【課題】集積回路デバイスの電子シグニチャーの解析をより複雑にすることにより、秘密データへのアクセスを防止する。
【解決手段】本発明は、メモリーを有するポータブルメモリ媒体、特にカード形式に組込むように設計された集積回路デバイス(2)に関する。集積回路デバイス(2)は、集積回路デバイス(2)により消費される電流のピーク(Idd)の振幅を減衰させるための少なくとも１つのキャパシター(8)を備える。本発明は、スマートカードの電気的シグニチャーを減衰させるのに特に有用である。 （もっと読む）

【課題】一定の静電容量を確保すると同時に、小型化を図ることが可能なキャパシタを備える半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、金属膜を含むキャパシタ下部電極３ａと、キャパシタ下部電極３ａの上部表面上に配置され、キャパシタ下部電極３ａの厚みより薄い厚みを有する誘電体膜４ａと、誘電体膜４ａ上に配置され、金属膜を含むキャパシタ上部電極６ａと、キャパシタ上部電極６ａと同一レベルの層により構成される下部配線部分６ｂと、下部配線部分６ｂ上に配置される層間絶縁膜８と、層間絶縁膜８上に配置される上部配線部分１２ｂとを備える。 （もっと読む）

【課題】バンプ等の外部接続端子に働く鉛直方向の応力が電極層に集中しない構造を有するとともに、等価直列抵抗を所望の値に増加させることが容易な薄膜キャパシタとその製造方法を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成され少なくとも１層の誘電体薄膜と少なくとも２層の電極層からなるキャパシタ部と、前記キャパシタ部の少なくとも一部を覆う保護層と、前記キャパシタ部のいずれかの電極層と電気的に接続する引き出し導体と、前記引き出し導体上に形成されたバンプと、を備え、前記引き出し導体は、前記保護層に形成された開口部内に形成されて前記キャパシタ部のいずれかの電極層と電気的に接続する接続部と、前記保護層上に延伸された引き回し部とからなり、前記バンプは前記引き回し部上に形成されている。 （もっと読む）

【課題】微細化によってキャパシタが小型化された場合であっても、キャパシタの実効的なキャパシタ容量の低下を抑制することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】下部電極に形成した凹部開口の内周面を含む下部電極上に誘電膜を形成し、凹部開口内を含む誘電膜上に下部電極と対向する上部電極を形成する。さらに、下部電極を、第１導電膜と、絶縁膜と、不純物がドープされた低抵抗の第２導電膜とを順次積層して形成し、第１導電膜と第２導電膜とを接続する。 （もっと読む）

【課題】
電子装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】
電子装置は、ガラス基板と、少なくとも一つの開口を有し、ガラス基板上に設置されるパターン化半導体基板と、第一導電層と第二導電層を有し、第一導電層が、パターン化半導体基板とガラス基板間に設置される少なくとも一つの受動素子と、からなる。 （もっと読む）

【課題】 入出力部の電源配線の近傍にバイパスコンデンサを配置する場合、ＬＳＩの端子数が多くなると、バイパスコンデンサを配置するための領域を確保することが困難になる。
【解決手段】 半導体基板の表面に、電子回路素子が形成されている電子回路領域が画定される。半導体基板の上に、一方に基準電位が印加され、他方に電源電圧が印加される第１及び第２の配線が配置される。シールリングが、電子回路領域を取り囲むように、半導体基板の上に配置される。シールリングは、第１の配線に電気的に接続される。第１の不純物拡散領域が、シールリングよりも内側において、半導体基板の表層部に形成される。第１の不純物拡散領域の上に誘電体膜が配置される。誘電体膜の上に、シールリングに電気的に接続され、導電材料で形成されたキャパシタ導電膜が配置される。 （もっと読む）

【課題】 渦電流や寄生容量の発生を抑制することができ、優れた高周波特性を示す小型の高周波デバイスを提供する。
【解決手段】 開口１４を有する基板１１上の誘電体層１３にバンドパスフィルタＢＰＦを備える。ＢＰＦは例えば第１誘導性素子Ｌ１および第１容量性素子Ｃ１の組と、第２誘導性素子Ｌ２および第２容量性素子Ｃ２の組と、第３誘導性素子Ｌ３および第３容量性素子Ｃ３の組とにより構成されている。開口１４は第１誘導性素子Ｌ１に対向する位置に設けられている。基板１１に対して開口１４を設けることにより第１誘導性素子Ｌ１の直下での寄生容量および渦電流の発生が抑制され、これにより信号損失が低減されてフィルタ回路の特性が向上する。 （もっと読む）

【課題】本発明によれば、素子や配線の配置面積を縮小しつつ、ビアの高抵抗不良およびオープン不良が発生しないようにする。
【解決手段】半導体装置１００は、下部電極１０６と上部電極１１０と、その間に形成された容量膜１０８とを含む容量１１２と、下部電極１０６に電気的に接続する一以上の第１のビア(１２８)を含む第１のビア群と、上部電極１１０に電気的に接続するとともに第１のビア群と同時に形成される一以上の第２のビア(１３０)を含む第２のビア群と、を含む。半導体装置１００は、容量１１２の容量値を第１のビア群および第２のビア群に含まれる第１のビア(１２８)および第２のビア(１３０)の総数で除した値が所定値以下となるように第１のビアおよび第２のビアの数を設定する工程を含む方法で設計される。 （もっと読む）

【課題】円筒型キャパシタ構造を採用することにより、静電容量を増大させることが可能な構造を有する円筒型キャパシタを備えたウェーハレベルパッケージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】上面にボンディングパッド１０４を備え、ボンディングパッド１０４を露出させる絶縁層１０６が形成されたウェーハチップ１０２と、ボンディングパッド１０４に連結された状態で絶縁層１０６の一側に延長される再配線層１０８と、再配線層１０８に連結され、内部に中空部を有する円筒状の外部電極１１４ｂと、中空部内に外部電極１１４ｂと分離されるように形成された円筒状の内部電極１１４ａと、外部電極１１４ｂと内部電極１１４ａとの間に形成される誘電体層１１６と、再配線層１０８、内部電極１１４ａ、外部電極１１４ｂ及び誘電体層１１６をカバーするように絶縁層１０６に形成され、内部電極１１４ａの上面を露出させる第１オープン部１２０ａを有する樹脂封止部１１８とを含んでなる。 （もっと読む）

【課題】 求められる特性が異なる複数のキャパシタを同一基板上に混載するには、さらなる工夫が必要とされる。
【解決手段】 下部電極、上部電極、及び両者の間に配置された誘電体膜を含む下層キャパシタが、半導体基板の上に配置されている。第１の層間絶縁膜が、第１のキャパシタを覆う。複数の上層キャパシタが、第１の層間絶縁膜の上に配置されている。上層キャパシタは、下部電極、上部電極、及び両者の間に配置された誘電体膜を含み、平面視において、下層キャパシタに重なる。半導体基板の上に、上層キャパシタに対応して複数のトランジスタ配置されている。トランジスタは、上層キャパシタとともにメモリセルを構成する。 （もっと読む）

【課題】高誘電率を有する誘電体膜の製造方法を提供する。
【解決手段】薄いシリコン酸化膜を形成したＳｉ基板上に、ＨｆＮ／Ｈｆ積層膜を形成し、アニール処理によりＨｆ、Ｓｉ、Ｏ、Ｎの混合物からなる金属酸窒化物とする誘電体膜の製造する。（１）ＥＯＴの低減が可能であり、（２）リーク電流がＪｇ＝１．０Ｅ−１Ａ／ｃｍ^２以下に低減され、（３）固定電荷の発生によるヒステリシスが抑制され、（４）７００℃以上の熱処理を行ってもＥＯＴの増加が無く耐熱性に優れる。 （もっと読む）

高い絶縁破壊電圧の埋め込まれた複数のキャパシタに関連する方法及び装置が提供される。半導体装置は、絶縁体（２０９）に埋め込まれたゲート材料（２０４）、複数の金属接触部（２１３）及び複数のキャパシタ（Ｃ１−Ｃ４）を含み得る。複数のキャパシタは、下部電極（２１７）、下部電極の表面を覆うように形成される誘電体（２１９）及び誘電体に形成される上部電極（２２１ｂ、ｃ）を含み得る。さらに、複数の接触部は、複数のキャパシタの下部電極の各々をゲート材料に接続し得る。複数のキャパシタは、ゲート材料を介して直列に接続され得る。
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【課題】ヒューズ用開口部からガードリング外への水分等の伝達をより強固に防止する。
【解決手段】下地絶縁膜３上に第１シリコン膜パターンからなるシリコンヒューズとシリコン配線パターン７が形成されている。第１シリコン膜パターンとは別途形成された第２シリコン膜パターンからなり、上方から見てヒューズ５の周囲を取り囲み、一部分がシリコン配線パターン７上を跨いで下地絶縁膜上に環状に形成されたシリコンガードリング１１が形成されている。シリコンガードリング１１と交差している部分のシリコン配線パターン７表面にシリコン表面絶縁膜９が形成されている。シリコン配線パターン７とシリコンガードリング１１はシリコン表面絶縁膜９により互いに絶縁されている。シリコンガードリング１１上に金属材料からなる環状のガードリング１７，１９，２５，２７が上方から見てヒューズ５の周囲を取り囲んで形成されている。 （もっと読む）

【課題】高速動作に適したＮ型層を用いたＮ型ＴＦＴを液晶容量と、蓄積容量の充電に用いる場合には、リーク電流特性に劣るＮ型層を蓄積容量に用いることとなり、電荷保持特性が低下するという課題がある。またＰ型層を用いたＰ型ＴＦＴを液晶容量と、蓄積容量の充電に用いた場合には、Ｐ型ＴＦＴがＮ型ＴＦＴと比べ移動度が低いことから高速動作が困難となり、ＴＦＴによるスイッチング特性が劣化するという課題がある。
【解決手段】Ｎ型ＴＦＴ９０をスイッチングに用い、Ｐ型電極層４１を保持容量として用い、かつＰ延展部４０と、Ｎ型ドレイン側延展部１ｔとを切り離すことなく形成した。Ｐ延展部４０と、Ｎ型ドレイン側延展部１ｔとの間には段差はなく、コンタクトホール９４を形成するためのエッチング工程を均一な層厚を備えた第１層間絶縁層４に対して行うことができ、エッチングむら等による電気抵抗の増加を防止することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成でリーク電流の抑制された電子素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に設けられ、Ｍｏ−Ｎｂ合金から構成された第１の電極と、前記第１の電極上に配置された絶縁膜と、前記第１の電極に対して少なくとも前記絶縁膜を介して配置された第２の電極と、を備えた電子素子とする。 （もっと読む）

【課題】 従来の比例縮小側（係数α、α＞１）を適用した平面型ＭＯＳＴのしきい電圧のばらつきの標準偏差σ（Ｖ_Ｔ）が、微細化とともに、すなわちαを大きくするとともに大きくなり、動作電圧が低くできないという問題がある。
【解決手段】 フィンの高さをチャンネル長よりも高くしたＦｉｎＦＥＴ構造によって上記の問題を解決する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタの微細化が進展しても、広いキャパシタ面積を確保し、容量を増大させることが可能なキャパシタを備える、半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板１１１と、基板上に、第１の電極材で形成された複数の第１の電極層と、第１の電極材と異なる第２の電極材で形成された複数の第２の電極層とが、キャパシタ絶縁膜を介して交互に積層されたキャパシタ１０２と、第１及び第２の電極層の側方に形成されており、第１の電極層と電気的に接続され、第２の電極層と電気的に絶縁されている、１つ以上の第１のコンタクトプラグ１７１Ａと、第１及び第２の電極層の側方に形成されており、第２の電極層と電気的に接続され、第１の電極層と電気的に絶縁されている、１つ以上の第２のコンタクトプラグ１７１Ｂとを備える。 （もっと読む）

【課題】絶縁耐圧を向上し、接続プラグのリセスをなくすための高度な平坦化を不要にし、メモリの高集積化も可能にした、半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板２と、駆動素子３と、駆動素子３に電気的に接続する第１プラグ８と、基板２の上方に形成されて、電極本体部１４ａの外側に延在してなる電極延在部１４ｂの底面側で、第１プラグ８に電気的に接続する下部電極１４と、下部電極１４の電極本体部１４ａ上に形成された強誘電体本体部１５ａ、及び下部電極１４の電極延在部１４ｂ上に、強誘電体本体部１５ａより薄厚に形成されてなる強誘電体延在部１５ｂ、からなる強誘電体膜１５と、強誘電体膜１５の強誘電体延在部１５ｂ上に形成されることなく、強誘電体本体部１５ａ上に形成された上部電極１６と、上部電極１６に導通して形成された第２プラグ１９と、を含む半導体装置１。 （もっと読む）

【課題】汎用性が高く、低コストで省資源である方法を採用し、実用性に富み、任意の場所、任意の形状に金属又は半導体を二次元的又は三次元的に形成できる半導体素子及びその製造装置を提供する。
【解決手段】炭素材料と金属酸化物材料又は半導体酸化物材料とを有する還元反応構造１Ａを持つ層構造３０Ａを準備し、還元反応構造１Ａに対して局所的にエネルギーを集中することが可能で、かつ還元反応構造１Ａに対して２次元的又は３次元的に走査することが可能な熱源を用い、この熱源によって酸化還元反応が起こる温度以上に還元反応構造１Ａの一部を走査しつつ選択的に加熱して、炭素材料により金属酸化物材料又は半導体酸化物材料をそれぞれ金属又は半導体に還元し、所望の形状の金属領域又は半導体領域（金属層又は半導体層３Ａ）を形成することによって製造されることを特徴とする半導体素子４０Ａとすることにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】寄生抵抗、寄生容量を低減する。
【解決手段】基板に、第１配線層１１１と、前記第１配線層１１１の上層に層間絶縁膜１３２と、前記層間絶縁膜１３２の上面に開口部を有し前記層間絶縁膜にホール１１２Ａと、前記ホール１１２Ａ内壁面を被覆する第１金属層１１２と、前記第１金属層１１２で被覆されたホール１１２Ａ内に第２金属層１１３と、前記第１金属層１１２の上層に誘電絶縁膜１３５と、前記誘電絶縁膜１３５の上層に第２配線層１１４−１１６と、を備え、前記ホール１１２Ａ内壁面を被覆する第１金属層１１２が前記誘電絶縁膜１３５下層の下部電極の少なくとも一部を形成し、前記第２配線層１１４−１１６の前記下部電極に対向する部分が前記誘電絶縁膜上層の上部電極Ｐ１を形成し、前記下部電極、誘電絶縁膜１３５および上部電極Ｐ１によってコンデンサ１６０が形成されている。 （もっと読む）