【課題】カーボンナノチューブによりビアプラグを構成する半導体装置の製造方法において、製造効率を向上させる製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜中にビアホールを形成し、ビアホールの底に触媒粒子３ｃを付着させる。ビアホール中において触媒粒子を起点に、カーボンナノチューブを絶縁膜の表面を超えて成長させ、複数のカーボンナノチューブよりなるカーボンナノチューブの束を形成する。絶縁膜上に前記カーボンナノチューブの束を覆って、誘電体膜の塗布液を塗布し、絶縁膜上における塗布液の厚さを、絶縁膜上における塗布膜の表面の高さが絶縁膜表面におけるカーボンナノチューブの高さ以下になるように減少させる。厚さが低減された塗布膜を硬化させて誘電体膜４Ｄを形成し、誘電体膜を除去して絶縁膜の表面を露出させ、絶縁膜の表面に、カーボンナノチューブによりビアプラグ４ＶＡ，４ＶＢを形成する。 （もっと読む）

【課題】ＤＲＡＭセルとロジックを混載したＬＳＩデバイスにおけるアスペクト比の大きいコンタクト構造において、素子分離絶縁膜および不純物拡散層のオーバエッチングを抑制して、接合リークを抑制することを課題とする。
【解決手段】周辺ＭＯＳトランジスタを覆う第１エッチングストッパ層１２１と、ＤＲＡＭメモリセルのキャパシタ部上層に第２エッチングストッパ層１２２が形成され、周辺ＭＯＳトランジスタの不純物拡散層１１３は、第１、第２エッチングストッパ層１２１、１２２を貫通する電極層１３１により、上記キャパシタ部上層に形成された金属配線層と接続され、不純物拡散層１１３の少なくとも一つは素子分離絶縁膜１０２の境界上に電極層１３１を接続し、素子分離絶縁膜１０２上に形成された電極層１３１の底部の不純物拡散層１１３表面からの深さ寸法は、不純物拡散層１１３の接合深さ寸法もより短く形成されたものである。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ内の銅配線が一部消失することを防ぐ。
【解決手段】上層プラグ一本当たりの下層の配線の面積が１００００μｍ^２以上になるような大面積の多層配線を有する半導体装置において、前記多層配線が半導体基板１Ｓの主面においてｎ型拡散層ＮＳを介してｐウエルＰＷに接続される構造を形成せず、前記多層配線をｐ型拡散層ＰＳを介してｐウエルＰＷに接続する構造、前記多層配線をｐ型拡散層ＰＳを介してｎ型拡散層ＮＳに接続する構造、前記多層配線をｎ型拡散層ＮＳを介してｎウエルに接続する構造、または半導体基板１Ｓ上に形成されたＭＩＳＦＥＴのゲート電極に接続する構造を形成する。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホールを微細化する。この時、微細化されたコンタクトホールであっ
ても、半導体装置における電極のコンタクトを確実なものとする。
【解決手段】珪化膜と樹脂材料膜とからなる多層の層間絶縁膜を形成する。その後、コン
タクトホールを形成する。このとき、珪化膜に設けられるコンタクトホールの大きさを樹
脂材料膜に設けられるコンタクトホールの大きさよりも小さくする。このような構成は、
パターンが複雑化してもコンタクトのとりやすいものとすることができる。 （もっと読む）

【課題】表面を有する基材アセンブリを提供し、この表面の少なくとも一部の上にバリアー層を提供することを含む、集積回路の製造で使用する方法を提供する。
【解決手段】バリアー層１４は、白金（ｘ）：ルテニウム（１−ｘ）合金でできており、ここでｘは約０．６０〜約０．９９５、好ましくはｘは約０．９０〜０．９８である。バリアー層１４は、化学気相堆積によって作ることができ、バリアー層１４を形成する表面の少なくとも一部は、ケイ素含有表面でよい。この方法は、キャパシター、蓄積セル、接触ライニング等の製造で使用する。 （もっと読む）

【課題】機械的強度が比較的弱い材料を層間絶縁膜の材料として用いる場合であっても、集積度が高く、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】支持基板１０と、支持基板上に形成され、絶縁層２６，２８，３８，４４，５０，５６，６２，６８を介して複数の配線３６，４２，４８，５４，６０，６６を積層して成る多層配線構造と、多層配線構造上に形成された電極パッド７８と、多層配線構造を貫いて支持基板に達し、電極パッドを支持する構造物７６であって、断面が十字形又はＹ字形である構造物とを有している。この構造物により電極パッドが支持されているため、ボンディングを行った際に電極パッドの下方に存在する構成要素に大きなストレスが加わるのを防止することができ、多層配線構造の一部に、機械的強度が比較的弱い層間絶縁膜を用いた場合であっても、微細な配線パターンの変形や断線等、トランジスタの破壊等を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】画素部に形成される画素電極やゲート配線及びソース配線の配置を適したものとして、かつ、マスク数及び工程数を増加させることなく高い開口率を実現した画素構造を有するアクティブマトリクス型表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁表面上のゲート電極及びソース配線と、前記ゲート電極及びソース配線上の第１の絶縁層と、前記第１の絶縁膜上の半導体層と、前記半導体膜上の第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層上の前記ゲート電極と接続するゲート配線と、前記ソース電極と前記半導体層とを接続する接続電極と、前記半導体層と接続する画素電極とを有することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 相互接続ラインを形成するための新規な方法を提供する。
【解決手段】 細線相互接続部（６０）は基体（１０）の表面内又はその上に形成された半導体回路（４２）の上に位置する第１の誘電体層（１２）内に設けられる。パシベーション層（１８）は誘電体層の上に付着され、第２の厚い誘電体層（２０）はパシベーション層の表面上に形成される。厚くて幅広い相互接続ラインは第２の厚い誘電体層内に形成される。第１の誘電体層はまた、基体の表面上に付着されたパシベーション層の表面上に幅広くて厚い相互接続ネットワークを形成するように、省略することができる。 （もっと読む）

【課題】ｎ型ＦＥＴ及びｐ型ＦＥＴ（電界効果トランジスター）のうち、一方のＦＥＴの電流駆動能力の低下を抑制し、他方のＦＥＴの電流駆動能力の向上を図る。
【解決手段】ｎ型ＦＥＴ及びｐ型ＦＥＴを覆うように、第１の膜を形成する工程と、その後、ｐ型（ｎ型）ＦＥＴ上の前記第１の膜に対して、イオン注入法によって選択的に不純物を打ち込む工程とを有し、ｎ型（ｐ型）ＦＥＴのチャネル形成領域には、ｎ型（ｐ型）ＦＥＴ上の前記第１の膜によって、主として、ｎ型（ｐ型）ＦＥＴのゲート電極のゲート長方向に引張（圧縮）応力が発生しており、不純物を打ち込む工程によって、前記ｐ型（ｎ型）ＦＥＴのチャネル形成領域に発生する引張（圧縮）応力は、ｎ型（ｐ型）ＦＥＴのチャネル形成領域に発生する引張（圧縮）応力よりも小さくなっている。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのチャネル部に印加される応力を増加させて、電流増加効果を高めることを可能とする。
【解決手段】半導体基板上にダミーゲートを形成した後、該ダミーゲートの側壁に側壁絶縁膜を形成し、該ダミーゲートの両側の前記半導体基板にソース・ドレイン領域を形成する工程と、前記ダミーゲートおよび前記ソース・ドレイン領域の上に応力印加膜を形成する工程と、前記ダミーゲートの上の領域に形成された前記応力印加膜と前記ダミーゲートを除去して溝を形成する工程と、前記溝内の前記半導体基板上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程と、を備えた半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高周波特性を低下させることなくＬＤＭＯＳＦＥＴを有するチップの面積を縮小する。
【解決手段】ＬＤＭＯＳＦＥＴのソース領域と基板１の裏面に形成されたソース裏面電極３６とを電気的に接続するｐ型打ち抜き層４を不純物を高濃度でドープした低抵抗のｐ型多結晶シリコン膜もしくは低抵抗の金属膜から形成する。そして、ＬＤＭＯＳＦＥＴの基本セルのソース同士を電気的に接続するソース配線は配線２４Ａのみとし、ソース配線を形成する配線層数は、ドレイン配線（配線２４Ｂ、２９Ｂ、３３）を形成する配線層数より少なくする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、薄膜トランジスタのソース領域やドレイン領域へのコンタクトを確実
にした半導体装置を提供するものである。
【解決手段】本発明における半導体装置において、半導体層上の絶縁膜およびゲイト電極
上に形成された第１の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜の上に形成された第２の層間
絶縁膜と、前記第２の層間絶縁膜、前記第１の層間絶縁膜、および前記絶縁膜に設けられ
たコンタクトホールとを有する。前記第１の絶縁層の膜厚は、前記積層の絶縁膜の合計膜
厚の１／３以下に形成する。 （もっと読む）

【課題】基板表面にシリサイド膜が形成された半導体装置において、ゲート電極パターンの粗密に関わらず、コンタクトの深さの差を緩和する。
【解決手段】半導体装置１００は、活性領域（１０４）に、表面にシリコン酸化膜１２２ａが選択的に形成されたシリサイド膜１２０ａを形成する工程と、その上に、シリコン酸化膜１２０ａとの間でエッチング選択比を有するライナー絶縁膜１２４を形成する工程と、その上に、ライナー絶縁膜１２４との間でエッチング選択比を有する絶縁膜（１２６）を形成する工程と、絶縁膜（１２６）、ライナー絶縁膜１２４、およびシリコン酸化膜１２２ａを貫通してシリサイド膜１２０ａに達する第１のコンタクトホール１４４を形成する工程と、により製造される。 （もっと読む）

【課題】サリサイドプロセスにより金属シリサイド層を形成した半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】部分反応方式のサリサイドプロセスによりゲート電極８ａ、８ｂ、ｎ^＋型半導体領域９ｂおよびｐ^＋型半導体領域１０ｂの表面に金属シリサイド層４１を形成する。金属シリサイド層４１を形成する際の第１の熱処理では、熱伝導型アニール装置を用いて半導体ウエハを熱処理し、第２の熱処理では、マイクロ波アニール装置を用いて半導体ウエハを熱処理することにより、第２の熱処理を低温化し、金属シリサイド層４１の異常成長を防ぐ。これにより金属シリサイド層４１の接合リーク電流を低減する。 （もっと読む）

【課題】タングステン層の膜残りの発生を抑制する。
【解決手段】半導体基板１、コンタクトホール３を備えた絶縁膜２、絶縁膜２の表面およびコンタクトホール３の表面を被覆する被覆層４、並びに、コンタクトホール３を埋込むタングステン（Ｗ）層５を有するウエハに対し、ウエハを冷却せずに、Ｗ層５を被覆層４が露出しない範囲で高速でドライエッチングする工程と、ウエハを冷却せずに、Ｗ層５を被覆層４が露出しない範囲で、低速でドライエッチングする工程と、ウエハを冷却しつつ、被覆層４が露出するまで、Ｗ層５を低速でドライエッチングする工程と、ウエハを冷却しつつ、コンタクトホール３内のＷ層５を絶縁層２の高さまで低速でドライエッチングする工程と、を有する半導体素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 埋め込み工程におけるスループットを向上でき、埋め込み工程が多用される半導体集積回路装置であっても、優れた生産能力を発揮することが可能な成膜装置を提供すること。
【解決手段】 アミノシラン系ガスを供給する供給機構１２２、及びアミノ基を含まないシラン系ガスを供給する供給機構１２１を備え、アミノシラン系ガスを供給して前記導電体に達する開孔を有した絶縁膜の表面、及び前記開孔の底の表面にシード層を形成する処理、及びアミノ基を含まないシラン系ガスを供給してシード層上にシリコン膜を形成する処理を、一つの処理室内１０１において順次実行する。 （もっと読む）

【課題】並列駆動構成のＩ／Ｏバッファから出力される信号を安定化し、信頼性を向上する。
【解決手段】Ｉ／Ｏセル２は、１つの出力信号を正転信号と反転信号からなる相補信号として出力する相補型Ｉ／Ｏセルからなり、２つのＩ／Ｏセル２が並列接続された構成からなる。２つのＩ／Ｏセル２の出力部となるインバータ６の出力部は、配線１７によってそれぞれ接続されており、２つのＩ／Ｏセル２の出力部となるインバータ７の出力部は、配線１８によってそれぞれ接続されている。配線１７は、Ｉ／Ｏセル２の下辺側に２つのＩ／Ｏセル２を横断するように形成され。配線１８は、該配線１７の上方に形成されており、２つのＩ／Ｏセル２を横断するように形成されている。また、配線１７の配線長と配線１８の配線長は、略同等となるようにレイアウトされている。 （もっと読む）

【課題】 接続孔のホールサイズについて制御性良い半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 実施形態の半導体装置の製造方法では、半導体基板上に上層絶縁膜が形成され、前記上層絶縁膜上にSiを含む非晶質膜が形成される。前記非晶質膜上に第１のレジスト膜が形成され、前記第１のレジスト膜に第１のレジストパターンが形成される。前記第１のレジスト膜をマスクとして、前記非晶質膜が加工され、前記上層絶縁膜が露出される。前記第１のレジストパターンが除去され、前記非晶質膜および露出した前記上層絶縁膜上に遷移金属膜が形成される。前記非晶質膜および前記遷移金属膜の熱反応により、前記非晶質膜よりも体積が大きいシリサイド膜が形成される。前記遷移金属膜が除去され、前記シリサイド膜をマスクとして、前記上層絶縁膜を加工し、前記上層絶縁膜に第１の溝が形成される。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して、信頼性の高い半導体
装置を作製する方法を提供する。
【解決手段】基板上に導電層を形成し、該導電層上に光透過層を形成し、該光透過層上か
らフェムト秒レーザを照射して、該導電層及び該光透過層を選択的に除去する工程を有す
る。なお、該導電層の端部は、該光透過層の端部より内側に配置されるように該導電層及
び該光透過層を除去されていてもよい。また、フェムト秒レーザを照射する前に、該光透
過層表面に撥液処理を行ってもよい。 （もっと読む）

【課題】ドーパントの濃度をより高く確保しつつも、ドーパントが拡散されるジャンクション深さを制御することができ、改善された接触抵抗を実現し、チャネル領域との離隔間隔を減らしてチャネルのしきい電圧（Ｖｔ）を改善できる埋没ジャンクションを有する垂直型トランジスタ及びその形成方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板に第１の側面に反対される第２の側面を有して突出した壁体）を形成し、壁体の第１の側面の一部を選択的に開口する開口部を有する片側コンタクトマスクを形成した後、開口部に露出した第１の側面部分に互いに拡散度が異なる不純物を拡散させて第１の不純物層及び該第１の不純物層を覆う第２の不純物層を形成することを特徴とする。 （もっと読む）