【課題】半導体の生産効率とワイヤボンディングの密着性を低下させることなく、低コストに歩留まりを向上するヒータプレート及びパッケージ加熱装置を提供する。
【解決手段】ヒータプレート１及びヒータ１３は、昇降機構１０に取り付けられており、キャリア８が所定の位置で停止するたび、パッケージ１２の底面に向かって一定ストロークだけ上昇する。この時、アイランドステージ５は、ボンディング処理位置の直下に位置するボンディング準備位置で停止しているパッケージ１２の底面を、上面で支持したままボンディング処理位置まで押し上げる。同時に、第一及び第二プリヒートステージ３、４は、高さがアイランドステージ５よりも低いため、ボンディング準備位置の上流側で停止しているパッケージ１２の底面と各々の上面との間に隙間が形成された状態で、それぞれパッケージ１２を緩やかに加熱し、クラックを発生させることがない。 （もっと読む）

【課題】キャピラリを用いて被接合部材に対してワイヤを接合するワイヤボンディング方法において、ヒューム排気用の通気孔を設けることなく、キャピラリの先端部にヒュームが触れるのを防止する。
【解決手段】キャピラリ１００の内孔１０１の内部からキャピラリ１００の先端部１０２へと、気体を吹き出させることによって、キャピラリ１００の先端部１０２から被接合部材１０、２０へ向かう気流を形成した状態で、ボンディングワイヤを被接合部材１０、２０に接合する。 （もっと読む）

【課題】ホーンに取り付けられ当該ホーンによって移動・振動を行うキャピラリを用いてワイヤを被接合部材に接合するワイヤボンディング方法において、キャピラリをホーンから取り外して交換することなく、キャピラリの先端部に付着した有機物を適切に除去できるようにする。
【解決手段】プラズマ照射を行うプラズマ照射部２１０を被接合部材１０、２０の周囲に設けておき、ボンディングワイヤ３０の被接合部材１０、２０への接合を行う前に、ホーンによってキャピラリ１００をプラズマ照射部２１０まで移動させてキャピラリ１００の先端部１０２にプラズマ照射を行って当該先端部１０２に付着している有機物を除去し、続いて、ホーン１１０によってキャピラリ１００を被接合部材１０、２０まで移動させてワイヤ３０の接合を行う。 （もっと読む）

【課題】金属細線の溶断電流を測定するための治具、特に半導体素子と基板との接合に使用される所定長さのＡｕ細線の溶断電流を測定するための治具を提供する。
【解決手段】基台１と、基台に固定して取付けられている平面９を有する固定具２と、前記固定具２に対して近づけたり遠ざけたり摺動させることのできる平面１０を有する摺動具３とからなり、固定具２の平面９には金属線固定ボルト４および押さえ平板１１を設け、一方、摺動具３の平面１０には金属線固定ボルト５および押さえ平板１２を設け、前記固定具２の平面９の端部および摺動具３の平面１０の端部にそれぞれ金属細線６に通電するための端子１７、１８が設けられている金属細線の溶断電流測定治具であって、固定具２の平面９は摺動具側に向かって上るように傾斜しており、一方、摺動具３の平面１０は固定具に向かって上るように傾斜している。 （もっと読む）

【課題】鋳造欠陥とされる引け巣の発生を防止し、かつ、成分偏析が起きにくいボンディングワイヤ用インゴットの鋳造方法を提供する。
【解決手段】主原料の金および添加元素を、高周波誘導加熱装置の黒鉛坩堝に装入して熔解し、黒鉛坩堝を加熱空間から下方へ下降させる下降工程により、ボンディングワイヤ用インゴットを鋳造する。下降工程は、連続して行われる少なくとも２回の下降操作からなり、下降手順は、一定の下降速度および一定の加熱電力による下降操作と、下降操作の後の保持操作とからなる。さらに、下降速度が、２０ｍｍ／ｍｉｎ以上であることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】 従来よりも歩留まりの向上が可能な半導体装置の製造方法、及び当該方法に使用する接着シートを提供する。
【解決手段】 本発明の半導体装置の製造方法は、接着シートを介して、半導体素子を被着体上に仮固着する仮固着工程と、前記接着シートを所定条件で加熱することにより、前記被着体に対するせん断接着力が０．５ＭＰａ以上の半硬化状態にする半硬化工程と、前記接着シートが半硬化された状態で、半導体素子をワイヤーボンディングするワイヤーボンディング工程を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ボンディング装置において、ボンディングの際にワイヤ経路においてワイヤ表面の異物を効果的に除去する。
【解決手段】プラズマ用ガス供給部３４からプラズマ用ガスが供給され、プラズマ発生用の高周波電力供給部３２から高周波電力が供給されるプラズマ発生チャンバ４１に設けられた絶縁ブッシュ４３，４５のガイド孔４４，４６にワイヤ１２を通す。ワイヤ１２は接地されており、ワイヤ１２とプラズマ発生チャンバとの間に高周波電力を通電してプラズマ発生チャンバ内部でプラズマ用ガスをプラズマ化してワイヤ１２の洗浄を行う。ワイヤ繰り出し部側のガイド孔４４から流出するワイヤ洗浄後のガス流量がボンディングツール側のガイド孔４６から流出するワイヤ洗浄後のガス流量よりも大きくなるように、ワイヤ
繰り出し部側ガイド孔４４の径をボンディングツール側のガイド孔４６の径よりも大きくする。 （もっと読む）

【課題】金属細線の垂れ下がりに起因したショートの発生を防ぐ半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施の形態の半導体装置の製造方法は、アイランド１４に半導体素子１８を実装する工程と、半導体素子１８の上面に設けたボンディングパッドとリード１６とを金属細線２０により接続する工程とを具備する。更に、本実施の形態では、金属細線２０を形成する工程に於いて、アイランド１４とリード１６との間で、保持部５０により金属細線２０の中間部を保持している。このことにより、ワイヤボンディングの工程における金属細線２０の垂れ下がりを防止して、金属細線２０と半導体素子１８とのショートを防止できる効果が得られる。 （もっと読む）

【課題】密集して配置される金属細線のレイアウトが工夫された半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１０は、リード１６と一体で設けられたアイランド１４と、アイランド１４の上面に固着された半導体素子１８と、アイランド１４に一端が接近して他端が外部に露出するリード１６と、半導体素子１８の上面に設けられたボンディングパッドとリード１６とを接続する金属細線２０と、これらの構成要素を被覆して一体的に支持する封止樹脂１２とを概略的に具備する構成となっている。そして、半導体素子１８の上面のボンディングパッド２４は、複数の金属細線２０を経由してリードの接続領域３０と接続され、線長が長い金属細線２０を、他の金属細線よりも半導体素子１８の側辺に対して直角に近い角度で引き出している。 （もっと読む）

【課題】ボンディング装置において、湾曲した回路基板の吸着固定と加熱とを同時に行う。
【解決手段】搬送ガイド１３の間に、搬送された回路基板１２を上面の基板吸着面１５に吸着保持し、吸着した回路基板１２を加熱するヒートブロック１０を設ける。ヒートブロック１０の基板吸着面１５には孔１９が設けられており、真空吸引ベローズ１８を含む真空吸引パッド１６が取りつけられ、真空吸引パッド１６は真空装置に接続されている。真空吸引パッド１６内の空気を真空装置に吸引しながらヒートブロック１０を回路基板１２に向かって上昇させて、真空吸着ベローズ１８によって回路基板１２を吸引して回路基板１２を基板吸着面１５に吸着固定すると同時に加熱する。 （もっと読む）

【課題】高い接合信頼性および圧着ボールの高い真円性を有し、さらにＡｌパッドとその下部が損傷しにくいボンディングワイヤ用金合金線を提供する。
【解決手段】ＰｔおよびＰｄの内の１種または２種の合計：２０００〜２００００ｐｐｍ、Ｉｒ：１〜２００ｐｐｍ、Ｓｒ：１〜４０ｐｐｍを含有し、さらに必要に応じてＣａ：１〜２０ｐｐｍ、Ｅｕ、Ｌａ、Ｙの内の少なくとも１種の合計：１〜２０ｐｐｍをＳｒ、Ｃａ、Ｅｕ、ＬａおよびＹの合計が４０ｐｐｍ以下となるように含有し、さらに必要に応じて、Ａｇ：１〜５００ｐｐｍを含有し、残りがＡｕおよび不可避不純物からなる成分組成を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ボールボンディング法により、被接合部材に対してワイヤを接合するワイヤボンディング方法において、キャピラリの振動方向だけでなく当該振動方向とは異なる方向においても、キャピラリに付着した汚れを適切に除去できるようにする。
【解決手段】キャピラリ１００の先端部をクリーニング部材２００に押し当てた状態で、一定の方向Ｙに振動させることにより汚れを擦り落とすクリーニング工程を備え、さらに、このクリーニング工程を、キャピラリ１００の軸回りにおけるキャピラリ１００の向きがワイヤ４０の接合時と同じ位置である状態にて行う第１の工程と、キャピラリ１００の軸回りにおけるキャピラリ１００の向きが第１の工程とは異なる位置となるように、キャピラリ１００をキャピラリ１００の軸回りに回動させた状態にて行う第２の工程とよりなるものとした。 （もっと読む）

【課題】ワイヤボンディング装置において、ボンディングアームに設けられたチャックへのボンディングツールの抜き差しをスムーズに行う。
【解決手段】キャピラリ１６を保持する複数の保持部３１ａが取り付けられた回転式ターレット３１ｃを直線駆動部３１ｄによってチャック１８ａの軸方向に直線移動させるボンディングツール抜差し機構３１と、チャック１８ａの開閉を行うレンチ３３ａをレンチ孔１８ｂの軸方向に直線移動及び回転させるチャック開閉機構３３とを有する。ボンディングアーム１３の静止状態においてチャック開閉機構３３によるチャック開閉動作と協調してボンディングツール抜差し機構３１をチャック１８ａの軸方向に上昇、下降させてキャピラリ１６の抜差しを行なう。 （もっと読む）

【課題】偏芯を抑制し且つ大きさのバラツキを抑制したＦＡＢを安定的に形成できるＦＡＢの形成方法及びワイヤボンディング装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るワイヤボンディング装置は、繰り出しワイヤ３ａの先端にＦＡＢを形成し、前記ＦＡＢを用いてワイヤボンディングを行う装置において、ワイヤ３を繰り出すキャピラリ１と、キャピラリ１から露出した繰り出しワイヤにスパークさせるスパークロッド４と、前記ＦＡＢを形成する際に必要なワイヤの長さに一定の長さを加えた長さを繰り出しワイヤの長さとして記憶された第１記憶部と、スパークロッドの先端の高さから繰り出しワイヤの先端の高さまでのギャップ量５が一定量に設定されて記憶された第２記憶部と、前記繰り出しワイヤの長さ及びギャップ量を満たすようなスパークロッドと繰り出しワイヤとの位置関係でスパークさせるように制御する制御部と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】パッドのファインピッチ化に対応でき且つ幅広いフレームにボンディングできるワイヤボンディング装置及びワイヤボンディング方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るワイヤボンディング装置は、ボンディングアーム２を支点を中心に円弧移動させる機構と、フレームを１８０°回転させる反転ユニット５と、ボンディングステージと反転ユニットの間を搬送するレール４と、フレームの幅方向１７の一方側にキャピラリから繰り出されたワイヤによってボンディングを行い、フレーム３をレール４によってボンディングステージ上から反転ユニット５に搬送し、反転ユニットによってフレームを１８０°回転させ、フレームをレールによって反転ユニットからボンディングステージ上に搬送し、フレームの幅方向の他方側にキャピラリから繰り出されたワイヤによってボンディングを行うように制御する制御部と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ループ形成のためのリバース動作に制約が生じる場合においても、形状ばらつきが小さく、ワイヤ量についての許容範囲が広くて安定したループを形成できるワイヤボンディング方法を提供する。
【解決手段】半導体チップのパッド１９へワイヤ２３を接合する第１ボンドと、パッケージ側のリード１４へワイヤ２３を接合する第２ボンドとの間に、ワイヤ２３を繰り出すキャピラリ２２の先端が曲げ形成点を経由するものであり、曲げ形成点が第１ボンドのパッド１９と第２ボンドのリード１４とを結ぶ直線方向においてパッド１９を基準として半導体チップの中心側に位置し、かつ半導体チップの上部に一体的に設けられたガラス２０より高く位置しており、キャピラリ２２の先端が曲げ形成点を経由するまでにガラス２０とワイヤ２３との接触が起きる。 （もっと読む）

【課題】ワイヤ数及び長を低減し、接合信頼性を実現することを目的とする。
【解決手段】一方の端部が第１ボンディング点にボールボンディングされ、他方の端部が第２ボンディング点にボンディングされてなる第１のワイヤループを有する半導体装置であって、前記第１のワイヤループのボール部の上面は、頂上部分がワイヤの一部を含めて潰された状態であり、前記ボール部の上面と第３のボンディング点とを架橋する第２のワイヤループを有する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】仮想平面上の基板面において合成可能なボンディングパッドを結合して１つのボンディングパッドを合成する処理を自動演算処理で実現するボンディングパッド配置方法およびこのためのコンピュータプログラムを実現する。
【解決手段】ボンディングパッド配置方法は、仮配置されたパッドについて、互いに結合可能なパッドが同一のグループ内に属するようグループ分けするステップと、仮配置された各パッドを各グループ内においては同一列に並ぶよう基板中心部に最も近い列上のパッドの並び順は固定したまま並べ替えるステップと、並べ替え対象の列上のパッドについては予め設定された順番に並べ替え、また、これ以外の並べ替え対象の列上のパッドと同一のグループ内に属するこれ以外のパッドについては、既に並べ替え済みのボンディングパッドの並び順は固定したまま当該並べ替え対象の列上のパッドと同一列に並ぶように並べ替えるステップと、を備える。 （もっと読む）

【課題】テールカット動作に伴うワイヤ変形を抑えることが出来るワイヤボンディング装置を提供する。
【解決手段】ワイヤ１を挿通するキャピラリ２と、ワイヤ１を挟持することが可能なクランパ３と、ワイヤ１にかかる荷重を測定する荷重センサ６を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ上のボンディングパッドと半導体チップ周囲の電極パッドとをワイヤにより電気接続するワイヤのボンディング方法において、サイズの小さなボンディングパッドや電極パッドであっても、大きな径のワイヤを接合することができるようにする。
【解決手段】ワイヤ５よりも小さい径の細線ワイヤを引き出す小径キャピラリを電極パッド３ａやボンディングパッド１ａに押し当てて金属製バンプ１１，１３を形成するバンプ形成工程を行った後に、キャピラリ２１の先端部から引き出されるワイヤ５の先端に金属製ボール２３を形成し、前記先端部を電極パッド３ａに押し当てて金属製ボール２３を接合するボールボンディング工程と、前記先端部からワイヤ５を引き出しながらキャピラリ２１をボンディングパッド１ａまで移動させ、ワイヤ５の後端をボンディングパッド１ａ上に押し当ててワイヤ５の後端を接合するウェッジボンディング工程とを行う。 （もっと読む）