【課題】金属配線パターンの寄生抵抗を低減可能なダミーパターンの設計方法を提供する。
【解決手段】切り欠きパターン２を一及び逆方向に各所定値Δｘ１だけ縮小して縮小図形４を生成した後、各所定値Δｘ１だけ拡大してダミーパターン５を生成し、その外形を抽出して矩形図形６を生成した後、各所定値Δｘ１だけ縮小して縮小図形７を生成し、ダミーパターン５から縮小図形７を論理減算して切り欠き図形８及び矩形図形９を生成し、切り欠き図形８を抽出してダミーパターン５から論理減算して矩形図形１０を生成した後、各所定値Δｘ１だけ縮小して縮小図形１１を生成し、矩形図形１０から縮小図形１１を論理減算して第１，第２のビア配置領域１２，１３を生成し、各ビア配置領域１２，１３にビア１４をそれぞれ配置する。 （もっと読む）

【課題】基板電位を安定化させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置に含まれるＦＥＴ素子１は、Ｎ角形をなす外周端部３０ｐと貫通孔を形作る内周端部３０ｉとを有する環状のゲート電極３０を備える。またＦＥＴ素子１は、貫通孔の直下方に形成された内側不純物拡散領域２１と、ゲート電極３０のＮ角形の辺の外側に形成された外側不純物拡散領域２２Ａ〜２２Ｄと、ゲート電極３０の頂点の外側に形成されたバックゲート領域２３Ａ〜２３Ｄとを備える。バックゲート領域２３Ａ〜２３Ｄは、ゲート電極３０のＮ角形の辺のうちゲート電極３０の頂点をなす２辺の延長線Ｅｘ，Ｅｙの少なくとも一方を跨るように形成されている。 （もっと読む）

【課題】高周波配線と相異なる層に設けられたダミー導体パターンに発生する渦電流を抑制する。
【解決手段】半導体装置１は、高周波配線、およびダミー導体パターン２０（第２のダミー導体パターン）を備えている。ダミー導体パターン２０は、高周波配線と相異なる層中に形成されている。ダミー導体パターン２０は、平面視で、高周波配線と重なる領域を避けるように配置されている。これにより、高周波配線と相異なる層に設けられたダミー導体パターンに発生する渦電流を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】ワイヤボンディング時のストレスでボンディングパッド下の絶縁層のダメージを電気的に検出できる半導体装置および導入されたダメージを検出して良品、不良品を判定できる半導体装置の試験方法を提供すること。
【解決手段】酸化膜４上にポリシリコン５を配置し、このポリシリコン５にｐｎダイオード９を形成し、ｎカソード層６上に層間絶縁膜１０を挟んで第１ボンディングパッド１１を配置する。また、ｐアノード層７上に第２ボンディングパッド１２を配設することで、層間絶縁膜１０に導入されるダメージが層間絶縁膜１０を貫通するか否かを電気的に検出できる半導体装置（パワーＩＣなど）とすることができる。 （もっと読む）

【課題】ヒューズ開口部からの水分侵入による電特異常及び配線腐食を防止する半導体装置を提供する。
【解決手段】ヒューズ配線４の下方には凸領域となるＴＥＯＳ膜１４の下敷きがあり、ヒューズ配線４はＴＥＯＳ膜１４を跨ぐように設けられ、ヒューズ配線４の上方にはＴＥＯＳ膜１４よりも小さい領域のヒューズ開口部１３が設けられる。さらに、ＴＥＯＳ膜１４の無い領域にてヒューズ配線１４の両端に設けられたヒューズ端子１５には第１金属配線７が電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】ダイシングの際にクラック発生を抑制できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板の上に形成された複数の配線層と、前記複数の配線層の間に配置されたビア層と、前記複数の配線層に形成された導電膜と、前記ビア層の上下の前記配線層の前記導電膜と接続するビアプラグＶ５とを有し、スクライブ領域３１は、チップ領域の外周であって前記半導体基板の縁に接して位置し、前記スクライブ領域３１は前記縁に接するパッド領域３３を有し、前記パッド領域３３は、前記複数の配線層の各々に、平面視において相互に重なって配置され、前記複数の配線層は、第１の配線層と第２の配線層を有し、前記第１の配線層の前記導電膜は、前記パッド領域３３の全面に形成された第１の導電パターン５５を有し、前記第２の配線層の前記導電膜は、前記パッド領域の一部に形成された第２の導電パターン５０を有する。 （もっと読む）

【課題】
実施形態は、解析が簡便な半導体装置を提供する。
【解決手段】
本実施形態の半導体装置は、内部信号を伝送可能な第１配線１０１と、第１配線１０１
と電気的に接続された測定電極１００と、測定電極１００と隣接するように配置され、内
部信号を計測するときに接地電位ＶＳＳが印加され、内部信号を計測する以外のときに所
望の電圧が印加されたダミー電極１０２，１０３とを備える。
例えば、測定電極１００は、環状に形成されており、ダミー電極は、第１電極１０２と
第２電極１０３とを有し、第１電極１０２は、測定電極１００の内側に形成された空間に
隣接するように配置され、第２電極１０３は、測定電極１００の外側に隣接するように配
置される。 （もっと読む）

【課題】配線間の影響を抑制することができる多層配線を有する半導体装置を実現する。
【解決手段】本発明の実施形態における半導体装置は、下層の配線層に第１の方向に沿って形成された信号配線１１と、下層の配線層と絶縁膜を介して配置される上層の配線層に第１の方向と交差する第２の方向に沿って形成された基準電位配線１３と、 上層の配線層に基準電位配線１３に沿って近接して形成されたシールド線１４ａ、１４ｂと、を有し、信号配線１１と基準電位配線１３の交差部１５ｃにおいて基準電位配線１３とシールド線１４ａ、１４ｂとの距離が他の部分に比べてより狭くなっていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】残渣による配線間のショートの発生を防ぐ。
【解決手段】本発明の半導体装置は、高誘電率材料を含む第１のゲート絶縁膜４と第１のゲート絶縁膜４上に形成された第１のメタルゲート電極５とを備える第１のトランジスタが形成される半導体基板上の第１の領域と、高誘電率材料を含む第２のゲート絶縁膜４と第２のゲート絶縁膜上に形成された第２のメタルゲート電極１２とを備え、第１のトランジスタとは閾値電圧の異なる第２のトランジスタが形成される半導体基板上の第１の領域に並ぶ第２の領域と、電位の異なる第１および第２の配線と、を有し、第１の領域と第２の領域との境界が、第１および第２の配線の少なくとも一方としか重ならない。 （もっと読む）

【課題】銅埋め込み配線を主要な配線層とする半導体集積回路装置に於いても、通常、ワイヤボンディング特性を確保するために、最上層配線層をアルミニウム系パッド層とすることが多い。このアルミニウム系パッド層は、一般に、配線層（電源配線、信号配線等の一般相互接続配線）としても使用されている。しかし、このような一般相互接続配線は、配線長が比較的長いためアンテナ効果により、プラズマ処理時にデバイスにダメージが入り易い等のデメリットがある。
【解決手段】本願発明は、メタル多層配線系が、下層の埋め込み型多層配線層と上層の非埋め込み型アルミニウム系パッドメタル層を有する半導体集積回路装置に於いて、前記非埋め込み型アルミニウム系パッドメタル層は、実質的に電源リング配線を有しないものである。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いた表示装置に代表される半導体装置において、画面サイズの大型化や高精細化に対応し、表示品質が良く、安定して動作する信頼性のよい半導体装置を提供する。
【解決手段】引き回し距離の長い配線にＣｕを含む導電層を用いることで、配線抵抗の増大を抑える。また、Ｃｕを含む導電層を、ＴＦＴのチャネル領域が形成される酸化物半導体層と重ならないようにし、窒化珪素を含む絶縁層で包むことで、Ｃｕの拡散を防ぐことができ、信頼性の良い半導体装置を作製することができる。特に、半導体装置の一態様である表示装置を大型化または高精細化しても、表示品質が良く、安定して動作させること
ができる。 （もっと読む）

【課題】通電領域表面の周辺の強電界の影響がナノワイヤに及び難くして、ホットキャリアの生成やオフリーク電流を低減する。半導体装置を高性能化する。
【解決手段】基板の表面よりも深い位置に配置され互いに対向する２つの側壁を有する導電膜と、導電膜の２つの側壁の側方に形成され互いに同じ導電型の半導体領域である第１及び第２の通電領域と、導電膜を貫通して２つの半導体領域どうしを接続し第１及び第２の通電領域の導電型とは逆導電型の半導体領域であるナノワイヤと、導電膜と前記ナノワイヤとの境界部に形成された絶縁膜と、を有することを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極とソース電極との間に印加される電圧がソース電極パッドの電気抵抗による電圧降下で低下することを防止でき、安定した動作を実現できる電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】このＧａＮ ＨＦＥＴによれば、ボンディング部１６Ｂの第２のパッド部１６Ｂ‐２は、電極接続部１６Ａが含有する複数の接続部分１９のうちの第２の方向(ソース電極１２とドレイン電極１１が対向している方向)の一端に配置された接続部分１９の上記第２の方向の外端を電極延在方向へ延長した仮想延長線Ｌ１に関して第１のパッド部１６Ｂ‐１とは反対側に位置している。第２のパッド部１６Ｂ‐２に接続された第２のソース配線２４のボンディング箇所の第２の方向の位置を電極接続部１６Ａのソース電極１２との接続部分１９の第２の方向の位置と重ならないようにして、ソース電極１２からの電流が第２のソース配線２４に流れにくくできる。 （もっと読む）

【課題】高電圧が不要で安定した状態を得ること。
【解決手段】半導体装置１０に形成されたヒューズ素子１１は、概略的に、拡散領域２２と、拡散領域２２と一部重なるように拡散領域２２より上方に形成された導電体２５を含む。半導体装置１０の半導体基板２１には、拡散領域２２が形成されている。半導体基板２１には素子分離領域２３が形成されている。拡散領域２２を含む半導体基板２１上には絶縁膜２４が形成されている。絶縁膜２４上には、導電体２５が形成されている。導電体２５上には、カバー膜２６が形成されている。カバー膜２６は、導電体２５の上面及び側面を覆うように形成されている。カバー膜２６は、絶縁膜２４より高い引っ張り応力を持つ。 （もっと読む）

【課題】同一平面上に形成された２つの配線が互いにショートするのを回避すること。
【解決手段】第１の方向（Ｘ）に複数本並べて配置された活性領域（５０）の各々は、第１の方向（Ｘ）と直交する第２の方向（Ｙ）に離間して配置された２つの縦型トランジスタ（５１）と、この２つの縦型トランジスタ（５１）の間に位置する縦型のゲート電極用ダミーピラー（１ａ）と、から成る。半導体装置（１００）は、複数本の活性領域（５０）の中央に位置するゲート電極用ダミーピラー（１ａ）へ給電するために第１の方向（Ｘ）へ延在して配置されたゲート給電配線（２３）と、２つの縦型トランジスタ（５１）間を接続するために、第２の方向（Ｙ）に延在し、かつゲート給電配線（２３）を迂回するように構成されたトランジスタ間接続配線（２１、１０Ａ、１６）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】フリップチップ実装に用いられる半導体チップと実装基板との電気的な接続信頼性を向上させた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ２と、半導体チップ２の主面に配置された複数の電極パッドと、複数の電極パッドの上に配置された複数のバンプ５とを有し、半導体チップ２のコーナー部において、第１のバンプと第２のバンプとが、第１のピッチで、隣接して配置され、半導体チップの中心部において、第３のバンプと第４のバンプとが、第２のピッチで、隣接して配置され、第１のピッチは、第２のピッチよりも狭い。 （もっと読む）

【課題】 相互接続ラインを形成するための新規な方法を提供する。
【解決手段】 細線相互接続部（６０）は基体（１０）の表面内又はその上に形成された半導体回路（４２）の上に位置する第１の誘電体層（１２）内に設けられる。パシベーション層（１８）は誘電体層の上に付着され、第２の厚い誘電体層（２０）はパシベーション層の表面上に形成される。厚くて幅広い相互接続ラインは第２の厚い誘電体層内に形成される。第１の誘電体層はまた、基体の表面上に付着されたパシベーション層の表面上に幅広くて厚い相互接続ネットワークを形成するように、省略することができる。 （もっと読む）

【課題】ドレイン電極配線によって形成されるフィールドプレートに起因する電流コラプス現象への影響が抑制された窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】窒化物半導体からなる機能層２０と、機能層２０上に離間して配置されたソース電極３及びドレイン電極４と、ソース電極３とドレイン電極４間で機能層２０上に配置されたゲート電極５と、機能層２０上に配置された層間絶縁膜７と、層間絶縁膜７上に配置され、ドレイン電極４と電気的に接続されたドレイン電極配線４１とを備える窒化物半導体装置であって、ゲート電極５とドレイン電極４間において、層間絶縁膜７を介してドレイン電極配線４１が機能層２０と対向する領域を有さない。 （もっと読む）

【課題】半導体チップのバンプ電極と実装基板の配線との接続信頼性を向上できる技術を提供する。特に、バンプ電極下の最上層配線層に配線を配置しても、バンプ電極の平坦性を確保してバンプ電極とガラス基板に形成されている配線との接続信頼性を向上できる技術を提供する。
【解決手段】バンプ電極ＢＰ１の非重複領域Ｙ直下にある最上層配線層に電源配線や信号配線からなる配線Ｌ１と、ダミーパターンＤＰを形成する。ダミーパターンＤＰは、配線Ｌ１間のスペースを埋めるように配置され、配線Ｌ１とスペースによって最上層配線層に生じる凹凸を緩和する。さらに、最上層配線層を覆うように形成される表面保護膜に対してＣＭＰ法による平坦化処理を実施する。 （もっと読む）