【課題】移動速度を上げなくても搬送時間を短縮することができる搬送装置を提供する。
【解決手段】搬送ロボット５０は、第１及び第２ハンド５２，５３を備えている。第１及び第２ハンド５２，５３は、基板６を夫々保持する２つのブレード５６を有している。また、搬送ロボット５０は、回動ユニット、第１進退ユニット、第２進退ユニット、昇降ユニットを有しており、これら４つのユニットにより第１及び第２ハンド５２，５３を基板６が載置されている基板搬送中継装置２５及び４つのプロセスチャンバ２３に夫々移動させることができるようになっている。 （もっと読む）

【課題】真空処理室において高温で処理された後に搬送されるウェハを微小異物や汚染が問題にならない温度に効率良く冷却できる真空処理装置を提供する。
【解決手段】試料を収納するカセットが設置されるカセット台と、大気搬送室と、該大気搬送室から搬送された試料を収納し大気圧雰囲気もしくは真空に切り替え可能なロードロック室と、該ロードロック室に連結された真空搬送室と、真空搬送された試料を処理する真空処理室と、を備える真空処理装置において、前記大気搬送室内に配置され、前記真空処理室で処理された後の高温の試料８を冷却する冷却部を備え、該冷却部は、試料８を載置し冷却液１７の流路が設けられた試料台１５と、試料８の搬入口側に配置され試料台１５に向かって冷却用ガス１０を吹き付けるガス吹き付け管１１と、試料台１５を境に前記搬入口の反対側に配置され、吹き付けられた冷却用ガス１０を排気する排気口１２と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】移動速度を上げなくても搬送時間を短縮することができる基板搬送中継装置を提供する。
【解決手段】基板搬送中継装置２５は、移送ロボットと搬送ロボットとの間で基板６を受渡す際にそれを中継する装置である。基板搬送中継装置２５は２つの支持体２８，２９を備え、各々の支持体２８，２９が２つの支持部３８,３９,４３,４４を有している。これら支持部３８,３９,４３,４４は、上昇することで前記搬送ロボットのハンドと基板を受渡しできるように構成されている。また、基板搬送中継装置２５は、２つの支持体２８，２９を夫々昇降させる第１昇降機構３２及び第２昇降機構３４を備えている。第２昇降機構３４は、第１昇降機構３２が第１支持体２８を上方に移動させる場合には第２支持手段２９を下方に移動させ、第１昇降機構３２が第１支持体２８を下方に移動させる場合には第２支持体２９を上方に移動させるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】電圧印加手段から電圧が印加される給電部材の弾性の劣化やヘタリを評価することができる。
【解決手段】基板処理装置は、搬入口と搬出口を有するチャンバ８５と、チャンバ内にガスを供給するガス供給手段１２と、ガスをプラズマにするためのプラズマ発生手段と、基板を保持する基板ホルダ２０と、搬入口から搬入され、搬出口へと基板ホルダを保持しながら搬送するキャリア２と、基板ホルダ２０に電圧を印加するための電圧印加手段１６と、給電部材１３を可動して、該給電部材を基板ホルダ２０に接触又は非接触させることにより、電圧印加手段１６からの電圧を供給するための駆動手段１８と、給電部材１３に流れる電流を測定する電流測定手段１７と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ステータ表面と永久磁石表面の間隔を縮小してリニアモータ効率を向上することができる基板搬送装置を提供する。
【解決手段】永久磁石４２と駆動磁石４１の間に配置され、永久磁石４２が配置されている空間を真空雰囲気に、駆動磁石４１が配置されている空間を大気圧雰囲気に隔てる真空隔壁４５は、永久磁石４２と対向する部分が大気圧雰囲気側に凸に湾曲した断面形状を有し、永久磁石４２及び駆動磁石４１はいずれも、真空隔壁４５と所定の距離を保つように真空隔壁４５と対向する部分が湾曲している。このため、真空隔壁４５の最大たわみ量を小さくすることができ、永久磁石４２と駆動磁石４１の距離を縮めることができる。 （もっと読む）

【課題】ラック・アンド・ピニオンの技術を用いた縦型搬送によるインライン型の真空処理装置であって、ピニオンギヤとラックギヤが同期ずれにより、トレイに振動や衝撃を与えることなく搬送を可能にする搬送機構、及び、それを備えた真空処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】複数のピニオンギヤのうち、少なくとも２つが回転してラックギヤに順次噛合することにより、該ラックギヤを現工程の処理室内に配置されるピニオンギヤから、次工程の処理室内に配置されるピニオンギヤへと受け渡して、トレイを搬送するラック・アンド・ピニオン機構、及び、それを備えた真空処理装置であって、各処理室を仕切るゲートバルブを挟んだ２つのピニオンギヤを同時に上下移動させる上下駆動部を有していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ウェハを確実に吸着保持する静電チャックを提供すること。
【解決手段】 ウェハを静電的に吸着保持する静電チャック１４１０は、基板１４０５、電極１４１２板及び絶縁層１４０４を重ねて成り、ウェハの印加電圧が０ボルトから所定電圧まで時間とともに増大又は減少されるのに連動する電圧を静電チャックの電極板に印加することにより、ウェハとチャックの間に吸引力を発生する。 （もっと読む）

【課題】基板ホルダの識別情報を管理して、基板貼り合せ装置の故障を防止する。
【解決手段】複数の基板を貼り合わせる基板貼り合わせ装置であって、複数の基板をそれぞれ保持し、固有の識別情報が割り当てられた複数の基板ホルダと、前記複数の基板ホルダに保持された前記複数の基板を貼り合わせる貼り合わせ部と、前記複数の基板ホルダに割り当てられた前記識別情報を認識する認識部と、前記認識部により認識された識別情報が重複する場合に、その旨を出力する出力部とを備える基板貼り合わせ装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】搬送手段によりウエハを搬送する製造ラインであって、制御がより簡単な製造ラインを提供する。
【解決手段】循環する経路に沿ってウエハを搬送する搬送手段と、複数の加工装置と、各ウエハの周回数をカウントする周回数カウント手段と、加工を行う周回数を記憶している記憶手段と、制御手段を備えている。前記経路上には、加工装置毎に判定領域が設けられている。制御装置は、各加工装置と搬送手段を、（１）判定領域内に位置するウエハの周回数がその判定領域に対応する加工装置で加工を行う周回数と一致しているときに、その加工装置によって加工を行ってからそのウエハを下流側に送り出し、（２）判定領域内に位置するウエハの周回数がその判定領域に対応する加工装置で加工を行う周回数と一致していないときに、その加工装置によって加工を行わないでそのウエハを下流側に送り出すように制御する。 （もっと読む）

【課題】圧力差によって基板保持具を支持する支持部が傾斜するのを抑制することができる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、ロードロック室と、ロードロック室内の雰囲気を制御するガス供給部及びガス排気部と、ロードロック室内でウエハを保持するボートと、ボートを支持するシャフト及び固定台５６と、これらシャフト及び固定台５６を昇降する昇降装置と、固定台５６に固定され昇降装置と面で接続する接続部材６０と、を有し、ロードロック室は、大気圧雰囲気下でウエハを搬送するＥＦＥＭ、及びウエハを処理する処理室に隣接し大気圧より圧力の低い真空雰囲気下でウエハを搬送する搬送室これらに隣接する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理中に基板の縁部およびトレイに付着した副生成物の除去を行って、製品の品質を向上させる。
【解決手段】基板が収容される複数の基板収容孔が設けられ、この基板収容孔の内壁から突出する基板支持部を有するトレイを基板ステージのトレイ支持部上に載置するとともにそれぞれの基板保持部上に基板を載置して、基板保持部の端縁よりはみ出した基板の縁部と基板支持部とを離間させた状態とする基板載置工程と、チャンバ内を減圧するとともに処理ガスを供給して、それぞれの基板に対するプラズマ処理を行う第１プラズマ処理工程と、トレイおよびそれぞれの基板が基板ステージ上に載置された状態にて、チャンバ内を減圧するとともに処理ガスを供給してプラズマ処理を実施し、第１プラズマ処理工程の実施により基板の縁部と基板支持部とに付着した副生成物を除去する第２プラズマ処理工程とを実施する。 （もっと読む）

【課題】放電開始直後に基板に位置ずれが発生しても，それを早期に検出して直ぐに処理を中止することで，異常放電による載置台の損傷を極力防止する。
【解決手段】伝熱ガスの供給開始で一時的に上昇した伝熱ガスの流量が低下して安定するよりも前に所定の調圧終了基準値以下になると，処理容器内に高周波電力を供給して放電を開始し，基板保持面上の被処理基板上に処理ガスのプラズマを発生させる放電ステップとを有し，上記放電ステップにおいて，流量センサで検出した伝熱ガス流量が所定の閾値を超えたときに基板ずれありと判定する判定ポイントを伝熱ガス流量が安定する前の時点において複数設け，各判定ポイントごとに閾値を設定することによって，伝熱ガス流量の安定を待たずに基板ずれ判定を行う。 （もっと読む）

【課題】動作回数を重ねても、機構部の軸動作のズレが累積することを抑制できる基板処理技術を提供する。
【解決手段】基板処理レシピ記憶部と、当該基板処理装置を構成する機構部の原点出しを行うイニシャルレシピ記憶部と、イニシャル処理を行う基準回数を記憶するイニシャル基準記憶部と、実行済みの基板処理回数記憶部と、基板処理レシピを実行する基板処理実行部と、イニシャルレシピを実行するイニシャル処理実行部と、基板処理回数を更新する処理回数更新部と、基板処理回数記憶部に記憶した基板処理回数が、イニシャル基準記憶部に記憶した基準回数に達したか否かを判定する処理終了判定部と、イニシャル処理可能状態であるか否かを判定するイニシャル可否判定部とを備え、基板処理回数が前記基準回数に達すると当該基板処理装置における新たな基板処理開始を保留し、イニシャル処理可能状態になるとイニシャルレシピを実行するよう基板処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理されたウエハの異常原因を分析する。
【解決手段】クラスタ型のプラズマ処理システム１０に配置された２以上のプロセスモジュールの少なくともいずれかにおいてプラズマ処理されたウエハＷの異常原因分析方法であって、ウエハＷがフープ１１５ａ〜１１５ｃから搬出され、前記２以上のプロセスモジュールの少なくともいずれかに搬送された後、前記フープ１１５ａ〜１１５ｃに戻るまでの搬送経路の情報を前記ウエハＷ毎に該ウエハの識別情報に関連付けて記憶する記憶工程と、処理済のウエハＷの状態を検査する検査工程と、前記検査工程の結果、異常と判定されたウエハＷの前記記憶された搬送経路の情報と、正常と判定されたウエハＷの前記記憶された搬送経路の情報とを比較し、比較の結果に基づき異常原因の分析を行う異常分析工程と、を含む異常原因分析方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の製造工程を簡略化させ、金属元素含有膜の酸化を抑制させる。
【解決手段】 金属元素含有膜及び金属元素含有膜上に形成された絶縁膜を備える基板を処理室内に搬入し、処理室内に設けられた基板支持部により支持する工程と、励起状態の水素と励起状態の窒素のいずれか又は両方と、励起状態の酸素と、を含む反応ガスを処理室内で基板上に供給して基板を処理する工程と、基板を処理室内から搬出する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】基板の搬送にあたり、基板変形によるキズやパーティクル等の発生を抑制するとともに、基板変形に伴う基板保持力低下を抑制して安定した高速搬送を実現可能とする。
【解決手段】搬送対象物である基板の支持基体となる板状体と、板状体の面上に設けられた複数の凸部が基板の径より小さい円周状に配置されてなる基板支持部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板をトレイに載置した状態でプラズマ処理することによってトレイが高温或いは低温になった場合でも、トレイ上の所定位置に正確に被処理基板を載置したり前記トレイから被処理基板を確実に取り出したりすることができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明は、反応室２外に設けられたトレイステージ３０、ウエハＷが載置されたトレイ１４をトレイステージ３０と反応室２との間で搬送するロボット２２、反応室２外に設けられたウエハＷを収納するウエハケース３２、トレイステージ３０上のトレイ１４からプラズマ処理済みのウエハＷを取り出してウエハケース３２に収納すると共にウエハケース３２からプラズマ処理前のウエハＷを取り出してトレイステージ３０上のトレイ１４に載置する移載用ロボット３４、トレイステージ３０上に載置されるトレイ１４の温度を所定温度範囲に維持する赤外線ヒータ３８を備える。 （もっと読む）

【課題】搬送チャンバー内にシリコン基板を搬送したときに、シリコン基板が面内温度分布に起因して反ることがない真空処理装置の提供。
【解決手段】真空雰囲気でシリコン基板２６に回路を形成する複数の処理を、それぞれ順次実行する為の複数のプロセスチャンバー２〜５と、複数のプロセスチャンバー２〜５に隣接し、シリコン基板２６をプロセスチャンバー２〜５内へ搬入しプロセスチャンバー２〜５内から搬出する搬送機構１９を有する搬送チャンバー１とを備える真空処理装置。ガスを吹き出す吹出口２２〜２５と、搬送チャンバー１内のガスを外部へ排気する排気口３１とを搬送チャンバー１内に備え、搬送機構１９がプロセスチャンバー２２〜２５から搬出し停止させたシリコン基板２６へ吹出口２２〜２５からガスを吹出させる構成である。 （もっと読む）

【課題】ピックによる基板保持時に基板の異常を判定することで，異常な基板の搬送処理を続行することによる不具合を未然に防止する。
【解決手段】基板が水平方向に移動しないように規制する規制体４２０と，押圧体４４０をスライド駆動させて，ウエハＷの端部を規制体に押しつけることによって保持する押圧保持部４３０と，押圧体を駆動させるとともに，その押圧体の位置情報を出力可能な押圧体駆動部４４２とを有するピックを備え，このピックの基板保持時に押圧体をスライド駆動させてその押圧体が停止した位置を検出し，その検出位置が異常判定閾値以上にピックの先端側にある場合にはその基板は異常であると判定し，その基板の搬送処理を停止する。 （もっと読む）

【課題】処理済ウエハを搬送するときにも未処理ウエハより速度を上げて搬送可能とし，これによって従来以上に処理全体のスループットを向上させる。
【解決手段】ローダアーム機構２００のピックを基板保持可能範囲を拡大して位置ずれが発生してもウエハを保持できるようにし，トランスファアーム機構３００を搬送制御する際，そのピック上に未処理ウエハＷがあるか否かを判断し，未処理ウエハなしと判断した場合は，ピック上にウエハなしの場合のみならず，処理済ウエハありの場合についても，ピック上に未処理ウエハありと判断した場合よりも速い速度で搬送制御する。 （もっと読む）