【課題】マスク数を増加させることなく、ブラックマスクを用いずに反射型または透過型の表示装置における画素開口率を改善する。
【解決手段】画素間を遮光する箇所は、画素電極１６７をソース配線１３７と一部重なるように配置し、ＴＦＴはＴＦＴのチャネル形成領域と重なるゲート配線１６６によって遮光することによって、高い画素開口率を実現する。 （もっと読む）

【課題】配線やコンタクトホールの寸法の微細化に際しても、コンタクト抵抗の低減を図ることが可能であり、且つ、暗電流の発生が少ない固体撮像素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】固体撮像素子１では、配線２４と転送電極膜１０２とが、２層のコンタクトホールにより接続されている。下側のコンタクトホールＡは、その底部にチタンシリサイド膜１０５が形成されている。そして、上側のコンタクトホールＢは、チタンシリサイドを構成中に含まず、下側のコンタクトホールとの間が中間配線層としてのタングステン膜１０７により接続されている。ここで、上下の両コンタクトホールＡ，Ｂには、純粋なチタンは残っていない。また、撮像画素領域におけるフォトダイオード１２１の上方の層内レンズ膜１２７は、下方のコンタクトホールＡに対して積層上方に選択的に形成されている。 （もっと読む）

【課題】バリア金属膜の膜厚を薄膜化でき、金属配線やビア内にボイドの無い配線を形成可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体構造は、相互接続トレンチ又はビア３０５に薄いバリア金属層３０７が、トレンチやビアの開口が相互接続トレンチやビアへの銅の配置を疎外する張り出しにより妨害されないように形成される。銅の相互接続配線３１４を形成するための材料は、銅とマンガンを含んでいる。アニールにより、銅の拡散に対してバリア特性を有する酸化マンガン層３１５が形成される。 （もっと読む）

【課題】抵抗変化素子を半導体装置に組み込む際の必要なフォトマスクを削減しても高密度化が可能な抵抗変化素子を搭載した半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】配線溝を有する層間絶縁膜１４と、配線溝に埋め込まれた配線１６ａと、配線１６ａを含む層間絶縁膜１４上に形成されるとともに、配線１６ａに通ずる下穴を有する層間絶縁膜１８と、少なくとも下穴が配置された領域における配線１６ａ上に形成されるとともに、抵抗が変化する抵抗変化膜１９ａと、下穴が配置された領域における抵抗変化膜１９ａ上に形成されたバリアメタル２０ａと、下穴が配置された領域におけるバリアメタル２０ａ上に形成されたプラグ２１ａと、を備え、抵抗変化素子５は、第１電極と第２電極との間に抵抗変化膜１９ａが介在した構成となっており、配線１６ａは、第１電極を兼ね、バリアメタル２０ａは、第２電極を兼ねる。 （もっと読む）

【課題】どのようなレイアウトの配線に対しても、個々の配線ごとにエアギャップ部を設ける。エアギャップ部によって、配線の寄生容量を低減する。
【解決手段】半導体装置は、層間絶縁膜と、層間絶縁膜内に埋め込まれた配線と、配線の側面と層間絶縁膜との間に設けられたエアギャップ部と、を有する。半導体装置の製造方法は、配線の側面上に第２のサイドウォール膜を形成した後、第２のサイドウォール膜の一部が露出するように第１の絶縁膜を形成する。次に、第２のサイドウォール膜を除去することによりサイドスペースを形成した後、サイドスペースが埋め込まれないように第２の絶縁膜を形成することによりサイドスペースから構成されるエアギャップ部を形成する。 （もっと読む）

【課題】上面にストラップ配線が形成された絶縁膜と、この絶縁膜の下面に形成された配線と間で剥離が生じることが抑制された半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、半導体基板ＳＳと、半導体基板ＳＳ上に形成され、周辺配線Ｐ１および配線Ｌ２が形成された配線層ＬＬ１，ＬＬ２と、配線層ＬＬ２に形成され、配線Ｌ３を含む配線層ＬＬ３と、配線層ＬＬ３上に形成され、磁気記憶素子ＭＲを含む配線層ＬＬ４とを備え、配線Ｌ１，Ｌ２上に形成された拡散防止膜ＮＦ１，ＮＦ２は、ＳｉＣＮ膜またはＳｉＣ膜から形成され、配線Ｌ３上に形成された拡散防止膜ＮＦ３は、ＳｉＮから形成される。 （もっと読む）

【課題】 空隙を組み込んだ構造体及びその形成方法を提供する。
【解決手段】 ＶＬＳＩ及びＵＬＳＩ用の空隙含有金属・絶縁体相互接続構造体を、光パターン化可能低ｋ材料を用いて作成する方法、及び形成した空隙含有金属・絶縁体相互接続構造体を開示する。より具体的には、本明細書で説明する方法は、内部に種々異なる深さの空隙がフォトリソグラフィにより画定された光パターン化可能低ｋ材料の内部に構築される相互接続構造体を提供する。本発明の方法においては、空隙を形成するのにエッチ・ステップは必要としない。光パターン化可能低ｋ材料内部の空隙を形成するのに、エッチ・ステップを必要としないで、本発明において開示する方法は、高信頼性の相互接続構造体を提供する。 （もっと読む）

【課題】低い過酸化水素含有量で銅膜と他の金属膜とからなる多重膜の一括エッチングが可能で、工程に適したエッチング速度、適当なエッチング量、及び適切なテーパ傾斜角を有するエッチング液組成物により、既存の過水系エッチング液よりも高い安定性を有し、処理枚数能力を向上させる。
【解決手段】
本発明による金属配線エッチング液は、過酸化水素、酸化剤、フッ素化合物、キレート剤、硝酸系化合物、ホウ素系化合物、添加剤、及び残量の水を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】銅ダマシン配線上への誘電体層の形成において、導電材料と誘電体層間の密着性を向上する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】オルガノシロキサンからなる第２誘電体層１１８に、ＴａＮからなる金属バリア層１２４とＣｕからなる導電性金属特徴部１２６を形成する。平坦化後アンモニアプラズマ処理還元により表面の酸化物を除去する。連続して真空を破壊せずに、トリメチルシランからなる有機ケイ素化合物を導入し、プラズマプロセスによりＳｉＣＮ膜１３０を形成し、さらに連続してＳｉＣ膜１３２を堆積する。酸化物の除去から誘電体層の形成までインサイチュで行うことが可能である。 （もっと読む）

【課題】応力緩和機能を有するウェハレベルＣＳＰと称される半導体装置において、外部電極の配置自由度が高い半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁樹脂層を第１電極が形成された半導体ウェハ表面１０に形成する工程、前記絶縁樹脂層の一部を除去して、開口径（Ｄ１）の開口部３２を形成し、前記半導体ウェハ表面１０の第１電極を露出させる工程、外部電極と前記第１電極を接続するための再配線層を前記絶縁樹脂層表面に形成する工程、前記再配線層の表面に再配線保護層を形成する工程、前記再配線保護層の一部を除去して、Ｄ２＞Ｄ１となるような開口径（Ｄ２）の開口部３２を形成し、前記第１電極と、前記外部電極を形成するための第２電極を露出させる工程、前記第１電極及び前記第２電極の表面にめっき層を形成する工程、前記めっき層を溶融することによって前記外部電極を形成する工程を含む、半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕを主成分とする材料からなる最上層配線からのパッシベーション膜の剥離を防止することができる、半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、層間絶縁膜２６と、絶縁材料からなり、層間絶縁膜２６上に形成されたパッシベーション膜３３と、銅を主成分とする材料からなり、層間絶縁膜２６の表面とパッシベーション膜３３との間に形成された最上層配線２８と、アルミニウムを主成分とする材料からなり、パッシベーション膜３３と最上層配線２８の表面との間に介在され、最上層配線２８の表面を被覆する配線被覆膜３１とを含む。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ系合金配線膜と半導体層との間に通常設けられるバリアメタル層を省略しても優れた低接触抵抗を発揮し得、さらに密着性に優れた配線構造を提供する。
【解決手段】本発明の配線構造は、基板の上に、基板側から順に、半導体層と、Ｃｕ合金層とを備えた配線構造であって、前記半導体層と前記Ｃｕ合金層との間に、基板側から順に、窒素、炭素、フッ素、および酸素よりなる群から選択される少なくとも一種の元素を含有する（Ｎ、Ｃ、Ｆ、Ｏ）層と、ＣｕおよびＳｉを含むＣｕ−Ｓｉ拡散層との積層構造を含んでおり、前記（Ｎ、Ｃ、Ｆ、Ｏ）層を構成する窒素、炭素、フッ素および酸素のいずれかの元素は前記半導体層のＳｉと結合しており、前記Ｃｕ合金層は、Ｃｕ−Ｘ合金層（第一層）と第二層とを含む積層構造である。 （もっと読む）

【課題】バリアメタル膜の酸化を十分に抑制することができる半導体装置の製造方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】基板１の上方に導電膜５を形成し、導電膜５を覆う絶縁膜７を形成し、絶縁膜７のエッチングを行って、絶縁膜７に導電膜５の少なくとも一部を露出する開口部５１を形成する。また、還元ガス雰囲気中で開口部５１に紫外線を照射し、開口部５１内に絶縁膜７及び導電膜５に接するバリアメタル膜９を形成し、バリアメタル膜９上に導電膜１０を形成する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い配線層を低コストで形成し得る配線層の形成方法を提供する。
【解決手段】基板１０上に樹脂層１２を形成する工程と、樹脂層１２上にチタンを含む密着層１４を形成する工程と、密着層１４上にシード層１６を形成する工程と、シード層１６上に配線層２２を形成する工程と、配線層２２をマスクとしてシード層１６をエッチングする工程と、一般式Ｔｉ（ＯＲ^１）_Ｘ（Ｏ_ＹＲ^２）_４−Ｘ（但し、Ｒ^１、Ｒ^２はアルキル基又は水素であり、Ｘは１〜３の整数であり、Ｙは正の整数である）、又は、一般式Ｔｉ（ＯＲ^３）_４（但し、Ｒ^３はアルキル基である）で表されるチタン有機化合物が添加されたエッチング液を用い、前記配線層２２をマスクとして、前記密着層１４をエッチングする工程とを有している。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置及びその製造方法に関し、バリアメタルの絶縁膜及びＣｕに対する密着性と、Ｃｕ拡散防止とを両立する。
【解決手段】 第１絶縁膜に設けた凹部の側壁に第２絶縁膜を形成し、第２絶縁膜の内側に順に第２絶縁膜との密着性が優れている第１の導電性バリア層、炭素を含有する第２の導電性バリア層、及び、Ｃｕ系埋込電極との密着性が優れている第３の導電性バリア層の３層構造のバリア層を介してＣｕ系埋込電極を設けるとともに、前記第１の導電性バリア層と前記第２の導電性バリア層との界面と、前記第２の導電性バリア層と前記第３の導電性バリア層との界面に炭素混合領域を設ける。 （もっと読む）

【課題】誘電率が低くかつ金属との密着性に優れた絶縁層を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板（シリコン基板）と、基板上に設けられており、炭素−炭素結合を有し、かつ炭素原子数とシリコン原子数との比（Ｃ／Ｓｉ）が２以上である、多孔質ＳｉＯＣＨ膜１２ｂと、多孔質ＳｉＯＣＨ膜１２ｂに設けられた凹部と、凹部を埋め込むように設けられた金属膜（Ｃｕ膜２２ｂ）と、Ｃｕ膜２２ｂと接しており、凹部内の多孔質ＳｉＯＣＨ膜１２ｂの表面に設けられた、改質層３１ｂと、を備え、改質層３１ｂは、多孔質ＳｉＯＣＨ膜１２ｂの内部と比較して、Ｃ／Ｓｉ比が小さく、かつＯ／Ｓｉ比が同等である。 （もっと読む）

【課題】ソース・ドレイン電極に、剥離やストレスマイグレーションによるボイドが発生するのを抑制する。
【解決手段】複数の薄膜トランジスタが配列された基板を有する表示装置であって、薄膜トランジスタは、半導体層６と、半導体層６上に形成されるコンタクト層７と、コンタクト層７上に形成されるソース電極１０及びドレイン電極９とを有し、ソース電極１０およびドレイン電極９は、コンタクト層７の上側に形成される第１の導電層９ａ，１０ａと、第１の導電層９ａ，１０ａの上側に形成される第２の導電層９ｂ，１０ｂとを有し、第２導電層９ｂ，１０ｂは、第１添加元素と、銅とを含有する銅合金層であり、前記第１添加元素は、ジルコニウム、チタン、銀、インジウム、金、錫、クロム、ケイ素から選ばれた少なくとも１種類の元素である、ことを特徴とする表示装置。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜の比誘電率を容易かつ十分に低下させる。
【解決手段】半導体装置の製造方法では、それぞれ環状ＳｉＯ構造を主骨格とし互いに構造が異なる２種類以上の有機シロキサン化合物原料を混合した後で気化する。又は、それら２種類以上の有機シロキサン化合物原料の混合と気化とを一度に行うことによって、気化ガスを生成する。そして、その気化ガスをキャリアガスとともに反応炉に輸送する。そして、反応炉にてその気化ガスを用いたプラズマＣＶＤ法又はプラズマ重合法によって多孔質絶縁膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】 デュアルダマシン法による配線構造の製造において、接続プラグ用のホールを通じて下層配線の表面に凹部をエッチング形成するとき、上層配線用の溝の底部が過剰エッチングされないようにする。
【解決手段】 ＴａＮなどからなり、接続プラグに対応する開口を有する導電性膜パターン１１２をＳｉＯＣなどからなる層間絶縁膜１１１と１１３との間に設けた後、配線溝１１４、ホール１１５を形成する。次にＴａＮ、Ｔａなどからなる積層導電性膜１１６を堆積し、ホール１１５の底部の積層導電性膜１１６を除去し、さらに下層配線を構成するＣｕ膜１０９を掘り込むエッチングを行う。このとき、導電性膜パターン１１２があるために配線溝１１４の底部の下にある層間絶縁膜１１１のエッチングを防止できる。その後、配線溝１１４およびホール１１５内にＣｕなどの導電性膜１１７を埋め込む。 （もっと読む）

【課題】接着層の厚さを増加させることなく、銅の下部層との接着性が向上し、銅が下部層に拡散することを防止することができる薄膜形成方法、表示板用金属配線、及びこれを含む薄膜トランジスタ表示板とその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の薄膜形成方法は、基板上にスパッタリング方法により薄膜を形成する方法であって、薄膜は、電力密度が１．５〜３Ｗ／ｃｍ^２、非活性気体の圧力が０．２〜０．３Ｐａで形成する。薄膜は、非晶質構造を有することができ、チタニウム、タンタル、又はモリブデンのうちのいずれか一つで形成することができる。 （もっと読む）