【課題】シリコン貫通ビア（TSV)を用いて半導体ダイ接続部を作製するシステムおよび方法を提供する。
【解決手段】隣接するダイ５０１、５０５、５０７同士の間のダイ接続部に対して低抵抗経路を確立するとともに、複数のダイの間の貫通チャネルに対して低抵抗経路を提供するために、ビアファーストのTSV４０１およびビアラストのTSV４０３の両方を用いて半導体ダイが製造される。 （もっと読む）

【課題】金属−絶縁体相転移材料として二酸化バナジウム（ＶＯ₂）を用いた機能要素の形成方法及びこれによって形成された機能要素、並びに機能デバイスの製造方法及びこれによって製造された機能デバイスを提供すること。
【解決手段】基板４０の面に、金属−絶縁体相転移材料１０としてＶＯ₂薄膜が形成されており、平行な２つの電極１５ａ、１５ｂがＶＯ₂薄膜の面に形成されている。両電極を結ぶ複数の機能要素としての金属配線２０ａ〜２０ｅは、レーザ光源３０からのレーザ３５がＶＯ₂薄膜に走査方向３７で走査され、レーザ３５によって照射されたＶＯ₂薄膜の部分が絶縁相から金属相に相転移して金属化されるにことよって形成される。金属配線が形成された領域の少なくとも一部にレーザを照射し、高温（例えば、１００℃）とした後、低温（例えば、室温）に冷却して絶縁体化させて、金属配線が形成された領域の少なくとも一部を消去することができる。 （もっと読む）

本発明は、電子部品に関するもので、接触平面に位置する少なくとも一つの接触表面と、前記接触平面の上方にある少なくとも一つの絶縁層と、該部品の機械的安定性を高めるために、前記絶縁層に接して配置される少なくとも一つの安定化層と、少なくとも一つのボンディング及び／または半田接点とを有し、前記絶縁層及び前記安定化層が少なくとも一つの開口を有し、その開口が、前記接触表面から離れて対向する前記安定化層の一表面に向かって開口するとともに、前記安定化層及び前記絶縁層を通じて前記接触表面まで達し、前記ボンディング及び／または半田接点が、前記安定化層を横切って延び、前記開口を通じて前記接触表面に接する。 （もっと読む）

【課題】基板上に透明電極層を設け、さらにその上に導電性ペーストを原料とした金属配線を形成した透明電極付き基板において、当該透明電極層と当該金属配線の接着性に優れた透明電極付き基板を提供する。
【解決手段】透明電極層と金属配線の間にカーボン膜などの実質炭素を含有する層を形成することで、金属配線の剥離のない、耐久性に優れた透明電極付き基板を作製することができる。これらのカーボン層はスパッタリング法やプラズマＣＶＤ法により形成することができる。 （もっと読む）

【課題】導電プラグの酸化を抑止し、コンタクト抵抗の安定化された信頼性の高い半導体装置を実現する。
【解決手段】下部電極１０１と上部電極１０３とで強誘電体膜１０２を挟持してなる強誘電体キャパシタ構造１００と、導電プラグ１１０との間に、酸化しても導電性を有する導電材料（例えば金属）からなる導電層１１２を形成し、ここでは、導電プラグ１１０の下地膜を導電層１１２（Ａｇ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｉｒ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｏｓから選ばれた少なくとも１種を材料として形成される。）とする。 （もっと読む）

【課題】半導体イメージセンサー装置を提供する。
【解決手段】半導体イメージセンサー装置は、第一および第二半導体基板を含む。画素アレイと制御回路とが、第一基板の第一表面中に形成される。相互接続層が、第一基板の第一表面の上に形成され、制御回路を画素アレイに電気的に接続する。頂部導電層が、相互接続層を介して制御回路または画素アレイの少なくとも一つと電気的接続を有するように、相互接続層の上に形成される。第二基板の表面は、頂部導電層に接合される。導電性スルーシリコンビア（TSV）は第二基板を貫通し、頂部導電層と電気的接続を有する。第二基板の反対の表面上に端子が形成され、TSVに電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用い、電気特性の優れた薄膜トランジスタを備えた半導体装置を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】チャネル形成領域にＳｉＯｘを含む酸化物半導体層を用い、電気抵抗値の低い金属材料からなるソース電極層及びドレイン電極層とのコンタクト抵抗を低減するため、ソース電極層及びドレイン電極層と上記ＳｉＯｘを含む酸化物半導体層との間にソース領域またはドレイン領域を設ける。ソース領域またはドレイン領域は、ＳｉＯｘを含まない酸化物半導体層または酸窒化物膜を用いる。 （もっと読む）

【課題】工数の増加を伴うことなく、寄生容量を抑制できるとともに、高開口率および高透過率を示すアクティブ素子基板の製造方法を実現する。
【解決手段】画素ＴＦＴ７および信号配線上に、コンタクトホール９ａ・１０ａを有する透明な絶縁層９・１０を形成する工程を備え、該工程は、画素ＴＦＴ７および信号配線を覆うように、感光性を有さない第１の絶縁層９を形成する工程と、第１の絶縁層９を覆うように、感光性を有する第２の絶縁層１０を形成する工程と、第２の絶縁層１０を露光および現像により、パターニングする工程と、第２の絶縁層１０をマスクとして上記第１の絶縁層９をエッチングする工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】高信頼性の貫通電極を有する半導体基板を提供することを目的とする。
【解決手段】第１の開口部（４ａ）の内周と第２の開口部（４ｂ）の間に位置する前記第１絶縁層（２）の面に凹部（６）が形成され、第２配線層（５）が、第１の開口部（４ａ）の内周面と凹部（６）および第２の開口部（４ｂ）を経て第１の配線層（３）に電気接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

シリコン基板内のビア内に高純度の銅を電着し、スルーシリコンビア（ＴＳＶ）を形成するプロセスである。本プロセスは、電解銅めっきシステム内の電解槽内にシリコン基板を浸漬するステップと、高純度の銅を電着してＴＳＶを形成するのに十分な時間の間、電圧を印加するステップとを含み、電解槽が酸、銅イオンの発生源、第一鉄イオン及び／又は第二鉄イオンの発生源、及び析出した銅の物理−機械的特性を制御するための少なくとも１つの添加剤とを含み、銅金属の発生源からの銅イオンを溶解することによって電着されることになる付加的な銅イオンを提供するために、前記槽内でＦｅ^２＋／Ｆｅ^３＋レドックス系が、確立される。 （もっと読む）

【課題】金属配線と金属酸化物を有する層を形成する際、電蝕といわれる腐食の発生をおさえることにより、半導体装置の動作特性および信頼性を向上させ、歩留まりの向上を実現することを目的とする。
【解決手段】配線は、耐酸化性金属からなる第１の層と、その上に形成されたアルミニウムもしくはアルミニウムを主成分とする第２の層と、その上に形成された耐酸化性金属からなる第３の層からなる３層構造とし、前記配線と電気的に接続する金属酸化物を有する層を有する。また、第２の層の上面及び下面は第１及び第３の層と接し、側面は酸素とアルミニウムを含む酸化層と接する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタにおいて、電界効果移動度を向上させることを課題の一とする。また、薄膜トランジスタの電界効果移動度を向上させても、オフ電流の増大を抑制することを課題の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層とゲート絶縁層の間に、該酸化物半導体層より導電率が高い酸化物クラスターを形成することによって、該薄膜トランジスタの電界効果移動度を向上させ、且つオフ電流の増大を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型表示装置等の半導体装置において、トランジスタの駆動能力を低下させることなく寄生容量の容量値を低減することを課題の一とする。または、寄生容量の容量値を低減した半導体装置を低コストに提供することを課題の一とする。
【解決手段】トランジスタのゲート電極と同一の材料層で形成される配線と、ソース電極またはドレイン電極と同一の材料層で形成される配線との間に、ゲート絶縁層以外の絶縁層を設ける。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを具備する画素を作製する際に、生産性の向上を図る。
【解決手段】基板上に形成されたゲート電極として機能する第１の配線と、前記第１の配線上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に、低抵抗酸化物半導体層及び前記低抵抗酸化物半導体層上に導電層が積層して設けられた第２の配線、並びに前記低抵抗酸化物半導体層及び前記低抵抗酸化物半導体層の画素電極として機能する領域が露出するように前記導電層が積層して設けられた電極層と、前記ゲート絶縁膜上の前記第２の配線と前記電極層との間に形成された高抵抗酸化物半導体層と、を有する。 （もっと読む）

【課題】多層配線を形成する際における配線の加工に要する工程を簡便にすることを課題
とする。また、開口径の比較的大きいコンタクトホールに液滴吐出技術やナノインプリン
ト技術を用いた場合、開口の形状に沿った配線となり、開口の部分は他の箇所より凹む形
状となりやすかった。
【解決手段】高強度、且つ、繰り返し周波数の高いパルスのレーザ光を透光性を有する絶
縁膜に照射して貫通した開口を形成する。大きな接触面積を有する１つの開口を形成する
のではなく、微小な接触面積を有する開口を複数設け、部分的な凹みを低減して配線の太
さを均一にし、且つ、接触抵抗も確保する。 （もっと読む）

【課題】プロセスの自由度が大きい配線の形成方法を提供する。
【解決手段】配線層２５上に絶縁層３１を形成する工程と、絶縁層３１上に第１マスク層３２と第２マスク層３３とを形成する工程と、第２マスク層３３上にレジスト層４２を形成する工程と、レジスト層４２をパターニングする工程と、レジスト層４２をマスクとして第２マスク層３３をパターニングする工程と、レジスト層４２及び第２マスク層３３をマスクとして第１マスク層３２を途中までエッチングする工程と、レジスト層４２を取り除く工程と、第２マスク層３２をマスクとして第１マスク層３２の残りをエッチングして第１マスク層３２をパターニングする工程と、パターニングされた第１マスク層３３をマスクとして絶縁層３１をエッチングして配線溝３６を形成する工程と、配線溝３６に導電体３７を埋め込んで、配線層２５に接続する埋め込み配線層３８を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】貫通孔(接続孔)内に形成された絶縁膜上に設けられる配線層と半導体基板との間の電気的絶縁性の不良の発生が低減された半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１１の一方の面上に第１の絶縁層１２を介して位置する第１の配線層１３と、半導体基板の他方の面から第１の配線層に至る接続孔１９を形成する。接続孔の側面から他方の面に亘って半導体基板上に位置し、接続孔内で第１の配線層に接する第２の絶縁層１４を形成する。接続孔の側面上から他方の面上に亘って第２の絶縁層上に位置し、接続孔内で第１の配線層に接する第２の配線層１６を形成する。この形成において、第２の絶縁層を、膜質の異なる２種の絶縁膜１４ａ、１４ｂ又はそれ以上の絶縁膜の積層体から構成する。 （もっと読む）

【課題】開口率の高い半導体装置又はその作製方法を提供することを目的の一とする。また、消費電力の低い半導体装置又はその作製方法を提供することを目的の一とする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に設けられた酸化物半導体層と、酸化物半導体層を覆うゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられた第１の導電層と第２の導電層との順で積層されたゲート電極を含むゲート配線と、酸化物半導体層と、前記ゲート電極を含む前記ゲート配線を覆う絶縁膜と、絶縁膜上に設けられ、酸化物半導体層と電気的に接続され、第３の導電層と第４の導電層との順で積層されたソース電極を含むソース配線と、を有し、ゲート電極は、第１の導電層で形成され、ゲート配線は、第１の導電層と第２の導電層で形成され、ソース電極は、第３の導電層で形成され、ソース配線は、第３の導電層と第４の導電層で形成されている。 （もっと読む）

【課題】平坦性の向上により、ＴＦＴの移動度を向上させ、ＴＦＴのオフ電流を低減する
。
【解決手段】基板上に非晶質構造の半導体膜を形成する工程と、前記半導体膜上に結晶化
を促進する金属元素を添加する工程と、加熱処理を行って、前記半導体膜を結晶構造の半
導体膜とする工程と、前記結晶構造の半導体膜に第１のレーザー光を照射する工程と、前
記結晶構造の半導体膜に第２のレーザー光を照射する工程とを有する。レーザー光を照射
する工程を２回設けることにより、結晶構造の半導体膜の平坦化を向上させることができ
る。その結果、ＴＦＴの移動度を向上させ、ＴＦＴのオフ電流を低減させることができる
。 （もっと読む）

【課題】生産性の低下を抑えつつ組成の異なる合金薄膜を形成可能なスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置１０は、外部より低圧な雰囲気に維持可能なチャンバ１２と、チャンバ１２内で基材１４を保持する保持部１６と、保持部１６で保持された基材１４に周面が対向するように設けられた回転可能な回転陰極１８であって、表面のターゲット材料をスパッタリングするための電力が供給される筒状の回転陰極１８と、回転陰極１８の表面に金属材料を供給可能な複数の補助陰極３２０，３３０と、を備える。複数の補助陰極３２０，３３０は、互いに異なる金属材料を回転陰極１８の表面に供給する。 （もっと読む）