【課題】撓みによって生じる搬送アーム先端の下方への傾斜を低減することができる搬送装置及びプラズマ処理システムを提供する。
【解決手段】筐体内へ被搬送物を搬送する搬送装置である。搬送装置は、搬送アーム５２、アーム軸５３、複数の電磁石５０及び制御部４０を備えている。搬送アームは、被搬送物を載置するピック部５２ｂを先端に有し、水平方向に伸縮する。アーム軸５３は、搬送アーム５２を支持する。複数の電磁石５０は、筐体内部に磁場を発生させることにより搬送アーム５２に上昇方向の力を作用させる。制御部４０は、搬送アーム５２が水平方向に伸縮する際にアーム軸５３から搬送アーム５２先端までの長さが長くなるほど搬送アーム５２に作用させる上昇方向の力が大きくなるように複数の電磁石５０を制御する。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内への設置を容易に行うこと。
【解決手段】実施形態に係るロボットは、胴体部と、アームユニットとを備える。胴体部は、真空チャンバの上方から真空チャンバ内へ搬入されるとともに、真空チャンバへ固定される。また、アームユニットは、真空チャンバの上方から真空チャンバ内へ搬入されるとともに、真空チャンバ内へ固定された胴体部に対して連結される。 （もっと読む）

【課題】光を用いて基板を処理する基板処理装置において、処理基板の大型化に対応することのできる技術を提供する。
【解決手段】基板を処理する処理室と、処理室内に設けられ基板を載置した状態で水平回転する基板載置部と、基板載置部に載置された基板に対向するように前記処理室外に設けられ処理室内へ光を照射する発光部と、処理室と発光部の間に設けられ処理室と発光部を隔てる仕切り部と、処理室内へ処理ガスを供給する処理ガス供給部と、処理室内の雰囲気を排気する排気部とを備えた基板処理装置において、仕切り部は、発光部から処理室内へ照射される光を透過する複数の透過窓と、該透過窓と透過窓との間に設けられ透過窓を固定する窓固定部とを備え、複数の透過窓のうち少なくとも１つの透過窓の面積は、基板の面積よりも小さくなるよう構成する。 （もっと読む）

【課題】ロボットの最小旋回径を小さくすること。
【解決手段】実施形態に係るロボットは、第１アーム部、第２アーム部、中間リンク部、第１リンク部および第２リンク部を備える。第１リンク部は、第１アーム部と中間リンク部と固定ベース部との間で第１平行リンク機構を形成する。第２リンク部は、第２アーム部と中間リンク部と可動ベース部との間で第２平行リンク機構を形成する。そして、第２リンク部と中間リンク部との連結軸から第１アーム部と第２アーム部との連結軸までの距離は、第２リンク部と中間リンク部との連結軸から第１アーム部と第２アーム部との連結軸までの距離よりも短い。 （もっと読む）

【課題】部材の位置合わせに係る工程数を減少させ、位置合わせに要する時間を短縮し、半導体製造装置の生産性を向上させる。
【解決手段】基板保持部材１は、半導体基板１１を保持する保持面を備えたベース２と少なくとも１つの開口部を有していて保持面と対向するようにベース２上に支持されたマスク９とを備えている。さらに、基板保持部材１は、保持面とマスク９との間に、半導体基板１１が挿通される基板挿通部１４を備えている。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶリソグラフィ用マスクの搬送時やマスクステージへの装着・脱離時に異物が発生する不具合を抑制することにより、半導体装置の製造歩留まりを向上させる。
【解決手段】マスク１０をハンドラー３０で保持して露光装置のマスクステージに搬送する際、予めマスク１０の側面に永久磁石２０、２１を取り付けておく。また、ハンドラー３０のアーム部３２、３３には、マスク１０の永久磁石２０、２１との間に斥力が作用するように配置された電磁石３４、３５を取り付けておく。これにより、マスク１０を搬送する際、ハンドラー３０のアーム部３２、３３に挟まれたマスク１０は、アーム部３２、３３と非接触状態となり、浮遊状態でハンドラー３０に保持される。 （もっと読む）

【課題】位置ずれの量を抑制してダウンタイムを低減できる真空処理装置または真空処理方法を提供する。
【解決手段】内側が減圧される処理室及びこの処理室内に配置された試料台を有する真空容器と、この真空容器と連結されて前記ウエハを２つのアームの何れかに載せて搬入または搬出するロボットと、このロボットが前記ウエハを搬入または搬出する際にこのウエハの所定の位置のズレの量を検出する手段と、この検出されたズレの量に基づいて前記ロボットの動作を調節する調節器とを備え、前記調節器は、予めティーチングを行った結果に基づいて前記ロボットの動作を調節するものであって、前記ロボットが予めティーチングを行った後にウエハを所定のパターンで搬送した際に検出されたウエハの位置ズレの量の情報に基づいて再度のティーチングを行った後にウエハの処理を行う。 （もっと読む）

【課題】投影光学系と基板との衝突の低減に有利なリソグラフィ装置を提供する。
【解決手段】ステージに保持された基板の上の複数の計測点の高さを計測する計測部と、基板を保持して前記光学系の光軸に平行な方向に第１ストロークで移動する微動ステージと、微動ステージを保持して光学系の光軸に平行な方向に第１ストロークより大きい第２ストロークで移動する調整ステージと、調整ステージが移動しないように機械的に調整ステージを固定する固定機構と、を含み、制御部は、基板に前記パターンを転写する前に、計測部で計測された複数の計測点の高さで代表される基板の仮想平面が水平になるように、且つ、仮想平面が光学系の最も基板側の面と基板との間であって第１ストロークから決まる初期位置に位置するように調整ステージを移動させ、仮想平面を初期位置に位置させた後に固定機構によって調整ステージを固定するリソグラフィ装置。 （もっと読む）

【課題】被処理体の自重により被処理体を保持して搬送することが可能な搬送機構を提供する。
【解決手段】被処理体を搬送する搬送機構２４、６４において、屈伸及び旋回が可能になされたアーム部２６、２８、６６、６８と、アーム部の先端に設けられて処理体を保持するピック部３０、３２、７０、７２と、ピック部に設けられて被処理体の周縁部と当接して被処理体の自重により揺動して周縁部を保持する複数の保持部材３４とを備える。これにより、被処理体の自重により被処理体を保持して搬送可能する。 （もっと読む）

【課題】真空において熱をともなう処理を行う基板処理装置において、基板を高速で搬送しても基板の位置精度を高くすることができること。
【解決手段】熱をともなう真空処理が行われる真空処理ユニットに対して基板の搬入および搬出を行う基板搬送装置は、基板を位置決めする位置決めピンを有し、基板を位置決めした状態で保持するピックと、ピックにより真空処理ユニットに対して基板を搬入および搬出するようにピックを駆動させる駆動部と、ピックによる基板の搬送動作を制御する搬送制御部とを有し、搬送制御部は、基板を真空処理ユニットに搬入する際の、常温における基板の基準位置情報を予め把握しておき、実処理において、基板を真空処理ユニットに搬入する際に、その基板の基準位置からの位置ずれを算出し、位置ずれを補正して基板を真空処理ユニットに搬入するように駆動部を制御する。 （もっと読む）

【課題】装置自体の有する能力を超えた処理条件が設定されるのを防止することができる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供するを提供する。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハを格納し、真空排気可能な少なくとも１つの真空容器と、この真空容器にガスを供給するガス供給部と、開度を調整することにより真空容器内からの排気量を制御するAPCバルブと、真空容器内の圧力を、ガス供給部によるガス供給量とAPCバルブの開度とに対応付けて記憶する記憶部と、操作者から所定の圧力、ガス供給量、及び開度に関する指示を受付ける受付部と、受付部が受付けたガス供給量の範囲及び開度の範囲のうち、受付部が受付けた所定の圧力に対応する記憶部が記憶するガス供給量の範囲及び開度の範囲に含まれる範囲を算出する算出部と、算出部が算出した範囲を表示する表示部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】表示部に接続された複数の制御部のうち、表示部に表示される表示対象を制御することができる基板処理装置、及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板処理装置を操作する作業者が操作する操作部３４２と、操作部３４２に接続され、前記基板処理装置を制御する少なくとも２つ以上の制御部３０２，３０４，３１２と、制御部３０２，３０４，３１２が出力する信号を表示する少なくとも１つ以上の表示部３４２と、前記基板処理装置の起動時に、前記少なくとも２つ以上の制御部３０２，３０４，３１２のうち、少なくとも２つ以上の制御部３０２，３０４，３１２の起動時間を異ならせるように制御部３０２，３０４，３１２への電源の投入時機を制御する起動時間制御部３４４と、を有する。 （もっと読む）

【課題】少ない数のピンで、被処理基体及びフォーカスリングを昇降させることが可能な半導体製造装置を提供する。
【解決手段】一実施形態の半導体製造装置は、ステージＳＴ、複数のピン７０、及び駆動部を備えている。ステージは載置面ＰＦを含む。載置面は、被処理基体Ｗを載置するための第１の領域Ｒ１、及び、フォーカスリング１８を載置するための第２の領域Ｒ２を有する。第２の領域は、第１の領域を囲むように、設けられている。ステージには、複数の孔１４ｈが形成されている。複数の孔は、第１の領域と第２の領域との境界を通って載置面に交差する方向に延びている。複数のピンは、複数の孔にそれぞれ設けられている。複数のピンの各々は、第１の上端面７０ａ、及び、第２の上端面７０ｂを有している。第２の上端面は、第１の上端面よりも上方に設けられており、当該第１の上端面よりも第１の領域の側に偏位している。 （もっと読む）

【課題】ウェハ表面のエッチング量の均一さを悪化させずに、エッチング量を増加せしめる酸化膜除去方法及びこの方法に用いるバッチ式半導体デバイス製造装置の提供。
【解決手段】フッ化水素又はフッ化アンモニウムをシリコンウェハ表面上の酸化膜と反応させる第１の工程と、この反応によって生じた反応生成物を２００℃乃至５３０℃で加熱・蒸発させて除去する第２の工程とを有するドライエッチング工程を、隣接するシリコンウェハ同士の間隔を２ｍｍ乃至５ｍｍに設定して実施する。エッチング室と、マイクロ波励起機構と、ロードロック室と、クリーンブースとで構成され、処理されるシリコンウェハの隣接するウェハ同士を２ｍｍ乃至５ｍｍの間隔で載置し得るウェハボートを有している。 （もっと読む）

【課題】基板処理システムを提供する。
【解決手段】ウェハ２００を処理する基板処理装置１００と、少なくとも一台の前記基板処理装置に接続される群管理システムを含む基板処理システムであって、前記基板処理装置は、前記群管理装置に少なくとも前記基板処理装置の状態を含むデータを送信し、前記群管理装置は、前記基板処理装置から送信される前記データを蓄積する第一の蓄積手段と、前記第一の蓄積手段がデータ蓄積時に待機する第二の蓄積手段と、受信した前記基板処理装置の状態に応じて、前記データの蓄積を前記第一の蓄積手段から第二の蓄積手段へ切替える切替制御手段とを備えた基板処理システム。 （もっと読む）

【課題】基板を載置台にフラットに載置することが可能であり、かつ、静電チャックによる吸着を解除して基板を載置台から持ち上げる際、基板に異常放電を発生し難くすることができる基板受け渡し方法を提供すること。
【解決手段】基板Ｇを基板載置面４ｃの上方にて、第１の昇降ピン８ａと、第１の昇降ピン８ａよりも低い位置の第２の昇降ピン８ｂとにより支持した基板Ｇを下降させ、基板Ｇを、基板Ｇの中央部から基板載置面４ｃに載置させる基板載置工程と、基板載置面４ｃに載置された基板Ｇを静電チャック４１により吸着して、基板Ｇにプラズマ処理を行う工程と、プラズマ処理終了後、静電チャック４１による吸着を解除し、第１の昇降ピン８ａと第２の昇降ピン８ｂとを同じ高さとして基板Ｇを支持し、基板Ｇを基板載置面４ｃから離脱させる基板離脱工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】高温状態のワークからの輻射熱による前記ワークの周辺部品に対する影響を減少させることができ、且つ冷却媒体が漏れたり真空リークが発生したりすることがなく、また、コストの減少させることができ、また、ワーク搬送機構の旋回角度を規制することがない冷却ユニットを提供する。
【解決手段】冷却ユニット１００は、その外壁部１２２がワーク搬送機構２０の被冷却面Ｐに密着した状態でワーク搬送機構２０に取り付けられ、被冷却面Ｐから外壁部１２２を介して伝導された熱によって下側空間Ｓ１に収容された冷却媒体を蒸発させ、冷却媒体が蒸発する際に奪われる気化熱によって外壁部１２２を介して被冷却面Ｐを冷却し、下側空間Ｓ１の内部の蒸気圧が一定以上になると蒸気放出ユニット１３０によって下側空間Ｓ１の内部の蒸気を真空室に放出する。 （もっと読む）

【課題】不純物導入層形成装置の静電チャックの性能劣化を抑制する。
【解決手段】静電チャック保護方法は、真空環境で揮発性を有する物質を含む異物の付着を妨げるための保護表面２３を、露出されたチャック面１３に提供することと、チャック面１３に静電吸着された基板Ｗに、真空環境で揮発性を有する物質を含む表層を形成するプロセスを実行するために、保護表面２３を解除することと、を含む。保護表面２３は、チャック面を取りまく真空環境に低真空排気運転を実施しているときに提供されてもよい。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置のセンサ誤作動を抑制する。
【解決手段】本発明に係るスパッタリング装置１は、発光端面６５ａと受光端面６６ａとの少なくとも一方を端面として備えた光ファイバ６５・６６がチャンバ２内に配置された光ファイバセンサ６を備え、光ファイバセンサ６の端面は、チャンバ２の底面から所定の高さ位置で、水平方向に対して上向きに配置されている。 （もっと読む）

【課題】ロボットアームの伸縮過程で湾曲による鉛直方向に沿った高さ位置の変動を抑制し、かつ、軽量化も可能な搬送ロボットを提供する。
【解決手段】ロボットアーム１１は、それぞれのアーム部２１ａ、２１ｂの長手方向Ｌに沿った全長のうち少なくとも一部は、長手方向Ｌに対して垂直な方向に広がる断面の形状が長方形を成す第一領域Ｅ１と、この長方形の一方の長辺Ｗ１から直角な方向に向けて突出した第二領域Ｅ２とからなる形状に形成されている。例えば、第一領域Ｅ１を成す長方形の一方の長辺Ｗ１の中央部分を中心にして、矩形の第二領域Ｅ２が突出しているような、断面が略Ｔ字型となるように形成されていれば良い。 （もっと読む）