【課題】真空搬送室に備えられた真空処理室の配置を最適化し、設置面積あたりの被処理物の生産能力の高い装置を提供する。
【解決手段】カセット内に収納されたウエハが搬送される大気搬送室と、大気搬送室から搬送されるウエハを収納するロック室１０５と、ロック室後方に連結される第一の真空搬送室１０４とを備えており、第一の真空搬送室には、複数の搬送中間室１１１、１１５〜１１７が連結されており、さらにその後段には真空搬送室１１０、１１２〜１１４が連結されており、ウエハは、ロック室を介して第一の真空搬送室に搬送され、後段の各真空処理室内において処理するために、第一の真空搬送室に連結された複数の搬送中間室の何れかを介して後段の夫々の複数の真空搬送室に搬送され、第一の真空搬送室以外の後段の複数の真空搬送室に搬送された夫々のウエハが、複数の真空搬送室に夫々連結された各真空処理室に搬送されて処理される。 （もっと読む）

【課題】被処理基板に処理を行う基板処理装置において、基板全面に均一に基板処理を行うことができる基板処理装置及びその基板処理装置における基板処理方法を提供する。
【解決手段】搬送路３４の途中に設けられたステージ面１５２を有し、被処理基板Ｇをステージ面１５２の上に載置する載置ステージ１５０と、ステージ面１５２の下方で搬送路３４を横切る方向に延びる軸１５６に沿って回転可能に設けられ、ステージ面１５２より上方に突出可能な半径を有する回転体の一部を軸１５６に沿って切り落とした形状に形成され、それぞれ第１及び第２の回転角度位置にあるときにステージ面１５２と略平行な面を形成する第１及び第２の弦部１６４、１７４を備えた第１及び第２の回転体１６０、１７０を有する。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で処理後のウェハの有無を確実に判定することができるウェハセンシング装置および当該装置を備えた半導体製造装置を提供すること。
【解決手段】ウェハセンシング装置は、加熱処理を行う処理装置を備えた半導体製造装置に装備され、搬送されるウェハの温度を赤外線温度センサーにより遠隔計測する手段と、計測結果が第１の一定温度以上の場合は、ウェハが搬送手段に搭載されていると判定する判定手段とを備える。赤外線温度センサーは搬送室の下面に設けられた、赤外線を透過する気密の観測窓の外部からウェハの温度を遠隔計測する。非接触で処理後のウェハの有無が確実に判別でき、製造や保守が容易である。 （もっと読む）

【課題】移送ステージにてウエハを短時間で位置決めできてスループットの向上を図ることができる簡単な構成の真空処理装置を提供する。
【解決手段】真空処理装置は、搬送室と、複数の処理室及びロードロック室とを備え、更に移送室内に並設した移送ステージ２と、基板Ｗを保持する搬送ロボットとを有する。移送ステージ２は、ベローズ２１と、基板支持手段２２と、ベローズ２１を変形させつつこの基板支持手段２２を移動可能とするＸ−Ｙステージ２３と、基板Ｗの位置を検知する検知手段２４とを有し、位置決め時間短縮を図る。 （もっと読む）

【課題】基板ホルダに塵埃をなるべく付着させないような技術が求められている。
【解決手段】複数の半導体基板を接合して製造される半導体デバイスの製造方法であって、重ね合わされた複数の半導体基板を加熱して接合する接合ステップと、接合ステップにより接合された複数の半導体基板を冷却室で冷却する冷却ステップと、接合ステップに先立って複数の半導体基板を冷却室に載置し、複数の半導体基板の温度と冷却室の温度差によって生じる熱泳動により複数の半導体基板に付着した塵埃を除去する塵埃除去ステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】真空下の半導体処理システムにおいて加工中の製品を処理する方法及びシステムに関する。
【解決手段】複数のロボットアームセットを持つロボットコンポーネントを使用した半導体を搬送するシステムであって、ロボットコンポーネント４００２は加工中の製品を搬送する下部ロボットアームセットを有し、ロボットコンポーネントは前記下部ロボットアームセットに対して実質上垂直な位置に、前記加工中の製品を搬送する上部ロボットアームセットを有する。 （もっと読む）

【課題】基板搬送時のスループットの向上と、ローダ室の小型化が可能な基板搬送方法を提供する。
【解決手段】 直線上に配設された偶数台のプローブ検査室と、プローブ検査室の列の前方をこの列と平行に移動し、収納容器から取出した被検査基板をプローブ検査室内へ搬送する搬送機構を有するローダ室とを備え、プローブ検査室内に設けられた載置台に載置された被検査基板上の電極パッドと、プローブカードのプローブとを接触させて、被検査基板の被検査チップの電気的特性を測定するプローブ装置における基板搬送方法において、搬送機構を移動させて、隣接する２つのプローブ検査室の略中央正面位置に搬送機構を停止させ、この搬送機構によって２つのプローブ検査室に被検査基板を搬入または搬出する。 （もっと読む）

【課題】搬送部とステージ等との間の受け渡しにおいて、電力が供給されない時間を短縮する。
【解決手段】基板を載置するホルダ本体と、基板をホルダ本体に静電吸着させる静電吸着部と、ホルダ本体を搬送する第１の搬送部から静電吸着部へ電力を供給する第１の搬送部用端子と、第１の搬送部との間でホルダを受け渡してホルダを搬送する第２の搬送部から静電吸着部へ電力を供給し、第１の搬送用端子と異なる位置に配された第２の搬送部用端子とを備える基板ホルダが提供される。 （もっと読む）

【課題】搬送室内の搬送ロボットの動作回数を記録したり、明示したりすることのできる基板処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】真空中で基板を搬送する第一の搬送手段を制御するロボットコントローラ１３ａ，１３ｂと、前記ロボットコントローラ１３ａ，１３ｂに指示を与える統括制御コントローラ１３とを有し、前記ロボットコントローラ１３ａ，１３ｂと前記統括制御コントローラ１３間で定期的に通信状態を確認するためのポーリング電文にロボット動作回数情報を格納することにある。また、前記動作回数情報は、操作部に送信されて、操作画面に表示されるよう構成される。 （もっと読む）

【課題】不具合が発生した場合でも、装置全体を停止することなく基板処理を継続できる可能性の高い基板処理装置を提供する。
【解決手段】
基板処理装置１は、基板Ｗを搬送するための第１、第２の基板搬送機構１４１ａ、１４１ｂと、当該基板搬送機構１４１ａ、１４１ｂの左右両側に各々設けられ、同一の処理が行われる処理ユニットの列Ｕ１〜Ｕ４と、を備えた第１、第２の処理ブロック１４ａ、１４ｂを備えている。処理ユニットの列Ｕ１、Ｕ３及び、他方側の処理ユニットの列Ｕ２、Ｕ４は各々共通化された処理流体の供給系３ａ、３ｂと接続されている。そしていずれかの基板搬送機構１４１ａ、１４１ｂ、処理流体の供給系３ａ、３ｂに不具合が発生すると、健全な基板搬送機構１４１ｂ、１４１ａ、処理流体の供給系３ｂ、３ａが受け持つ処理ユニットの列Ｕ１〜Ｕ４にて基板Ｗを処理する。 （もっと読む）

【課題】他の基板に優先して処理開始すべき基板と、通常のスケジュールで処理される基板とを並行して処理することが可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】
処理ブロック１４ａ（１４ｂ）は、基板搬送部１４１ａ、１４１ｂを用いて、基板搬入ブロック１１から搬入された基板Ｗに対し、複数の処理ユニット２にて同種の処理を行い、制御部５は他の基板Ｗよりも処理を優先する優先基板ＷＰが搬送される場合に、複数の処理ユニット２の一部または全部が割り振られた優先処理ユニット２Ｐのうち、次の基板Ｗの搬入が可能になった優先処理ユニット２Ｐに、他の基板Ｗに優先して優先基板ＷＰを搬入して処理を行う。 （もっと読む）

【課題】マスクブランクを大気に曝すことなく描画から熱処理までを行うことができるフォトマスクの製造装置を提供する。
【解決手段】描画手段１００の真空状態にある描画チャンバ１００ａ内でフォトレジスト塗布後のマスクブランク上にパターン像を描画する。描画後のマスクブランクを真空状態に保持された真空搬送路１０５内を通して熱処理手段１１０の真空状態にある熱処理チャンバ１１０ａ内に搬送する。そして、熱処理チャンバ１１０ａ内に搬送された描画後のフォトレジストを加熱しベーキングする。これにより素子精度・安定性およびパターン荒さを向上させ、抜け不良を低減させ、孤立スペースパターンの解像度を向上させる。 （もっと読む）

【課題】アンロード処理の実行中にロード処理の開始要求がなされた場合であっても、ロード処理を速やかに開始させ、基板処理の品質を向上させる。
【解決手段】基板を処理する処理室に連通する真空搬送室に連通し雰囲気可変に構成された予備室と、複数の予備室に連通する大気搬送室と、大気搬送室に接続され複数枚の基板を収納する基板収納部を載置する収納容器載置部と、基板収納部と予備室内との間で基板を搬送する大気搬送部と、少なくとも大気搬送部による搬送動作を制御する制御部と、を備え、制御部は、予備室内から基板収納部への基板を搬出するアンロード処理の実行中に、基板収納部から予備室内への基板を搬入するロード処理の開始要求を受け付けたら、アンロード処理の実行を中断させ、ロード処理の実行を優先的に開始させるように大気搬送部を制御する。 （もっと読む）

【課題】搬送アームに基板を静電吸着して搬送する場合において、真空中に電源やケーブルを導入する必要がなく、搬送モジュールにウェハを受け渡す際の基板の位置を高精度で制御することができ、更に、搬送モジュールで処理モジュールに搬送した後の基板の位置を高精度で制御することができる静電吸着部材を提供する。
【解決手段】静電吸着部材６０は、基板Ｗを大気中と真空中との間で受け渡すロードロックモジュールと、基板Ｗを真空中で処理する処理モジュールとの間で、基板Ｗを搬送する搬送モジュールのピック３１ｂに着脱可能に取り付けられ、ピック３１ｂが搬送する基板Ｗに静電吸着する。静電吸着部材６０は、ロードロックモジュールの載置ステージ７０とピック３１ｂとの間、又はピック３１ｂと処理モジュールとの間で、基板Ｗに静電吸着した状態で、基板Ｗと一緒に受け渡される。 （もっと読む）

【課題】面内膜厚の均一性を向上する基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置を、基板載置部に載置した基板を処理する処理室と、処理用ガスを処理室に供給する供給部と、供給された処理用ガスを励起する励起部と、処理室内の雰囲気を排気する排気部と、基板載置部を支持する支持部と、支持部を水平回転させる回転駆動部と、接続部を介して支持部の下端接続される冷媒供給/排出部とを有するよう構成し、前記基板載置部は、その内部に冷媒循環通路を有しており、前記支持部は、前記冷媒循環通路に冷媒を流通させる第１の冷媒流路を有し、前記冷媒供給/排出部は、第２の冷媒流路を有し、前記接続部は、前記第１の冷媒流路と第２の冷媒流路とを接続するものであり、前記接続部を前記処理室の外部に設けるように構成する。 （もっと読む）

【課題】複数の基板を加圧加熱して接合する過程において、基板と基板ホルダが固着するおそれがある。
【解決手段】基板を保持したホルダを加熱する加熱工程と、加熱されたホルダを、温度勾配をつけて冷却することにより、基板をホルダから剥離する剥離工程とを備える基板剥離方法が提供される。加熱工程は、一対のホルダで複数の基板を厚み方向に挟んで保持する工程と、一対のホルダ及び複数の基板を加熱する工程と、一対のホルダを加圧することにより複数の基板を貼り合わせる工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】１つのピックを前進及び後退させることで未処理の被処理体と処理済みの被処理体とを入れ替えすることが可能な載置台構造を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗを収容することができる容器４６内に設けられて、搬入される被処理体を載置するための載置台構造において、載置台５８と、ベース台６４と、ベース台を昇降させる昇降手段７２と、ベース台に設けられ、その上端部で被処理体を支持する複数の第１のピン部６６と、載置台の外周側に位置されると共に外側へ屈伸復帰可能にベース台に起立させて設けられ、第１のピン部よりも長く設定されると共にその上端部で載置台上の被処理体とは異なる被処理体を支持する複数の第２ピン部６８と、ベース台の上昇時に第２ピン部を一時的に外側へ展開させる展開機構６９とを備える。これにより１つのピックを前進及び後退させることで未処理の被処理体と処理済みの被処理体とを入れ替える。 （もっと読む）

【課題】異常により所定の処理が停止しても、リトライ処理を行うことで、ウェハ回収作業等の実施に起因する装置稼働率の低下を抑止できる基板処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ウェハ１を搬送する搬送手段と、前記搬送手段を制御する制御手段を備えた基板処理装置であって、前記搬送手段が、前記基板を搬送中にエラーが発生して一時停止したときに、前記制御手段は、所定回数のリトライ処理を前記搬送手段に実施させても前記エラーが解消されない場合、前記搬送手段を待機状態（コマンド入力待ち状態）に移行させる。 （もっと読む）

【課題】常圧搬送室に大掛かりな腐食対策をする必要がなく、またスループットも低減することのない基板処理装置を提供する。
【解決手段】ロードロック室１４ｂからストレージ２６まで常圧搬送室であるローダーモジュール１５を通過させることがなく基板Ｗを搬送するための迂回経路２４を設ける。当該迂回経路２４には、ロードロック室１４ｂからストレージ２６まで処理済みの基板Ｗを搬送する副搬送ユニット３６が配置される。この副搬送ユニット３６によってロードロック室１４ｂからストレージ２６まで処理済みの基板Ｗを搬送し、ローダーモジュール１５の主搬送ユニット１８によってストレージ２６から載置台２２ａ〜２２ｃの運搬容器に処理済みの基板Ｗを戻す。 （もっと読む）

【課題】排気システムのコストを低減することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板に処理を施す処理室と、前記基板を前記処理室へ搬送する搬送装置を備えた搬送室１２と、前記搬送室に連結された減圧可能な複数の予備室１４ａ，１４ｂと、前記複数の予備室に接続された排気装置５０と、前記複数の予備室の排気をそれぞれ制御する複数の排気弁６１−６３と、前記複数の排気弁を制御する第二の制御手段８９と、前記複数の排気弁のうちの一が開状態で、他の前記排気弁を開待ちとさせるように制御する第一の制御手段８６と、を備えている。 （もっと読む）