【課題】配線基板上に搭載された半導体素子の電極パッドと配線基板のボンディング端子とがボンディングワイヤにより接続されたボンディングワイヤの配設密度が高くなっても、封止用樹脂中にボイド（気泡）を生ずることなく樹脂被覆がなされる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、列状に配置された複数の電極部２６を有する半導体素子２２と、半導体素子２２の電極部２６に対応して配置された複数の端子２４を有する配線基板２１とを備え、半導体素子の電極部２６とこれに対応する配線基板の端子２４とを接続する複数のボンディングワイヤ２７によりワイヤ列ＷＬが形成され、更に当該配線基板２１上において半導体素子２２がボンディングワイヤ２７と共に樹脂封止されており、少なくとも１つのワイヤ列ＷＬ中に、隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓを形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップのボンディングパッド間を接続する技術において、ワイヤ間の接触を防止する。
【解決手段】半導体装置は、複数のボンディングパッド３が直線状に配列されている半導体チップ１と、複数のボンディングパッド３と略平行な直線状に複数のボンディングパッド４が配列されている半導体チップ４と、ボンディングパッド３とボンディングパッド４とを個々に接続している複数のワイヤ７とを備える。ワイヤ７で個々に接続されているボンディングパッド３とボンディングパッド４とが配列方向に相対的に変位した位置に配置されている。ワイヤ７で接続されているボンディングパッド３とボンディングパッド４とを通過する基準直線Ｓに対して、ワイヤ７の少なくとも一つが基準直線Ｓに対して湾曲している。湾曲された湾曲ワイヤと、湾曲ワイヤと隣設している隣設ワイヤとの間の距離が、湾曲ワイヤの基準直線と隣設ワイヤの基準直線との間の距離よりも大きくなる一定方向に湾曲ワイヤがボンディングパッド４から延出している。 （もっと読む）

【課題】ボンディングワイヤ同士の接触を防止することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ５の一主面上に形成された複数の素子電極６、７上に、ボンディングワイヤ１２、１３よりも硬度の小さい突起電極８、９を形成する。例えば、突起電極８、９を、Ａｕワイヤにより形成し、半導体チップ５が搭載されたＢＧＡ基板１の基板電極２、３と突起電極８、９とに接合するボンディングワイヤ１２、１３を、Ｃｕ、Ａｌなどの突起電極８、９の硬度より大きい材質にする。 （もっと読む）

【課題】基板上の帯状ボンドパッドパターンにおける十分なボンディングスペースを確保し、かつ半導体チップの搭載位置がずれても隣接するワイヤー同士の接触を防止することができる配線基板およびそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】少なくとも１列の帯状ボンドパッドパターン１２において、半導体チップ８０１の４隅近傍に形成された帯状ボンドパッドパターン１２を、その他の部分の帯状ボンドパッドパターン１２に対して、配線基板１０１の端に近づけて配置したことにより、配線及びビア配置領域１７の減少を最小限に抑えつつ、ワイヤー１５ａ、１５ｂ間の間隔を確保する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の各構成要素を実形状に近い形状としてシミュレーションを実行することが可能であり、実測値との誤差を抑制し、シミュレーションの精度を向上することができる実形状検証装置を提供する。
【解決手段】本装置は半導体装置における各構成要素のレイアウト情報を格納したレイアウト情報記憶手段１と、実測形状の情報を格納した実測形状情報記憶手段３と、該手段３に格納した実測形状情報に基づき、所定の構成要素を実測形状に置換する実測形状置換手段４と、配線基板１０１上に実装される電子部品の電気特性及び／又は電子部品を配線基板１０１上で封止する製造条件特性による解析用情報を格納した解析用情報記憶手段５と、該置換手段４からの置換図形情報、解析用情報記憶手段５からの解析用情報、及びレイアウト情報記憶手段１からのレイアウト情報に基づき、シミュレーションを実行する解析手段６と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体素子を積層して樹脂封止するにあたって、上段側半導体素子に接続されたボンディングワイヤの樹脂封止時におけるワイヤ流れ等を抑制する。
【解決手段】積層型半導体装置１は、回路基板２上に積層して搭載された複数の半導体素子４、６、７を具備する。これら半導体素子４、６、７はそれぞれ金属ワイヤ５、８、９を介して回路基板２の接続パッド３と電気的に接続されている。上段側の半導体素子６、７に接続された金属ワイヤ８、９は、少なくともそれらの間に充填された樹脂固定部１１で固定されている。積層された半導体素子４、６、７は金属ワイヤ５、８、９と共に樹脂封止部１０で封止されている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において、ワイヤとバンプとの間の接合性を向上させると共にワイヤの切断性を向上させてボンディング品質の向上を図る。
【解決手段】第２ボンド点のパッド３の上にワイヤを折り曲げ積層して傾斜ウェッジ２２と第１ワイヤ折り曲げ凸部２５を持つバンプ２１を形成し、第１ボンド点のリードからバンプ２１に向かってワイヤ１２をルーピングしてキャピラリ先端のフェイス部３３によってワイヤ１２をバンプ２１の傾斜ウェッジ２２に押し付けてワイヤ１２をバンプ２１に接合すると共に、インナチャンファ部３１によってワイヤ１２を第１ワイヤ折り曲げ凸部２５へ押し付けて弓形断面形状のワイヤ押し潰し部２０に形成する。ワイヤ１２を引き上げてワイヤ押し潰し部２０でワイヤを切断する。 （もっと読む）

【課題】
実装面積を縮小した小型のパッケージを得ると共に、製造上の取り扱いをも改善した、半導体装置を提供する。
【解決手段】
本発明に係る半導体装置は、一方の表面上にアイランド及び内部電極が形成され、他方の表面上に前記アイランド又は前記内部電極と電気的に接続される複数の外部電極が形成された絶縁基板と、前記アイランド上に固着された半導体チップと、前記半導体チップにおいて前記アイランドと固着された表面と対向する表面上に形成されたチップ電極と、前記内部電極とを電気的に接続するワイヤと、前記アイランド、前記内部電極、前記半導体チップ及び前記ワイヤを覆うように被覆され、パッケージ外形を形成する絶縁樹脂と、を含んで構成され、前記絶縁基板は、第１板厚の第１領域と、前記第１板厚よりも厚い第２板厚の第２領域と、を有し、前記アイランドは、前記第１領域上に形成され、前記内部電極は、前記第２領域上に形成されること、を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ボンディングワイヤの短絡のない半導体装置を提供する。
【解決手段】１主面に複数の電極5(5a,5b,5c)を有した少なくとも１個の半導体チップ4と、複数の内部電極2(2a,2b,2c)及び外部電極3を有し、半導体チップ4を内部電極形成面に固着した半導体チップ支持体であるＢＧＡ用基板1と、半導体チップ4の電極5とＢＧＡ用基板1の内部電極2とを接続した複数のボンディングワイヤ6,7,8と、半導体チップ4及びボンディングワイヤ6,7,8を封止した封止樹脂9とを有する半導体装置において、前記のボンディングワイヤ6,7,8は、金属細線である第１のボンディングワイヤ6,8と、金属細線の少なくとも一部が絶縁性樹脂で被覆されてなる第２のボンディングワイヤ７とで構成する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子（ＬＳＩ）のエッジと金属ワイヤの接続、あるいは金属ワイヤ間の接触を回避して半導体素子の誤動作を防止することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】外部電極部および電極パッド部を２段・千鳥状に配置する場合、外部電極部のうち、ＬＳＩ２の搭載領域から遠い外側列の外部電極部４上に突起電極部５を設ける。そして、ＬＳＩ２の電極パッド部３のうち、ＬＳＩ２の周縁に近い外側列の電極パッド部３を、低ループ形状の金属ワイヤ６ａにより、ＬＳＩ２の搭載領域から近い内側列の外部電極部４に接続し、ＬＳＩ２の周縁から遠い内側列の電極パッド部３を、高ループ形状の金属ワイヤ６ｂにより、ＬＳＩ２の搭載領域から遠い外側列の外部電極部４に接続する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの各電極パッドと、半導体チップの周囲に配列されて相互に隣り合う２つのリードのそれぞれとを接続する複数本のワイヤーのうち、相互に最も近づくワイヤー同士の間で電気的な短絡が発生することを防止できるようにする。
【解決手段】各リード７，９における３本のワイヤー１１〜１３，１５〜１７のセカンドボンドをリード７，９の長手方向に並べ、一方のリード７に接続される３本の第１のワイヤー１１〜１３をリード７，９の配列方向に並べられた第１列の電極パッド１９〜２１に接続し、他方のリード９に接続される３本の第２のワイヤー１５〜１７を第１列よりもリード７，９から遠い位置に並べられた第２列の電極パッド２３〜２５に接続し、一方のリード７の最後方に接続される第１のワイヤー１３を第２列の電極パッド２３〜２５に最も近い第１列の電極パッド２１を除く第１列の他の電極パッド２０に接続した半導体装置１を提供する。 （もっと読む）

【課題】パッド対パッドが交差してもワイヤの接触を防止してワイヤループ高さを低く抑えることができる。
【解決手段】半導体チップの同一平面に複数個形成されたパッドＰ１１、Ｐ１２，Ｐ２１、Ｐ２２，Ｐ３１、Ｐ３２と、パッドＰ１１とＰ１２、パッドＰ２１とＰ２２、パッドＰ３１とＰ３２の間を接続したワイヤＷ１、Ｗ２、Ｗ３を備えている。交差するワイヤＷ１とＷ２のパッドＰ１１とＰ２２が近接している場合は、一方のパッドＰ１１を第１ボンド点とし、他方のパッドＰ２２を第２ボンド点としてワイヤが接続されている。 （もっと読む）

【課題】 長い配線距離を低いループ高さで接続するボンディングワイヤが、第２ボンド点で圧着を行なう時にチップ角に触れることなく、かつ、チップと第２ボンド点の間の距離ができる限り短くなるように形成することを可能とする。
【解決手段】 キャピラリが最高点に達した時に、ボンディングワイヤが、第１ボンド点から第２ボンド点に向かう折れ曲がり癖を有し、かつ、折れ曲がり癖のある部分（Ｃ）の上方で第２ボンド点に向かって凸で曲率半径が０．５ｍｍ〜３．０ｍｍである反り（Ｄ）を有し、ループ形成後にチップ角の上方に位置することになる部分に、第２ボンド点に向かい折れ曲がり角が１５度以上である折れ曲がり部分（Ｅ）を有するように、キャピラリを移動させる。 （もっと読む）

【課題】１つのチップで複数種類のパッケージに容易に組み立て可能にする。また、ボンディングの際、配線の修正を必要とせず、拡散工程の工数を増やすことなく対応する。
【解決手段】２つのパッドで１つのＩ／Ｏバッファを共有し、パッケージによりボンディングするパッドを使い分ける。すなわち、本発明の半導体装置は、第１の辺と第２の辺とが角部（コーナー）を形成する矩形のチップ（１０）上において、前記第１の辺に沿って設けられた複数のパッド（１）のうち前記角部の近傍に設けられた第１のパッド（１−１）と、前記第２の辺に沿って設けられた複数のパッド（２）のうち前記角部の近傍に設けられた第２のパッド（２−１）と、前記第１のパッド（１−１）及び前記第２のパッド（２−１）の両方に接続された１つのバッファ（３−１）とを具備する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置におけるワイヤ接続不良の抑制化を図る。
【解決手段】主面３ａの外周部に並んで配置された複数のボンディングリード３ｈを有するパッケージ基板３と、パッケージ基板３の主面３ａのボンディングリード列の内側に搭載された半導体チップ１と、半導体チップ１のパッド１ｃと基板のボンディングリード３ｈとを接続するワイヤ４と、半導体チップ１及び複数のワイヤ４を樹脂封止する封止体と、パッケージ基板３の裏面に設けられた複数の半田バンプとを有している。さらに、ワイヤ４のループの頂点４ｂがワイヤ接続部４ａより外側に配置されていることにより、ボンディングリード３ｈと半導体チップ１のパッド１ｃとの接続においてワイヤ長を長くすることができ、その結果、ワイヤ４のループ形状の安定化を図ってワイヤ接続不良の抑制化を図る。 （もっと読む）

【課題】複数のワイヤループと１本の隣接するワイヤループとの間のクリアランスを広く取りワイヤ間ショートを防止する。
【解決手段】第１，第２のワイヤループ１２，１３が上部から見ると重なる構造に形成して、これにより第１，第２のワイヤループ１２，１３と１本の隣接するワイヤループ１４との間でクリアランスが広く取れ、封止時において樹脂によるワイヤ流れによって生じるワイヤ間ショートを防止することができる。さらに、パッド１０においてボンディング部分を重ねることでパッド１０のサイズを変えることなく、また、１つのパッド１０と１つのリード端子１１に第１，第２のワイヤループ１２，１３をボンディングすることで、半導体素子８の縮小を可能とする。 （もっと読む）

【課題】ワイヤのコストダウンを図り、ボンディング状況が良好でループの形状・保形力を向上させた半導体装置を提供する。
【解決手段】リードフレーム１１に一次ボンドＡによりワイヤ１３を接続し、ループＲを形成しながら半導体素子１２のボンドパッド１６に、二次ボンドＢによりワイヤ１３を接続してなる半導体装置１０において、上記ワイヤ１３として銅または銅合金線を採用し、半導体素子１２のボンドパッド１６に金または金合金バンプ１７を形成してなる。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置に配設される中継部材のボンディングパッドの配列及び当該ボンディングパッドを結ぶ配線を任意に設定できるようにして、異なる構造を有する他の半導体装置に対しても適用することができる当該中継部材及び当該中継部材を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置に配設される中継部材５０は、第１の端子５１と第２の端子５２とを備える。第１の端子５１に接続される第１端子用配線５６の端部及び第２の端子に接続される第２端子用配線５７の端部のうち少なくとも１つにより連結部６０が形成される。少なくとも前記連結部に接続部材６１が形成され、第１の端子５１と第２の端子５２が接続される。 （もっと読む）

【課題】少なくとも複数個の第１ボンディング点（パッド）が直線上に一列に並んで配置され、これら第１ボンディング点と第２ボンディング点（リード）との間を結ぶボンディングワイヤが隣り合うワイヤ同士で接触するおそれがあるような場合でも、各ボンディングワイヤのネック部高さを高くすることなしに迂回配線することができ、半導体装置の小型化・薄型化を図る。
【解決手段】最も内寄りに位置して対向する第１のパッド２ａとリード３ａ間を結ぶワイヤ４ａは、直線ｍ−ｍ上を通る垂直面内において配線するとともに、それ以外の他のパッド２ｂ，２ｃとリード３ｂ，３ｃ間を結ぶワイヤ４ｂ，４ｃについては、それぞれパッド位置において一旦垂直上方に起ち上げた後、他のワイヤと接触することがないように水平面内で外方へ向けて引き出し、他のワイヤを迂回しながら対となるリード３ｂ，３ｃに向けて配線する。 （もっと読む）

【課題】 電解メッキ線を配線できない場合に効率よくワイヤボンド端子間を配線することで、安価でかつ安定した品質の配線基板を作製することが可能な半導体装置及び配線基板を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体装置は、半導体チップ１と配線パターン１３が形成された配線基板８とを備えている。配線パターン１３は、半導体チップ１に設けられたパッド２とワイヤ７により電気的に接続したワイヤボンド端子３，４，５を有する。そして、複数のパッド２と対向するように、ワイヤボンド端子３，４，５が複数の列をなして配置されており、複数の列を、パッド２側から順に、第１列から第３列としたとき、第１列、第２列、及び第３列の各列に属するワイヤボンド端子同士のピッチの比率が、１：２：２である。 （もっと読む）