システム及び方法が、電圧切り換え可能な誘電体材料に１つ以上の材料を付着させることを含む。特定の態様では、電圧切り換え可能な誘電体材料が、導電バックプレーン上に配置される。いくつかの実施形態では、電圧切り換え可能な誘電体材料が、付着に関する特性電圧が相違する複数の領域を含む。いくつかの実施形態は、マスキングを含み、取り除くことが可能なコンタクトマスクの使用を含むことができる。特定の実施形態は、電気グラフトを含む。いくつかの実施形態は、２つの層の間に配置される中間層を含む。 （もっと読む）

【課題】凹部内のボイドの発生を抑制する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板１０の表面に形成されている絶縁膜１００に、凹部１１１を形成する工程と、凹部１１１内にシード膜１０４を形成する工程と、凹部１１１内に、カバーメタル膜１０６を形成する工程と、カバーメタル膜１０６を選択的に除去して、凹部１１１の底部にシード膜１０４を露出させる工程と、凹部１１１の底部に露出されたシード膜１０４をシードとして、凹部１１１内を埋め込むめっき膜１４０を成長させる工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】絶縁層がデバイスの最終配線層と接触する銅プラグを有する、半導体デバイスを提供する。
【解決手段】銅プラグと絶縁層とを分離する障壁層も存在可能である。他の実施形態では、絶縁層と銅プラグとの間にアルミニウム層も存在可能である。半導体デバイスを生成するためのプロセスも開示される。 （もっと読む）

先端の集積回路にみられる切欠構造（２０６，２０７，２０８，２０９，２１１，２１３，２６４，２７５ａ，２７５ｂ）において、長尺のルテニウム金属膜（２１４）に多段階で銅鍍金を行う方法である。長尺のルテニウム金属膜 （２１４）を利用すると、銅金属がトレンチ（２６６）及びビア（２６８）のような高アスペクト比の切欠構造（２０６，２０７，２０８，２０９，２６４，２７５ａ，２７５ｂ）を充填するあいだ、不要な微細気泡が形成を防ぎ、前記ルテニウム金属膜（２１４）上に長尺の銅金属層（２２８）を含むサイズの大きい銅粒（２３３）が鍍金形成される。銅粒（２３３）は銅が充填された切欠構造（２０６，２０７，２０８，２０９，２１１，２１３，２７５ａ，２７５ｂ）の電気抵抗を低下させ、集積回路の信頼性を向上させる。
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【課題】パターニングされた段階化キャップ層の表面上に配される少なくとも１つのパターニングされ且つ硬化されたｌｏｗ−ｋ物質を含む配線構造を提供する。
【解決手段】少なくとも１つの硬化され且つパターニングされたｌｏｗ−ｋ物質およびパターニングされた段階化キャップ層は、その中に組み込まれる導電的充填領域を各々有する。パターニングされ且つ硬化されたｌｏｗ−ｋ物質は、１つ以上の酸感受性イメージング可能基を有する機能性ポリマー、コポリマー、あるいは少なくとも２種の任意の組み合わせのポリマー類もしくはコポリマー類またはその両方を含むブレンドの硬化生成物であり、段階化キャップ層はバリア領域として機能する下部領域および恒久的な反射防止膜の反射防止特性を有する上部領域を含む。 （もっと読む）

【課題】孔の内径の大小にかかわらず、該孔の奥まで均一な無電解銅めっき層を形成しうる無電解銅めっき液および無電解銅めっき方法を提供する。また、該無電解銅めっき層を形成することにより孔の内部に信頼性の高い埋め込み配線を形成することのできる埋め込み配線の形成方法を提供する。
【解決手段】チオール基又はジスルフィド結合を有するポリエチレングリコール化合物、及び銅イオンを含有することを特徴とする無電解銅めっき液、さらに、該無電解銅めっき液に、孔２の形成された基板１を浸漬し、該孔の内部に無電解銅めっき層６を形成することを特徴とする無電解銅めっき方法、及び、該無電解銅めっき液に、孔２の形成された基板１を浸漬し、該孔の内部に無電解銅めっき層６からなる埋め込み配線を形成することを特徴とする埋め込み配線の形成方法。 （もっと読む）

【課題】電気的抵抗が低い相互接続構造、および、かかる相互接続構造を形成する方法を提供する。
【解決手段】相互接続構造は、少なくとも１つの開口を含む誘電物質を含む。少なくとも１つの開口内には、任意のバリア拡散層、結晶粒成長促進層、凝集めっきシード層、任意の第２のめっきシード層、および導電性構造が配置される。典型的にはＣｕである金属含有導電性物質を含む導電性構造は、バンブー微細構造を有し、平均グレイン・サイズが０．０５ミクロンよりも大きい。いくつかの実施形態では、導電性構造は、（１１１）結晶方位を有する導電性結晶粒を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体素子及びその形成方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体素子の形成方法は、基板上に半導体構造物及び絶縁パターンを形成し、絶縁パターンの一面によって定義される側壁と半導体構造物の底によって定義される底を有するオープニングを形成し、オープニングを満たす第１金属膜を形成し、第１金属膜を湿式エッチングしてオープニングの側壁を少なくとも一部露出させ、第１金属膜上に第２金属膜を選択的に形成することを含む。 （もっと読む）

【課題】 相互かみ合い型導電線を有するキャパシタ構造体ならびにそれを製造する方法を提供する。
【解決手段】 相互かみ合い型構造体は、少なくとも１つの第１の金属線と、少なくとも１つの第１の金属線に平行で、しかも少なくとも１つの第１の金属線から分離されている少なくとも１つの第２の金属線と、少なくとも１つの第１の金属線の端部に接触し、しかも少なくとも１つの第２の金属線から分離されている第３の金属線とを含むことができる。少なくとも１つの第１の金属線はいずれの金属ビアにも垂直に接触しないが、少なくとも１つの第２の金属線は少なくとも１つの金属ビアに垂直に接触することができる。相互かみ合い型構造体の複数の層を垂直に積み重ねることができる。代わって、相互かみ合い型構造体は、複数の第１の金属線と複数の第２の金属線を含むことができ、それぞれの金属線はいずれの金属ビアにも垂直に接触しない。キャパシタを形成するために、回転の有無を問わず、相互かみ合い型構造体の複数の実例を横方向に複製し接合するか、あるいは垂直に積み重ねるか、またはその両方を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比のフィーチャーをタングステン含有材料で充填する。
【解決手段】部分的に製造された半導体基板上の高アスペクト比のフィーチャーをタングステン含有材料で充填する方法が提供される。ある実施形態においては、当該方法は高アスペクト比のフィーチャーにタングステン含有材料を部分的に充填する工程とフィーチャー空洞から部分的に充填された材料を選択的に除去する工程とを有する。これらの方法を用いて処理された基板においては、高アスペクト比のフィーチャーに充填されたタングステン含有材料のステップカバレッジが改善され、シームの大きさが低減する。 （もっと読む）

【課題】下層導電層の表面を十分保護することができ、信頼性が高く、配線容量が小さなデュアルダマシン配線を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】導電性領域１１を有する下地と１０、下地の表面を覆う絶縁性エッチストッパ膜１２と、絶縁性エッチストッパ膜上に形成された層間絶縁膜と、層間絶縁膜表面から第１の深さで形成された配線用溝と、配線用溝底面から導電性領域に達する接続用孔と、配線用溝および接続用孔を埋め込んで形成されたデュアルダマシン配線である。層間絶縁膜が配線用溝の側面および底面を包む第１種の絶縁層１５と、第１種の絶縁層よりも下に配置され、第１種の絶縁層とエッチング特性の異なる第２種の絶縁層５６とを含む。接続用孔は、断面で見た時に第１種の絶縁層内で傾斜し、上方に向かって次第に開口が増大する部分を有する。 （もっと読む）

【課題】配線構造におけるクリティカルディメンションの制御性を向上させる。
【解決手段】配線構造の製造方法が提供される。本発明の一態様によれば、絶縁層内に溝またはビアが形成される際、別のビアおよび／または溝の側壁面が金属酸化層で覆われている。金属酸化層は、側壁面の侵食を防止するおよび／または抑制することができる。その結果、方法は、ビアおよび溝のクリティカルディメンションの制御性を向上させることができる。 （もっと読む）

【目的】キャップ成膜時に起因するｌｏｗ−ｋ膜の絶縁性劣化を低減する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、基体上に絶縁膜を形成する工程（Ｓ１０４）と、前記絶縁膜上に絶縁材料を用いたキャップ膜を形成する工程（Ｓ１０６）と、前記キャップ膜を形成した後に、前記キャップ膜を介して前記前記キャップ膜の下層のシリル化処理を行なう工程（Ｓ１０８）と、前記シリル化処理の後、エッチング法を用いて、前記キャップ膜上から前記絶縁膜内へと続く開口部を形成する工程（Ｓ１１４）と、前記開口部に導電性材料を堆積させる工程（Ｓ１２４）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｒｕ含有膜の表面に形成される金属含有膜の成膜性を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、以下の工程を含むものである。基板（半導体素子や層間膜が形成された半導体基板など）にＲｕ含有膜を形成する工程（Ｓ１００）、Ｒｕ含有膜の表面と接するように、Ｒｕより酸化還元電位が低い金属を含有する膜を形成する工程（Ｓ１０２）、基板をめっき液に浸漬させて、当該膜にめっき液を接触させる工程（Ｓ１０４）、基板をめっき液に浸漬させた状態で、当該膜を電気分解により除去してＲｕ含有膜を露出させるとともに、露出したＲｕ含有膜の表面に金属含有膜を電解めっきにより形成する工程（Ｓ１０６）。 （もっと読む）

【課題】アスペクト比の高いホール内に、被覆性の良好な、コンタクト抵抗の低いバリア層を形成する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】タンタルまたはタンタルナイトライド等のライナー材料をホール内にスパッタ堆積する。ロングスロースパッタリング、自己イオン化プラズマ（ＳＩＰ）スパッタリング、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）再スパッタリング及びコイルスパッタリングを１つのチャンバ内で組み合わせたリアクタ１５０を使う。ロングスローＳＩＰスパッタリングは、ホール被覆を促進する。ＩＣＰ再スパッタリングは、ホール底部のライナー膜の厚さを低減して、第１のメタル層との接触抵抗を低減する。ＩＣＰコイルスパッタリングは、ＩＣＰ再スパッタリングの間、再スパッタリングによる薄膜化は好ましくないホール開口部に隣接しているような領域上に、保護層を堆積する。 （もっと読む）

【課題】 炭化珪素の半導体装置において、電極材料と、内部配線の材料とが異なるとき、これら異種金属の接触界面における不具合のおそれを無くして、長期間使用後にも高い信頼性を得ることができる、半導体装置等を提供する。
【解決手段】 炭化珪素１４，１８に接触する接触電極１６と、該接触電極と導通する配線１９とを備え、接触電極１６が、チタン、アルミニウム、および珪素を含有する合金で形成され、配線１９は、アルミニウムまたはアルミニウム合金で形成され、該配線は接触電極と接触することで該接触電極と導通をとることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 相互接続構造の信頼性及び拡張性を改善する相互接続構造のための冗長金属拡散バリア層を提供する。
【解決手段】 冗長金属拡散バリア層は、誘電体材料内に設けられた開口内に配置され、且つ開口内に存在する拡散バリア層及び導電性材料の間に配置される。冗長拡散バリア層は、Ｒｕ並びに純粋なＣｏ若しくはＮ，Ｂ及びＰのうちの少なくとも１つを含むＣｏ合金からなる単層若しくは多層構造である。 （もっと読む）

【課題】高縦横比の特徴部のボイドなしの充填方法を提供する。
【解決手段】種々の実施例に於いて、この方法は低温化学蒸着工程によるタングステンでの特徴部の充填に関する。或る実施例に於いて、工程温度は特徴部充填の化学蒸着の間約３５０°Ｃ以下に維持される。この低温化学蒸着タングステン充填により、標準の化学蒸着充填と同様は薄膜抵抗を達成する一方、高縦横比の特徴部への向上された充填と下地層へとのフッ素移動への向上されたバリヤが得られる。発明は更に低抵抗を有するタングステンフィルムの堆積方法に関する。種々の実施例に於いて、この方法ではタングステンバルク層の堆積及び／或は低温化学蒸着によるバルク層の堆積の前に堆積された核形成層に低温低抵抗処理を実施し、その後高温化学蒸着を実施する。 （もっと読む）

【課題】高縦横比の特徴部のボイドなしの充填方法を提供する。
【解決手段】種々の実施例に於いて、この方法は低温化学蒸着工程によるタングステンでの特徴部の充填に関する。或る実施例に於いて、工程温度は特徴部充填の化学蒸着の間約３５０°Ｃ以下に維持される。この低温化学蒸着タングステン充填により、標準の化学蒸着充填と同様は薄膜抵抗を達成する一方、高縦横比の特徴部への向上された充填と下地層へとのフッ素移動への向上されたバリヤが得られる。発明は更に低抵抗を有するタングステンフィルムの堆積方法に関する。種々の実施例に於いて、この方法ではタングステンバルク層の堆積及び／或は低温化学蒸着によるバルク層の堆積の前に堆積された核形成層に低温低抵抗処理を実施し、その後高温化学蒸着を実施する。 （もっと読む）

【課題】本発明は多層配線構造を有する半導体装置の製造方法に関し、高い集積度が要求される場合に優れた歩留まりと高い信頼性とを確保することを目的とする。
【解決手段】トランジスタのソースドレイン領域の上層にシリコン酸化膜７を形成する。一端面がソースドレイン領域６に導通し、他端面がシリコン酸化膜７の表面に露出するように、シリコン酸化膜７の内部に導電性のパッド１０を設ける。シリコン酸化膜７およびパッド１０の上層にシリコン酸化膜１１を形成する。一端面がパッド１０に接触し、他端面が配線層１４と導通するようにシリコン酸化膜１１の内部にプラグとして機能する導電層を設ける。シリコン酸化膜７の表面と、パッド１０の他端面は平滑な同一平面を形成する。プラグとして機能する導電層は、パッド１０に比して小さく、かつ、パッド１０の中央部近傍に接触するように形成する。 （もっと読む）