【課題】簡単な装置構成で、ウェーハの表面全体において良好な平坦度が得られるようにした、枚葉式エッチング装置及び方法を提供する。
【解決手段】回転しているウェーハ２の表面にノズル２１からエッチング液を供給してウェーハ２の表面を１枚ずつエッチングする枚葉式エッチング装置において、ノズル２１をウェーハ２の回転中心Ｏ_１を通る揺動軌跡Ｌでウェーハ２の表面に沿って揺動させるノズル揺動装置２４を備えるとともに、ノズル２１が揺動方向に対して直交する方向に延びたスリット形状の吐出口２１ａを有するように構成する。 （もっと読む）

【課題】洗浄ムラの発生を防止して、洗浄後の被洗浄物の品質の低下を防止することができる洗浄装置を提供することを目的とする。
【解決手段】洗浄装置１は、基板１２を搬送する搬送コンベア３と、搬送される基板１２に対して、搬送コンベアの搬送方向と直交する全幅に渡って、洗浄剤１０を帯状に連続的に吹き付けて、基板１２を洗浄する洗浄剤吹き付けノズル４とを備えている。 （もっと読む）

単結晶シリコン基板を加工する方法において、シリコン基板は水平方向の搬送経路に沿って平坦にして搬送され、表面を微細加工するエッチング溶液はノズルなどの手段によって上から供給される。エッチング溶液は、シリコン基板の上面に連続的に数回にわたって上から供給され、基板の上面に残り、シリコン基板と反応する。
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【課題】本発明は、安定したエッチング処理を行うことができるエッチング処理方法、微細構造体の製造方法、およびエッチング処理装置を提供する。
【解決手段】硫酸溶液を電気分解して酸化性物質を生成するとともに、生成される前記酸化性物質の生成量を制御して、所定の酸化種濃度を有するエッチング溶液を生成し、生成された前記エッチング溶液を被処理物の表面に供給すること、を特徴とするエッチング処理方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】良質なエピタキシャル結晶を成長可能なエピタキシャル成長用のＣｄＴｅ系半導体基板の製造方法及びＣｄＴｅ系半導体基板を提供する。
【解決手段】所定の半導体をエピタキシャル成長させるためのＣｄＴｅ系半導体基板の製造方法において、基板表面を鏡面研磨した後又はエッチングした後、２４時間以内に非酸化性ガス雰囲気中で保管する。これにより、原子間力顕微鏡で基板表面を観察したときに１０μｍ×１０μｍの視野範囲内に高さ５ｎｍ以上の突起が観察されないＣｄＴｅ系半導体基板が実現される。 （もっと読む）

【解決手段】ウエハを支えるチャックにおける温度関連の劣化又は変形に対する耐性の向上は、チャック部品を高温処理流体による効果から物理的に且つ／又は熱的に保護する少なくとも１つの遮蔽部材によって提供される。 （もっと読む）

【課題】処理液補充方法と関連させることによって、より効率的に処理液を交換できるような、枚葉式の基板液処理装置における循環ラインの液交換方法を提供すること。
【解決手段】枚葉式の基板液処理装置１０であって、処理液を循環させる循環ライン１２と、前記循環ライン内に設けられたタンク１３と、前記タンクに設けられた液面レベルセンサ１４と、前記液面レベルセンサの出力に従って、前記タンク内に新しい処理液を補充する液補充部１５と、所定の液廃棄条件と連動して設定される所定の補充停止条件に従って、前記液補充部の作動を停止させると共に、前記所定の液廃棄条件で前記タンク内の処理液を全て廃棄させる液交換制御部１６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 酸化亜鉛系結晶からなる薄膜のエッチングにおいて、最適なエッチング速度でエッチング処理を施すことができ、配線パターンの粗密やパターン形状に依存せず、サイドエッチングや異方性エッチングを抑制し、且つエッチング残渣の発生を抑制するエッチング方法を提供すること。
【解決手段】 酸化亜鉛系結晶からなる薄膜を、エッチング液を用いてエッチングするエッチング方法であって、成膜基板上に前記薄膜を形成し、該薄膜の表面全体を亜鉛及び／又は亜鉛酸化物を構成成分とする炭化物系化合物からなる被膜によって被覆した後エッチング処理を施し、エッチング処理の途中から前記薄膜と前記エッチング液の相対関係を動的状態とすることを特徴とする酸化亜鉛系結晶からなる薄膜のエッチング方法とする。 （もっと読む）

【課題】被処理物に対して高精度のエッチング処理を行うことができるノズル、エッチング液供給装置を提供する。
【解決手段】ワークの被処理面にエッチング液を供給するノズル４は、エッチング液を送出する送出口を有する内管４１２および送出口から送出されたエッチング液を吸引する吸引口を有する外管４１１とから構成されるノズル本体４１と、所定時刻に送出口から送出され被処理面に供給されるエッチング液に温度勾配を設けることのできる加熱手段４２とを有する。 （もっと読む）

【課題】吸引口から吸引しきれなかったエッチング液を受けることにより、エッチング液による装置の腐食を防止することのできるノズル、このノズルを備えたエッチング液供給装置およびエッチング方法を提供すること。
【解決手段】ワーク１０の被処理面１０１にエッチング液を供給するノズル４であって、エッチング液を送出する送出口４１２ａおよび送出口４１２ａから送出されたエッチング液を吸引する吸引口４１３ａを有し、送出口４１２ａおよび吸引口４１３ａが被処理面１０１の下方に位置されたノズル本体４１と、吸引口４１３ａから吸引しきれなかったエッチング液を受ける液受け部４２とを有する。 （もっと読む）

【課題】基板に帯電した電荷が放電することによる静電破壊の発生を防止すること。
【解決手段】本発明では、基板（２）に液処理を施すための基板液処理装置（１）及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体（４８）において、基板（２）の回路形成面を基板処理薬液で液処理する液処理工程を行う前に、基板（２）の回路形成面とは反対面を除電処理液で処理することによって基板（２）に帯電した電荷を放出させる除電処理工程を行うようにした。 （もっと読む）

【課題】直線状又は螺旋状の深い孔を有する単結晶基板を低コストで提供する。
【解決手段】単結晶基板１は、主成分がシリコンからなり、＜１００＞方向に孔３が形成されており、その孔の底に銀粒子及び／又はパラジウム粒子が存在し、孔径／粒子径の比が１以上２以下であることを特徴とする。また、単結晶基板１は、主成分がシリコンからなる単結晶基板であって、孔径１０〜２００ｎｍ、螺旋径１００〜６００ｎｍの螺旋状の孔が形成されており、その孔の底に銀、白金及びパラジウムのうちから選ばれる一種以上の金属の微粒子が存在することを特徴とする。 （もっと読む）

平坦な基板の基板表面を基板下面においてプロセス媒質によって処理する方法において、プロセス媒質は、基板表面に対する除去又はエッチング効果を有する。基板は、水平に配置された方式により、下方からプロセス媒質によって湿潤される。上向きの基板上面は、基板上面に対して作用するプロセス媒質に対する保護として、水又は対応する保護液体により、大きなエリアにわたって又はエリアの全体にわたって、湿潤又はカバーされる。
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【課題】保守作業を簡易化してエッチング処理の効率を向上させることが可能なエッチング処理装置を提供する。
【解決手段】エッチング液を収納するエッチング槽１２と、エッチング槽１２に接続される駆動部２０、２２、２４と、駆動部の駆動部材の少なくとも一部に洗浄水を供給する洗浄部２８、３４とを備える。また、ひとつの実施形態で駆動部２０、２２、２４は、エッチング液を揺動させる揺動機構の揺動軸３６であり、前記揺動軸３６は軸受けプレート３５に覆われており、前記洗浄部２８、３４が、前記軸受けプレート２５の内部に前記洗浄水を供給する。 （もっと読む）

【課題】基板の乾燥後にリフトピンに処理液が残ることを防止し、このことにより液処理後の基板の裏面に処理液が付着することを防止することができる液処理装置および液処理方法を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置１０には、基板Ｗを保持する保持プレート３０と、保持プレート３０の上方に設けられ、基板Ｗを下方から支持するリフトピン２２を有するリフトピンプレート２０と、保持プレート３０により保持された基板Ｗの裏面に処理液を供給する処理液供給部４０とが設けられている。処理液供給部４０は、リフトピンプレート２０の貫通穴２０ａを塞ぐよう設けられたヘッド部分４２を有している。処理液供給部４０およびリフトピンプレート２０は保持プレート３０に対して相対的に昇降するようになっている。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置を検査するためのレシピを自動生成することによって、基板処理装置の検査工程を確実かつ簡単にする。
【解決手段】基板処理装置の制御装置１５は、コンピュータ１６と記憶装置１９とを備えている。記憶装置１９には、基板処理制御プログラムおよび検査レシピ自動生成プログラムが格納されており、さらに、レシピ、構成定義データおよび動作条件データを記憶できるようになっている。コンピュータ１６は、検査レシピ自動生成プログラムを実行することにより、基板処理装置が備える複数の構成要素を動作させるための処理手順を記述した検査レシピを生成して記憶装置１９に登録する。その際、コンピュータ１６は、構成定義データおよび動作条件データに基づいて、検査レシピを構成する処理手順を生成する。 （もっと読む）

本発明は、半導体装置の表面上への新規なエッチング組成物の非接触堆積方法、さらにはその後に行われる、これら半導体装置の最上部に位置する機能層のエッチングに関する。前記機能層は、表面パッシベーション層及び／又は反射防止コーティング（ＡＲＣ）として提供され得る。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、良好な平坦度及び膜厚均一性を有し、さらに品質の高いエピタキシャルシリコンウェーハを提供することにある。
【解決手段】鏡面研磨されたシリコンウェーハ１０（図１(ａ)）の表面上に、エピタキシャル膜２０を形成した後（図１(ｂ)）、前記シリコンウェーハの裏面のみに対し、研削加工処理、研磨加工処理あるいは化学エッチング処理を施し、エピタキシャル膜２０の形成時に前記シリコンウェーハ１０の裏面端部に付着したシリコン析出物２１を除去する（図１(ｃ)）ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 フォトマスクパターンを形成する場合と比較し、処理工程が少なく且つ設備コストも低廉なエッチング処理装置を提案する。
【解決手段】被処理物Ｗに着脱自在であり、当該被処理物Ｗに装着された状態にて当該被処理物Ｗの被処理面Ｗａの所定領域を被覆し、当該所定領域における前記処理液又は処理ガスの接触を遮断する被覆手段１４を備える。 （もっと読む）

【課題】研磨パッドを用いず、さらに砥粒を用いないスラリー液による絶縁膜への金属の平坦化埋め込み方法を提供する。
【解決手段】スラリー液に微細気泡（マイクロバブル）を分散させ、微細気泡の平均直径より微細な寸法のパターンを形成した基板に金属膜を堆積させ、微細気泡を分散したスラリー液に金属膜を堆積した基板を浸漬することにより、堆積した金属膜のうち凹部のものを残留させ、絶縁膜への金属の平坦化埋め込みを行う。 （もっと読む）