【課題】半導体発光素子からの光を反射するべくリードフレームの半導体発光素子側の表面に形成した銀めっき層が硫化し黒色化し易い欠点を解消するのと同時にリードフレームへのワイヤーボンディング性を維持した半導体発光装置を得る。
【解決手段】半導体発光素子を搭載するパッド部と、前記半導体発光素子とワイヤーボンディングにより電気接続するリード部とを有するリードフレームであって、該リードフレームの前記半導体発光素子側の表面に銀めっき層と、該銀めっき層の上に銀合金めっき層が積層され、前記銀合金めっき層はＸ成分として、Ｚｎ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｍｇ，Ｃｅ，Ｒｈ，Ｃｕ，Ｉｎ，Ｓｎのうち一つ以上を含有し、前記銀合金めっき層の厚さを下層である前記銀めっき層の厚さより薄くした半導体発光装置用リードフレームを用いる。 （もっと読む）

【課題】
ＬＥＤランプの点灯条件の変化に対応して都度閾値の設定を変更して電源回路を適切に制御するとともに所定範囲内の負荷電圧に適応し得るＬＥＤランプ点灯装置を提供する。
【解決手段】
ＬＥＤランプ点灯装置は、出力端TS1、TS2に接続したＬＥＤランプLSを点灯するとともに所定範囲の負荷電圧に対応可能な電源回路DOCと、ＬＥＤランプの点灯条件が変化したときに所定時間電源回路の出力電圧をサンプリングし、かつ平均化して得たサンプリング値を基準にして制御の閾値を都度決定するように構成されるとともに、出力電圧が閾値を逸脱したときに電源回路を制御して安全動作を行わせる制御手段CCと、を具備している。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る発光装置は、発光素子と、表面にめっき層を有し、発光素子が載置されるリードフレームと、リードフレームを保持する樹脂成形体と、を有する発光装置であって、めっき層は、上面の高さが異なる領域を少なくとも２以上有しており、高さが異なる領域の間に傾斜面を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光半導体素子を実装した基板と、この光半導体素子を封止する付加反応硬化型シリコーン樹脂を用いた発光デバイスにおいて、基板上に形成された金属電極の腐食を防止し、高信頼性の発光デバイスを提供することである。
【解決手段】光半導体素子を実装した基板と、この光半導体素子を封止する付加反応硬化型シリコーン樹脂と、基板上に形成された金属電極、特に銀電極の腐食を防止可能なプリコート組成物と、からなる高信頼性の発光デバイスであり、プリコート組成物が透明無機酸化物であることを特徴とする発光デバイスを提供する。 （もっと読む）

【課題】 金属電極の腐食を防止する電極腐食防止剤の作製、及びこれを用いた発光デバイスを提供することである。
【解決手段】 テトラアルコキシシラン、メチルトリアルコキシシラン、トリアルコキシビニルシラン、（３−メルカプトプロピル）トリアルコキシシランからなるシロキサン化合物を含むことを特徴とする電極腐食防止剤を作製し、これを発光デバイスに用いることにより、耐腐食性、耐熱性、耐光性を有する高信頼性の発光デバイスを提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明により、放熱性が良好で長期使用時の耐久性に優れ、製造コストが安価であり、光の指向性に優れ、対象となる表示部（受光部）へ的確にＬＥＤ光線を照射することが可能なバックライト用発光装置を提供する。
【解決手段】光沢度が８０〜１１０％であるＳｎめっき、Ｎｉめっき、Ａｇめっき、Ａｇ−Ｓｎ合金めっきからなるグループから選択された一種のめっきが表面に施された熱伝導率が１５０〜４００Ｗ／（ｍ・Ｋ）である凸凹部を有する銅或いは銅合金異形断面板と、当該異形断面板の凹部の側面に形成されたカソードパターニング回路およびアノードパターニング回路と、前記凹部の底面に直接実装され前記カソードパターニング回路およびアノードパターニング回路と配線により直列或いは並列に接続された複数個の発光素子と、当該複数個の発光素子を覆うように前記凹部内を封止する透明樹脂とから構成される。 （もっと読む）

【課題】容易に製造することができるとともに、長寿命化を図ることができ、複数並べたときに互いに隣り合う基板間の距離を小さくすることができるＬＥＤ基板装置、及びその製造方法を得る。
【解決手段】ＬＥＤ基板装置１は、表面７ａ、裏面７ｂ及び側面７ｃを持つ基板７と、基板７の表面７ａに設けられた複数のＬＥＤ素子８と、基板７の裏面７ｂを避けて、各ＬＥＤ素子８の少なくとも一部と基板７の表面７ａ及び側面７ｃとをまとめてコーティングするコーティング材３と、基板７に対して着脱可能で、基板７の裏面７ｂとの間に空間を介して基板７の裏面７ｂを覆う防水カバー４と、防水カバー４の外周部と基板７の裏面７ｂとの間をシールするシール材５とを備えている。 （もっと読む）

【課題】高いマイグレーション防止性と水素ブロック性とを両立する半導体発光素子、半導体発光素子の保護膜及びその作製方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に形成された複数の半導体層１２〜１４と、複数の半導体層１２〜１４の電極となる電極部１５、１６及び電極部１７、１８とを有する半導体発光素子において、その保護膜として、複数の半導体層１２〜１４、電極部１５、１６及び電極部１７、１８の周囲を、膜中のＳｉ−Ｈ結合量が１．０×１０²⁰［個／ｃｍ³］以下の窒化珪素からなるＳｉＮ膜２１で被覆する。 （もっと読む）

【課題】高効率な赤色蛍光体およびその製造方法であり、この赤色蛍光体を用いることで純白な照明が可能な白色光源および照明装置、さらには色再現性の良好な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】元素Ａ、ユーロピウム（Ｅｕ）、シリコン（Ｓｉ）、炭素（Ｃ）、酸素（Ｏ）、および窒素（Ｎ）を、下記組成式（１）の原子数比で含有する。


ただし、組成式（１）中、元素Ａは、少なくともカルシウム（Ｃａ）およびストロンチウム（Ｓｒ）を含む２族の元素である。また、組成式（１）中、ｍ、ｘ、ｙ、ｎは、３＜ｍ＜５、０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜９、０＜ｎ＜１０なる関係を満たす。このような赤色蛍光体によれば、元素Ａとして、カルシウム（Ｃａ）を含有せず、ストロンチウム（Ｓｒ）を含有する赤色蛍光体に比べて、量子効率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】可視光域である波長４００〜８００ｎｍの反射率が８０％以上を維持すると同時に、近紫外域である波長３４０〜３８０ｎｍ付近に出現する反射率吸収ピークを減衰あるいは消滅させて反射率低下を抑制することができる光半導体実装用基板を提供する。
【解決手段】導電性基板１上にめっき法で銀または銀合金からなる皮膜を形成し、該皮膜表面を電解処理、好ましくは該被膜を外気に曝すことなく電解処理して、原子間力顕微鏡（Ａｔｏｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：ＡＦＭ）で５μｍ×５μｍの視野内で測定した表面粗さＳａが２ｎｍを超えて５０ｎｍ未満の反射層２とする光半導体実装用基板の製造方法である。導電性基板上にめっき法で銀または銀合金からなる皮膜を形成した後、該皮膜を外気に曝すことなく電解処理することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤ用配線基板の耐久性を高めると共に反射性能を向上させる。
【解決手段】ＬＥＤ用配線基板１００が、絶縁層と、絶縁層上に形成された導体層２１（配線パターン層）と、絶縁層上に形成され、白色顔料及びその結合材から構成される白色反射膜１１と、を有する。そして、導体層２１は、配線パターン２１ｃ（第１配線パターン）及び配線パターン２１ｄ（第２配線パターン）を有し、白色反射膜１１は、配線パターン２１ｃと配線パターン２１ｄとの間に、配線パターン２１ｃ及び２１ｄのいずれよりも薄い部位を有する。 （もっと読む）

【課題】発光素子を封止する封止部材の剥離を抑制できる発光装置及び照明装置を提供することを課題とする。
【解決手段】発光装置は、表面に発光素子を実装した基板、この基板の表面に発光素子の実装領域を除いて積層した光反射層、および発光素子を封止した封止部材を有する。光反射層が発光素子の実装領域に接する縁部には、封止部材に向けて突出した係合突起が設けられている。係合突起は、封止部材の中に突出して封止部材の剥離を抑制する。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤ素子の周りに蛍光体を偏在させ方位角による色ムラを軽減したＬＥＤ装置がある。このようなＬＥＤ装置を長寿命化しとようとしたとき、これまで知られているガラス封止構造は製造しづらかった。
【解決手段】底部が平坦な凹部３１ａを有するガラス３１を備え、凹部３１の底部と側部に間隙を有するようにＬＥＤ素子３６を配置し、この間隙に蛍光体３２が充填されている。蛍光体３２の大部分がガラス３１により封止され長寿命化する。さらに蛍光体層３２の下面とともにガラス３１下面にガスバリア層３７を形成する。 （もっと読む）

【課題】温度上昇に起因して赤色ＬＥＤ列で発生する輝度減衰を低減することが可能なＬＥＤデバイスを提供する。
【解決手段】ＬＥＤデバイス１００は、ドライバ１１０と、ドライバに直列で結合されている赤色ＬＥＤ列１２０と、赤色ＬＥＤ列と並列に、ドライバと直列に結合されているインピーダンス供給部１３０とを備え、インピーダンス供給部は、値が周囲温度の変化に正比例して変化するシャントインピーダンスを供給し、ドライバは、赤色ＬＥＤ列および少なくとも１つのインピーダンス供給部と直列に結合され、シャントインピーダンスおよび内部インピーダンスに応じて、赤色ＬＥＤ列および少なくとも１つのインピーダンス供給部を流れるように分割される駆動電流を供給する。 （もっと読む）

【課題】ワイヤーボンディング時におけるボンダビィリティーを良好にすることができ、更に硬化物の耐熱クラック特性を高めることができる光半導体装置用ダイボンド材を提供する。
【解決手段】光半導体装置用ダイボンド材は、下記式（１）で表され、かつアリール基と珪素原子に結合した水素原子とを有する第１のシリコーン樹脂と、下記式（５１）で表され、かつ珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアリール基及びアルケニル基を有する第２のシリコーン樹脂と、ヒドロシリル化反応用触媒と、酸化珪素粒子とを含む。光半導体装置用ダイボンド材では、上記第１のシリコーン樹脂が、ジメチルシロキサン骨格を有さず、かつ上記第２のシリコーン樹脂が、ジメチルシロキサン骨格を有さない。
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【課題】窒化物膜の酸化の進行を抑制し信頼性が高く、優れた光学特性を有する誘電体多層膜を備える半導体素子を提供する。
【解決手段】本発明の半導体素子(100)は、発光又は受光素子構造を含む半導体の積層体(20)と、該積層体(20)の外面を被覆する誘電体多層膜(40)と、を備え、前記誘電体多層膜(40)は、窒化物の第１膜(41)と、該第１膜(41)に接して設けられた酸化ホウ素の第２膜(42)と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】発光素子用基板におけるガラスセラミックスの変色を抑制できるアルミナフィラーを提供すること。
【解決手段】発光素子を搭載する発光素子用基板の製造に用いられるアルミナフィラーであって、アルミナフィラーと、前記アルミナフィラーの表面を被覆し、アルミニウム以外の金属の酸化物からなる被覆層とを有することを特徴とする被覆アルミナフィラー。 （もっと読む）

【課題】支持基板と半導体層とを分離するために照射される光について、支持基板と半導体層との間に形成される中間層の光熱変換層で吸収されない光が半導体層に透過するのを防止する半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】本半導体デバイスの製造方法は、光熱変換層２１と第１の透明層２３とを含む中間層２０を有する積層支持基板１の作製工程と、積層貼り合わせ基板２の作製工程と、エピ成長用積層支持基板３の作製工程と、デバイス用積層支持基板４の作製工程と、デバイス用積層支持基板４の光熱変換層２１で吸収され第１の透明層２３で全反射されるように光照射することによるデバイス用積層ウエハ５の作製工程と、透明半導体積層ウエハ６を含む半導体デバイス７の作製工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】透光性、耐熱性および粘着性（ベタツキ）を顕著に改善することができる封止材用透光性樹脂、該透光性樹脂を含む封止材および電子素子を提供する。
【解決手段】本発明による封止材用透光性樹脂は、末端にケイ素原子に結合した水素原子（Ｓｉ−Ｈ）を有する第１ポリシロキサン、および末端にケイ素原子に結合したアルケニル基（Ｓｉ−Ｖｉ）を有する第２ポリシロキサンを含み、前記ケイ素原子に結合したアルケニル基（Ｓｉ−Ｖｉ）の数（ｎ_Ｖｉ）に対する前記ケイ素原子に結合した水素（Ｓｉ−Ｈ）の数（ｎ_Ｈ）の割合（ｎ_Ｈ／ｎ_Ｖｉ）は、１〜１．２である。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤ装置の封止体に対して接着することにより、レンズ付ＬＥＤ装置の樹脂部分の劣化を抑制できる樹脂レンズを提供することを目的とする。
【解決手段】ＬＥＤ素子を封止する透明樹脂封止体を備えたＬＥＤ装置の透明樹脂封止体に接着されるシリコーンレンズであって、レンズ部と透明樹脂封止体に接着される被接着面とを有するシリコーン樹脂成形体からなるレンズ本体と、被接着面に形成されたガスバリア層とを備え、ガスバリア層がレンズ本体を形成するシリコーン樹脂よりもガスバリア性の高い層であることを特徴とする樹脂レンズ等である。 （もっと読む）