【課題】エッチング残渣を良好に除去することが可能なウエットエッチング方法及びウエットエッチング装置を提供する。
【解決手段】本発明のウエットエッチング方法は、基板Ａ上に形成された少なくとも１層の膜をウエットエッチングする処理工程と、処理工程を終えた基板Ａを水洗する水洗工程と、水洗工程を終えた基板Ａを乾燥する乾燥工程とを含み、処理工程と水洗工程との間に、超音波を印加したエッチング液ＥＬを基板Ａに噴射する超音波液噴射工程を実施する。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成されたパターンの破損を回避しつつ、基板に対する洗浄能力を低下させずに洗浄を行うことができる。
【解決手段】基板上を複数の領域に区切り、領域毎にその位置情報とパターン情報を取得する情報取得部１１と、位置情報とパターン情報に基づいて、領域毎に基板に薬液を吐出するときの処理条件を決定する条件決定部１２と、基板に薬液を吐出する吐出部１５と、吐出部１５を基板の一端から他端への第１方向に向かって基板に対して相対的に移動する位置制御部１３と、位置制御部１３により移動される吐出部１５が基板上の領域の上方を通過するとき、前記処理条件に従って吐出部１５から吐出される薬液の圧力を調整する吐出調整部１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板からの被覆物の除去処理を短時間化できる上、バリ発生のない高品質なパターン生成を行うことができるようにする。
【解決手段】フォトレジストに対して溶解性がない純水２００中にシリコン基板１００を浸漬させた状態で、ホーン型超音波発生器２０から純水２００を介してシリコン基板１００に対して強力な超音波を照射することにより、金属膜の殆ど全てとフォトレジストの一部とを金属疲労の原理により、バリの発生もなく短時間で除去することができようにするとともに、金属膜を除去した後、フォトレジストに対して溶解性のあるＩＰＡを用いることによって、残ったフォトレジストを完全に除去する。 （もっと読む）

【課題】新たな手法を用いて基板の表面から膜を除去する液処理装置等を提供する。
【解決手段】第１の膜の上層に第２の膜が形成された基板から、第１の膜及び第２の膜を除去する液処理装置３において、第１の薬液供給部５１は基板Ｗに第１の膜を溶解させるための前記第１の薬液を供給し、第２の薬液供給部５１は前記第２の膜の強度を低下させるための第２の薬液を供給し、衝撃供給部としての機能を兼ねる流体供給部５２は第２の膜に物理的衝撃を与えて当該第２の膜を破壊すると共に破壊された第２の膜の破片を流し去るための流体を供給する。制御部７は第２の薬液を供給し、次いで前記流体供給部５２から流体を供給した後、第１の薬液を供給するように各部を制御する。 （もっと読む）

【解決手段】多孔質リフトオフ層は、半導体などの表面からの皮膜の除去を促進する。皮膜をパターン形成された多孔質層上に適用する。当該層は典型的には膜厚よりも大きい開口を含む。次いで、皮膜が求められていない領域から多孔質材料および皮膜を除去する。多孔質層は、乾燥させると孔隙が形成されるスラリーとして、または熱もしくは溶媒の適用により分離するフィールド内の不安定粒子として付与することができる。孔隙を通って進入するエッチング液によって皮膜を除去することができ、その孔隙では、皮膜が固体部分間のスペースを橋かけしていないため、エッチング液が皮膜の両表面を攻撃する。 （もっと読む）

【課題】処理対象物の表面の損傷を抑制して表面処理の高効率化を図ることができる表面処理装置を提供する。
【解決手段】電子ビーム照射部１０の窓１４から出力された電子ビームは、薄膜２７を通過して配管２４内の処理溶液８０に照射され、その処理溶液８０を活性化する。その活性化された処理溶液８０は、溶液タンク２３に注がれ、その溶液タンク２３の中に入れられた処理対象物９０の表面処理に使われる。処理溶液８０が酸またはアルカリを含む場合、その処理溶液８０に電子ビームが照射された後でも、その処理溶液８０の活性化状態は充分に長い時間に亘って持続する。したがって、電子ビームが照射されて活性化された処理溶液８０が処理対象物９０の表面に供給される場合にも、その処理対象物９０の表面処理の効率化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】シリコン等の基板上に回路等のパターンを生成する場合において、構成の簡略化及び処理コストの低減化を実現し、シリコン基板から剥離したフォトレジスト及び金属膜などの汚れがシリコン基板上に再付着するのを防止し得るウエット処理方法及びウエット処理装置を提供する。
【解決手段】シリコン基板Ｓからフォトレジスト及び金属膜を除去する不燃性液体Ｌを収容可能なスピンステージ２にシリコン基板Ｓをセットすると共に、スピンステージ２に不燃性液体Ｌを入れてシリコン基板Ｓを不燃性液体Ｌ中に没入させた後、ホーン型超音波発生器３の超音波ホーン３Ｃを不燃性液体Ｌ中においてシリコン基板Ｓの表面に適宜間隔をもって対峙させて、シリコン基板Ｓの表面に向けて超音波を照射するのに続いて、スピンステージ２をその中心回りに回転させて、シリコン基板Ｓから除去されたフォトレジスト及び金属膜を不燃性液体Ｌとともにスピンステージ２の外側に排出させる。 （もっと読む）

【課題】処理槽内の洗浄液に浸漬された基板に対し超音波を照射して基板を洗浄する場合に、装置の構造を複雑化させることなく、基板の洗浄面全域に効果的に超音波を照射して洗浄効果の均一性を高めることができる方法を提供する。
【解決手段】吐出管２０から供給された洗浄液が処理槽１０内の洗浄液中に拡散していくときの流動分布の推移状況と、処理槽１０の底部側から照射された超音波が処理槽内の洗浄液中を伝播していくときの合成波面の進行状況とが相互に適合するように、基板Ｗの配列方向と直交する方向に並設された複数の超音波振動子群２２からそれぞれ位相をずらして超音波を照射する。 （もっと読む）

【課題】複数の薬液について被処理基板に対する処理方法を異なるものとすることにより、各薬液を用いた場合における被処理基板に対するそれぞれの処理性能を向上させることができる基板処理装置等を提供する。
【解決手段】薬液の種類が第１の薬液に設定された場合には、処理液が貯留されるとともに被処理基板が収容された処理槽１２に対してまず第２領域１２ｂに第１の薬液を供給し、整流部材２８を介して第２領域１２ｂから第１領域１２ａに第１の薬液を流入させ、この際に第１領域１２ａ内において第１の薬液の上昇流の整流を形成する。一方、薬液の種類が第２の薬液に設定された場合には、処理液が貯留されるとともに被処理基板が収容された処理槽１２に対して第１領域１２ａあるいは第１領域１２ａおよび第２領域１２ｂの両方に第２の薬液を供給する。 （もっと読む）

【課題】薬液処理時に発生する薬液蒸気が処理槽を有するシンク外へ飛散するのを効果的に抑えて高品質の基板処理を可能にした基板処理装置を提供すること。
【解決手段】上方が開口した有底の容器からなる処理槽２Ａ〜２Ｄと、ウェーハＷを把持する把持機構１１と、把持機構が連結されてウェーハの処理槽内に貯留された処理液への浸漬及び処理槽内からの引き上げを行う昇降装置１０と、昇降装置が連結されてウェーハを処理槽へ搬送する搬送装置７と、を備える基板処理装置１において、処理槽から蒸気が平常時よりも多量に発生上昇するときに処理槽の開口部を覆うことができる搬送装置に連結された飛散防止カバー８を備える。 （もっと読む）

半導体素子を製造する方法は、不揮発性メモリ用の第１部分（１６）と第１部分（１６）を除く第２部分（１８）とを有する半導体層（１２）を備えた基板（１２）を提供することを含む。半導体層上には第１の誘電体層（１４）が形成される。第１の誘電体層上でプラズマ窒化が行なわれる。第１部分上には第１の複数のナノクラスター（２０）が、第２部分上には第２の複数のナノクラスター（２８）が形成される。第２の複数のナノクラスターは除去され、半導体層上に第２の誘電体層（３８）が形成され、第２の誘電体層上に導電層（４０）が形成される。
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【課題】基板へのダメージを抑制しつつ、処理液による処理を基板の一方面に均一に施すことができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗの表面（下面）にプレート２の対向面５（上面）を近接して対向配置させた状態で、対向面５に形成された複数の吐出口６から前記表面に向けて処理液を吐出させるとともに、対向面５に形成された複数の吸引口７から、吐出された処理液を吸引させる。プレート２の下面の全域には、超音波振動子３４が結合されており、前記表面と対向面５との間に形成された処理液の薄膜には、前記表面を処理するのに必要十分な低エネルギーの超音波振動がプレート２を介して付与されている。これにより、超音波振動が付与された処理液が前記表面に均一に供給され、基板Ｗの表面へのダメージが抑制されつつ、処理液による処理が基板Ｗの表面に均一に施される。 （もっと読む）

【課題】液体と超音波振動とを利用した基板洗浄装置および基板洗浄方法において、的確に超音波を基板洗浄面に伝えて効率の良い洗浄を行うこと。
【解決手段】本発明は、半導体基板１０を保持する機構とともにこの半導体基板１０を回転させる機構を備えたターンテーブル１１と、ターンテーブル１１の周囲を囲む状態に設けられるチャンバ１２と、チャンバ１２内に薬液を供給する供給配管１３と、チャンバ１２内から薬液を排出する排出配管１４と、チャンバ１２内に薬液が供給されることで半導体基板１０が薬液に浸され、さらにターンテーブル１１の回転によって薬液が回転している状態でこの薬液を介して半導体基板１０の表面に超音波を与える超音波振動子１５とを備える基板洗浄装置１である。 （もっと読む）

【課題】 加圧することにより溶剤を被加工試料に強制的に浸透せしめるリフトオフ加工方法およびリフトオフ加工装置を提供することで、従来の技法では不可能であった微細構造においてもリフトオフ加工の実施を可能とする。
【解決手段】 被加工試料Ｗを溶剤Ｇに浸し、加圧することのできる密閉容器１と、該密閉容器１内を加圧する加圧手段２とを備えてなり、被加工試料Ｗが溶剤Ｇに浸した状態で密閉容器１内に入れられ、加圧手段２を用いて加圧されるようにして、常圧では浸透できない被加工試料Ｗの狭隘な隙間まで溶剤Ｇが押し込まれ、リフトオフ試料物であるレジストマスクを膨潤させることができるようにし、微小なパターンでもリフトオフが可能となるようにしている。 （もっと読む）

【課題】 減圧手段、脱気手段を備えたエッチング方法及び装置では、しくみが大掛かりとなり、装置が大型化し、さらにはコスト高となる。
【解決手段】 多孔質体を超音波を印加しながらエッチングする方法において、印加する超音波を減衰材料を用いて、容易かつ継続的な方法で制御することにより、多孔質体を均一にエッチングすることができる装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】ウェハの洗浄面全域に効果的に超音波を照射して洗浄効果を高めることができる超音波洗浄装置を提供する。
【解決手段】洗浄槽２１には洗浄液が満たされている。外槽２３の外側には伝播水で満たされた伝播用水槽２３がある。水槽２３の底壁外面には、超音波発振板３１が備えられている。複数枚のウェハ１は、上下移動可能なウェハチャック１２により保持された状態で、洗浄槽２１の底部に配設されたリフター式ウェハガイド１１に保持される。ここで、ウェハチャック１２は、ウェハ１の上端が洗浄槽２１の洗浄液の液面から露出しない高さの位置でウェハ１を保持している。この状態で超音波発振板３１から超音波を発振すると、ウェハ１の下部とウェハガイド１１の水平部分との距離が離れているので、ウェハガイド１１の影になる部分４１とウェハ１とが重なる領域を最小限に抑えることができる。 （もっと読む）

半導体デバイスを作成する方法に関する。該方法は、基板上で二酸化ケイ素層に窒素を加えて窒化二酸化ケイ素層を形成することを含む。窒化二酸化ケイ素層の上に犠牲層を形成したのち、犠牲層が除去されて溝が生成される。窒化二酸化ケイ素層の上で溝の中に高誘電率ゲート誘電体層が形成され、該高誘電率ゲート誘電体層の上に金属ゲート電極が形成される。

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【課題】 酸化ケイ素等の半導体材料にダメージがなく、ハフニウムシリケート、ハフニウムアルミネート等のハフニウム化合物を選択的にエッチングでき、なおかつエッチングしたハフニウムの付着を防止すると共に難燃性で安全に用いることができるエッチング用組成物を提供する。
【解決手段】 フッ化物、塩化物、及び錯化剤を含んでなるエッチング用組成物、或いはフッ化ケイ素、リン酸を含んでなるエッチング用組成物を用いる。フッ化ケイ素、リン酸を含んでなるエッチング用組成物には、錯化剤、過酸化水素を含んでも良い。 （もっと読む）

酸化ケイ素のエッチング速度を安定させつつ高い選択性を提供する、酸化ケイ素に対する窒化ケイ素の選択エッチング装置（図５）及び方法。本発明は、プロセスチャンバ（１０）、注入ライン（２０、２１、２２）、供給ライン（３０、３１、３２）、再循環ライン（４０）、プロセス制御器（２００）、濃度センサー（５０）、粒子計数器（５５）、排出ライン（９０）、を含む。本発明は、少なくともひとつの基板の処理中に、使用されるエッチング液の構成要素の濃度比を動的制御し、および／または、エッチング液内の粒子数を動的制御する。結果として、エッチング液の液寿命は延び、エッチングプロセスパラメータは、よりしっかりと制御される。
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被加工物を化学的にエッチングする超音波エッチング装置が開示されている。この装置は、水溶液で少なくとも一部が満たされた外側タンクと、少なくとも一部が外側タンクの内部に配置されかつ上記水溶液と接している内側タンクであって、エッチング溶液で少なくとも一部が満たされた内側タンクと、上記内側タンクの口部に係合した蓋と、上記外側タンクに結合されており、上記内側タンクの中のエッチング溶液へ超音波エネルギーを付与する超音波変換器とを含む。被加工物をエッチングするためにこの装置を使用する方法もまた開示されている。 （もっと読む）