【課題】容量素子上の配線層の設計自由度に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板、層間絶縁層、第１トランジスタ、多層配線層、容量素子、金属配線、及び第１コンタクトを備える。基板１上には、層間絶縁層４、５が設けられている。第１トランジスタ３ａは、半導体基板１に設けられており、層間絶縁層内に埋め込されている。第１トランジスタは、少なくともゲート電極３２及び拡散層を有する。層間絶縁層上には、多層配線層が設けられている。容量素子１９は、多層配線層内に設けられている。金属配線（ゲート裏打ち配線）３０は、ゲート電極３２の上面と接しており、層間絶縁層４内に埋設されている。第１コンタクト１０ａは、第１トランジスタ３ａの拡散層に接続しており、層間絶縁層４内に埋設される。金属配線（ゲート裏打ち配線）３０は、第１コンタクト１０ａと同じ材料で構成されている。 （もっと読む）

【課題】レジスト層、中間層、レジスト層のパターン形状をさらに良好にする半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】下層フォトレジスト７、無機材料の中間層８、上層フォトレジスト９を形成し、上層フォトレジスト９をパターニングして上層レジストパターン9aを形成し、半導体基板１をチャンバー内の下部電極上に設置し、チャンバー内に二酸化硫黄ガス、酸素ガスを有する第１反応ガスを導入してプラズマを発生させるとともに下部電極への高周波電力の供給を切断して上層レジストパターン9aをトリミングし、第１反応ガスを第２反応ガスに置換するとともに下部電極に高周波電力を供給して上層レジストパターン9aをマスクにして中間層８をエッチングして中間層パターン8aを形成し、第２反応ガスを第３反応ガスに置換してプラズマを発生させるとともに下部電極に高周波電力を供給して中間層パターン8aをマスクにして下層フォトレジスト層７をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高いコンタクト構造を提供する。
【解決手段】電子装置は第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜の表面に形成された配線溝と、Ｃｕよりなり前記配線溝を充填する配線パタ―ンと、前記配線パタ―ンの表面に形成され、Ｃｕよりも大きな弾性率を有する金属膜と、前記第１の絶縁膜上に形成された第２の絶縁膜と、Ｃｕよりなり、前記第２の絶縁膜中に形成され、前記金属膜とコンタクトするビアプラグと、を備える。 （もっと読む）

【課題】多層配線プロセスでＳＯＧエッチバックにて平坦化を行なうプロセスにて、ヒューズ開口部に起因する水分の浸入における長期信頼性の劣化を防止する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ヒューズ開口部からの水分侵入を防ぐためのメタル１層目のガードリングの下部まで多結晶シリコンが伸びているヒューズ形状にする。これによりヒューズの電極をとるためのメタル配線とガードリングのメタル配線の高さがそろい、ＳＯＧ層がＩＣ内部に到達することを防ぐことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】互いに電気的に接続された薄膜トランジスタの第２電極と配線層との間の電食の発生を防止して、安定した電気特性を得ることできる表示装置およびその製造方法、並びに電子機器を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタおよび配線層を備え、前記薄膜トランジスタは、制御電極
と、前記制御電極と対向する半導体層と、前記半導体層に電気的に接続され、光透過性材
料からなる第１電極と、前記光透過性材料よりも低抵抗の金属膜を含むと共に、前記半導
体層および前記配線層にそれぞれ電気的に接続された第２電極とを備え、前記金属膜の構
成材料と前記配線層の少なくとも一部を構成する導電材料とのイオン化傾向の差は、前記
光透過性材料と前記導電材料とのイオン化傾向の差よりも小さい表示装置。 （もっと読む）

【課題】穴部の側壁を基板の表面に対して垂直に形成するとともに、高速にシリコン層をエッチングするプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】レジスト層をマスクとしてシリコン層をプラズマエッチングする方法であって、前記プラズマエッチング工程が、所定の比率で混合した堆積性ガスおよびエッチング性ガスの混合ガスを処理容器内に導入し、該混合ガス雰囲気で前記被処理基板をプラズマエッチングする第１のエッチングステップと、前記処理容器内に前記堆積性ガスを導入し、前記第１のエッチングステップによりプラズマエッチングされた被処理基板を該堆積性ガスが主体の雰囲気で堆積処理する堆積ステップ、および、前記処理容器内に前記エッチング性ガスを導入し、前記堆積ステップにより堆積処理された被処理基板を該エッチング性ガスが主体の雰囲気でプラズマエッチングする第２のエッチングステップを、複数回繰り返す。 （もっと読む）

【課題】プラグが微細化しても埋め込み不良が生じることなく、低コストで形成することができ、さらに種々の半導体装置に適用可能であるプラグ及びその形成技術を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態にかかる半導体装置の製造方法は、半導体基板上に酸化シリコン膜を形成し、酸化シリコン膜にビアを形成し、ビア内側に密着層を形成し、密着層上にシリコン層を形成し、タングステンを含むガスをシリコン層と反応させることにより、ビアに埋め込まれたタングステン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 フレキシブルで、軽く、安定で高導電性の導電材料およびこれを用いた電気素
子を提供する。
【解決手段】
本発明の導電材料は、少なくとも一つの次元方向が２００ｎｍ以下であり、かつ炭素原
子の一部が少なくとも窒素原子に置換された単層グラフェン及び多層グラフェンの少なく
とも１種よりなるカーボン材料と、金属の粒子及び線材の少なくとも１種よりなる金属材
料とが、混合及び／又は積層されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】無線通信により交信可能な半導体装置において、個体識別子を容易に付けることができるようにする。また信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】チャネル形成領域と、ソース領域またはドレイン領域を有する島状半導体膜１３１と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極１０３とを有する薄膜トランジスタと、層間絶縁膜と、層間絶縁膜中に形成され、ソース領域またはドレイン領域の一方に達する複数のコンタクトホールを含む第１のコンタクトホール１４２と、ソース領域またはドレイン領域の他方に達する第２のコンタクトホール１４１とを有し、第２のコンタクトホール１４１の径は、第１のコンタクトホール１４２に含まれる複数のコンタクトホール１４２のそれぞれの径より大きく、第１のコンタクトホールの底面積の合計と、第２のコンタクトホール１４１の底面積は等しい半導体装置に関する。 （もっと読む）

【課題】新規な構造のコンタクトプラグを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】
半導体装置は、半導体基板と、半導体基板に形成され、ソース／ドレイン領域及びゲート電極を有するトランジスタと、トランジスタのソース／ドレイン領域及びゲート電極を覆う絶縁膜と、絶縁膜中に形成され、トランジスタのソース／ドレイン領域またはゲート電極に接されるコンタクトプラグとを有し、コンタクトプラグは、絶縁膜の厚さ方向に延在しトランジスタのソース／ドレイン領域またはゲート電極に接触する柱部と、柱部の上部から絶縁膜の表面と平行な方向に張り出し上面が平坦化された鍔部とを有する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜と金属膜との接触抵抗を低減する。オン特性の優れた酸化物半導体膜を用いたトランジスタを提供する。高速動作が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜を用いたトランジスタにおいて、酸化物半導体膜に窒素プラズマ処理を行うことで酸化物半導体膜を構成する酸素の一部が窒素に置換された酸窒化領域を形成し、該酸窒化領域に接して金属膜を形成する。該酸窒化領域は酸化物半導体膜の他の領域と比べ低抵抗となり、また、接触する金属膜との界面に高抵抗の金属酸化物を形成しにくい。 （もっと読む）

【課題】柱状半導体層の幅を広く維持することができる半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体装置は、一つの直線上に順に形成された、第１、第２及び第３の柱状半導体層と、第２及び第３の柱状半導体層の間の空間であって第２及び第３の柱状半導体層の側面に夫々設けられた第１及び第２のゲート電極と、第１及び第２の柱状半導体層の間の空間及び第２及び第３の柱状半導体層の空間に埋め込まれた層間絶縁膜とを有する。層間絶縁膜は、第１及び第２の柱状半導体層の間の空間内であってゲート電極を介することなく第１及び第２の柱状半導体層の側面に形成され、第２及び第３の柱状半導体層の間の空間内であって第１及び第２のゲート電極を介して第２及び第３の柱状半導体層の側面に形成されている。 （もっと読む）

【課題】貫通電極を効率良く形成する。
【解決手段】シリコン基板１にビアホール２５を形成し、絶縁膜２２を形成した後、ビアホール２５に低誘電率膜３１を埋め込む。ビアホール２５内の低誘電率膜３１の膜厚を異方性ドライエッチングによって所望の値に減少させる。この異方性ドライエッチングによって、絶縁膜２２上の低誘電率膜３１が除去される。続いて、ビアホール２５内に導電材を埋め込み、トランジスタＴ１，Ｔ２上に多層配線を形成する。この後、シリコン基板１の裏面側を研磨して導電材を露出させると、貫通電極が形成される。 （もっと読む）

【課題】 実施形態は、層間配線抵抗が低減した半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 実施形態の半導体装置は、基板と、前記基板上に第１の触媒金属膜と、前記第１の触媒金属膜上にグラフェンと、前記グラフェン上に層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールと、前記コンタクトホール底部に前記グラフェンと電気的に導通する導電膜と、導電膜上に水素、窒素、アンモニアと希ガスの中から選ばれる１種以上のガスのプラズマで処理した第２の触媒金属膜と、前記第２の触媒金属膜上にカーボンナノチューブとを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】微細な溝部の内部に隙間無く導電材料を埋め込み、導電性に優れた配線を得ることが可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】バリア層（バリアメタル）１３を覆うようにライナー層１４が形成されている。ライナー層１４は、Ｎｉ（ニッケル）から構成される。ライナー層１４は、このライナー層１４の内側に形成されるＣｕ（銅）からなる導電体１５に対する濡れ性を高め、かつ、溝部１２の内側の平滑性を高める。 （もっと読む）

【課題】 エレクトロマイグレーション耐性及び信頼性に優れた半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜をエッチングして配線溝を形成する工程と、前記配線溝内に銅膜を形成し、銅配線を形成する工程と、前記銅配線及び前記絶縁膜の表面を平坦化する工程と、平坦化された前記銅配線及び絶縁膜上に金属膜を形成する工程と、酸素を含んだ雰囲気中で加熱を行うことにより前記銅配線上の前記金属膜と前記銅配線とを選択的に反応させて合金膜を形成するとともに前記絶縁膜上の前記金属膜を酸化して絶縁性の膜に変化させる工程と、前記合金膜及び前記絶縁性の膜上にブロック膜を形成する工程とを備えた半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ワード線抵抗を低減し、かつ、周辺回路のトランジスタの特性変化を抑制することができる半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置は、半導体基板と、複数のメモリセルと、周辺回路とを備える。メモリセルは、半導体基板の上方に設けられたフローティングゲートと、フローティングゲート上に設けられたゲート間絶縁膜と、ゲート間絶縁膜上に設けられたコントロールゲートとを含む。周辺回路は、互いに電気的に接続されたフローティングゲートおよびコントロールゲートと、少なくともフローティングゲートとコントロールゲートとの間の電気的接触部分に設けられ該フローティングゲートと該コントロールゲートとの間の電気的接続を妨げない絶縁薄膜とを含むトランジスタを含む。複数のメモリセルは、コントロールゲート内に絶縁薄膜を含まない。メモリセルおよび周辺回路において、コントロールゲートの少なくとも上部はシリサイド化されている。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上させることができる高集積化された半導体チップ及びこれを含む半導体パッケージが提供される。
【解決手段】本発明にしたがう半導体チップは、基板と、前記基板を貫通している貫通ビアと、前記貫通ビアと前記基板との間に介在されたウェッティング膜と、前記ウェッティング膜と前記貫通ビアとの間に介在されたシード膜と、を含む。本発明の実施形態による半導体チップは突出された貫通ビアをウェッティング膜が覆っているので、導電パッドを追加に形成する必要がない。したがって、半導体チップの厚さを減らすことができ、構造が単純化されて半導体装置の高集積化により有利である。また、工程を単純化することができるので、生産収率を増大させ得る。 （もっと読む）

【課題】隣接する配線の間におけるリークを抑制することができる不揮発性半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】不揮発性半導体記憶装置１は、シリコンを含む基板１１と、基板１１の上に設けられた複数のメモリセルと、複数のメモリセルの上方に設けられた配線７と、配線７の上に設けられたリーク抑制層８と、前記リーク抑制層８の上方に設けられた層間絶縁膜１０と、を備えている。そして、隣接するメモリセルの間、および、隣接する配線７の間には空隙１２が形成され、リーク抑制層８の幅寸法は、配線７の幅寸法よりも短いこと、および、隣接するリーク抑制層８の間の寸法は、隣接する配線７の間の寸法よりも長いこと、の少なくともいずれかである。 （もっと読む）

【課題】Ｌｏｗ−ｋ膜を層間絶縁膜として用いた半導体装置であっても、ダイシング時に発生するクラックがシールリング部へ伝播するのを抑制し、半導体装置の信頼性を向上する技術を提供する。
【解決手段】ダイシング領域側の各層にダミービア１２５，１３５，１４５，１５５，１６５を形成する。ダミービア１２５，１３５，１４５，１５５，１６５は上面からみて、縦横に等間隔に配置、あるいは千鳥配置されるように形成する。ダイシング時にクラックが発生しても、ダミービア１２５，１３５，１４５，１５５，１６５によって、クラックがシールリング部１９０にまで伝播するのを抑制することができる。その結果、回路形成領域の吸湿耐性を向上させ、信頼性の劣化を防止することができる。 （もっと読む）