説明

Fターム[5F041DA02]の内容

発光ダイオード (162,814) | パッケージング (50,429) | マウント (3,030) | 導電性接着剤を用いるもの (856)

Fターム[5F041DA02]に分類される特許

81 - 100 / 856


【課題】 導電部材などに用いられる銀の劣化を抑制し、高出力で信頼性の高い発光装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 パッケージ上に銀含有膜を設ける第1の工程と、銀含有膜の上に発光素子の底面を接合する第2の工程と、銀含有膜の上に第1の絶縁部材を設ける第3の工程と、第1の絶縁部材上に第1の絶縁部材とは異なる第2の絶縁部材を設ける第4の工程と、発光素子を被覆する封止部材を形成する第5の工程と、を有する発光装置の製造方法に関する。 (もっと読む)


【課題】光学特性が非常に優れた光デバイスを提供することを課題とする。
【解決手段】正負のリード電極、及び反射材を有する半導体発光素子支持部材であって、前記反射材の、波長460nmの光の反射率が、前記正負のリード電極のうち少なくとも1つの電極の、波長460nmの光の反射率よりも高いことを特徴とする、半導体発光素子支持部材。 (もっと読む)


【課題】LEDチップの温度上昇を抑制できて光出力の高出力化を図れ、且つ、複数のLEDチップを直列接続して用いるLEDユニットの低コスト化を図れるリードフレーム、配線板、LEDユニットを提供する。
【解決手段】リードフレーム30は、1ピッチの外枠部31の内側に支持片32を介して支持されたパターン33が、LEDチップを搭載するダイパッド34と、ダイパッド34からダイパッド34を取り囲むように延設されたヒートシンク35と、一方の電極11がヒートシンク35に電気的に接続されるLEDチップの他方の電極と電気的に接続されるリード36とを具備する単位ユニット33aを複数備え、互いに隣り合う単位ユニット33aの一方の単位ユニット33aのリード36と他方の単位ユニット33aのヒートシンク35とが連結され電気的に直列接続されている。 (もっと読む)


【課題】LED素子11の実装方法を改善する。
【解決手段】LED素子11のn側電極15とp側電極16を、LED素子11の光放射領域の側縁に沿って直線状に形成する。p側電極16は、透明な電極材料であるITO又はAu等の金属ナノ粒子を含有する金属ナノ粒子インクをインクジェットで線状に印刷して形成する。n側電極15も、Auナノ粒子インク等の金属ナノ粒子インクをインクジェットで線状に印刷して形成しても良い。LED素子11の両側の電極15,16と配線基板20のランド21,22との間に、絶縁性樹脂を用いてディスペンサ等により斜面部23,24を形成し、LED素子11の両側の電極15,16と配線基板20のランド21,22との間を接続する配線パターン25,26を、Agナノ粒子インク等の金属ナノ粒子インクをインクジェットで斜面部23,24の表面に印刷して形成する。 (もっと読む)


【課題】照明光の色調を可変とすることに伴う照明装置の劣化を抑制することが可能な照明装置を提供する。
【解決手段】蛍光体を励起する光を発光する発光装置1と、該発光装置1から放射された光を調光して透過させる調光部2と、該調光部2が透過した光を吸収し異なる波長の可視光に変換する前記蛍光体を有する波長変換部3r,3g,3bを備えた光出射部3とを有し、調光部2は、発光装置1から放射された光の透過光量をそれぞれ異ならせる複数個の透光部2a,2b,2cを有するとともに、光出射部3は、複数個の透光部2a,2b,2cに対応して波長変換部3r,3g,3bを少なくとも一つ配置されてなることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】パッケージに発光ダイオード素子が搭載された発光デバイスの信頼性を向上させる。
【解決手段】中央に窪みを有する白色ガラスからなるガラスパッケージ2と、その窪み5の底部に設けられたリード電極4と、窪み5に収納され、リード電極4の上に実装された発光ダイオード素子6と、発光ダイオード素子6を封止する低融点ガラス封止材7とから発光デバイス1を構成した。 (もっと読む)


【課題】小型化、薄型化した場合であっても、光半導体素子の発する光を十分に反射することを目的とする。
【解決手段】電極3a、電極3bの周囲に基板2が露出する露出領域7に、反射効率の高い絶縁反射被膜8を形成することにより、出射光を高率で反射すると共に、出射光が基板2を透過することを防ぐことができるため、小型化、薄型化した場合であっても、光半導体素子4の発する光を十分に反射することができる。 (もっと読む)


【課題】発光ダイオード(LED)素子等の発光素子を配線板に異方性導電接着剤を用いてフリップチップ実装して発光装置を製造する際に、製造コストの増大を招くような光反射層をLED素子に設けなくても発光効率を改善でき、しかも発光素子に亀裂や欠けが生じないようにする。
【解決手段】発光素子と、該発光素子が接続されるべき配線板との間に、熱硬化性樹脂組成物、導電粒子及び光反射性絶縁粒子を含有する光反射性異方性導電接着剤を配置した後、配線板に対して発光素子を、押圧面のショアAゴム硬度(JIS K6253)が40以上90未満であるエラストマーヘッドで加熱加圧して異方性導電接続を行うことにより発光装置を製造する。 (もっと読む)


【課題】パッケージ基材に清浄に光を反射する銀メッキを施すもので、その銀メッキの上にインジウムメッキ又はインジウム・コバルト合金メッキ処理を施すことにより、経時的に又熱を受けてもLEDの光の反射面が高輝度を維持するLEDパッケージを提供する。
【解決手段】LEDチップが底面に接合されて納められ透明封入材が充填されるキャビティを有し、キャビティの少なくとも底面が銀メッキによる反射面であるLEDパッケージにおいて、該銀メッキの上にインジウムメッキ又はインジウム・コバルト(In−Co)合金メッキが保護膜として施されている。
【効果】パッケージ基材に清浄に光を反射する銀メッキを施すもので、変色しやすいという銀メッキの欠点を解決し、その銀メッキの上にインジウムメッキ又はインジウム・コバルト(In−Co)合金メッキを施すことにより、経時的に変色が防止され、LEDに係る高温でも高輝度且つ高効率な反射面を安定して維持することができる。 (もっと読む)


【課題】発光ダイオードを小型薄型化することができる反射特性を向上させたセラミックスを提供すること。
【解決手段】本発明では、反射板及び同反射板を用いた発光ダイオード(1)並びにそのパッケージ(2)において、アルミナとジルコニアとの混合物を焼成したセラミックスを用いることにした。特に、前記ジルコニアの含有量を20〜50重量%とし、また、前記ジルコニアの粒径をアルミナの粒径よりも小さくし、或いは、前記アルミナとジルコニアとの混合物にバリウム化合物を2〜5重量%添加することにした。なお、発光ダイオード(1)は、発光ダイオード素子(3)を実装するためのベース体(4)の上部に、反射面(9)を有する開口(8)を形成したカバー体(5)を貼着した発光ダイオード用パッケージ(2)を用いた構造とした。 (もっと読む)


【課題】低コストで製造できて、高精細な表示が可能な表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、絶縁性フレキシブル基板1と、絶縁性フレキシブル基板1上に形成され、絶縁性フレキシブル基板1の横方向に沿って延びる複数の行配線2,2,…と、絶縁性フレキシブル基板1上に形成され、絶縁性フレキシブル基板1の縦方向に沿って延びる複数の列配線3,3,…と、絶縁性フレキシブル基板1上にマトリクス状に配置された棒状赤色LED素子6A、棒状緑色LED素子6Bおよび棒状青色LED素子6Cとを備えている。棒状赤色LED素子6A、棒状緑色LED素子6Bおよび棒状青色LED素子6Cは、それぞれ、幅に対する長さの比が5以上かつ400以下であり、かつ、その長さが0.5μm以上200μm以下である。 (もっと読む)


【課題】リードフレームが変色しにくい半導体発光装置を提供する。
【解決手段】半導体発光装置において、相互に離隔した第1及び第2のリードフレームと、前記第1及び第2のリードフレームの上方に設けられ、一方の端子が前記第1のリードフレームに接続され、他方の端子が前記第2のリードフレームに接続された発光素子と、を設ける。そして、前記第1及び第2のリードフレームには、それぞれ、基材と、前記基材の少なくとも上面上に形成され、厚さが2μm以上である銀めっき層と、前記銀めっき層上に形成され、前記銀めっき層よりも薄いロジウムめっき層と、を設ける。 (もっと読む)


【課題】耐久性が高く、コストが低いLEDパッケージを提供する。
【解決手段】相互に離隔した第1及び第2のリードフレームと、前記第1のリードフレーム上に搭載され、一方の端子が前記第1のリードフレームに接続され、他方の端子が前記第2のリードフレームに接続されたLEDチップと、前記他方の端子を前記第2のリードフレームに接続するワイヤと、前記第1及び第2のリードフレーム、前記LEDチップ、並びに前記ワイヤを覆う樹脂体と、を備える。前記第2のリードフレームは、下面の一部、上面及び端面が前記樹脂体によって覆われ、前記下面の残部が前記樹脂体の下面に露出したベース部と、前記ベース部から延出し、下面及び上面が前記樹脂体によって覆われ、先端面が前記樹脂体の側面に露出した複数本の薄片と、を有する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、信頼性の悪化を経ずに、反射率に優れる発光素子、発光素子パッケージ、及び照明システムを提供するためのものである。
【解決手段】本発明に従う発光素子は、第1導電型半導体層、活性層、及び第2導電型半導体層を含む発光構造物と、上記発光構造物の上に基板と、上記基板の上に第1屈折率を有する第1誘電体層と、上記第1誘電体層の上に上記第1屈折率と異なる第2屈折率を有する第2誘電体層を含んで形成された複数の誘電体層を含む第1反射層と、上記第1反射層の上に上記第1反射層を構成する複数の誘電体層の各屈折率より屈折率の小さい第2反射層と、を含む。 (もっと読む)


【課題】封止樹脂とレンズの境界面での剥離を防止するとともに、指向特性及び輝度が低下することを抑制することが可能な半導体装置を提供する。さらに、酸化や硫化によるリードフレームの変色を防止し、反射率の低下を抑制することにより良好な発光特性を維持することが可能な光半導体装置を提供する。
【解決手段】封止樹脂4と接触するレンズ1の少なくとも一部表面(空洞部102の表面)に対し、レンズ1及び封止樹脂4の双方に対して結合性を有する機能性有機分子の自己組織化膜として、有機被膜3を配設する。 (もっと読む)


【課題】光を効率よく取り出すことができるとともに、生産性を高めることができる発光装置を得ることにある。
【解決手段】発光装置は、基板(2, 62)、複数のパッド(9, 72)および複数の発光素子(3, 63)を備えている。前記パッド(9, 72)は導電性を有するとともに、前記基板(2, 62)の上に配列されている。電解めっきにより形成された反射層(22, 90)が前記パッド(9, 72)の表面にprovideされている。発光素子(3, 63)は、前記パッド(9, 72)の上に実装されている。前記基板(2, 62)の上に凹部(33, 105, 204)が残存されている。前記凹部(33, 105, 204)は、前記パッド(9, 72)が電気的に接続された前記基板(2, 62)の上のパターン(8, 71, 200)を除去することで前記基板(2, 62)に形成されている。 (もっと読む)


【課題】素子製造過程において高温の熱処理を施した場合であっても、Si基板上に形成されたAu層のAuがSi基板に拡散することのない金属被膜Si基板、ならびに、この金属被膜Si基板を用いた接合型発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】Si基板と、前記Si基板上の、接着層およびPt層が順に形成された初期積層体と、前記初期積層体上の、Auを含む第1金属層とを有する金属被膜Si基板において、上記初期積層体と上記Auを含む第1金属層との間に、TaN層およびW層からなる拡散防止積層体を介挿させ、前記TaN層の厚さが30nm超えで、かつ前記W層の厚さが200nm未満であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ガラス基板4の窪み2に発光素子6を封止した発光デバイス1の射出光強度を向上させる。
【解決手段】表面に窪み2が形成されたガラス基板4にリードフレーム5を埋め込み、リードフレーム5の一部が窪み2の底面に露出し、他の一部がガラス基板4の側面又は裏面から露出し、窪み2の底面に露出するリードフレーム5の上部に発光素子6を実装し、窪み2の底面に露出するリードフレーム5の表面にNi膜、Pt膜又はPd膜のいずれか一又は複数の膜とAg膜を積層した反射層11を形成した。 (もっと読む)


【課題】光取り出し効率を向上させることのできる半導体発光素子およびその製造方法を提供することを可能にする。
【解決手段】第1基板30上に、p型窒化物半導体層、窒化物半導体の多重量井戸構造を有する活性層、およびn型窒化物半導体層を、この順序で積層された第1積層膜を設ける工程と、n型窒化物半導体層の上面にn電極44を形成する工程と、n型窒化物半導体層の上面におけるn電極が形成された領域を除きアルカリ液を用いてウェットエッチングすることにより、n型窒化物半導体層の上面に凹凸を形成する工程と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】複数の発光セルが基板の上において電気的に接続された発光ダイオードを提供すること。
【解決手段】本発明の発光ダイオードは、基板と、基板上に配置され、基板上の下部半導体層、下部半導体層上の活性層、活性層上の上部半導体層をそれぞれ含む複数の発光セルと、複数の発光セル上にそれぞれ配置された上部電極と、基板と複数の発光セルの下部半導体層との間にそれぞれ配置された下部電極と、を含む発光ダイオードであって、複数の発光セルは、母基板が除去されており、複数の発光セルのうち一つの発光セルの下部電極は、一つの発光セルに隣接する複数の発光セルのうち別の発光セルに配置された上部電極に接続される。 (もっと読む)


81 - 100 / 856