【課題】配線絶縁膜としてＳｉＯＣＨ膜を用いる場合に、ビアホールの開口径に依らず、その加工制御性を十分に得て、下層Ｃｕ配線の表面の組成のバラツキを十分に抑制する。
【解決手段】下層Ｃｕ配線３上に形成されている積層構造２０は、シリコンと炭素を含有するキャップ絶縁膜４と、キャップ絶縁膜４上に形成されている配線絶縁膜５としてのＳｉＯＣＨ膜を有する。積層構造２０にビアホール８、９を形成する工程は、第１及び第２ドライエッチングを組み合わせて行う。第１ドライエッチングでは開口径が小さいビアホール９のエッチングレートが、開口径が大きいビアホール８のエッチングレートよりも大きくなるようにＯ_２濃度が設定された第１混合ガスを用いる。第２ドライエッチングではビアホール８のエッチングレートがビアホール９のエッチングレートよりも大きくなるようにＯ_２濃度が設定された第２混合ガスを用いる。 （もっと読む）

【課題】配線抵抗の増加を抑えつつ、配線のエレクトロマイグレーション寿命、およびストレスマイグレーション寿命を向上させる。
【解決手段】半導体装置１００は、基板１０２上に形成された層間絶縁膜１０４に形成された凹部に、高融点金属を含むバリアメタル膜１０６と、配線金属膜１１４を構成する銅および銅とは異なる不純物金属を含むシード合金膜ならびに銅を主成分として含むめっき金属膜とを形成し、シード合金膜およびめっき金属膜を、２００℃以上、１０分以下で熱処理する第１の熱処理工程と、第１の熱処理工程の後、凹部外部に露出しためっき金属膜、シード合金膜、およびバリアメタル膜１０６を除去する工程と、シード合金膜およびめっき金属膜を熱処理する第２の熱処理工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】下層導電層の表面を十分保護することができ、信頼性が高く、配線容量が小さなデュアルダマシン配線を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】導電性領域１１を有する下地と１０、下地の表面を覆う絶縁性エッチストッパ膜１２と、絶縁性エッチストッパ膜上に形成された層間絶縁膜と、層間絶縁膜表面から第１の深さで形成された配線用溝と、配線用溝底面から導電性領域に達する接続用孔と、配線用溝および接続用孔を埋め込んで形成されたデュアルダマシン配線である。層間絶縁膜が配線用溝の側面および底面を包む第１種の絶縁層１５と、第１種の絶縁層よりも下に配置され、第１種の絶縁層とエッチング特性の異なる第２種の絶縁層５６とを含む。接続用孔は、断面で見た時に第１種の絶縁層内で傾斜し、上方に向かって次第に開口が増大する部分を有する。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置及びその製造方法に関し、バリアメタルの絶縁膜及びＣｕに対する密着性と、Ｃｕ拡散防止とを両立する。
【解決手段】 絶縁膜に設けた凹部の側壁にシール絶縁膜を形成し、シール絶縁膜の内側に順にシール絶縁膜との密着性が優れている第１の導電性バリア層、Ｃｕ拡散阻止能力が高い第２の導電性バリア層、及び、Ｃｕ系埋込電極との密着性が優れている第３の導電性バリア層の３層構造のバリア層を介してＣｕ系埋込電極を設ける。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を効率良く製造できるようにする。
【解決手段】半導体基板１上に積層された複数の層間絶縁膜１６、１９、２２と、複数の層間絶縁膜１６、１９、２２の最上面の上に形成され、外部からプローブが当てられるプローブ接触領域を有するパッド２５と、複数の層間絶縁膜１６、１９、２２の間に形成される複数層の配線１２，１５、１８と、パッド２５のプローブ接触領域の直下の領域に形成され、前記層間絶縁膜２２が充填される非直線状スリットか孔の少なくとも一方を有する導電性パターンを有する応力緩和部４２とを有する。 （もっと読む）

【課題】配線構造におけるクリティカルディメンションの制御性を向上させる。
【解決手段】配線構造の製造方法が提供される。本発明の一態様によれば、絶縁層内に溝またはビアが形成される際、別のビアおよび／または溝の側壁面が金属酸化層で覆われている。金属酸化層は、側壁面の侵食を防止するおよび／または抑制することができる。その結果、方法は、ビアおよび溝のクリティカルディメンションの制御性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 工程数の増加がなく、しかも銅を使用している配線にダメージが及ぶ可能性も少ない多層配線の形成方法を提供すること。
【解決手段】 銅を使用している下層配線３上にエッチングストップ層５を形成し、エッチングストップ層５上に層間絶縁膜６を形成し、層間絶縁膜６にエッチングストップ層５に達する開孔７を形成し。層間絶縁膜６上に酸化マンガン膜８を形成し、酸化マンガン膜８を開孔７から露呈した層間絶縁膜６の表面に残しながら、下層配線３上に形成されたエッチングストップ層５を除去し、開孔７の底に下層配線３を露呈させ、開孔７の底に露呈した下層配線３上に、上層配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】良質な配線構造、及びその形成方法を提供する。
【解決手段】第１の導電材及び第１の絶縁層を有する第１の配線層と、前記第１の絶縁層上の第２の配線層とを備え、前記第２の配線層は第２の絶縁層と、ヴィア及びトレンチを有する開口部とを有し、前記開口部は、第２の導電材と、前記第２の導電材と、前記第２の絶縁層との間の２層以上のバリア層とを有し、前記第２の導電材は、前記第１の導電材と電気的に接続され、前記２層以上のバリア層は、前記開口内の前記第２の絶縁層と第１のバリア層とが接触し、且つ前記第１のバリア層とＭｎＯ_ｘ含有バリア層とが接触する領域と、前記第２の絶縁層と前記ＭｎＯ_ｘ含有バリア層が接触する領域とを有する。 （もっと読む）

【目的】キャップ成膜時に起因するｌｏｗ−ｋ膜の絶縁性劣化を低減する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、基体上に絶縁膜を形成する工程（Ｓ１０４）と、前記絶縁膜上に絶縁材料を用いたキャップ膜を形成する工程（Ｓ１０６）と、前記キャップ膜を形成した後に、前記キャップ膜を介して前記前記キャップ膜の下層のシリル化処理を行なう工程（Ｓ１０８）と、前記シリル化処理の後、エッチング法を用いて、前記キャップ膜上から前記絶縁膜内へと続く開口部を形成する工程（Ｓ１１４）と、前記開口部に導電性材料を堆積させる工程（Ｓ１２４）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体基板又はガラス基板の下地基板に対する密着性が高く、下地基板への拡散バリア性に優れ、かつ水素プラズマ耐性に優れた低抵抗な配線層構造、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体又はガラス基板の下地基板１と、下地基板１上に形成された酸素含有Ｃｕ合金層２と、酸素含有Ｃｕ合金層２上に形成された、Ａｌ、Ｚｒ、Ｔｉのうち少なくとも一種を含有する酸化物層３と、酸化物層３上に形成された、Ａｌ、Ｚｒ、Ｔｉのうち少なくとも一種を含有するＣｕ合金層４と、Ｃｕ合金層４上に形成された、Ｃｕ導電層５とを有する。 （もっと読む）

【課題】６００℃〜７００℃の高温であっても高い耐酸化性と低抵抗を両立し、かつ低コストで形成可能な配線材料を提供する。
【解決手段】基板上に形成される銅配線と、銅配線上に５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の膜厚で形成される５０重量％以上のアルミニウムを含有する銅合金薄膜と、を具備する配線部材を用いる。上記銅配線の膜厚は、１μｍ以上５０μｍ以下である。基板と銅配線の間には下地層が配置されている。配線部材の電気抵抗率は、４×１０^-6Ωcm以下である。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を実現する構造およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板（半導体基板１）上に、シラン化合物およびポロジェンを含む膜（有機シリコンポリマー膜２）を設ける工程と、選択的エッチングにより有機シリコンポリマー膜２に孔（配線溝３）を設けるとともに、配線溝３の内部に金属膜（バリア膜４および銅配線５）を設ける工程と、還元ガス雰囲気中で、上記ポロジェンの沸点または分解温度以上の温度で加熱しつつ、有機シリコンポリマー膜２に紫外線６を照射して、多孔質膜７を得る工程と、を含むものである。 （もっと読む）

【課題】絶縁破壊に至らない微量の電荷の蓄積を抑制した半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１１の上に形成された半導体素子１及び保護ダイオード２を備えている。半導体基板１１の上には、半導体素子１及び保護ダイオード２を覆うように第１の層間絶縁膜２２が形成されている。第１の層間絶縁膜２２には、半導体素子１と電気的に接続された第１のプラグ２５と、保護ダイオード２と電気的に接続された第２のプラグ２３、２４とが形成されている。第２のプラグ２３、２４の上面の面積は、第１のプラグ２５の上面の面積よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】膜厚のばらつき及び表面の平坦性に優れ、基材との十分な密着性を有する導電膜パターンを、複雑、高価な設備、工程を必要とせずに形成する導電膜パターン及びその形成方法を提供する。
【解決手段】金属微粒子含有インクを基材上に配置し、焼成することにより形成される導電膜パターンにおいて、前記基材のインク被配置面に、有機塩あるいは無機塩の含有されたプライマー層が形成されているものであることを特徴とする導電膜パターン。 （もっと読む）

【課題】配線の埋め込み不良及び配線抵抗の上昇を抑えると共に、信頼性を向上した半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、基板１０１の上に形成された絶縁膜１０５と、絶縁膜１０５中に形成された、銅を含む材料からなる埋め込み配線１１５とを備えている。絶縁膜１０５と埋め込み配線１１５との間には、白金族元素を含む材料からなるバリア膜１１０が形成されている。絶縁膜１０５とバリア膜１１０との間には、絶縁膜１０５よりも密度が高い高密度絶縁膜１０９が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 相互接続構造の信頼性及び拡張性を改善する相互接続構造のための冗長金属拡散バリア層を提供する。
【解決手段】 冗長金属拡散バリア層は、誘電体材料内に設けられた開口内に配置され、且つ開口内に存在する拡散バリア層及び導電性材料の間に配置される。冗長拡散バリア層は、Ｒｕ並びに純粋なＣｏ若しくはＮ，Ｂ及びＰのうちの少なくとも１つを含むＣｏ合金からなる単層若しくは多層構造である。 （もっと読む）

【課題】 プログラミングを達成するために、過剰な電圧及び電流を用いることなく、電気的に切断される金属ヒューズ構造体を提供する。
【解決手段】 集積回路デバイスのためのヒューズ構造体が、絶縁層内に定められた細長い金属相互接続層（１０６）と、金属相互接続層の上面の一部分上にのみ形成された金属キャップ層（１０８）と、金属キャップ層（１０８）及び金属キャップ層（１０８）が上に形成されていない金属相互接続層の残りの部分の両方の上に形成された誘電体キャップ層（１１２）とを含み、金属キャップ層（１０８）が上に形成されていない金属相互接続層の残りの部分は、エレクトロマイグレーション損傷メカニズムを受けやすく、細長い金属相互接続層（１０６）を通して電流を流すことによって、ヒューズ構造体のプログラミングが容易になる。 （もっと読む）

【課題】シランとアンモニアの混合ガスソークによる銅拡散防止絶縁膜形成前の銅配線表面処理を改善できる気相成長装置、および表面状態がよく、抵抗が低い銅配線を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シランを供給できるガス供給系１ａと反応室を接続する、２つ以上のバルブを含む連続バルブの１つをノーマリオープンとし、ガス供給系と排気系を接続する捨てガスライン３のノーマリクローズのバルブＶ１４と連動させることにより、反応室内の残留ガスの影響を抑制する。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ系材料の特徴である低電気抵抗を維持しつつ、絶縁膜を構成するＳｉＮ膜や半導体膜におけるＳｉＮ層との密着性に優れると共に、エッチング時に良好にテーパ状にエッチングできるＣｕ合金膜を提供する。
【解決手段】絶縁膜および／または半導体膜と直接接触する表示装置用Ｃｕ合金膜であって、該Ｃｕ合金膜は、上記ＳｉＮ膜やＳｉＮ層と直接接触する第一層と、該第一層上に形成される第二層とを含み、前記第一層は、窒素を０．４原子％以上５．０原子％未満含むと共に、Ｎｉ、Ａｌ、Ｚｎ、ＭｎおよびＦｅよりなる群から選択される１種以上の元素（Ｘ元素）を０．１〜０．５原子％、および／または、Ｇｅ、Ｈｆ、Ｎｂ、ＭｏおよびＷよりなる群から選択される１種以上の元素（Ｚ元素）を０．１〜０．３原子％含み、かつ前記第一層の膜厚が２〜１００ｎｍである表示装置用Ｃｕ合金膜。 （もっと読む）

【課題】配線間容量の低い半導体装置を安定的に形成する。
【解決手段】配線１間に、仕切層５ａで仕切られた複数の空洞の溝２を形成し、その後、それらの溝２を覆うように、配線１及び仕切層５ａの上側に絶縁膜を形成する。配線１間に仕切層５ａを設けることにより、絶縁膜形成に用いる絶縁膜原料３ａの溝２内への進入が抑えられ、溝２内の絶縁膜形成が抑えられるようになる。それにより、配線１間の容量が低く、また、容量のばらつきが抑えられた半導体装置が形成可能になる。 （もっと読む）