【課題】オン抵抗の増大を抑制しつつ、ゲート抵抗を低減して高速スイッチング化が図れる半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、半導体層１０におけるソース領域１４が設けられた表面上に設けられソース領域１４と接続された第１の主電極４０と、ベース領域１３に対して絶縁膜１７を介して対向し第１の方向Ｘに延在するゲート電極１６と、ゲート電極１６と接続され半導体層１０の表面上で第１の方向Ｘに交差して設けられた第１のゲート配線３１と、第１のゲート配線３１上に設けられ第１のゲート配線３１と接続されたゲートコンタクト部３２と、第１のゲート配線３１上に設けられ、ゲートコンタクト部３２を介して第１のゲート配線３１と接続され、第１のゲート配線３１よりも幅が広く且つ低抵抗な材料からなる第２のゲート配線３２とを備えている。 （もっと読む）

【課題】銅層形成の下地となるシード層のオーバーハングが抑制された半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板の上方に、絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜に凹部を形成する工程と、凹部の内面に、バリアメタル層を形成する工程と、バリアメタル層上に、ＲｕとＣｕを含むシード層を形成する工程と、シード層上に銅層を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】例えばＵＬＳＩ（超大規模集積回路）等に代表されるＳｉ半導体デバイス等の半導体装置において、高性能（低電気抵抗率）かつ高信頼性（高ＥＭ耐性）を示すＣｕ系配線を提供する。
【解決手段】半導体基板上の絶縁膜に設けられた凹部にＣｕ−Ｔｉ合金が直接埋め込まれてなる半導体装置のＣｕ系配線の製造方法であって、前記Ｃｕ−Ｔｉ合金が、Ｔｉを０．５原子％以上３．０原子％以下含むものであり、かつ、前記Ｃｕ−Ｔｉ合金をスパッタリング法で形成し、該Ｃｕ−Ｔｉ合金を前記凹部に埋め込む時または埋め込み後に、該Ｃｕ−Ｔｉ合金を下記加熱条件で加熱する工程を含むことを特徴とする半導体装置のＣｕ系配線の製造方法。
（加熱条件）
加熱温度：３５０〜６００℃
加熱時間：１０〜１２０ｍｉｎ.
室温から上記加熱温度までの昇温速度：１０℃／ｍｉｎ.以上
加熱雰囲気における酸素分圧：１×１０^−７〜１×１０^−４ａｔｍ （もっと読む）

【課題】ダマシン配線構造を有する半導体装置に形成される配線表面の酸化物部を選択的に除去する。
【解決手段】ダマシン配線構造を有する半導体装置を製造するに際し、配線表面を、Ｘｅのプラズマで逆スパッタリングする。本発明によれば、Ｘｅのプラズマガスで逆スパッタリングすることにより、配線表面の酸化物部等を選択的に効率よく除去でき、ダマシン配線構造において、上下配線間のコンタクト抵抗の増大を回避できる。また、配線の上に形成されたＣＦなどの絶縁膜へのダメージを抑制でき、絶縁膜の誘電率変動も抑制できる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの半導体層との高い密着性、および優れたウェットエッチング性を示すＣｕ合金膜を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタの半導体層と直接接触する表示デバイス用Ｃｕ合金膜であって、前記Ｃｕ合金膜は、下記（１）および（２）の要件を満足する酸素含有合金膜であることを特徴とする表示デバイス用のＣｕ合金膜である。
（１）Ｃｕ合金膜は、Ｎｉ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｇｅ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｍｏ及びＷよりなる群から選ばれる少なくとも１種の元素を合計で０．１０原子％以上５．０原子％以下含有する。
（２）Ｃｕ合金膜は、酸素含有量が異なる下地層と上層を有し、前記下地層は前記半導体層と接触しており、前記下地層の酸素含有量は０．１原子％以上３０原子％以下であり、前記上層の酸素含有量は０．１原子％未満（０原子％を含む）である。 （もっと読む）

【目的】、配線層とその下層のプラグ層との配線抵抗を抑えながら下層のプラグの埋め込み性を向上させることが可能な半導体装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置は、Ｃｕ配線１０と、Ｃｕ配線１０の下層側でＣｕ配線１０と接触して接続されるＣｕプラグ２０と、Ｃｕプラグ２０の底面側及び側面側に配置された、Ｃｕに対してバリア性を有するＢＭ膜２４０と、Ｃｕ配線１０とＣｕプラグ２０との内Ｃｕプラグ２０側に選択的に、かつＣｕプラグ２０とＢＭ膜２４０との間に介在するように配置された、ＢＭ膜２４０よりも前記導電性材料に対して濡れ性が高いＲｕ膜２４２と、Ｃｕ配線１０とＣｕプラグ２０とが接触する箇所を少なくとも除くＣｕ配線１０の底面側と、Ｃｕ配線１０の側面側とに配置された、Ｃｕに対してバリア性を有するＢＭ膜２４４と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、銀電極より低コストで、かつ銀電極同様に大気等の酸化雰囲気中で焼成可能な銅系電極，電極ペースト及びそれを用いた電子部品を提供する。また、本発明は、窒素等の不活性ガス雰囲気で低温焼成可能な電極，電極ペースト及びそれを用いた電子部品を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、少なくとも金属粒子と酸化物相からなる電極であって、金属粒子が銅とアルミニウムを含み、かつ酸化物相がリンを含むことを特徴とする。好ましくは、その酸化物相は金属粒子の粒界に存在し、リン酸ガラス相となっている。好ましくは、金属粒子が７５〜９５体積％及び、酸化物相が５〜２５体積％である。また、金属粒子中の銅とアルミニウムの好ましい組成範囲は、酸化雰囲気の焼成では８０重量％以上と３重量％以上、不活性ガス雰囲気の焼成では９７重量％以上と３重量％以下である。 （もっと読む）

【課題】低抵抗の導電部を備える、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】ビアホール３６ａ内及び配線溝３６ｂ内に、バリア層３７を介して、ＣｎＭｎを含有する第１導電層３８、及びＣｕを主成分とする第２導電層３９を形成し、清浄化後、低温酸化を行い、第１，第２導電層３８，３９表面にＣｕ酸化物層４０を形成する。その後、キャップ層の形成を行い、その状態で高温条件の熱処理を行うことで、第１，第２導電層３８，３９内のＭｎをＣｕ酸化物層４０に拡散させ、キャップ層との界面に、Ｃｕ酸化物層４０にＭｎが含有された化合物層を形成する。これにより、第１，第２導電層３８，３９内のＭｎを減少させることが可能になり、さらに、キャップ層の密着性を向上させることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において、微細パターンへのＣｕの埋め込みを良好にし、且つＣｕの層間絶縁膜中への拡散を抑制する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板上の層間絶縁膜１０１に形成されたトレンチ１０２と、トレンチ１０２の底部及び側壁を覆うように形成され、白金族元素、高融点金属及び窒素を含有する導電体からなる第１のバリアメタル膜１０３と、トレンチ１０２において、第１のバリアメタル膜１０３上に形成された金属膜１０５とを備える。 （もっと読む）

【課題】表層部の銅を主体としてなる層の表面の結晶面の種類を低減することができ、それにより、銅配線本体の内部に存在する結晶粒界の密度を低減して、銅配線の電気抵抗を低減することができ、またＥＭ耐性やＳＭ耐性を改善して信頼性も向上することができるようにする。
【解決手段】この発明は、絶縁層１０に銅からなる配線本体を備えてなる銅配線を形成する銅配線形成方法において、絶縁層１０に開口部１１を設ける工程と、開口部の内周面に、銅より酸化されやすい金属元素を含む銅合金被膜１２を形成する銅合金被膜形成工程と、銅合金被膜に加熱処理を施して当該銅合金被膜からバリア層を形成するとともにその表面を構成する結晶面の種類を減じる加熱処理工程と、バリア層上に銅を被着させ、銅からなる配線本体を形成する配線本体形成工程と、を有することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ上のアルミニウム系等のボンディング・パッド上方に再配線構造を有するデバイスにおいては、一般にバンプ電極による外部接続が主要な構造である。一方、このようなデバイスにおいても、ワイヤ・ボンディングにより外部接続をとりたいというニーズが広く存在する。そこで、無電界メッキによる積層金属再配線上に更に無電界メッキによってボンディング用の金メッキ表面膜を設け、そこにワイヤをボンディングする技術が考えられている。しかし、このような無電界メッキ・ベースの技術では、耐拡散性および耐衝撃性等を十分に確保することができず、高信頼性のデバイス及びプロセスを提供することが困難である。
【解決手段】本願発明は半導体チップ上のアルミニウム系等のボンディング・パッド上方に再配線構造を有するデバイスにおいて、再配線上に電解メッキによるワイヤ・ボンディング用の金パッド層を形成するものである。 （もっと読む）

【課題】配線層に新たな機能を有する素子を設けた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板上に形成された第１配線層１５０、及び半導体素子２００を備える。第１配線層１５０は、絶縁層１５６と、絶縁層１５６の表面に埋め込まれた第１配線１５４とを備える。半導体素子２００は、半導体層２２０、ゲート絶縁膜１６０、及びゲート電極２１０を備える。半導体層２２０は、第１配線層１５０上に位置する。ゲート絶縁膜１６０は、半導体層２２０の上又は下に位置する。ゲート電極２１０は、ゲート絶縁膜１６０を介して半導体層２２０の反対側に位置する。 （もっと読む）

【課題】ノイズの影響を低減できるともに、レイアウト効率のよいＭＩＭ型容量素子を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、下部電極１１２と、下部電極１１２上に設けられた中間電極１１６と、中間電極１１６上に設けられた上部電極１２４と、下部電極１１２と中間電極１１６との間に設けられた第１の絶縁膜と、中間電極１１６と上部電極１２４との間に設けられた第２の絶縁膜と、中間電極１１６と同層に設けられている第１の接続配線１１８と、下部電極１１２と第１の接続配線１１８とを電気的に接続する第１のビア１１４と、第１の接続配線１１８と上部電極１２４とを電気的に接続する第２のビア１２２とを有し、第１の接続配線１１８、第１のビア１１４、および、第２のビア１２２が、中間電極１１６の第１の辺に隣接して設けられているとともに、中間電極１１６の第１の辺と対向する第２の辺に隣接して設けられている。 （もっと読む）

【課題】エアギャップ部を有し、かつ、高い機械的強度を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】酸素を含有する層間絶縁膜ＩＬ１の複数の溝部の側壁を被覆するバリア金属層ＡＬが形成される。複数の溝部を充填するように配線金属層ＰＣが形成される。層間絶縁膜ＩＬ１の酸素を熱拡散させることによってバリア金属層ＡＬの少なくとも一部を酸化することで、酸化物バリア層ＢＬ１が形成される。配線金属層のうち複数の溝部の外側の部分を除去することによって、第１および第２の配線間領域ＩＷ１，ＩＷ２と第１〜第３の配線ＷＲ１〜ＷＲ３とが形成される。第１の配線間領域ＩＷ１を覆い、かつ第２の配線間領域ＩＷ２上に開口部ＯＰを有するライナー膜ＬＮ１が形成される。開口部ＯＰを介したエッチングが行なわれる。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜の凹部内に形成された配線のバリアメタル膜の絶縁膜からの剥がれを防ぐ。
【解決手段】半導体装置１００は、基板（不図示）上に形成され、太幅配線溝１０６が表面に形成された層間絶縁膜１０４と、層間絶縁膜１０４の太幅配線溝１０６を埋め込んで形成され、バリアメタル膜１１０および銅膜１１６により構成された太幅配線１２０とを含む。太幅配線溝１０６の底面には、角部に選択的に凹凸１１４が形成され、凹凸１１４上にバリアメタル膜１１０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】エレクトロマイグレーションの抑制が図られた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体素子の形成された半導体基板と、半導体基板の上方に、水分を含み、凹部が形成された層間絶縁膜と、凹部の内面上に形成され、非晶質及び多結晶の一方の結晶性を有する第１のバリアメタル層と、第１のバリアメタル層上に形成され、非晶質及び多結晶の他方の結晶性を有する第２のバリアメタル層と、第２のバリアメタル層上に形成された銅配線と、銅配線を覆って前記層間絶縁膜上に形成された銅拡散防止絶縁膜と、銅配線と銅拡散防止絶縁膜との界面に形成された金属酸化物層とを有する。 （もっと読む）

【課題】消費電流及び抗折強度に優れる半導体装置を実現する。
【解決手段】半導体装置１０は、半導体素子１１と、半導体素子１１の第１面の表面部に設けられた拡散領域１２と、半導体素子１１の第１面上に設けられた第１金属配線１４と、半導体素子１１を厚さ方向に貫通する貫通孔１５と、貫通孔１５内に設けられ、第１金属配線１４ｂの裏面に接し且つ半導体素子１１における第１面の反対側の第２面にまで延びる貫通電極１６とを備える。更に、半導体素子１１の第２面に設けられた凹部１７と、凹部１７内に設けられ、貫通電極１６に電気的に接続された第２金属配線１７とを備える。 （もっと読む）

【課題】 集積回路デバイスのヒューズ構造を提供する。
【解決手段】 本発明のヒューズ構造は、半導体基板の一部の上に配置された金属含有導電性材料のストリップを含み、ストリップは、第１方向に沿って延伸し、均一な線幅を有する。誘電体層は、導電層を覆う。誘電体層内は、第１ビアと第２ビアを有し、第１インターコネクトと第２インターコネクトをそれぞれ含む。第１インターコネクトは、ストリップ上の第１位置と物理的且つ電気的に接触しており、第２インターコネクトは、ストリップ上の第２位置と物理的且つ電気的に接触している。導電ストリップ上の第１と第２位置は、シリコンを含まない。誘電体層の上方は、第１インターコネクトに電気的に接続された第１配線構造と、第２インターコネクトに電気的に接続された第２配線構造である。 （もっと読む）

【課題】上層配線の幅によらずにコンタクトプラグの底面がアンカー構造となり、下層配線との接続抵抗を低減できる半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】基板に下層配線Ｗ１となる第１導電層を形成し、絶縁膜を形成し、上層配線用溝とこれに連通するようにコンタクトホールＣＨを形成する。次に、コンタクトホール及び上層配線用溝の内壁面を被覆してバリアメタル層を形成し、その上層にコンタクトホール及び上層配線用溝に埋め込んで第２導電層を形成する。ここで、上層配線用溝及びコンタクトホールを形成する工程において、上層配線Ｗ２と下層配線Ｗ１の交差する領域に、上層配線にスリットＳＬ１，ＳＬ２または切り欠きを設けて幅が狭くなった部分ＮＰが設けられるように上層配線用溝を形成し、この幅が狭くなった部分ＮＰにおいてコンタクトホールＣＨを形成する。 （もっと読む）

【課題】配線のエッチング特性を良好に維持することができるエッチング液組成物、これを用いた金属パターンの形成方法及び薄膜トランジスタ表示板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、リン酸４０乃至６５重量％、硝酸２乃至５重量％、酢酸２乃至２０重量％、リン酸塩を含む化合物０．１乃至２重量％、アミノ基とカルボキシル基を同時に含有する化合物０．１乃至２重量％、及び全体組成物の総重量が１００重量％となるようにする水を含むエッチング液組成物、これを用いた金属パターンの形成方法及び薄膜トランジスタ表示板の製造方法に関する。 （もっと読む）