【課題】開口部の底部に電極パッドとして露出させた外部接続電極に接続ツールを用いて導電体を接続する場合に、電極パッドの面積を拡大することなく、接続ツールの先端が開口部の縁に接触することを回避可能な仕組みを提供する。
【解決手段】半導体素子層７と、半導体素子層７の一方の面側に、複数の配線層１３，１５，１７と複数の層間絶縁膜１２，１４，１６，１８により形成された積層配線部１１と、複数の配線層のうちの一つに形成された外部接続電極１７ａと、外部接続電極１７ａの表面を露出させる状態で半導体素子層７から積層配線部１１にかけて凹状に形成された開口部２２とを備える固体撮像装置の構成として、外部接続電極１７ａから遠い方の開口径ｄ１が、外部接続電極１７ａに近い方の開口径ｄ２より大きくなるように、開口部２２を形成した。 （もっと読む）

【課題】 二酸化珪素を主体とする層間絶縁膜とｌｏｗ−ｋ膜を、共に高速に研磨でき、更には、研磨傷が少なくできる研磨方法を提供する。
【解決手段】 表面に凹部及び凸部を有する層間絶縁膜と、この層間絶縁膜を被覆するバリア層と、前記凹部を充填し、バリア層を被覆する導電性物質層とを有する基板の研磨方法において、導電性物質層を研磨して前記凸部のバリア層を露出させる第１の化学機械研磨工程の後に、基板をショア硬度（Ｄスケール）で４０以上のハードタイプパッド上に押圧した状態で、ＣＭＰ用研磨液を供給しながら研磨定盤と基板とを相対的に動かすことによって、バリア層と凹部の導電性物質層と層間絶縁膜とを研磨し、更にショア硬度（Ｄスケール）で４０未満のソフトタイプパッド上に押圧した状態で、上述のＣＭＰ用研磨液と同一組成のＣＭＰ用研磨液を供給しながら研磨定盤と基板とを相対的に動かすことによって、導電性物質層と層間絶縁膜を研磨する第２の化学機械研磨工程を行う研磨方法。 （もっと読む）

【課題】無線通信機能を有する半導体装置に振幅の大きい信号が供給された場合においても正常に動作し、且つ信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、交流電圧を生成するアンテナ１０１と、交流電圧を整流し、内部電圧Ｖｉｎを生成する整流回路１０２と、第１の保護回路１０７と、第２の保護回路１０８と、を有する。第１の保護回路１０７は、第１のダイオード２０１と、第２のダイオード２０２と、を有し、第２の保護回路は、容量素子２０３と、トランジスタ２０４と、を有する。第１の保護回路は、アンテナ１０１で生成される交流電圧の絶対値がある値よりも大きい場合に、その余剰分をカットし、第２の保護回路１０８は、整流回路１０２で生成された内部電圧Ｖｉｎが大きい場合に機能し、共振周波数をずらすことにより、半導体装置に入力される信号を減少させることができる。 （もっと読む）

【目的】ＴＤＤＢ寿命を長くすることが可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、基体上に絶縁膜を形成する工程（Ｓ１０４）と、前記絶縁膜上に、ポアが形成されるキャップ膜を形成する工程（Ｓ１０６）と、前記キャップ膜と前記絶縁膜に開口部を形成する工程（Ｓ１１０）と、前記開口部内に導電性材料を堆積させる工程（Ｓ１１６）と、前記開口部内に前記導電性材料が堆積させられた後に、前記ポアの一部を残しながら一部が前記キャップ膜中に食い込むように、前記キャップ膜上に前記導電性材料の拡散を防止する拡散防止膜を形成する工程（Ｓ１２２）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】銅配線本体の開放表面に形成されるマンガンを含むバリア層に最適な内部構成を持たせて、そのバリア機能を充分に発揮させることができる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】銅配線１は、電気絶縁層３に銅からなる配線本体８を備える。配線本体の外周８１は、電気絶縁層に対向している第１の外周８ａと電気絶縁層との間に形成された第１のバリア層７ａと、配線本体の外周のうち電気絶縁層に対向していない第２の外周８ｂに接して形成された第２のバリア層７ｂとを備える。第１および第２のバリア層はそれぞれマンガンを含む酸化物層からなるとともに、各バリア層内の厚さ方向でマンガンの原子濃度が極大となる位置を有する。 （もっと読む）

【課題】金属パッドの下方に位置する層間絶縁膜にクラックが発生し、クラック内に水分が進入することがあっても、金属パッドの近傍の配線の信頼性が低下することを防止する。
【解決手段】半導体基板１０上に形成された層間絶縁膜１８と、層間絶縁膜１８を貫通して設けられたリング用金属配線２０Ａと、層間絶縁膜１８を貫通して設けられたコンタクト用金属配線２０Ｂと、層間絶縁膜１８上及びリング用金属配線２０Ａの全上面上に形成された第１の保護絶縁膜２１と、第１の保護絶縁膜２１上に形成された金属パッド２３とを備え、リング用金属配線２０Ａは、層間絶縁膜１８のうち金属パッド２３の下方に位置する領域にリング状に設けられており、金属パッド２３は、第１の保護絶縁膜２１に形成された第１の開口部２１ａを通じてコンタクト用金属配線２０Ｂに接続されている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置及びその製造方法について、ホウ素含有タングステン層を核形成層とする場合に、コンタクト抵抗値の増大を抑制する。
【解決手段】半導体装置１００は、半導体基板１０１上に形成された第１絶縁膜１０３と、第１絶縁膜１０３に埋め込まれた導電膜１０９を含み且つ半導体基板１０１に達するコンタクト１１０と、半導体基板１０１及び第１絶縁膜１０３のそれぞれと、導電膜１０９との間に形成され、高融点金属を含む第１バリア層１０７とを備える。更に、第１バリア層１０７と導電膜１０９との間に形成され、第１バリア層１０７よりも水分透過性の低い第２バリア層１１８を備える。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハ上に形成された低誘電率膜と配線との積層構造およびパッシベーション膜のうち、ダイシングストリートに対応する部分をレーザビームの照射により除去したとき、それらの除去面から欠落物が生じにくいようにする。
【解決手段】 半導体ウエハ２１の上面に４層の低誘電率膜４および同数層の配線５を交互に形成し、その上に窒化シリコン等からなるパッシベーション膜７を形成する。次に、ダイシングストリート２３に対応する領域におけるパッシベーション膜７、低誘電率膜４および配線５をレーザビームの照射により除去して溝２６を形成する。次に、溝２６内を含むそれらの上にポリイミド系樹脂等からなる保護膜９を形成する。これにより、パッシベーション膜７、低誘電率膜４および配線５のレーザビームの照射による除去面が保護膜９によって覆われるので、当該除去面から欠落物が生じるのを可及的に早い段階で確実に防止することができる。 （もっと読む）

【課題】配線層を薄くした場合にも電極パッド形成領域で配線層がなくなることを確実に防止できるようにし、配線層と電極パッドとを安定して電気的に接続させる。
【解決手段】半導体基板１上の第４層間絶縁膜１０中に複数のコンタクト用配線１１Ｂが形成されている。各コンタクト用配線１１Ｂの上及び第４層間絶縁膜１０の上に第１保護絶縁膜１２が形成されており、第１保護絶縁膜１２には、各コンタクト用配線１１Ｂを露出させる第１開口部１２ａが形成されている。第１開口部１２ａの内部にはバリアメタル膜１３を介して、コンタクト用配線１１Ｂと電気的に接続する電極パッド１４が形成されている。第１開口部１２ａの下側には、コンタクト用配線１１Ｂが配置されていない領域が存在している。 （もっと読む）

【課題】動作特性に優れ低温で製造可能な酸化物半導体を用いた表示装置の特性を活かすには、適切な構成を備えた保護回路等が必要となる。
【解決手段】ゲート電極１５を被覆するゲート絶縁層３７と、ゲート絶縁層３７上においてゲート電極１５と端部が重畳し、第２酸化物半導体層４０と導電層４１が積層された一対の第１配線層３８及び第２配線層３９と、少なくともゲート電極１５と重畳しゲート絶縁層３７及び該第１配線層３８及び該第２配線層３９における導電層４１の側面部及び上面部の一部と第２酸化物半導体層４０の側面部と接する第１酸化物半導体層３６とを有する非線形素子３０ａを用いて保護回路を構成する。
ゲート絶縁層３７上において物性の異なる酸化物半導体層同士の接合を形成することで、ショットキー接合に比べて安定動作をさせることが可能となり、接合リークが低減し、非線形素子３０ａの特性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】プリ・メタル層間絶縁膜の構成法としては、オゾンＴＥＯＳによる酸化シリコン膜の埋め込み特性の良好なＣＶＤ酸化シリコン系絶縁膜を成膜後、高温リフローさせて平坦化した後、ＣＭＰスクラッチ耐性が良好なプラズマＴＥＯＳによる酸化シリコン膜を積層し、更にＣＭＰで平坦化することが考えられる。しかし、コンタクト・ホール形成プロセスにおいて、プリ・メタル層間絶縁膜中のクラックがコンタクト・ホール内に露出し、そこにバリア・メタルが入り込み、ショート不良の原因となることが明らかとなった。
【解決手段】本願発明はプリ・メタル工程において、エッチ・ストップ膜上にオゾンＴＥＯＳ膜を形成後、一旦、ゲート構造上のエッチ・ストップ膜が露出するようにオゾンＴＥＯＳ膜をエッチバックし、その後、残存オゾンＴＥＯＳ膜上にプラズマＴＥＯＳ膜を成膜し、このプラズマＴＥＯＳ膜をＣＭＰにより、平坦化するものである。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ配線中のＭｎの残留量を減らすことができる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｃｕ層２０の形成後、Ｃｕ層２０上に、高純度Ｃｕからなる犠牲層３１が積層される。そして、犠牲層３１の形成後、熱処理により、Ｃｕ層２０と第２絶縁層６との間に、ＭｎＳｉＯからなる第２バリア膜１３が形成される。このとき、第２バリア膜１３の形成に寄与しない余剰のＭｎは、Ｃｕ層２０中に拡散する。Ｃｕ層２０上に高純度Ｃｕからなる犠牲層３１が積層されているので、Ｃｕ層２０に拡散したＭｎの一部は、Ｃｕ層２０中を犠牲層３１に引き寄せられるように移動し、犠牲層３１に拡散する。この犠牲層３１へのＭｎの拡散により、Ｃｕ層２０に含まれるＭｎの量が減少する。よって、Ｃｕ層２０からなる第２Ｃｕ配線中のＭｎの残留量を減らすことができる。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ配線中のＭｎの残留量を減らすことができる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】合金膜１８上に、ＳｉおよびＯを含む絶縁材料からなる犠牲層４１が積層される。犠牲層４１の積層後、熱処理が行われる。第２絶縁層６および犠牲層４１にＳｉおよびＯが含まれるので、熱処理が行われると、第２絶縁層６と合金膜１８との界面および合金膜１８と犠牲層４１との界面において、Ｓｉ、ＯおよびＭｎが結合し、それぞれＭｎＳｉＯからなる第２バリア膜１３および反応生成膜４２が形成される。合金膜１８に含まれるＭｎが反応生成膜４２の形成に使用されることにより、第２バリア膜１３の形成後、その第２バリア膜１３の形成に寄与せずに合金膜１８に残留するＭｎの量が減少する。そのため、合金膜１８上に積層されるＣｕ層２０に拡散するＭｎの量が減少する。よって、Ｃｕ層２０からなる第２Ｃｕ配線中のＭｎの残留量を減らすことができる。 （もっと読む）

【課題】ローカルインタコネクトを備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】ローカルインタコネクトを備えた半導体装置であって、基板上に配置され、実質的に同一線上にある第１ゲート線構造と第２ゲート線構造、前記第１ゲート線構造の両側の前記基板に形成された第１対ソース／ドレイン領域と前記第２ゲート線構造の両側の前記基板に形成された第２対ソース／ドレイン領域、及び前記第１ゲート線構造と前記第２ゲート線構造の両側の前記基板上に配置され、それらが前記第１対ソース／ドレイン領域のうちの１つと前記第２対ソース／ドレイン領域のうちの１つに接続された一対の導電線を含む半導体装置。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ配線中のＭｎの残留量を減らすことができる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第２バリア膜１３の形成後に、ＳｉＨ_４を含むガスを用いたＰＥＣＶＤ法により、Ｃｕ層２０上にＳｉおよびＯを含む絶縁材料からなる犠牲層２１が積層される。犠牲層２１にＳｉおよびＯが含まれるので、犠牲層２１の積層過程で、Ｃｕ層２０と犠牲層２１との界面にＭｎＳｉＯからなる反応生成膜２２が生じる。この反応生成膜２２の生成にＭｎが使用されることにより、Ｃｕ層２０に含まれるＭｎの量が減少する。よって、Ｃｕ層２０からなる第２Ｃｕ配線中のＭｎの残留量を減らすことができる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に形成される貫通孔底部での絶縁層のノッチの発生、貫通孔下の配線層へのダメージを抑制し、電気的絶縁性の低下や配線層の接続不良を低減できる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第一の絶縁層２０３と、第一の絶縁層上の第一の配線層２０４と、半導体基板２０１を貫通し、底部に第一の絶縁層を厚さ方向に除去した部分的なエッチ部を備えた貫通孔２０１ａと、貫通孔の部分的なエッチ部の底部を除く内壁部から半導体基板の第二の面までを覆う第二の絶縁層２０６と、貫通孔の底部に、第一の配線層が露出するように第一の絶縁層に形成された開口部２０３ａと、該開口部で第一の配線層と接すると共に貫通孔の第二の絶縁層上から半導体基板の第二の面の第二の絶縁層上に亘る第二の配線層２０２とを有し、開口部に接する第一の絶縁層が、半導体基板に接する第一の絶縁層より小さい厚さを有する。 （もっと読む）

ルテニウム(Ru)金属の堆積を半導体デバイスの製造に統合することで、銅(Cu)金属のエレクトロマイグレーション及びストレスマイグレーションを改善する方法が供される。本発明の実施例は、NH_x（x≦3）ラジカル及びHラジカルによって、金属層及びlow-k誘電材料を含むパターニングされた基板を処理することで、前記low-k誘電材料に対する前記金属層上でのRu金属キャップ層の選択形成を改善する方法を有する。
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【課題】 サイズが異なる必要半導体装置形成領域２２ａおよび不必要半導体装置形成領域２２ｂ、２２ｃを有する半導体ウエハを、必要半導体装置形成領域２２ａの４辺に沿うダイシングストリート２３に沿ってダイシングブレードで切断することにより、必要半導体装置形成領域２２ａを有する半導体装置を得る半導体装置の製造方法において、ダイシングブレードに銅の目詰まりが生じないようにする。
【解決手段】 不必要半導体装置形成領域２２ｂ、２２ｃにおいては、ダイシングストリート２３およびその両側に対応する領域を除く領域にのみ銅からなる柱状電極１４を形成し、当該ダイシングストリート２３およびその両側に対応する領域には柱状電極１４は形成しない。これにより、ダイシングブレードに銅の目詰まりが生じないようにすることができる。この場合、半導体ウエハ上に複数層の低誘電率膜と同数層の配線とを交互に積層して形成し、その上に絶縁膜を介して形成された上層配線の接続パッド部上に柱状電極１４を形成する。 （もっと読む）

【課題】低誘電率膜配線積層構造部の一部を除去するためのレーザ照射によるレーザ加工を行なったときに発生する不要物が半導体基板の上面側の絶縁膜等に付着することによる悪影響をほとんど皆無とすることができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ダイシングストリート２２に対応する部分における半導体ウエハ２１の上面に４層の低誘電率膜５および封止膜１６が形成されたものを準備し、次に、ブレードを用いて、ダイシングストリート２２を含む所定幅領域の半導体ウエハ２２の下面側に第１の溝２９を形成する。次に、半導体ウエハ２１の下面側からのレーザ照射によるレーザ加工により、第１の溝２９の部分に残存する半導体ウエハ２２および低誘電率膜５に、第１の溝２９よりも幅狭の第２の溝３０を形成する。 （もっと読む）

【課題】溝の側面に対する合金膜の付着性（サイドカバレッジ）を向上させることができる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】合金膜１８は、バイアススパッタ法により形成される。そして、そのバイアススパッタ法による合金膜１８の形成時には、第２溝１１およびビアホール１２の内面に向けて飛散するスパッタ粒子のエネルギーにより、第２溝１１およびビアホール１２の底面に付着しているスパッタ粒子が弾き飛ばされ、その弾き飛ばされたスパッタ粒子が第２溝１１およびビアホール１２の側面に再付着（リスパッタ）するように、スパッタ粒子を加速するためのＲＦバイアスが設定される。 （もっと読む）