウエハWを加熱するための加熱部50を形成する熱板51と、熱板51の下方に配設され、ウエハを冷却するための冷却部40を形成する冷却プレート41と、上下に配設された加熱部50及び冷却部40と対向する位置に配設され、ウエハWに対して処理液の液膜を形成する複数の現像処理部60と、冷却部40及び現像処理部60に対してウエハWを搬入又は搬出するためのメインアームA1と、メインアームA1から受け取ったウエハWを冷却部40に受け渡すと共に、加熱部50に近接する位置に移動する昇降可能な支持ピン80とを具備する。 (もっと読む)


【課題】タッチパネル電極層を下面にしてカラーフィルタ層を形成する基板を搬送し、複数の装置間での基板の受渡しをロボットハンドによって行う場合に、基板搬送面であるタッチパネル電極層の最表面である有機膜面の傷や汚れの発生を抑制するとともに、基板の受け渡しの位置ずれがなく安定して受け渡すことを可能とするリフトピンを備えた基板搬送装置を提供する。
【解決手段】少なくとも、載置された基板を搬送するコロと、基板を前記コロの上方に持ち上げるリフトピンと、前記リフトピンが設けられた支持台を昇降する手段と、前記リフトピンの先端部に設けられ流体吹き出し孔と流体吸い込み孔を有する基板支持部と、前記流体吹き出し孔に流体を送り込む手段と、前記流体吸い込み孔から流体を吸い込む手段と、を備え、基板をリフトピン先端部に接することなく持ち上げることを特徴とする基板搬送装置。 (もっと読む)


【課題】基板が収容されるチャンバに対して基板位置検出装置を高い位置決め精度で取り付けなくても、基板の位置を高い精度で検出できる基板位置検出装置を提供する。
【解決手段】サセプタを動かして基板載置部を撮像装置の撮像領域に位置させる工程と、処理容器内において撮像装置の撮像領域内に位置するように設けられる2つの第1位置検出マークであって、2つの第1位置検出マークの第1垂直二等分線がサセプタの回転中心を通る2つの第1位置検出マークを検出する工程と、サセプタにおいて基板載置部に対して設けられる2つの第2位置検出マークであって、2つの第2位置検出マークの第2垂直二等分線がサセプタの回転中心と基板載置部の中心とを通る2つの第2位置検出マークを検出する工程と、検出した2つの第1位置検出マーク及び2つの第2位置検出マークに基づいて基板載置部が所定の範囲に位置するかを判定する工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】動作回数を重ねても、機構部の軸動作のズレが累積することを抑制できる基板処理技術を提供する。
【解決手段】基板処理レシピ記憶部と、当該基板処理装置を構成する機構部の原点出しを行うイニシャルレシピ記憶部と、イニシャル処理を行う基準回数を記憶するイニシャル基準記憶部と、実行済みの基板処理回数記憶部と、基板処理レシピを実行する基板処理実行部と、イニシャルレシピを実行するイニシャル処理実行部と、基板処理回数を更新する処理回数更新部と、基板処理回数記憶部に記憶した基板処理回数が、イニシャル基準記憶部に記憶した基準回数に達したか否かを判定する処理終了判定部と、イニシャル処理可能状態であるか否かを判定するイニシャル可否判定部とを備え、基板処理回数が前記基準回数に達すると当該基板処理装置における新たな基板処理開始を保留し、イニシャル処理可能状態になるとイニシャルレシピを実行するよう基板処理装置を構成する。 (もっと読む)


【課題】貫通穴内にリフトピンが設けられたサセプタが配置された基板処理室内を腐食性物質でクリーニングしても、リフトピンとリフトピン挿通用穴部との間の摺動抵抗が著しく増大するという事態が発生しない基板処理装置、該基板処理装置の基板処理室のクリーニング方法、および当該基板処理装置を用いた電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置400および基板処理室410のクリーニング方法では、基板10sが無い状態でリフトピン440を下降させ、リフトピン挿通用穴部433をリフトピン440の頭部443によって塞いだ状態で、基板処理室410の内部にフッ素ラジカルを発生させる。この状態で、リフトピン挿通用穴部433のピン受け部435と頭部443とが全周で接する。ピン受け部435は平坦面になっているのに対して、頭部443の下面444には凹部446(環状凹部446a)が形成されている。 (もっと読む)


【課題】高温ウエハを急速冷却し、ウエハズレ起因の異物発生を防止及び抑制できる真空処理装置及び処理方法を提供する。
【解決手段】本発明は被処理体を処理する処理室と、前記処理室で処理された高温の前記被処理体を冷却する冷却室と、真空搬送ロボットを内部に設置し前記処理室と前記冷却室とを接続した真空搬送室とを備える真空処理装置において、前記冷却室は、前記冷却室内を減圧にする排気手段と、前記冷却室にガスを供給するガス供給手段と、前記冷却室内の圧力を制御する圧力制御手段と、前記高温の被処理体を支持する支持手段と、前記支持手段に支持された被処理体を近接保持する載置台とを具備し、前記載置台は、前記載置台表面の温度を前記高温の被処理体を冷却できる温度に温調する温調手段を有し、前記支持手段は昇降速度可変手段を有することを特徴とする真空処理装置である。 (もっと読む)


【課題】ウエハ表面から保護テープを精度よく剥離する保護テープ剥離方法および保護テープ剥離装置を提供する。
【解決手段】バックグラインド域を囲焼する環状凸部を裏面に残存形成されたウエハWの当該環状凸部を第1保持テーブル6aで吸着保持するとともに、環状凸部の内壁に近接する外周壁を有する第2保持テーブル6bを環状凸部内側の扁平凹部に挿入し、その扁平面を吸着保持した状態で、ウエハWの表面の保護テープに剥離用の粘着テープTを貼付け、当該粘着テープTを剥離することにより,ウエハWの表面から保護テープを一体にして剥離する。 (もっと読む)


【課題】成膜時に半導体ウエハの内周部の温度分布をより均一化することができるとともに、可動部材上への膜の成長を防止することができる支持台を提供する。
【解決手段】成膜時にウエハ70が載置される支持台であって、載置部材40と可動部材30を備えている。載置部材40は、ウエハ70が載置されるときに、ウエハ70の裏面の外周部を支持する第1支持面44を備えている。可動部材30は、ウエハ70を搬送するときに、ウエハ70の裏面の外周部を支持する第2支持面34を備えている。第2支持面34は、第1支持面44の内周端44aよりも外周側に位置している。可動部材30は、上部位置と下部位置との間を移動可能である。第1支持面44に支持されたウエハ70を平面視したときに、可動部材30全体がウエハ70と重なる範囲内に位置する。 (もっと読む)


【課題】可動の支持部により基板を支持しながら、基板を支持する構成の軽量化を図ること。
【解決手段】基板を支持する支持手段と、前記支持手段を所定の基板受け渡し地点に移動させる移動手段と、を備えた基板搬送装置であって、前記支持手段は、前記基板を支持する支持位置と基板の支持を解除する支持解除位置との間で移動可能な可動支持部を少なくとも含み、前記基板を支持する複数の支持部と、前記可動支持部を、前記支持位置に位置させる方向に付勢する付勢手段と、を含み、前記基板搬送装置は、更に、前記基板受け渡し地点に配置され、前記付勢手段の付勢力に抗して前記可動支持部を前記支持位置から前記支持解除位置に移動する支持部移動手段を備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 半導体装置の製造工程を簡略化させ、金属元素含有膜の酸化を抑制させる。
【解決手段】 金属元素含有膜及び金属元素含有膜上に形成された絶縁膜を備える基板を処理室内に搬入し、処理室内に設けられた基板支持部により支持する工程と、励起状態の水素と励起状態の窒素のいずれか又は両方と、励起状態の酸素と、を含む反応ガスを処理室内で基板上に供給して基板を処理する工程と、基板を処理室内から搬出する工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】チップにダメージを与えることなく、チップを安定して剥離でき、しかも、剥離作業における動作も単純で高精度の制御も必要がなく、装置として安価に提供できるチップ剥離装置及びチップ剥離方法を提供する。
【解決手段】シート12と反対側でチップ11を吸着するコレット13と、コレット13にて吸着されているチップ11をシート12を介して受ける針状体14と、チップ11を針状体14にて受けている状態のままシート12を反チップ側へ吸引する吸引手段15とを備える。剥離すべきチップ11をシート12を介して針状体14にて受けている状態で、チップ11をコレット13にて反シート側から吸着する。次に、吸引手段15を介してシート12をチップ11と反対側へ吸引して、シート12をチップ11から剥離する。 (もっと読む)


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