【課題】外からの圧力を用いることなく、低温または室温でウエーハーを貼り合わせる。
【解決手段】貼り合わされたデバイス構造であって、デバイスまたは回路に接続された第１の組の金属ボンディングパッドおよび第１の基板１０上の金属ボンディングパッドに隣接する第１の非金属領域を有する第１の基板、デバイスまたは回路に接続された第１の組の金属ボンディングパッドに隣接する第２の組の金属ボンディングパッド、および第２の基板１３上の金属ボンディングパッドに隣接する第２の非金属領域を有する第２の基板、および第２の非金属領域に対して第１の非金属領域を接触ボンディングさせることにより形成される第１と第２の組の金属ボンディングパッドの間の接触ボンディングされた界面を含むボンディングされたデバイス構造。第１と第２の基板の少なくとも一方は弾性的に変形され得る。 （もっと読む）

【課題】可撓性を有する基板上に有機化合物を含む層を有する素子が設けられた半導体装置を歩留まり高く作製することを課題とする。
【解決手段】基板上に剥離層を形成し、剥離層上に、無機化合物層、第１の導電層、及び有機化合物を含む層を形成し、有機化合物を含む層及び無機化合物層に接する第２の導電層を形成して素子形成層を形成し、第２の導電層上に第１の可撓性を有する基板を貼りあわせた後、剥離層と素子形成層とを剥す半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】再配線構造を有する半導体装置において、外部接続電極の接合性の低下、層間剥離、クラックの発生等を抑制して信頼性を向上する。
【解決手段】半導体装置５０は、配線層絶縁膜３内に形成された信号配線１と、配線層絶縁膜３上に形成された絶縁膜６及び７と、絶縁膜６及び７内で且つ信号配線１上に形成された配線電極４と、絶縁膜６及び７内で且つ配線電極４上に形成された第１の金属層１０ａと、絶縁膜６及び７上に形成され、第１の金属層１０ａの上面に接続された金属配線１０ｃと、金属配線１０ｃ上に形成された外部接続電極１３ａとを備える。更に、絶縁膜６及び７内で且つ外部接続電極１３ａの下方に形成され、金属配線１０ｃの下面に接続された第２の金属層１０ｂを備える。 （もっと読む）

【課題】隣接する２つのトランジスタ同士が接続された構成を有し、省スペースと電流集中による信頼性の低下の抑制とを両立させた半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、第１のトランジスタ１０１と接続された第１のバス１１１、第２のトランジスタ１０２と接続された第２のバス１１２と、第１のバス１１１と第２のバス１１２との間に形成され、第１のバス１１１と第２のバス１１２とを接続するバス間配線１２１とを備えている。バス間配線１２１は、第１のバス１１１における第２のバス１１２と対向する辺の一部及び第２のバス１１２における第１のバス１１１と対向する辺の一部と接続されている。第１のコンタクトパッド１３１は、第１のバス１１１の一部と接続され、第２のコンタクトパッド１３２は、第２のバス１１２の一部と接続されている。 （もっと読む）

【課題】製造工程の効率化とパッシベーション膜の剥離の抑制とが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、金を含む配線３０ａ及び配線３０ｂを形成する工程と、配線３０ａ及び配線３０ｂに接して、窒化シリコン膜３２をプラズマ気相成長する工程と、窒化シリコン膜３２の製膜レートよりも大きな製膜レートのもと、窒化シリコン膜３２に接し、窒化シリコン膜３２よりもシリコン組成比が小さい窒化シリコン膜２２をプラズマ気相成長する工程と、を有する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】トレンチゲートを有する半導体装置に関して、ゲートの取り出し抵抗の低減を図り、動作速度の高速化をはかる。
【解決手段】この半導体装置は、リードフレーム３０のリード端子３０Ｒの一端に連結導体１５を介して電気的に接続されている。この連結導体は、Ｃｕ箔で構成され、本体部１５Ｍと、リード端子３０Ｒに当接し、リード端子３０Ｒに接続されるリード接続部１５Ｒと、トレンチＭＯＳＦＥＴ（チップ）のソースパッドに当接するフィンガー部１５Ｆと、フィンガー部１５Ｆの先端を空間部で一体化する連結部１５Ｂとで構成されている。この連結導体を用いることで、第１の外部取り出し電極を構成するソース電極３５ｓ間に第２の外部取り出し電極としてのゲートパッド３５ｇが伸張して形成されている場合にも、低抵抗で信頼性の高い実装が実現される。 （もっと読む）

【課題】複数の金属層が積層された電極構造を有する半導体装置を容易に製造することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体層と、その半導体層の表面に形成されている第１金属層と、第１金属層の少なくとも一部が露出するように第１金属層に隣接する位置に形成されている絶縁層とを有する半導体基板を用いて、半導体装置を製造する方法であって、露出部分の第１金属層の表面及び絶縁層の表面に、絶縁層に対するよりも第１金属層に対する接着性が高い第２金属層を形成する工程と、第１金属層の表面に形成された第２金属層を残存させながら、絶縁層の表面に形成された第２金属層を絶縁層から剥離する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】貫通電極の形成に時間を要さず、貫通電極内でのボイドの発生を抑制できる半導体装置、およびこの半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体装置１は、孔１１１が形成された絶縁性あるいは半導体の層１１と、層１１の孔１１１内に設けられた貫通電極１２と、を備える。貫通電極１２は、シード層１２１と、めっき層１２２と、を備える。シード層１２１は、孔１１１の底面１１１Ａを覆う。また、シード層１２１は、孔１１１の側面１１１Ｂのうち、孔１１１の開口から、孔１１１の開口と孔１１１の底面１１１Ａとの間の所定の位置までの第１の領域を未被覆とし、この第１の領域（未被覆領域）１１１Ｂ１を除いた第二の領域を被覆している。めっき層１２２は、シード層１２１と、未被覆領域１１１Ｂ１の少なくとも一部を覆う。 （もっと読む）

【課題】配線及び絶縁膜へダメージを与えることなく、絶縁膜上の導電性の不純物によるめっきの異常成長を抑制することができる表面被覆方法、並びに該方法を用いて製造される半導体装置、及び実装回路基板の提供。
【解決手段】水溶性樹脂、有機溶剤、及び水を含有する表面被覆材料を、表面に露出した絶縁膜及び表面に露出したパターニングされた金属配線を有する積層体の少なくとも前記絶縁膜の表面を覆うように塗布し、前記絶縁膜の表面に被膜を形成する表面被覆方法である。 （もっと読む）

【課題】より小さな径の基板貫通ヴィアが形成できるようにする。
【解決手段】基板１０１の回路が形成されている主表面１０１ａ側から所望の孔径の範囲で形成可能な深さに形成された第１孔部１０２と、基板１０１の裏面側から形成されて第１孔部１０２に接続する第２孔部１０３と、第１孔部１０２の内部に形成された第１孔部配線１０４と、第１孔部配線１０４に接続して基板１０１の主表面１０１ａ側に形成された表面配線層１０５と、第２孔部１０３の内部に第１孔部配線１０４に接続して形成された第２孔部配線１０６と、第２孔部配線１０６に接続して基板１０１の裏面側に形成された裏面配線層１０７とを備える。 （もっと読む）

【課題】精細かつ高スループットの導電性素子を提供する。
【解決手段】導電性素子は、第１の波面と第２の波面とを有する基体と、第１の波面上に形成された、２層以上の層が積層された積層膜とを備える。積層膜が、導電パターン部を形成する。第１の波面および第２の波面が、０≦（Ａｍ１／λｍ１）＜（Ａｍ２／λｍ２）≦１．８（但し、Ａｍ１：第１の波面の振動の平均幅、Ａｍ２：第２の波面の振動の平均幅、λｍ１：第１の波面の平均波長、λｍ２：第２の波面の平均波長）の関係を満たす。 （もっと読む）

【課題】下地にダメージを与えず、また、電極材料のゴミの再付着も防止される配線又は電極の形成方法と、この配線又は電極の形成方法により配線又は電極を形成する電子デバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】下地２上に第１のレジスト層１を形成し、開口部５を形成し、導電材料層３を成膜する。導電材料層３の全体を覆う第２のレジスト層４を形成し、該開口部５以外の導電材料層３上の第２のレジスト層４を除去することにより、該開口部５の導電材料層３を覆う保護レジスト層４’を形成する。該保護レジスト層４’で覆われていない導電材料層３を除去し、次いで保護レジスト層１，４’を除去することにより、残留した導電材料３よりなる配線又は電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】ヒートシンクに生じる不具合を低減すること。
【解決手段】半導体装置は、第１面及び第２面を有し、第１面と第２面とを貫通するバイアホールを有する半導体基板と、第１面上に、バイアホールの開口と少なくとも部分的に重複するように形成された配線又は電極と、第２面上に形成され、バイアホールの開口と少なくとも部分的に重複する開口を有する応力緩衝層と、応力緩衝層上からバイアホールの内壁面に沿って延在し、配線又は電極と電気的に接続されたヒートシンクと、を備える。バイアホールの第２面における開口の大きさは、第１面における開口の大きさよりも大きい。応力緩衝層の熱膨張係数は、ヒートシンクの熱膨張係数未満である。 （もっと読む）

【課題】封止される被対象物に段差部を備えているが、封止部を設けた際に該段差部に起因したボイドの発生が抑制され、ひいては優れた耐食性を備える半導体装置と、その製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置１は、導電性を有する剛体からなる基板２と、該基板の少なくとも一方の面に絶縁部３を介して配された導電部５と、該絶縁部及び該導電部を覆うように配された感光性樹脂からなるフィルム６と、を備えている。前記基板２は、一方の面に開口する凹部及び／又は貫通孔２ａを備え、該凹部及び／又は該貫通孔はその内部が略全域にわたって、前記フィルム６により充填されている形態をなす。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の金属配線を高信頼性化する。
【解決手段】一つの実施形態によれば、半導体装置は、第１の配線材、開口部、及び電極端子部が設けられる。第１の配線材は、半導体基板上の第１の層間絶縁膜上に設けられ、配線層として用いられる。開口部は、第１の配線材上に設けられた第２の層間絶縁膜をエッチングして形成される。電極端子部は、開口部及び開口部周囲の第２の層間絶縁膜上に設けられ、第１の配線材に接するバリアメタル膜、シードメタル膜、及び第２の配線材が開口部を覆うように積層形成され、第２の配線材の上部及び側面に被覆メタル膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の小型化、特に、狭ピッチ化に対する技術を提供する。
【解決手段】半導体チップ１Ｃ上に設けられたパッド２と、プローブ領域１０Ａおよび接続領域１０Ｂのパッド２上に開口部１１を有し、半導体チップ１Ｃ上に設けられたパッシベーション膜３と、接続領域１０Ｂのパッド２上に開口部１２を有し、パッド２上およびパッシベーション膜３上に設けられたパッシベーション膜５と、パッド２と電気的に接続され、接続領域１０Ｂ上およびパッシベーション膜５上に設けられた再配線７とを備える。接続領域１０Ｂより半導体チップ１Ｃの外周部側に設けられたプローブ領域１０Ａのパッド２にプローブ痕１００が存在し、接続領域１０Ｂから半導体チップ１Ｃの中央部側に延びて再配線７が存在している。 （もっと読む）

【課題】特性の良好な半導体装置を製造する。また、スループットを向上させ、製造コストを低減する。
【解決手段】開口部ＯＡ１および絶縁膜（２１、２３）上に銅のＣｕシード層２７を形成する工程と、Ｃｕシード層上に、フォトレジスト膜を形成する工程と、Ｃｕシード層上に、メッキ成長により銅膜３１ａを形成する工程と、銅膜上に、Ｎｉ膜３１ｂを形成する工程と、により、再配線３１を形成する。この後、再配線３１上の開口部（ＯＡ２、パッド領域）にＡｕ膜３３ｂを形成した後、フォトレジスト膜を除去し、Ｎｉ膜３１ｂに不動態化処理を施す。この後、再配線３１の形成領域以外のＣｕシード層２７をエッチングする。かかる工程によれば、Ｎｉ膜３１ｂの表面に不動態化膜３５が形成され、上記エッチングによるＮｉ膜３１ｂの膜減りを低減できる。また、膜減りを考慮したＮｉ膜の厚膜化による基板の歪みによる不具合を低減できる。 （もっと読む）

【課題】金属配線層間の絶縁を良好に維持することが可能で、シリコン基体上の絶縁層と金属配線層との密着性を向上したシリコン配線基板を提供する。
【解決方法】シリコン基体上に形成された二酸化ケイ素を主成分とする絶縁層と、前記絶縁層上に形成され、絶縁層のＳｉと酸素を介してシロキサン結合されたシラノール基もしくはアルコキシシラン基を有する有機単分子皮膜と、前記有機単分子皮膜に担持された触媒金属と、前記有機単分子皮膜に前記触媒金属を介して形成されたシード層と、前記シード層上に形成された金属からなる配線層とを具備したことを特徴とするシリコン配線基板。 （もっと読む）

【課題】直接描画法によりレジストの膜パターンやパッシベーション用などの有機膜パターンを形成する際に発生し易い描画性や密着性の問題を防ぐことのできる半導体基板への有機膜パターンの直接描画プロセスにおける前処理方法を提供すること。
【解決手段】相互に異なる材料で構成された複数のパターン膜２、３、４で覆われた半導体基板１表面上に、前記複数のパターン膜２、３、４上に跨って積層される有機膜パターン５を直接描画法により形成する際に、前処理として前記半導体基板１表面を、プラズマ生成ガスとして酸素と窒素を用いてアッシングし、続いて水素と窒素をプラズマ生成ガスとして用いてクリーニング処理を行う。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホールを起点とした絶縁膜の剥がれの伸展を防ぐことができる配線パターンを得る。
【解決手段】半絶縁性ＧａＡｓ基板１上に、配線メタル２が設けられている。配線メタル２上に金メッキ４が設けられている。金メッキ４は、ボンディングパッド部５と配線部６を有する。ボンディングパッド部５及び配線部６を覆うように金メッキ４上に連続してＳｉＮ膜７が設けられている。ボンディングパッド部５上においてＳｉＮ膜７にコンタクトホール８が設けられている。ボンディングパッド部５と配線部６の間において金メッキ４に段差が設けられている。 （もっと読む）