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Fターム[5F031NA07]の内容

ウエハ等の容器、移送、固着、位置決め等 (111,051) | 雰囲気管理 (4,208) | 雰囲気での出入り、搬送 (1,011)

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【課題】装置振動等による基板の位置ずれを防止する。
【解決手段】基板処理装置は、基板搬送用の搬送ロボット30が配置された搬送チャンバ20と、搬送チャンバ20の周囲にスリットバルブ70を介して接続されたプロセスチャンバ10と、を備える。プロセスチャンバ10は、載置台11を備え、載置台11からリフトピン12に基板Wを移載することで搬送ロボット30への基板Wの受け渡しが可能になっている。リフトピン12を制御する移載制御部13は、搬送ロボット30が該当プロセスチャンバ10への基板の搬送動作を開始した後に、リフトピン12へ基板Wを移載させる。 (もっと読む)


【課題】基板を清浄な状態で露光装置に搬入することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】裏面洗浄処理ユニットRSWにより裏面洗浄された基板Wがインターフェース用搬送機構IFR1のハンドH12により保持されて冷却ユニットCPに搬送される。冷却ユニットCPにより温度調整された基板Wがインターフェース用搬送機構IFR1のハンドH11により保持されて露光装置に搬送される。露光装置により露光処理された基板Wがインターフェース用搬送機構IFR1のハンドH13により保持されて露光装置から基板載置部PASS9に搬送される。 (もっと読む)


【課題】移載室内が高温状態である場合に該移載室の扉が開くことを抑止し、作業者の安全を確保する。
【解決手段】基板10の処理を行う処理炉21に連設される移載室13を備えた基板処理装置1であって、移載室内の温度を測定する温度測定手段34と、移載室の扉19の施錠及び解錠を行うロック機構20と、温度測定手段34で測定された温度に基づいてロック機構20を制御する制御手段とを具備する。 (もっと読む)


【課題】基板に対して反射防止膜を形成する工程、レジスト膜を形成する工程、露光後の基板に対して現像を行う工程を実施する塗布、現像装置において、装置の奥行き寸法を抑えること。
【解決手段】基板にレジスト膜を形成するためのCOT層B4と、レジスト膜の下側に反射防止膜を形成するためのBCT層B5と、レジスト膜の上に反射防止膜を形成するためのTCT層B3と、現像処理を行うためのDEV層B1,B2とを互に積層する。これら積層体の前後に各層に対応する受け渡しステージを積層した受け渡しステージ群を設け、受け渡しステージを介して各層の間で基板の受け渡しができる。またレジスト液を基板に塗布するユニットなどの薬液ユニットについては、横並びの3連カップを共通の処理容器内に配置し、これらカップ内でレジスト塗布などの液処理を行う。 (もっと読む)


【課題】、容器が載置される載置台に、ガスを容器内に注入または容器からガスを排出するためのノズルが搭載される装置においても、容器を載置台上で確実に位置決めすることができるガスの注入装置、排出装置、注入方法及び排出方法を提供すること。
【解決手段】キャリアベース21に容器であるキャリア10が載置される時、キネマティックピン7がキャリア10の底部103に設けられた位置決め溝101に係合してキャリア10が載置台2上で位置決めされる。そしてこの状態から、昇降駆動ユニット4により注入ノズル5がキャリア10の注入部102に接触する。したがって、キャリア10が載置台2上で位置決めされる前に、注入ノズル5がキャリア10の注入部102にひっかかるという事態が発生しない。すなわち、キャリア10を載置台2上で確実に位置決めすることができる。 (もっと読む)


【課題】搬送により発生するパーティクルが基板へ付着するのを広範囲にわたり低減させ、メンテナンス時、低減させたパーティクルの処理を容易にできる基板処理装置を提供することにある。
【解決手段】処理基板をトレイに搭載した状態で、排気可能な処理室の間を、トレイごと搬送しながら処理基板に処理室内で所定の処理を施す基板処理装置であって、トレイの搬送路の下方に、該トレイの搬送路の方向に沿って同じ磁極で向き合う磁性体を配置し、かつ、その上を非磁性材料からなる部材で覆われているパーティクル吸着体が備えられていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】メンテナンス後のQCチェックが完了していない処理室内に、生産用のウエハが搬送されるのを回避し、QCチェック用のウエハのみが搬送されるようにし、QCチェック終了後から生産用のウエハが処理できるようにする。
【解決手段】指定された処理室内への生産用の基板の搬送を禁止しつつ品質管理用の基板を搬送し、指定された処理室以外の処理室へ生産用の基板を搬送する。 (もっと読む)


【課題】処理室が連結されている搬送機構部に、複数の真空ロボットが配され、複数の真空ロボット間で被処理体の受け渡しが行われる線形ツールの真空処理装置において、効率の良い搬送の制御方法を提供する。
【解決手段】複数の制御方法を備え、被処理体の処理時間から搬送ロボットが律速となるか、処理室が律速となるかを判定し、その律速する部位に応じた制御方法に切り替える手段を備えた真空処理装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】高精度な位置合わせ装置は調整範囲が狭いので、その調整範囲に収まるように予備的に位置合わせをすることが望ましいが、予備的な位置合わせをしてから高精度な位置合わせ装置に搬入されるまでに、位置ずれが生じてしまう可能性があった。
【解決手段】ウェハと、ウェハを保持した状態で搬送されるウェハホルダと、ウェハを、ウェハホルダに対し載置方向に配置した状態で、載置面の側から照明する照明部と、照明部により照明されたウェハの外周部を、載置面とは反対の面の側から撮像することによりウェハの位置を同定する位置同定部と、ウェハホルダを搬送する搬送部と、ウェハを保持したウェハホルダを2組用い、互いのウェハを位置合わせして重ね合わせる重ね合わせステージとを備える重ね合わせ装置。 (もっと読む)


【目的】搬送ロボットをチャンバ等に衝突させずにティーチング可能な装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の荷電粒子ビーム装置は、ロボットハンド143を有し、荷電粒子ビームが照射される基板をロボットハンドに配置して搬送する搬送ロボット142と、搬送ロボットによって基板が搬送される描画室103と、搬送ロボットの移動位置をティーチングする際のロボットハンドの予定位置を示す予定位置座標を入力し、予定位置座標にロボットハンドを移動させた際にチャンバに干渉するかどうかを検証する検証部14と、検証の結果、干渉しない場合に、予定位置座標にロボットハンドを移動させるロボットコントローラ114と、検証の結果干渉しない予定位置座標をティーチング座標として登録する登録部16と、を備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】金属の接合部を有する基板同士の接合を効率よく行い、基板接合処理のスループットを向上させる。
【解決手段】接合装置40は、接合ユニット70と熱処理ユニット71を一体に接続した構成を有している。接合ユニット70は、重合ウェハWを載置して熱処理する第1の熱処理板110と、第1の熱処理板110上の重合ウェハWを押圧する加圧機構90とを有している。熱処理ユニット70は、重合ウェハWを吸着保持して熱処理する第2の熱処理板140と、重合ウェハWを載置して熱処理する第3の熱処理板150と、接合ユニット70と熱処理ユニット71との間で重合ウェハWを搬送する2本の搬送アーム161、161とを有している。各ユニット70、71は、その内部の雰囲気を所定の真空度まで減圧可能になっている。 (もっと読む)


【課題】基板移送ロボットを使用することなく、基板を水平方向に移送しつつ基板上にフォトレジスト膜を形成する。
【解決手段】基板処理装置10はコーティングモジュール100と乾燥モジュール200を含み、コーティングモジュール100は基板2を水平方向に移送して基板2を移送する間、基板2上にフォトレジスト組成物を供給してフォトレジスト膜を形成し、乾燥モジュール200はコーティングモジュール100から直接基板2を移送され基板2上に形成されたフォトレジスト膜を乾燥させる。 (もっと読む)


【課題】基板のずれ及び/又は破損を検出するのに必要なセンサの数を少なくし、比較的低コストで実施する。
【解決手段】移動中の基板106の少なくとも2つの平行な端部の長さに沿った、破損やずれ等の基板の欠陥の存在を検出する少なくとも2つのセンサ140A、140Bを組み込んだ装置及び方法を提供する。一実施形態において、装置は、基板の欠陥を検出するための、少なくとも2つの平行な端部近傍で、基板をセンシングするセンサ構成を含む。他の実施形態において、装置は、基板サポート表面を有するロボット114又は130と、基板の欠陥を検出するための、少なくとも2つの平行な端部近傍で、基板をセンシングするセンサ構成とを含む。 (もっと読む)


【課題】 成膜装置の搬送路に複数の基板ホルダを保管する基板ホルダ保管室を設けることにより、基板ホルダの表面に堆積した膜の除去の工程および基板ホルダの交換工程、または膜の除去の工程若しくは基板ホルダの交換工程に影響を受けることなしに基板の生産を効率的に行うことができる成膜装置及び成膜装置用ストックチャンバーを提供すること。
【解決手段】真空状態に連結した複数の真空チャンバー、前記複数の真空チャンバー内に設けられた搬送路、前記搬送路に沿って移動可能に設けた複数の基板ホルダ、前記基板ホルダを移動させる駆動手段、前記搬送路からの基板ホルダの回収、及び/又は前記搬送路への基板ホルダの供給が可能であり、かつ前記複数の真空チャンバーの一つと連結したストックチャンバー、を備え、前記ストックチャンバーは、基板ホルダを回転機構の中心軸の周りに垂直の状態で配置可能な構成とした。 (もっと読む)


【課題】1装置当たりの処理能力を増加する基板搬送装置。
【解決手段】半導体加工部品処理装置は第1チャンバと、搬送ビークルと、他のチャンバとを有している。第1チャンバは外部環境から隔離されることが可能である。搬送ビークルは第1チャンバ内に位置しており、第1チャンバから移動自在に支持されており、第1チャンバに対して直線状運動する。搬送ビークルはベースと、該ベースに運動自在に取り付けられて、該ベースに対して多アクセス運動が可能な統合した半導体加工部品移送アームとを有している。他のチャンバは第1チャンバに第1チャンバの閉鎖自在な開口部を介して連通自在に接続されている。開口部は搬送ビークルが第1チャンバと他のチャンバとの間で開口部を介して通行可能な大きさを有している。 (もっと読む)


【課題】受け渡しチャンバ室の機構を大型化、複雑化させることなく、処理前後のウェハの退避場所を確保できる真空処理装置を提供する。また、ウェハの退避場所にウェハが置かれた状態で、受け渡しチャンバ室に新たに搬送されたウェハの位置を検出可能な真空処理装置を提供する。
【解決手段】2つの真空チャンバ間に設けられ、ノッチあるいはオリフラが設けられた基板の受け渡しを行う受け渡しチャンバ2を具備する真空処理装置において、前記受け渡しチャンバ2が、基板を支持するリフトピン111〜113と、基板を仮置き位置で保持するバッファーアーム13と、基板を載置する基板ステージ12と、前記基板のノッチあるいはオリフラを検出する第一のセンサ14とを具備する。 (もっと読む)


【課題】基板搬送機構の搬送動作との組合せにより、基板ホルダを往復動させるだけで、基板を基板ホルダの基板搭載面に固定する基板チャック動作も可能になり、真空処理室の構成が簡素化され、製作コストを低減できる真空処理装置を提供する。
【解決手段】真空処理装置10は、真空処理室12に設けた基板ホルダ21に基板チャック機構部材30を取付け、この基板チャック機構部材は、軸部材31と、軸部材の両端部のそれぞれに設けられる第1および第2コイルスプリング32,35と、軸部材の端部に設けられる基板チャック板34とを有し、第1コイルスプリングの弾性付勢で基板チャック板を利用して基板ホルダに付設される。基板ホルダの往復移動に応じて第1および第2コイルスプリングの伸縮作用で基板ホルダ上の基板17の保持状態を変えるように構成される。 (もっと読む)


【課題】 処理装置における処理時間を短縮しても生産性が頭打ちになる事情を抑制することが可能であり、かつ構造も簡易である搬送装置を提供すること。
【解決手段】 垂直方向に伸び回転可能な第1のシャフト部35aと、第1のシャフト部35aに取り付けられ、先端に被処理体Wを保持する第1のピック40aを備えた水平方向に伸縮可能な第1のアーム39aとを備えた第1の搬送機構33aと、垂直方向に伸び回転可能な第2のシャフト部35bと、第2のシャフト部35bに取り付けられ、先端に被処理体Wを保持する第2のピック40bを備えた水平方向に伸縮可能な第2のアーム39bとを備えた第2の搬送機構33bと、を具備し、第1の搬送機構33a及び第2搬送機構33bを、第1のシャフト部35aの回転中心42aと第2のシャフト部35bの回転中心42bとが一致されるようにして、垂直方向に互いに離間して配置する。 (もっと読む)


【課題】太陽電池製造システムに対する需要が増え続けるにつれ、直線システムのスループットの利点を得つつ、メインフレーム構成の柔軟性も提供する。
【解決手段】数枚の基板を同時に処理する装置及び方法が提供される。システムは、直線状でありつつ、処理を自律的に順位付けして基板を必要に応じて異なる方向に移動させる新規なアーキテクチャを採用している。システムは、数枚の基板を同時に移動させるが、従来技術とは異なりトレイを使用しない。 (もっと読む)


【課題】真空搬送室に備えられた真空処理室の配置を最適化し、設置面積あたりの被処理物の生産能力の高い装置を提供する。
【解決手段】複数のカセット台の内の1つに設置されたカセット内に収納されたウエハが搬送される大気搬送室と、大気搬送室の後方に配置されたロック室と、ロック室の後方に連結された第一の真空搬送室と、第一の真空搬送室の後方に連結された搬送中間室と、搬送中間室の後方に連結された第二の真空搬送室と、第一の真空搬送室の後方に連結された少なくとも1つの真空処理室と、第二の真空搬送室の後方に連結された2つ以上の真空処理室とを備え、第一の真空搬送室に連結された真空処理室の数が第二の真空搬送室に連結された真空処理室の数よりも少なく構成するか、第一の真空搬送室に連結された真空処理室の使用を1つに制限するように構成した半導体被処理基板の真空処理システム及びそのシステムを用いた真空処理方法である。 (もっと読む)


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