【課題】半導体層と電極の接続部に生じる寄生抵抗を抑制し、配線抵抗による電圧降下の
影響や画素への信号書き込み不良や階調不良などを防止し、より表示品質の良い表示装置
を代表とする半導体装置を提供することを課題の一つとする
【解決手段】上記課題を解決するために、本発明は酸素親和性の強い金属を含むソース電
極、及びドレイン電極と、不純物濃度を抑制した酸化物半導体層とを接続した薄膜トラン
ジスタと、低抵抗な配線を接続して半導体装置を構成すればよい。また、酸化物半導体を
用いた薄膜トランジスタを絶縁膜で囲んで封止すればよい。 （もっと読む）

【課題】微細な貫通孔を有する膜を形成することが可能な膜の製造方法、およびこの方法を用いた表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１パターンおよび第２パターンを有する凹版を用いて、第１パターンの膜を基材へ形成する第１転写工程と、第１パターンの膜上に第２パターンの膜を形成して、基材上に貫通孔を有する膜を形成する第２転写工程とを備えた膜の製造方法。基板に、ＴＦＴ，絶縁膜および有機ＥＬ素子を順に形成する工程を含み、絶縁膜を形成する工程は、第１パターンおよび第２パターンを有する凹版を用いて、第１パターンの膜を基材へ形成する第１転写工程と、第１パターンの膜上に第２パターンの膜を形成して、基材上に貫通孔を有する膜を形成する第２転写工程とを備えた表示装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】基板に含まれる珪素系材料に対してダメージを与えることなく、常温で高速に長時間安定してタングステン系金属を除去することができるエッチング用組成物を提供する。
【解決手段】本発明の金属エッチング用組成物は、過硫酸塩の添加量が８〜３０質量％、塩基性化合物の添加量が１〜１５質量％、となるように配合された、フッ素含有化合物を含まない２５℃でのｐＨが８以上の水溶液であることを特徴とする。過酸化水素をさらに添加することによりタングステン系金属とチタン系金属の積層膜あるいは合金膜の除去に適用することができる。他方、過酸化水素を無添加とすることにより、チタン系金属に優先してタングステン系金属を選択的に除去することができる。 （もっと読む）

【課題】還元性雰囲気による特性劣化を抑制することができる構造の強誘電体キャパシタを提供する。
【解決手段】強誘電体キャパシタ積層構造８は、強誘電体膜３と、強誘電体膜の一方表面に接する下部電極２と、強誘電体膜３の他方表面に接する上部電極４とを含む。上部電極４および下部電極２のうちのうちの少なくともいずれか一方が、酸化物導電体層と金属層とを交互に積層した積層電極構造を有している。この積層電極構造は、酸化物導電体層および金属層のうちの少なくともいずれか一方を２層以上含む。 （もっと読む）

【課題】基板のエッジ部分での膜剥がれを防止し、半導体装置を効率良く製造する。
【解決手段】基板１の上方に低誘電体膜３１を形成する際に、基板１のエッジ部分１Ａをエッジカット工程にて洗い流すことで段差部３１Ａが形成される。低誘電体膜３１に配線溝４１を形成した後、導電膜４３を埋め込む。基板１のエッジ部分１Ａの導電膜４３を洗い流すと、導電膜４３が埋め込まれていない配線溝４１Ａが形成される。配線溝４１Ａを保護フィルム５１で覆ってから、ＣＭＰ法にて余分な導電膜４３を除去する。この後、保護フィルム５１を基板１から取り外す。 （もっと読む）

【課題】パッケージを用いることなく、半導体集積回路の耐湿性も含めた信頼性が確保されて実装できるようにする。
【解決手段】化合物半導体からなる第１基板１０１の主表面に形成された集積回路を備える集積回路層１０２と、集積回路層１０２を覆って第１基板１０１の上に形成された絶縁膜１０３と、絶縁膜１０３の上に貼り付けられた第２基板１０４とを備える。絶縁膜１０３は、例えば、窒化シリコンなど耐湿性に優れた絶縁材料から構成するとよく、膜厚は０．２〜０．３μｍ程度に形成されていればよい。また、第２基板１０４は、例えば、シリコン基板であればよい。シリコン化合物からなる絶縁膜１０３と、シリコン基板からなる第２基板１０４であれば、例えば、１０^-5Ｐａ程度の高真空状態で、適宜に加圧することで、直接接合により貼り合わせることができる。 （もっと読む）

【課題】貫通電極の形成過程で、余分な酸化膜を確実に除去する。
【解決手段】貫通電極を形成するビアホール２５の内面に酸化膜２６を形成した後、Ｃｕ膜２８を埋め込む。第１層間絶縁膜２２の上に形成された余分なＣｕ膜２８をＣＭＰ法による研磨で除去するときに、酸化膜２６も研磨されて膜厚が薄くなる。膜厚が薄くなった酸化膜２６Ｂをハードマスクとして第１層間絶縁膜１４に配線溝を形成する。このとき、酸化膜２６Ｂの膜厚が薄くなる。配線溝に導電材を埋め込んだ後、余分な導電材を研磨によって除去する。このとき、残りの酸化膜２６Ｂが全て研磨により除去される。 （もっと読む）

【課題】配線にＣｕを用いる配線の電気抵抗値とＴＦＴの電気特性値を均一にするアクティブマトリクス型表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板およびＴＦＴを有する表示装置の製造方法であって、ＴＦＴは、電極および電極近接層を有し、電極は、銅および銅以外の添加元素を含み、以下の工程を含む表示装置の製造方法（Ａ）基板の上に電極および電極近接層が形成される工程、（Ｂ）電極または電極近接層がオゾン水で洗浄される工程、（Ｃ）前記（Ｂ）の工程後の熱処理により、電極と電極近接層との界面に、酸素を含む酸化物膜が形成される工程。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に形成された開口部の側壁全体を均一に成膜することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法は、底壁及び複数の凹部を有する側壁により構成された開口部を素子が形成された半導体基板に形成し、前記開口部側から蒸着又はスパッタリングを行い、前記底壁及び前記側壁の各凹部の前記底壁側に成膜部材を堆積させ、前記半導体基板に所定の電圧を印加しつつスパッタリングを行うことにより前記成膜部材を前記側壁の各凹部の前記開口部側に堆積させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】多層配線を形成する際における配線の加工に要する工程を簡便にすることを課題
とする。また、開口径の比較的大きいコンタクトホールに液滴吐出技術やナノインプリン
ト技術を用いた場合、開口の形状に沿った配線となり、開口の部分は他の箇所より凹む形
状となりやすかった。
【解決手段】高強度、且つ、繰り返し周波数の高いパルスのレーザ光を透光性を有する絶
縁膜に照射して貫通した開口を形成する。大きな接触面積を有する１つの開口を形成する
のではなく、微小な接触面積を有する開口を複数設け、部分的な凹みを低減して配線の太
さを均一にし、且つ、接触抵抗も確保する。 （もっと読む）

【課題】新規な電極構造を有する、横電界方式の液晶表示装置とその作製方法の提案。
【解決手段】絶縁表面を有する第１基板と、絶縁表面上の第１導電膜及び第２導電膜と、第１導電膜上の第１絶縁膜と、第２導電膜上の第２絶縁膜と、第１基板と対峙する第２基板と、第１基板と第２基板の間に位置する液晶層と、を有し、第１導電膜の一部は第１絶縁膜の側部にも位置し、なおかつ、第２導電膜の一部は第２絶縁膜の側部にも位置し、液晶層は、ブルー相を示す液晶を含んでいる液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】微細な配線パターンを備えた発光装置の作製方法の提供。
【解決手段】Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎとを有する酸化物半導体層を形成し、酸化物半導体層上に第１の導体パターンを形成し、第１の導体パターンより微細な第２の導体パターンを形成し、前記第２の導体パターンと電気的に接続する発光素子を形成する発光装置の作製方法であって、第２の導体パターンは、酸化物半導体層を横断する。 （もっと読む）

【課題】樹脂基板上に設けたボトムゲート型薄膜トランジスタにおいて、製造プロセスを簡略化することにより、高品質で低コストの薄膜トランジスタとその製造方法及び画像表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ボトムゲート型の薄膜トランジスタは、樹脂基板と、樹脂基板の同一面上に設けられたゲート電極と絶縁性密着層と、ゲート電極と絶縁性密着層との上に設けられたゲート絶縁層とを、少なくとも備える。また、ゲート電極は、金属を含む。また、絶縁性密着層は、ゲート電極に含まれる金属のオキシ水酸化物を含むことを特徴とする。また、金属は、Ａｌを含む金属であり、ゲート電極の膜厚は、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】隣接する画素の間に設ける絶縁膜は、バンク、隔壁、障壁、土手などとも呼ばれ
、薄膜トランジスタのソース配線や、薄膜トランジスタのドレイン配線や、電源供給線の
上方に設けられる。特に、異なる層に設けられたこれらの配線の交差部は、他の箇所に比
べて大きな段差が形成される。隣接する画素の間に設ける絶縁膜を塗布法で形成した場合
においても、この段差の影響を受けて、部分的に薄くなる箇所が形成され、その箇所の耐
圧が低下されるという問題がある。
【解決手段】段差が大きい凸部近傍、特に配線交差部周辺にダミー部材を配置し、その上
に形成される絶縁膜の凹凸形状を緩和する。また、上方配線の端部と下方配線の端部とが
一致しないように、上方配線と下方配線の位置をずらして配置する。 （もっと読む）

【課題】高抵抗・高精度の抵抗素子からなる抵抗回路を提供する。
【解決手段】５００Å以下に薄膜化した薄膜材料からなる抵抗素子の上にシリコン窒化膜などの絶縁膜を形成する。この窒化膜により抵抗素子に対するコンタクトホールの突き抜けを防止する。 （もっと読む）

【課題】小型化、薄型化、軽量化を実現した半導体装置の提供を課題とする。また、作製時間を短縮し、歩留まりを向上することができる半導体装置の作製方法の提供を課題とする。
【解決手段】トランジスタと、トランジスタ上に設けられた絶縁層と、絶縁層に設けられた開口部を介して、トランジスタのソース領域又はドレイン領域に電気的に接続された第１の導電層（ソース配線又はドレイン配線に相当）と、絶縁層及び第１の導電層上に設けられた第１の樹脂層と、第１の樹脂層に設けられた開口部を介して、第１の導電層に電気的に接続された導電性粒子を含む層と、第２の樹脂層及びアンテナとして機能する第２の導電層が設けられた基板とを有する。上記構成の半導体装置において、第２の導電層は、導電性粒子を含む層を介して、第１の導電層に電気的に接続されている。また、第２の樹脂層は、第１の樹脂層上に設けられている。 （もっと読む）

【課題】基板を貫通するトレンチによって複数の部分領域に分割されてなる領域分割基板およびそれを用いた半導体装置ならびにそれらの製造方法であって、部分領域の側壁に導電層を形成するメリットだけを享受して、該導電層の形成に伴う悪影響を排除することのできる領域分割基板およびそれを用いた半導体装置ならびにそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】基板３０の第１表面Ｓ１から第２表面Ｓ２に亘って、当該基板３０を貫通するように形成されたトレンチ３１ａによって、当該基板３０が複数の部分領域Ｃｅ，Ｃｅａ〜Ｃｅｄ，Ｃｅｋ，Ｃｅｌに分割され、前記複数の部分領域のうち、一部の部分領域Ｃｅａ〜Ｃｅｄの側壁に、第１表面Ｓ１の側から第２表面Ｓ２の側に亘って、当該基板３０より高い導電率を有する導電層３５が形成され、トレンチ３１ａに絶縁体３１ｂが埋め込まれてなる領域分割基板Ａ２０とする。 （もっと読む）

【課題】可撓性を有する基板上に有機化合物を含む層を有する素子が設けられた半導体装置を歩留まり高く作製することを課題とする。
【解決手段】基板上に剥離層を形成し、剥離層上に、無機化合物層、第１の導電層、及び有機化合物を含む層を形成し、有機化合物を含む層及び無機化合物層に接する第２の導電層を形成して素子形成層を形成し、第２の導電層上に第１の可撓性を有する基板を貼りあわせた後、剥離層と素子形成層とを剥す半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】ｎチャネル型電界効果トランジスタとｐチャネル型電界効果トランジスタを有する半導体装置において、ｎチャネル型電界効果トランジスタ、ｐチャネル型電界効果トランジスタ共にドレイン電流特性に優れた半導体装置を実現する。
【解決手段】ｎチャネル型電界効果トランジスタ１０と、ｐチャネル型電界効果トランジスタ３０とを有する半導体装置において、ｎチャネル型電界効果トランジスタ１０のゲート電極１５を覆う応力制御膜１９には、膜応力が引張応力側の膜を用いる。ｐチャネル型電界効果トランジスタ３０のゲート電極３５を覆う応力制御膜３９には、膜応力が、ｎチャネル型トランジスタ１０の応力制御膜１９より、圧縮応力側の膜を用いることにより、ｎチャネル型、ｐチャネル型トランジスタの両方のドレイン電流の向上が期待できる。このため、全体としての特性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 熱型検出素子を基体から熱分離する空洞部の深さを規定するスペーサー部材を配線構造として兼用し、かつ、その配線構造により、確実に熱分離できる空洞部の深さを確保することができる熱型検出器、熱型検出装置及び電子機器を提供すること。
【解決手段】 熱型検出器は、基体１００と、基体１００より突出するスペーサー部材１０４と、スペーサー部材１０４に支持される支持部材２１０と、支持部材に支持される熱型検出素子２２０と、基体内に配置されて熱型検出素子と接続される検出回路５１０，５２０と、熱型検出素子と検出回路とを接続する配線部と、を有する。配線部は、基体内に配置された少なくとも一層の第１導電層ＬＩＡ，ＬＩＢと、スペーサー部材内に配置された少なくとも一層の第２導電層ＬＩＣ，ＬＩＤと、支持部材に支持された第３導電層２１４，２３８と、第１，第２及び第３導電層の隣接層同士を接続する複数のプラグＨＬＡ〜ＨＬＤとを含む。 （もっと読む）