【課題】エッチングエンドのタイミングを確実に判別し、エッチングに必要な薬液の使用量を低減する。
【解決手段】エッチング室の入口から導入された処理基板を傾斜した状態で搬送する送りローラと、エッチング室内において送りローラによって搬送される処理基板に向けてエッチングに必要な薬液を吐出する吐出ノズルと、エッチング室内の入口側に設けられ傾斜した状態で搬送される処理基板の傾斜上方に位置する一端部に対向する第１センサ、エッチング室内の入口側に設けられ傾斜した状態で搬送される処理基板の傾斜下方に位置する他端部に対向する第２センサ、エッチング室内の出口側に設けられ処理基板の一端部と他端部との間の中央部に対向する第３センサを含むセンサ群と、センサ群に含まれる第１乃至第３センサの各々からの出力信号に基づいてエッチングエンドを判別する演算装置と、を備えたエッチング装置。 （もっと読む）

【課題】基板の下面に薬液を吐出するノズルと、基板の下面に処理液とガスを混合した二流体を吐出するノズルとを有する液処理装置において、ガス吐出用のラインに薬液が侵入することを防止する。
【解決手段】装置は、基板の下面に薬液を含む処理流体を吐出するための第１の吐出口６１と、基板の下面に処理液とガスとを混合した二流体を吐出するための第２の吐出口６２と、を有するノズル６０とを備える。ノズルの第２の吐出口の部分において第２の吐出口に処理液を導くための処理液吐出路６７ｂと第２の吐出口にガスを導くためのガス吐出路６８ｂが合流している。二流体スプレー処理を実行する際は、二流体スプレー処理の実行に必要な第１の流量でガスが第２の吐出口に流され、二流体スプレー処理を実行しない場合には、少なくとも第１の吐出口から第１の薬液が吐出されているときには、第１の流量よりも少ない第２の流量でガスが第２の吐出口に流される。 （もっと読む）

【課題】薬液処理時に発生しうる薬液雰囲気の拡散を防止しつつ、基板を加熱しながら加熱流体により基板のパターン形成面を効率良く処理することができる液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置は、基板Ｗの周縁部を保持する保持部材を有し、基板を水平に保持する基板保持部２２，３０と、基板保持部を回転させる回転駆動部３９と、基板保持部に保持された基板の下面の下方に位置するように設けられ、基板保持部により保持された基板の下面に薬液を吐出する、吐出口を有するノズル６０と、ノズルに加熱した薬液を供給する薬液供給機構７０ａ，７０ｂと、基板保持部により保持された基板の上面を覆うカバー部材８０と、カバー部材に設けられ、カバー部材が基板の上面を覆っているときに基板の上面側から基板を加熱するヒーター８３と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】エッチング速度が大きく、シリコン酸化物に対するシリコン窒化物のエッチング選択比が高い液処理方法、液処理装置及び前記方法を記憶した記憶媒体を提供する。
【解決手段】シリコン窒化物とシリコン酸化物とが露出した基板をエッチング溶液によりエッチングするにあたり、フッ素イオン源と、水と、沸点調節剤とを混合してエッチング溶液を調製し、このエッチング溶液により前記基板をエッチングしたときにシリコン窒化物のエッチング速度が１００Å／分以上となり、シリコン酸化物のエッチング速度に対するシリコン窒化物のエッチング速度の比が７５以上となるように、当該エッチング溶液の温度を予め設定した時間１４０℃以上の温度に維持してから、当該エッチング溶液により前記基板をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】基板の処理対象面を下向きにして基板を処理する際に、基板下面に付着した純水をＩＰＡに効率よく置換すること。
【解決手段】基板処理方法は、処理対象面が下面となるように基板Ｗを保持して回転させる工程と、基板の下面にＤＩＷ（純水）を供給して基板にリンス処理を施す工程と、その後、基板の下面にＩＰＡ（イソプロピルアルコール）とＮ_２ガスとを含むミストを供給してＤＩＷをＩＰＡで置換する工程と、を備える。ミストの供給は、基板の中心部に対向する位置と基板の周縁部に対向する位置の間に配列された複数の吐出口６２を有する、基板の下方に設けられたノズル６０により行われる。 （もっと読む）

【課題】処理室内に複数のノズル支持アームを進出させることができる液処理装置および液処理方法を提供する。
【解決手段】液処理装置１０は、処理室２０と、基板保持部２１に保持された基板Ｗに対して流体を供給するためのノズル８２ａと、ノズル８２ａを支持するノズル支持アーム８２と、処理室２０に隣接して設けられ、当該処理室２０から退避したノズル支持アーム８２が待機するためのアーム待機部８０と、を備えている。液処理装置１０において、ノズル支持アーム８２ｐ〜８２ｕは複数設けられており、ノズル支持アーム８２ｐ、８２ｒ、８２ｔはノズル支持アーム８２ｑ、８２ｓ、８２ｕと高さレベルが異なるようになっている。 （もっと読む）

【課題】処理室とアーム待機部とを区画する壁に、ノズル支持アームが通過可能な開口が設けられているときに、この壁の開口をノズル支持アームにより塞ぐことにより処理室内の領域とアーム待機部の領域とを隔離することができる液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置１０において、処理室２０とアーム待機部８０とを区画する壁９０が設けられており、この壁９０のアーム洗浄部８８にはノズル支持アーム８２が通過可能な開口８８ａが設けられている。ノズル支持アーム８２は、アーム待機部８０で待機しているときにこの壁９０のアーム洗浄部８８の開口８８ａを塞ぐようになっている。 （もっと読む）

【課題】エッチングラインにおける水使用状況等の時間変化を把握し、効率の悪い状況の発見を容易とするエッチングラインの水使用量管理システム等を提供する。
【解決手段】水使用量管理システム１が、エッチングライン１００の水使用量を所定の時間間隔で計測しＰＣ３００に送信する流量計１５０と、センサ３１により検知したエッチングライン１００上の基板７０の有無をエッチングライン１００の運転情報として受信してＰＣ３００に送信するＰＬＣ２００と、水使用量、エッチングライン１００の運転情報を受信し、水使用金額を算出し、水使用量と運転状況、水使用金額を水使用量管理画面としてリアルタイムに表示するＰＣ３００とを具備する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ半導体の表面特性を向上できるＳｉＣ半導体の洗浄方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ半導体の洗浄方法は、以下の工程を備えている。ＳｉＣ半導体の表面にイオン注入する。表面に酸化膜を形成する。酸化膜を除去する。形成する工程では、１５０ｐｐｍ以上の濃度を有するオゾン水を用いて酸化膜を形成する。形成する工程は、ＳｉＣ半導体の表面およびオゾン水の少なくとも一方を加熱する工程を含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】基板を支持するスピンヘッドを提供する。
【解決手段】スピンヘッドは、回転可能なボディと、上部に突出し、かつ回転時ボディに置かれた基板の側部を支持するチャックピンとを有する。チャックピンは、上下方向にボディに提供された垂直ロッドを有する。基板が回転する時、垂直ロッドは基板から側方向に離隔するように位置される。支持ロッドは、流線型に提供された側面を有する。支持ロッドは、上部から見る時、幅が漸進的に減少する接触部を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成されたパターンの破損を回避しつつ、基板に対する洗浄能力を低下させずに洗浄を行うことができる。
【解決手段】基板上を複数の領域に区切り、領域毎にその位置情報とパターン情報を取得する情報取得部１１と、位置情報とパターン情報に基づいて、領域毎に基板に薬液を吐出するときの処理条件を決定する条件決定部１２と、基板に薬液を吐出する吐出部１５と、吐出部１５を基板の一端から他端への第１方向に向かって基板に対して相対的に移動する位置制御部１３と、位置制御部１３により移動される吐出部１５が基板上の領域の上方を通過するとき、前記処理条件に従って吐出部１５から吐出される薬液の圧力を調整する吐出調整部１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板のエッチング方法であって、Ｓｉ基板を高速かつ平坦にウェットエッチングすることのできるエッチング方法を提供すること。
【解決手段】フッ硝酸は、一般にＨＦ（ａ）ＨＮＯ₃（ｂ）Ｈ₂Ｏ（ｃ）（ここで、ａ、ｂ及びｃの単位はｗｔ％、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００）と書ける。本発明者らは、組成を適切に選択することで、高濃度フッ硝酸によるＳｉＯ₂層のエッチングレートがＳｉ基板と比較して著しく低くなることに見出し、Ｓｉ基板を、ＳｉＯ₂層が露出するまでエッチングを行う。このようにすることで、Ｓｉ基板を高速にエッチングすることができ、かつ、エッチングされた表面の平坦性を従来に比して顕著に向上することができる。高濃度フッ硝酸の組成が僅かにＳｉＯ₂層をエッチングするものであっても、Ｓｉ基板のエッチングが高速に終了するため、実質的にＳｉＯ₂層のエッチングはほとんど進まず、平坦な表面を有するＳｉＯ₂層が露出する。 （もっと読む）

【課題】基板を均一にエッチングするために有利な技術を提供する。
【解決手段】エッチング装置は、第１面および第２面を有する基板の前記第１面をフッ化水素および硝酸を含むエッチング液によってエッチングするように構成され、前記基板の前記第２面を保持するチャックと、前記チャックを回転させることによって前記基板を回転させる回転機構と、フッ化水素および硝酸を含むエッチング液を前記回転機構によって回転させられている前記基板の前記第１面の中央部分に供給する第１供給部と、前記回転機構によって回転させられている前記基板の前記第１面の前記中央部分より外側の外側部分に補充液を供給する第２供給部とを含む。前記補充液は、フッ化水素および硝酸のうちの一方の酸を含み他方の酸を含まない。 （もっと読む）

【課題】可能な限り従来の設備及び加工プロセスを継承してコストの上昇を抑制するも、Ｔａ含有の導電材料を難除去性の残留付着物を発生せしめることなく所望に加工し、容易且つ確実に信頼性の高い半導体装置を実現する。
【解決手段】半導体基板上に、Ｔａ含有層、ＴｉＮ層、及び多結晶シリコン膜等のドライエッチング可能な層を順次積層し、ＴｉＮ層をエッチングストッパーとして多結晶シリコン膜をドライエッチングして所定形状に残し、ＴｉＮ層及びＴａ含有層をＳＰＭ、ＡＰＭ等を用いてウェットエッチングして多結晶シリコン膜下で所定形状に残す。 （もっと読む）

【課題】回転する被処理基板の下面側に供給された処理液の上面側への回り込みを効果的に抑制できる液処理装置を提供する。
【解決手段】回転基体２１は、被処理基板Ｗを水平に保持した状態で回転させ、処理液供給部２４３からは回転している被処理基板Ｗの下面に処理液が供給される。囲み部材３は回転する被処理基板Ｗを囲むように設けられ、振り切られた処理液をその下面にてガイドし、当該囲み部材３の下面側に、各々内縁側から外方に向かって伸びると共に周方向に沿って配列された複数のガイド溝部３２は、被処理被処理基板Ｗの周縁部に到達した処理液を毛管作用により外方側に引き出して、その上面側への処理液の回り込みを抑える。 （もっと読む）

【課題】処理液消費量の低減を実現できるとともに、基板の広範囲に処理液を行き渡らせることができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】ノズル３の対向面２３には吐出口２６が形成されている。対向面２３を、水平姿勢のウエハＷ表面に微小間隔Ｓを隔てて対向配置させる。ウエハＷの回転開始後、ウエハＷ表面の対向領域Ａ１と対向面２３との間の空間にＤＩＷを供給し、当該空間を液密状態とするとともにＤＩＷの供給を停止して、当該空間にＤＩＷの液溜まりＤＬを形成する。液溜まりＤＬの形成後、吐出口２６からＤＩＷが吐出される。ウエハＷの表面にＤＩＷの液膜が形成された後、吐出口２６からＤＩＷに代えて薬液が吐出される。ウエハＷの表面を覆う液膜が、ＤＩＷから薬液へと置換される。 （もっと読む）

【課題】基板の表面の全域に対して、薬液による処理を均一に施すことができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】高温エッチング液供給工程では、高温（約６０℃）のエッチング液がウエハの表面に供給される。このエッチング液の供給と並行して、ウエハが回転される。高温エッチング液供給工程の後、ウエハＷの回転速度が所定の低回転速度（たとえば１０ｒｐｍ）まで減速される。また、ＤＩＷノズル６からＤＩＷ、回転中のウエハＷの表面の中央部に供給される。ウエハＷ表面に供給されたＤＩＷにウエハＷの回転による遠心力はほとんど作用せず、ウエハＷ表面の中央部に供給されたＤＩＷは当該中央部に留まり、ウエハＷ表面の周縁部にエッチング液が残留する。この残留エッチング液により、ウエハＷ表面の周縁部がエッチング処理される。 （もっと読む）

【課題】沸点付近のリン酸水溶液を含む処理液を基板に供給することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】リン酸、硫酸、および水が、第１タンク１５からスピンチャック２に保持された基板Ｗに至る処理液の流通経路Ｘ１に供給される。これにより、リン酸、硫酸、および水の混合液が生成される。また、硫酸を含む液体と水を含む液体とが流通経路Ｘ１において混合され、リン酸、硫酸、および水の混合液の温度が上昇する。スピンチャック２に保持された基板Ｗには、沸点付近のリン酸水溶液を含む混合液が供給される。 （もっと読む）

【課題】特殊な技術を用いることなく、ＬＥＤの光取り出し面を構成する半導体膜の表面を、効率よくエッチングして粗面化（凹凸化）することが可能なエッチング液組成物および該エッチング液組成物を用いたエッチング方法を提供する。
【解決手段】無機酸と、金属化合物とを含む組成とする。
さらに、有機酸、有機酸塩、無機酸塩、界面活性剤のいずれかを含む組成とする。
さらに、無機酸として、塩酸、リン酸、硫酸、硝酸のいずれかを含む組成とする。
また、金属化合物として、鉄系化合物を用いる。
有機酸および有機酸塩として、モノカルボン酸、ポリカルボン酸、オキシカルボン酸、ホスホン酸、スルホン酸およびその塩からなる群より選ばれる少なくとも１種を用いる。
本発明のエッチング液組成物を用いて、ＡｌＧａＩｎＰ膜、ＡｌＧａＡｓ膜、ＧａＡｓＰ膜のいずれか半導体膜をエッチングし、表面を粗面化する。 （もっと読む）

【課題】基板主面の全面に亙るウェット処理の均一化を図り、処理の歩留まりの向上や品質改善を達成することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】スプレーパイプ部２２と、スプレーパイプ部２２の長手方向に一列に互いに近接して形設され薬液をその吐出口２６から基板Ｗの表面１０２へ吐出する複数のノズル部２４から構成される複数のスプレーノズル１４とを備え、基板Ｗの表面１０２に対する複数のノズル部２４の吐出口２６の対向角度を、傾斜させた姿勢で搬送される基板Ｗの表面１０２の傾斜下端方向に向けて、基板Ｗの表面１０２の傾斜上端部付近から傾斜下端部付近にかけて、基板Ｗの表面１０２の法線３００に対して漸次小さくなるように、複数のノズル部２４を複数のスプレーパイプ部２２に形設することにより、基板Ｗの表面１０２上において吐出後の薬液の流速を傾斜上端部付近では相対的に小さく傾斜下端部付近では相対的に大きくする。 （もっと読む）