【課題】シールリング構造を有し、半導体基板の一部を除去した半導体チップにおいて、シールリング構造を構成するプラグが、半導体基板を除去した部分で露出することによる耐湿性の劣化を回避する。
【解決手段】半導体ウエハを分割して得られる半導体チップ１００において、半導体基板１０１上に形成された機能回路を含む回路形成領域Ｃｒと、該回路形成領域の周囲の、該半導体基板の一部を除去した領域上に、該回路形成領域への水分の侵入が阻止されるよう形成されたシールリング構造Ｓｈとを備え、該シールリング構造Ｓｈは、絶縁膜内に形成され、該絶縁膜の上下に位置する導電性層を接続する導電性プラグ１０４ｃ及び１０５ｃを有し、該シールリング構造を構成する最下層の導電性プラグ１０４ｃは、該半導体基板に代わる耐湿材料層１０２ｃ上に配置されている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の電気的な接続信頼性を向上させる。
【解決手段】（ａ）半導体基板の主面上に、主導体膜（下地膜）７Ａおよび主導体膜７Ａ上のストッパ絶縁膜（被測定膜）６ｓを積層する工程、（ｂ）ストッパ絶縁膜６ｓに開口部８を形成する工程、を含んでいる。また、（ｃ）開口部８に電子ビーム（励起線）ＥＢを照射して、特性Ｘ線を放出させる工程、および（ｄ）特性Ｘ線を検出し、特性Ｘ線の検出結果に基いて開口部８の底部８Ｂにおけるストッパ絶縁膜６ｓの有無または膜厚を判定する工程、を含んでいる。また、（ｄ）工程では、特性Ｘ線に含まれる複数の元素成分の比率により、ストッパ絶縁膜６ｓの有無または膜厚を判定する。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の多層配線において配線間隔を低減させても所定の低比誘電率を維持できるとともに、電気的特性の劣化などを抑制できる多孔性の層間絶縁膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板１上に形成される配線構造を構成し、空孔を有する多孔性絶縁膜１３を得るための母体となる母体絶縁膜を気相成長法を用いて堆積する。この際、多孔性絶縁膜１３の比誘電率、配線２０間の間隔や絶縁耐圧のような、配線構造を決める因子に要求される設計値に応じて、多孔性絶縁膜１３の分子骨格形成材料の流量に対する多孔性絶縁膜１３の空孔形成材料の流量の比の、少なくとも範囲をまず決定する。この後、決定した流量比の範囲で母体絶縁膜を堆積し、この母体絶縁膜に熱や紫外線などのエネルギーを与えて空孔を有する多孔性絶縁膜１３にする。 （もっと読む）

【課題】貫通孔の底面部付近において、導電層をカバレッジ良く形成し、接触不良がなく、電気的な安定性を向上させた貫通配線を、工程やコストを増加することなく形成する。
【解決手段】半導体基板の一方の面に第一絶縁層を介して導電部を形成する第一工程、ドライエッチング法により半導体基板の他方の面側から第一絶縁層が露呈するように貫通孔を形成する第二工程、貫通孔の内壁面および底面に第二絶縁層を形成する第三工程、第二絶縁層及び第一絶縁層のうち貫通孔の底面に位置する部分を除去し導電部を露呈する第四工程、第二絶縁層上に導電層を形成し該導電層を導電部と電気的に接続する第五工程、を有し、第四工程において、第二絶縁層に続いて導電部の一部をエッチングすると共に、エッチングにより除去された第一金属成分とエッチングガス成分とからなる第一副生成物を、貫通孔の底面部及びその近傍に位置する内壁面部に堆積させ、テーパー部を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の検査特性を向上させる。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、（ａ）基板の上方にアルミニウムを含有する導電性膜（アルミニウム膜１０ｂ）を形成する工程と、（ｂ）上記導電性膜をパターニングすることにより配線を形成する工程と、（ｃ）上記配線の上部に第１絶縁膜（第１保護膜）を形成する工程と、を有する。さらに、（ｄ）上記第１絶縁膜をエッチングすることにより、上記配線のパッド領域（Ｐｄ）を露出する工程と（ｅ）上記パッド領域（Ｐｄ）に、窒素系のプラズマガスを用いたプラズマ処理を行う工程と、（ｆ）上記（ｅ）工程の後、上記パッド領域（Ｐｄ）にプローブ針を当接し、上記パッド領域（Ｐｄ）に通電する工程と、を有する。上記（ｅ）工程により、上記パッド領域（Ｐｄ）に窒化アルミニウム層（１５）が形成され、パッド領域（Ｐｄ）とプローブ針（Ｎ）との接触抵抗を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】ｐｎ接合ダイオードの接合面積を大きくし、かつコストダウンを可能とすること。
【解決手段】半導体基板１０とｐｎ接合を形成する第１拡散領域３２を含む第１ｐｎダイオード３３を含み、前記半導体基板上に形成された電子回路２０と、前記電子回路とスクライブライン２６との間の前記半導体基板内に設けられ前記電子回路を囲み前記第１拡散領域と同じ導電型であり前記半導体基板とｐｎ接合を形成する第２拡散領域２４を、含む第２ｐｎダイオード２３と、前記電子回路と前記スクライブラインとの間の前記半導体基板上に、前記第２拡散領域と重なるように設けられ、前記電子回路を囲む金属層１８と、を具備する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】回路を形成した半導体ウェハをダイシングするときに発生するクラックの伝搬を抑制する。
【解決手段】ウェハ１上のチップ領域２にＭＯＳトランジスタＴ１及び配線３１，４８,５４，６４，６４を形成すると共に、チップ領域２内でＭＯＳトランジスタＴ１及び配線３１，４８,５４，６４，６４を囲むガードリング７６を形成する。また、ウェハ１上のスクライブライン領域３には、チップ領域２に第１層の配線３１を形成するときに、第１の応力吸収パターン３３を同時に形成する。さらに、最上層の配線７４を形成するときに、第２の応力吸収パターン７７を同時に形成する。各応力吸収パターン３３，７７は、チップ領域２を囲むように連続して形成され、スクライブライン領域３の中心線ＳＣを跨ぐベタパターンである。ダイシング時には、第１及び第２の応力吸収パターン３３，７７の一部が残るようにウェハ１を切断する。 （もっと読む）

【課題】プローブ針の先端を研磨する時間を短縮することと接触抵抗を低く安定させること。
【解決手段】半導体基板上に形成された電子回路と、前記半導体基板上に形成され、前記電子回路と電気的に接続し、金属膜３４と前記金属膜より硬い材料の層３６とを備え、上視した場合前記層と前記金属膜とが配置された第１領域４０と、前記金属膜が配置され前記層が形成されない第２領域４２とを備えるパッド１６と、を具備する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の配線間の容量低減を実現するとともに、ミスアライメント・ビアを対策する。
【解決手段】配線上及び配線間のスペース領域に絶縁膜７４を形成し、隣接配線間隔が狭い配線の上面を露出するスルーホールの周辺領域の絶縁膜７４をリザーバーとして残して、周辺領域以外の絶縁膜７４を除去し、絶縁膜７４が除去された配線間のスペース領域に空隙を残しつつ、配線上に絶縁膜７７を形成する。 （もっと読む）

【課題】配線構造における電気特性の向上を図る。
【解決手段】グラフェン配線は、配線溝を有する絶縁膜１３と、前記配線溝内の両側面の前記絶縁膜上に形成された第１触媒膜１５と、前記配線溝内の両側面の前記第１触媒膜上に形成され、両側面に対して垂直方向に積層された複数のグラフェンシートで構成された第１グラフェン層１６と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】配線構造における電気特性の向上を図る。
【解決手段】グラフェン配線の製造方法は、絶縁膜１３内に、配線溝３０を形成し、前記配線溝内の全面に、触媒膜１４を形成し、前記配線溝内の前記触媒膜上に、前記配線溝の底面に対して垂直方向に積層された複数のグラフェンシート１６ａ〜１６ｅで構成されるグラフェン層１６を形成することを具備する。 （もっと読む）

【課題】微細で良好な形状のコンタクトホールを有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜３６上にフォトレジスト膜４２を形成する工程と、フォトレジスト膜４２に開口部４４を形成する工程と、開口部４４が形成されたフォトレジスト膜４２をマスクとして絶縁膜３６をエッチングすることによりコンタクトホール４８を形成する工程とを有し、コンタクトホール４８を形成する工程は、開口部４４が形成されたフォトレジスト膜４２上に保護膜４６を堆積しながら絶縁膜３６をプラズマエッチングする第１の工程と、フォトレジスト膜４２上に堆積された保護膜４６を一旦除去する第２の工程と、保護膜４６が一旦除去されたフォトレジスト膜４２上に他の保護膜を新たに堆積しながら絶縁膜３６を更にプラズマエッチングする第３の工程とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】微細配線を有する半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、第１のＣｕ配線１０２と、第１のＣｕ配線１０２の上に設けられ、第１のＣｕ配線１０２からＣｕの拡散を防ぐ第１のバリア絶縁膜１０３とを備える。また、第１のバリア絶縁膜１０３の上には、第２のＣｕ配線１０５と、第１のＣｕ配線１０５の上に設けられ、第２のＣｕ配線１０５からＣｕの拡散を防ぐ第２のバリア絶縁膜１０６と、を備える。第１、第２のバリア絶縁膜１０３、１０６は、分枝アルキル基、及び、炭素−炭素二重結合を有するシリコン系絶縁膜からなる。 （もっと読む）

【課題】 ボイド等の発生を防止できるように凹部内に金属膜の成膜を施すことができる成膜方法である。
【解決手段】 処理容器２２内でプラズマにより金属のターゲット７６から金属イオンを発生させてバイアスにより引き込んで凹部４が形成されている被処理体に金属の薄膜を堆積させる成膜方法において、ターゲットから金属イオンを生成し、その金属イオンをバイアスにより引き込んで凹部内に下地膜９０を形成する下地膜形成工程と、金属イオンを発生させない状態でバイアスにより希ガスをイオン化させると共に発生したイオンを引き込んで下地膜をエッチングするエッチング工程と、ターゲットをプラズマスパッタリングして金属イオンを生成し、その金属イオンをバイアス電力により引き込んで金属膜よりなる本膜９２を堆積しつつ、その本膜を加熱リフローさせる成膜リフロー工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】再配線のパターン形成後のレジストパターンの剥離性を確保しつつ、再配線のパターン形成前のレジストパターンとその下地との密着性を向上させる。
【解決手段】半導体チップ上に形成されたメタル膜５の表層には、レジスト膜６との密着性を上げる表面改質層１６が形成され、表面改質層１６を介してメタル膜５上に再配線７ａ〜７ｃが形成される。 （もっと読む）

【課題】バリアメタル層の金属配線に対する密着性を向上させつつ、金属配線の低抵抗化を図った半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜１５に形成された凹部１６、１７内にバリアメタル層２０を形成した後、凹部１６、１７内にＣｕ配線層２３を形成する。バリアメタル層２０の形成工程は、凹部１６、１７内にＴｉ含有量が５０原子％を超える第１のＴｉＮ_x膜１８を形成した後、側壁部上と比較して底部上に相対的に多く形成されるように、Ｔｉ含有量が第１のＴｉＮ_x膜１８より多い第２のＴｉＮ_x膜（またはＴｉ膜）１９を形成する。 （もっと読む）

【課題】下層配線層と配線シード層との密着性を低下させないで高く維持することが可能な配線形成方法を提供する。
【解決手段】下層配線層４と絶縁性バリヤ層６と層間絶縁膜８と上層配線層が順次積層された被処理体に対して上層配線層と、連通配線層１６とを形成する配線形成方法において、絶縁性バリヤ層を残した状態で連通ホール９Ｂを形成し、連通ホール内に犠牲膜を埋め込み、トレンチ９Ａを形成するパターンマスク６２を形成する前処理工程と、トレンチを形成するトレンチ形成工程と、犠牲膜６０とパターンマスクとをアッシングするアッシング工程と、トレンチ内と連通ホール内に熱処理によりバリヤ層１０を形成するバリヤ層形成工程と、異方性エッチングにより連通ホールの底部のバリヤ層と絶縁性バリヤ層とを除去する異方性エッチング工程と、配線シード層１２を形成する配線シード層形成工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】抵抗値の温度依存性の小さい抵抗素子を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、金属抵抗素子層Ｒｍ１，Ｒｍ２を有する。金属抵抗素子層Ｒｍ１は、金属抵抗膜層Ｒｍ１１を含む。金属抵抗素子層Ｒｍ２は、金属抵抗膜層Ｒｍ１２を含む。金属抵抗膜層Ｒｍ１１は、窒化チタン抵抗および窒化タンタル抵抗のうちの一方であり、金属抵抗膜層Ｒｍ１２は、窒化チタン抵抗および窒化タンタル抵抗のうちの他方である。窒化チタン抵抗の抵抗値は正の温度係数を有する一方、窒化タンタル抵抗の抵抗値は負の温度係数を有する。コンタクトプラグＣＰ２によって、金属抵抗膜層Ｒｍ１１と金属抵抗膜層Ｒｍ１２とが電気的に接続されるので、窒化チタン抵抗の温度係数と窒化タンタル抵抗との温度係数が相殺される。これにより温度係数を小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】エッチング工程によってもダメージを受けにくい絶縁膜を形成し得る重合体を含む膜形成用組成物、前記絶縁膜、該絶縁膜を備える半導体装置、さらには前記重合体の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の膜形成用組成物は、分子内に、アダマンタン型のかご型構造を含む部分構造と、重合反応に寄与する重合性反応基とを有する化合物Ｃを含む重合性化合物を重合することにより得られる、分散比が１．０以上２．５以下の重合体を含むものである。 （もっと読む）

【課題】めっき工程の埋設不良を抑制する。
【解決手段】半導体基板１００上に設けられた層間絶縁膜３２０に開口部を形成する工程と、開口部上面にバリア層３４０を形成するバリア層形成工程と、バリア層３４０上に配線シード層を形成する配線シード層形成工程を有する。また、バリア層形成工程は、選択成膜工程と、スパッタエッチング工程を有する。バリア層３４０の選択成膜工程は、バリア層３４０を、開口部の平面部３４２のみに選択的に成膜する。次いで、バリア層３４０のスパッタエッチング工程は、平面部３４２のバリア層３４０をスパッタエッチングしながらバリア層３４０のスパッタ粒子を開口部の側壁部３４４に堆積させる。 （もっと読む）