【課題】 ビア開口の下部分を多層ライナで内側を覆うことにより強化したエレクトロマイグレーション耐性を有する相互接続構造体を提供する。
【解決手段】 多層ライナは、誘電体材料のパターン付けされた表面から外側に、拡散障壁、マルチ材料層、及び金属含有ハード・マスクを含む。マルチ材料層は、下層の誘電体キャッピング層からの残留物からなる第１材料層と、下層の金属キャッピング層からの残留物からなる第２材料層とを含む。本発明はまた、誘電体材料内に形成されたビア開口の下部分内に多層ライナを含む相互接続構造体を形成する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの基板を貫通するプラグにおいて、微細になるとプラグに接続する電極との接続抵抗が大きくなる、またリーク電流が大きくなる、あるいは絶縁破壊やストレスマイグレーションが生じる、という問題があった。これらの問題の生じにくい貫通プラグの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１００の表面に設けられた電極パッド４００と、基板裏面に設けられた接続電極３８０とを電気的に接続する貫通プラグ３５０の端部が、電極パッドおよび接続電極に部分的に食い込んだ構造とする。および、半導体基板から貫通プラグを絶縁する絶縁分離部２１０が、半導体基板表面側の絶縁膜２０５に部分的に食い込んだ構造とする。 （もっと読む）

【課題】 集積回路（ＩＣ）デバイスのための相互接続構造を提供する。
【解決手段】 集積回路（ＩＣ）デバイスのための相互接続構造は、第１の幅ｗ_１で形成された１つ以上のセグメント及び１つ以上の追加の幅Ｗ_２・・・ｗ_Ｎで形成された１つ以上のセグメントを有する細長い導電性ラインを備え、第１の幅は前記１つ以上の追加の幅のそれぞれよりも狭く、１つ以上の追加の幅で形成された１つ以上の導電性セグメントの全長Ｌ_２・・・Ｌ_Ｎに対する第１の幅で形成された１つ以上の導電性セグメントの全長Ｌ_１の関係は、導電性ラインの全長Ｌ＝Ｌ_１＋Ｌ_２＋・・・Ｌ_Ｎが臨界長さに関係なく最小の所望の設計長さを満足するように、導電性ラインに流れる電流の所定の大きさに対して、エレクトロマイグレーション・ショート・レングス効果の利点が維持されるように選択される。 （もっと読む）

【課題】 容量低減とビア加工マージンの確保を効率的に達成する。
【解決手段】 複数の配線層を有する半導体装置であって、所定領域を有する第１配線層２６と、第１配線層の上層に位置する第２配線層４７と、第１配線層と第２配線層との間に設けられる層間絶縁膜３６と、層間絶縁膜と第１配線層の配線との間に設けられるバリア絶縁膜（２９，３１）とを有し、所定領域における配線上部のバリア絶縁膜の厚さは、所定領域以外の領域における配線上部のバリア絶縁膜の厚さよりも厚く、所定領域においては隣接する配線間にエアギャップ３５が形成され、所定領域以外においては隣接する配線間にエアギャップが形成されない。 （もっと読む）

【課題】プラグに対する信号配線層の接続抵抗を低減しながら暗電流を抑制する。
【解決手段】光電変換装置は、光電変換部と、前記光電変換部の上方に設けられ、画素における少なくとも前記光電変換部を除く領域を遮光する遮光層と、前記光電変換部で発生した電荷を電圧に変換する半導体領域と、前記半導体領域又は配線層にプラグを介して接続された信号配線層と、前記遮光層の下面に沿って配された第１のバリアメタル層と、前記信号配線層の上面又は下面に沿って前記信号配線層と前記プラグとの間に配された第２のバリアメタル層とを備え、前記第１のバリアメタル層は、前記光電変換部における暗電流を抑制するように、前記第２のバリアメタル層より水素吸蔵能力の低い材料で形成されており、前記第２のバリアメタル層は、前記信号配線層と前記プラグとの接続抵抗を低減するように、前記第１のバリアメタル層より比抵抗の小さい材料で形成されている。 （もっと読む）

【課題】ダイシング時及びボンディング時においても活性領域への水分等の不純物の侵入を防止し、小型化を容易におこなうことができる半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】
半導体素子と外部接続端子とを接続する配線が貫通する開口部を含み、前記半導体素子を含む半導体層上に設けられた絶縁膜内に延在して前記半導体素子の全体を囲み、かつ前記外部接続端子の内側に配置された筒状ダミー配線を有する。 （もっと読む）

【課題】 キーホール・シームの形成を排除した信頼性が高い高アスペクト比のコンタクト構造体を含む半導体構造を提供する。
【解決手段】 キーホール・シームの形成は、本発明においては、誘電体材料内部に存在する高アスペクト比のコンタクト開口部内に高密度化貴金属含有ライナを設けることによって排除される。高密度化貴金属含有ライナは拡散バリアの上に配置され、これら両方の要素は、本発明のコンタクト構造体の導電性材料を、下層の半導体構造体の導電性材料から分離する。本発明の高密度化貴金属含有ライナは、第１の抵抗率を有する貴金属含有材料の堆積、及び、堆積した貴金属含有材料の抵抗率をより低い抵抗率に減少させる高密度化処理プロセス（熱又はプラズマ）を、堆積した貴金属含有材料に施すことによって形成される。 （もっと読む）

【課題】コンタクト構造物の形成方法及びこれを利用した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】コンタクト領域１０３を有する対象体１００上に絶縁層１０６を形成した後、絶縁層１０６をエッチングしてコンタクト領域１０３を露出させる開口を形成する。露出されたコンタクト領域１０３上にシリコン及び酸素を含む物質膜を形成した後、シリコン及び酸素を含む物質膜上に金属膜を形成する。シリコン及び酸素を含有する物質膜と金属膜を反応させて、少なくともコンタクト領域１０３上に金属酸化物シリサイド膜１２１を形成した後、金属酸化物シリサイド膜１２１上の開口を埋める導電膜を形成する。コンタクト領域とコンタクトとの間に金属、シリコン、及び酸素が三成分系を成す金属酸化物シリサイド膜を均一に形成することができるため、改善された熱安定性及び電気的特性を有する。 （もっと読む）

【課題】端部の勾配が急峻であり、所望の膜厚を確保することができ、マスクパターンとの形状の差が抑えられる導電膜を、エッチングを用いて作製する。
【解決手段】膜厚１μｍ以上１０μｍ以下のアルミニウムまたはアルミニウム合金を含む導電膜を、ウェットエッチングを用いて所定の膜厚となるまでエッチングした後、残りをドライエッチングでエッチングすることで、サイドエッチングを抑え、なおかつマスクの膜厚が減少するのを抑える。サイドエッチングを抑え、なおかつマスクの膜厚が減少するのを抑えることで、膜厚１μｍ以上１０μｍ以下といった厚膜のアルミニウムまたはアルミニウム合金を含む導電膜であっても、端部の勾配が急峻であり、所望の膜厚を確保することができ、マスクパターンとの形状の差が抑えられるようにエッチングすることが可能となる。 （もっと読む）

サブリソグラフィックな寸法又は高アスペクト比を含む、小寸法の開口内に電極材料を均一に形成する方法を提供する。この方法は、内部に形成された開口を有する絶縁層を提供するステップと、開口の上部及び内部に非等質的導電又は準抵抗性材料を形成するステップと、導電材料を移動化して開港内に圧縮するステップとを有する。この方法は、導電又は準抵抗性材料における空孔又は欠陥密度を堆積されたままの状態に対して低減する。移動化するステップは、押出又は熱的リフローによって達成され、空隙又は欠陥を合体、崩壊、染み透り又は他の方法によって堆積したままの導電又は準抵抗性材料から除去する。
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【課題】切断された電気ヒューズの切断状態を良好に保つ。
【解決手段】半導体装置２００は、基板上に形成された下層配線１２０と、下層配線１２０上に下層配線１２０に接続して設けられたビア１３０と、ビア１３０上にビア１３０に接続して設けられた上層配線１１０とを含み、切断状態において、上層配線１１０を構成する導電体が上層配線１１０の外方に流出してなる流出部が形成されることにより切断される電気ヒューズ１００と、少なくとも上層配線１１０と同層に形成され、上層配線１１０に生じる熱を吸収するガード上層配線１５２（導電吸熱部材）とを含む。 （もっと読む）

サブリソグラフィック寸法又は高アスペクト比を含む小寸法を有する開口内に均一で均質に電極材料を形成する方法を提供する。この方法は、内側に形成された開口を有する絶縁層を提供し、開口上及び開口内に均質な導電又は準抵抗材料を形成するステップを含んでいる。この方法は、金属窒化物、金属アルミニウム窒化物及び金属ケイ素窒化物電極組成を形成するＣＬＤ又はＡＬＤプロセスである。この方法は、アルキル、アリル、アルケン、アルキン、アシル、アミド、アミン、イミン、イミド、アジド、ヒドラジン、シリル、アルキルシリル、シリルアミン、キレーティング、ヒドリド、サイクリック、カルボサイクリック、シクロペンタジエニル、ホスフィン、カルボニル又はハライドから選択された１以上のリガンドを含む金属前駆体を利用する。公的な前駆体は、一般式ＭＲｎを有し、Ｍは金属、Ｒは上述のリガンド、ｎは主要な金属原子に結合したリガンドの数に対応している。Ｍは、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｐｒ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｎｉ又は他の遷移金属である。
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【課題】信頼性の高い半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体装置１は、半導体基板（図示略）と、半導体基板上に設けられた第一の電気ヒューズ１２と、第二の電気ヒューズ１３とを備える。第一の電気ヒューズ１２は、異なる配線層に形成された第一の上層配線１２１および第一の下層配線１２２と、第一の上層配線１２１および第一の下層配線１２２を接続するビア１２３とを有する。第二の電気ヒューズ１３は、異なる配線層に形成された第二の上層配線１３１および第二の下層配線１３２と、第二の上層配線１３１および第二の下層配線１３２を接続するビア１３３とを有する。半導体装置１は、第一の電気ヒューズ１２の前記第一の上層配線１２１と、第二の電気ヒューズ１３の第二の下層配線１３２とを接続する接続部１４を有する。この接続部１４は、第一の電気ヒューズ１２および第二の電気ヒューズ１３を直列に接続する。 （もっと読む）

【課題】金属銅膜や金属タングステン膜に対して有効なバリアメタルを提供する。
【解決手段】半導体集積装置のバリアメタル１４として、ＷＮｘ或いはＷＳｉＮｘを用いる。これにより、金属銅膜や金属タングステン膜に対して有効にバリア機能を発揮させる。 （もっと読む）

【目的】コンタクトプラグ材料の基板への拡散を抑制する半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置は、半導体基板２００と導通するコンタクトプラグとなるＣｕ膜２６０と、Ｃｕ膜２６０の少なくとも底面側に、半導体基板２００と接触して配置された柱状結晶構造をもつＴｉＮ膜２４２と、Ｃｕ膜２６０の少なくとも底面側に、ＴｉＮ膜２４２と接触して配置された、ＴｉＮのアモルファス膜２４４と、Ｃｕ膜２６０の底面側と側面側に、少なくとも一部がアモルファス膜２４４とＣｕ膜２６０とに接触して配置された、ＴｉＮ膜２４２材と同じ材料で柱状結晶構造をもつＴｉＮ膜２４６と、Ｃｕ膜２６０の側面側に配置されたＳｉＯ_２膜２２０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】メモリセルトランジスタのコンタクト抵抗を低減する。
【解決手段】半導体装置７０には、半導体基板１上に複数の絶縁ゲート型電界効果トランジスタが設けられる。絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲートの間に形成され、側面が側壁絶縁膜８及び絶縁膜９により絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲートと分離された自己整合コンタクト開口部の底部には凹部形状のポリシリコンプラグ１１が設けられる。ポリシリコンプラグ１１上にはバリアメタル膜１２が設けられる。バリアメタル膜１２上には、自己整合コンタクト開口部を覆うように金属プラグ１３が埋設される。 （もっと読む）

【目的】パターン密度の違いによるエッチング差を抑制する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、基体上にポロジェン材料を含む絶縁膜を形成する工程（Ｓ１０４）と、前記絶縁膜に含まれる前記ポロジェン材料の一部を除去する工程（Ｓ１０６）と、前記ポロジェン材料の一部が除去された前記絶縁膜に前記絶縁膜の底部を残すように開口部を形成する工程（Ｓ１１２）と、前記絶縁膜に含まれる前記ポロジェン材料の残部を除去する工程（Ｓ１１４）と、前記開口部の前記底部をエッチングする工程（Ｓ１１６）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】配線の幅広配線部から突出した凸状配線部に形成されたビアについて、ストレスマイグレーション耐性を向上し得る半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の配線１８と、第１の配線１８の上方に形成され、第１の配線１８に接続されたビア３８を一体的に有する第２の配線３４と、ビア３８に隣接して配置され、ビア３８と同層に形成された複数のダミービア４０ａ、４０ｂ、４０ｃ、４０ｄとを有している。 （もっと読む）

【課題】 誘電率が約３．０以下の誘電材料（５２）を含む相互接続構造を提供する。
【解決手段】 この低ｋ誘電材料は、上面が埋め込まれた少なくとも１つの導電材料（６０）を有する。また、誘電材料は、貴金属キャップ（６２）の形成前に疎水性とされた表面層（５２Ｂ）を有する。貴金属キャップは、少なくとも１つの導電材料の上面上に直接に配置されている。誘電材料上に疎水性表面層が存在するために、貴金属キャップは、少なくとも１つの導電材料に隣接した誘電材料の疎水性表面層上に実質的に延出せず、この疎水性の誘電表面上に貴金属キャップ堆積からの貴金属残留物は存在しない。 （もっと読む）

半導体デバイスの製造に選択的低温Ru堆積を統合することで、バルクCu金属中でのエレクトロマイグレーション及びストレスマイグレーションを改善する方法。当該方法は、誘電体層(304)中に凹部を有するパターニング基板を供する工程であって、前記凹部は平坦化されたバルクCu金属(322)によって少なくとも実質的に充填されている工程、H₂、N₂、若しくはNH₃、又はこれらの混合気体が存在する中で前記バルクCu金属及び前記誘電体膜を熱処理する工程、並びに、前記の熱処理されたバルクCu金属上にRu金属膜を選択的に堆積する工程、を有する。
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