【課題】 従来のエアギャップ構造より、さらに容量及び容量ばらつきを低減することができる。
【解決手段】 基板上の絶縁膜１７上に、銅を主成分として含む配線２６を形成する。それから、リザーバーパターン用絶縁膜２１、２２及びバリア絶縁膜２９を形成し、配線２６の上面および側面上と絶縁膜１７及び絶縁膜２９上に銅の拡散を抑制または防止する機能を有する絶縁膜３１を形成する。このとき、狭い配線間スペース底部の絶縁膜１７の膜厚保は、配線２６上の絶縁膜３１の膜厚より、薄く成膜することで細線ピッチの配線容量を効率良く低減する。その後、低誘電率からなる絶縁膜３６及び絶縁膜３７を成膜する。その際、配線２６の隣接配線間において、対向する配線側面の上方での堆積速度が下方での堆積速度より大きくなるように絶縁膜３６を形成し、エアギャップを形成する。最後に、層間ＣＭＰによって、絶縁膜３７を平坦化する。 （もっと読む）

【課題】金属配線部から、金属が層間絶縁膜に拡散することを抑制するためのシリコン窒化膜等から窒素や水素が拡散することによる影響を軽減した信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板２上に形成された半導体素子部１００と、半導体素子部１００の上部に形成された銅配線２２５と、半導体素子部１００と銅配線２２５とを電気的に接続するプラグ電極２１６と、このプラグ電極２１６が酸化しないようにするシリコン酸化膜２２３と、半導体素子部１００の上部に形成されたアモルファスシリコン膜２１７と、アモルファスシリコン膜２１７の上部に形成されたＣｕ拡散防止膜２１８と、を有した半導体装置１とする。 （もっと読む）

【課題】パターン内のボイドの発生を抑制する。
【解決手段】下層配線３０に達するビアホール３３を形成し、バリアメタル層３４及びシード層３５ａを形成した後、電解めっき法により、ビアホール３３内をめっき層で埋め込む。その際、シード層３５ａ形成後に、ビアホール３３の間口にオーバーハング１０１ｂが形成されることを想定し、例えば開口径７０ｎｍ以下のビアホール３３であれば、シード層３５ａ形成後のビアホール３３の開口径Ｗ２を２０ｎｍ以上にする。これにより、そのシード層３５ａを用いた電解めっき時に、ビアホール３３内がめっき層で埋まる前にその間口が塞がってボイドが発生するのを回避する。 （もっと読む）

【課題】製造バラツキに関わらず、切断箇所を制御できる構成の電気ヒューズを得る。
【解決手段】半導体装置２００は、基板（不図示）上に形成された上層ヒューズ配線１１２、下層ヒューズ配線１２２、および上層ヒューズ配線１１２の一端と接続され、上層ヒューズ配線１１２と下層ヒューズ配線１２２とを接続するビア１３０から構成される電気ヒューズ１００を含む。上層ヒューズ配線１１２には、一端側で配線幅が狭くなった幅変動領域１１８が設けられている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置及びその製造方法について、ホウ素含有タングステン層を核形成層とする場合に、コンタクト抵抗値の増大を抑制する。
【解決手段】半導体装置１００は、半導体基板１０１上に形成された第１絶縁膜１０３と、第１絶縁膜１０３に埋め込まれた導電膜１０９を含み且つ半導体基板１０１に達するコンタクト１１０と、半導体基板１０１及び第１絶縁膜１０３のそれぞれと、導電膜１０９との間に形成され、高融点金属を含む第１バリア層１０７とを備える。更に、第１バリア層１０７と導電膜１０９との間に形成され、第１バリア層１０７よりも水分透過性の低い第２バリア層１１８を備える。 （もっと読む）

【課題】本願発明者らによると、ＶＬＳＩ（Ｖｅｒｙ Ｌａｒｇｅ Ｓｃａｌｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）のウエハ・プロセスにおいて、以下のような問題があることが明らかとなった。すなわち、プリ・メタル（Ｐｒｅｍｅｔａｌ）工程のタングステン・プラグ形成の準備工程としてのバリア・メタル・スパッタリング成膜時や第１層メタル配線層のスパッタリング成膜時に、ウエハからの脱ガスによる水分に起因する異物の発生がみられる。
【解決手段】本願発明は半導体集積回路装置の製造工程におけるプラズマ・プロセスで、プロセス・チャンバ外に設けられたアンテナにより、プラズマから発生する電磁波を受信することで、同チャンバ内の水分をインサイチュー・モニタ（Ｉｎ Ｓｉｔｕ Ｍｏｎｉｔｏｒ）するものである。 （もっと読む）

【課題】ダマシン法による配線パターン形成の際、低誘電率膜を層間絶縁膜に使った場合においてもビアホールや配線溝の側壁面における損傷や変形の発生を抑制し、同時に、下側配線パターンと上側配線パターンとのコンタクト抵抗を低減する半導体装置の提供。
【解決手段】活性素子を有する基板と、前記基板上において前記活性素子を覆う第１の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜中に埋設された第１の配線層４３Ｃｕと、前記第１の層間絶縁膜上に形成された第２の層間絶縁膜５２と、前記第２の層間絶縁膜中に埋設された第２の配線層と、を備え、前記第２の配線層は配線パターンと、前記配線パターンから延在し前記第１の配線層を構成する導体パターンの表面と直接に接触するビアプラグ５０Ｖとを有し、前記配線パターンの底面および側壁面、および前記ビアプラグの側壁面は拡散バリア膜４９Ａ，４９Ｂにより覆われることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】配線とバリア膜との密着性の低下、エレクトロマイグレーション耐性の低下、及び工程数の増加を抑制しつつ、めっき膜の膜厚がウェハ中心部とウェハ周辺部で異なることを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜１００に形成された溝１０２の側面及び底面に、添加元素を含む金属バリア膜１２０を形成する。次いで、金属バリア膜１２０上にシード膜１４２を形成し、さらにシード膜１４２をシードとしてめっき層（Ｃｕ膜１４４）を形成することにより、溝１０２内に金属膜１４０を埋め込む。次いで、金属バリア膜１２０及び金属膜１４０を熱処理することにより、金属バリア膜１２０と金属膜１４０の間に、金属バリア膜１２０を構成する金属、添加元素、及び金属膜１４０を構成する金属を含む合金層を形成し、かつ添加元素を金属膜１４０中に拡散させる工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】周辺表面を汚染もしくは乱さずに、スパッタリングした銅シード層を堆積させて、所望の形状に刻設する方法を提供する。
【解決手段】底部５１６と、側壁５１４と、上側開口５２６とを有する複数の凹状のデバイス特徴を含む基板上に銅シード層を堆積させる方法であって、ａ）基板表面からのスパッタリングを引き起こす態様において前記凹状のデバイス特徴の基板表面に衝突することなく前記銅シード層の第１の部分を前記基板上にスパッタ堆積するステップと、ｂ）前記銅シード層の第２の部分を前記基板上にスパッタ堆積すると同時に、銅シード層の前記第１の部分の少なくとも一部を、前記複数の凹状のデバイス特徴のそれぞれの底部から対応する側壁へと再配分するステップと、を備える。 （もっと読む）

【課題】凹部の側壁部側からのめっきの成長を抑制して、ボイドの発生を低減することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一の態様によれば、表面に凹部１ａを有するウェハＷの少なくとも凹部１ａの底部１ｂおよび側壁部１ｃに、シード膜３を形成する工程と、シード膜３上に、少なくとも凹部１ａの底部１ｂに位置するシード膜３の部分３ａが露出しかつ凹部１ａの側壁部１ｃに位置するシード膜３の部分３ｂを覆うようにめっき抑制膜４を形成する工程と、シード膜３に電流を供給して、めっき抑制膜４の形成された凹部１ａに埋め込まれるように電解めっき法によりめっき膜５を形成する工程と、めっき膜５に熱処理を施す工程とを備え、めっき抑制膜４が、シード膜３の構成材料より抵抗率が高くかつめっき膜５の構成材料と異なる材料から構成されることを特徴とする、半導体装置の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】貫通ビアと電極パッドとの接合強度を増大させることにより、３次元配線構造を有する半導体装置の機械的強度を増大させる。
【解決手段】第１の半導体チップ１００と第２の半導体チップ２００とが貼り合わされている。第１の半導体チップ１００の表面部に電極パッド１０４が形成されている。第２の半導体チップ２００中に貫通ビア１１４が形成されている。電極パッド１０４には掘り込み部１１１が形成されており、当該掘り込み部１１１内に貫通ビア１１４の底部が埋め込まれている。 （もっと読む）

ルテニウム(Ru)金属の堆積を半導体デバイスの製造に統合することで、銅(Cu)金属のエレクトロマイグレーション及びストレスマイグレーションを改善する方法が供される。本発明の実施例は、NH_x（x≦3）ラジカル及びHラジカルによって、金属層及びlow-k誘電材料を含むパターニングされた基板を処理することで、前記low-k誘電材料に対する前記金属層上でのRu金属キャップ層の選択形成を改善する方法を有する。
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【課題】コンタクトプラグの配列ピッチが狭くなっても、隣接するコンタクトプラグ同士の短絡を防止し、コンタクトプラグ及びそれに接続する配線パターンを容易に形成することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極１１、ソース領域及びドレイン領域１２を有するトランジスタと、トランジスタを覆う層間絶縁膜１４と、層間絶縁膜１４を貫通して設けられ、ソース領域及びドレイン領域１２の一方に接続されたコンタクトプラグ１５と、コンタクトプラグ１５を覆う層間絶縁膜２６と、層間絶縁膜２６にゲート電極１１の延在方向と同一方向に延在し、底部にコンタクトプラグ１５の上面を露出する溝２７と、コンタクトプラグ１５に接続され溝２７内に設けられたコンタクトプラグ２８ｃと、コンタクトプラグ２８ｃと一体化して層間絶縁膜２６上に溝２７を横切るように延在する配線パターン２８ｗとを備える。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、障壁層上にコバルト層を堆積させた後、コバルト層上に銅または銅合金などの導電材料を堆積させるプロセスを提供する。一実施形態では、基板表面上に材料を堆積させる方法であって、基板上に障壁層を形成するステップと、気相成長プロセス（たとえば、ＣＶＤまたはＡＬＤ）中に基板をジコバルトヘキサカルボニルブチルアセチレン（ＣＣＴＢＡ）および水素に露出させて障壁層上にコバルト層を形成するステップと、コバルト層を覆うように導電材料を堆積させるステップとを含む方法が提供される。いくつかの例では、障壁層および／またはコバルト層は、熱プロセス、インサイチュプラズマプロセス、または遠隔プラズマプロセスなどの処理プロセス中にガスまたは試薬に露出させることができる。
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【課題】本発明は、配線上面部からの金属拡散を抑制することができる、半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明では、半導体基板上の第一層間膜１内に形成された溝２内に、銅と第一金属元素とを含有する銅シード膜４を形成する。その後、銅メッキ処理を施す。その後、銅層の酸化が行われない第一雰囲気中にて第一熱処理を行う。そして、余分な銅合金金属層を除去し、溝２内に銅合金配線６を形成する。その後、酸素を含有する第二雰囲気中にて第二熱処理を行うことにより、銅合金配線６表面に、第一金属元素の酸化物である酸化物層７を形成する。 （もっと読む）

【課題】 Ｍｎを含むバリア層を有するＣｕ配線の高抵抗化を防止する半導体装置、および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板上方に形成された酸素を含有する絶縁層と、絶縁層中に形成された第１配線と、絶縁層中に形成され、第１配線と接続し、且つマンガン、酸素、及び銅からなる第２配線と、絶縁層内に形成され、第２配線と接続し、第１配線と離間して形成され、且つマンガン、酸素、及び銅によって埋め込まれた突起部と、を有し、突起部は、第２配線の下側に形成されており、突起部は、ビア形状および／または溝形状を有し、第２配線は、突起部よりも配線幅が太い。 （もっと読む）

【課題】切断された電気ヒューズの切断状態を良好に保つ。
【解決手段】半導体装置２００は、基板上に形成された下層配線１２０と、下層配線１２０上に下層配線１２０に接続して設けられたビア１３０と、ビア１３０上にビア１３０に接続して設けられた上層配線１１０とを含む電気ヒューズ１００であって、切断状態において、電気ヒューズ１００を構成する導電体が外方に流出してなる流出部が形成されることにより切断される電気ヒューズ１００と、上層配線１１０および下層配線１２０の一方と同層に上層配線１１０および下層配線１２０の一方の側方に形成されるとともに、上層配線１１０および下層配線１２０と電気的に接続された熱拡散用上層配線１５２ａを含む熱拡散部１５０ａとを含む。 （もっと読む）

【課題】 金属相互接続のための共形接着促進材ライナを提供すること
【解決手段】 誘電体層を少なくとも１つのライン・トラフ及び／又は少なくとも１つのビア・キャビティを有するようにパターン化する。金属窒化物ライナをパターン化誘電体層の表面上に形成する。金属ライナを金属窒化物ライナの表面上に形成する。共形銅窒化物層を、原子層堆積（ＡＬＤ）又は化学気相堆積（ＣＶＤ）によって、金属ライナの直接上に形成する。Ｃｕシード層を共形銅窒化物層の直接上に形成する。少なくとも１つのライン・トラフ及び／又は少なくとも１つのビア・キャビティは、電気めっき材料で充填される。共形銅窒化物層とＣｕシード層との間の直接接触は、強化された接着強度を与える。共形銅窒化物層をアニールして、露出した外側部分を連続的なＣｕ層に変換することができ、このことはＣｕシード層の厚さを減すのに用いることができる。 （もっと読む）

【課題】ＴＥＧ上のパッド部の浸食を防止し、また、実デバイスのパッド部の半田のぬれ性や半田形成後のシェア強度の向上を図る。
【解決手段】半導体ウエハのチップ領域ＣＡの第３層配線Ｍ３およびスクライブ領域ＳＡの第３層配線Ｍ３を、それぞれ、ＴｉＮ膜Ｍ３ａ、Ａｌ合金膜Ｍ３ｂおよびＴｉＮ膜Ｍ３ｃで構成し、チップ領域ＣＡの再配線４９上の第２パッド部ＰＡＤ２を洗浄し、もしくはその上部に無電界メッキ法でＡｕ膜５３ａを形成する。さらに、Ａｕ膜５３ａ形成後、リテンション検査を行い、その後、さらに、Ａｕ膜５３ｂを形成した後、半田バンプ電極５５を形成する。その結果、ＴｉＮ膜Ｍ３ｃによってＴＥＧであるスクライブ領域ＳＡの第３層配線Ｍ３の第１パッド部ＰＡＤ１のメッキ液等による浸食を防止でき、また、Ａｕ膜５３ａ、５３ｂによって第２パッド部ＰＡＤ２の半田のぬれ性や半田形成後のシェア強度の向上を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】同じ導電型を有するトランジスタであっても、用途に応じて特性を好ましいものにする。
【解決手段】半導体装置１００は、半導体基板１０２上に形成された同じ導電型を有する第１のトランジスタ２１０および第２のトランジスタ２１２を含む。第１のトランジスタ２１０は、ゲート絶縁膜としてＨｆ含有ゲート絶縁膜１０６を含み、第２のトランジスタ２１２は、ゲート絶縁膜としてシリコン酸化膜１２４を含むとともにＨｆ含有膜を含まない。 （もっと読む）