【課題】端子に高さバラツキがある場合でも、これら複数の端子と複数のバンプ電極とによる複数の接点が、全て良好な導電接続状態となる、電子部品の実装構造を提供する。
【解決手段】バンプ電極１２を有する電子部品１２１を、端子１１を有する基板１１１上に実装してなる電子部品の実装構造１０である。バンプ電極１２と端子１１とはそれぞれ複数設けられ、かつ、バンプ電極１２と端子１１とは互いに対応するものどうしが接合されてなる。複数の端子１１は、バンプ電極１２に接合する上面の高さが異なる少なくとも二つの端子１１ａ、１１ｂを含む。バンプ電極１２は、内部樹脂１３をコアとしてその表面が導電膜１４で覆われた構造を有している。バンプ電極１２は、接合する端子１１の高さに対応してそれぞれの内部樹脂１３が弾性変形することにより、端子１１の高さのバラツキを吸収した状態で、それぞれ端子１１に接合している。 （もっと読む）

【課題】流動性に優れ、温度サイクル試験時に生じる端子の接続部保護性向上及びチップへの低応力化が可能な高信頼性の半導体封止材用液状エポキシ樹脂組成物、及びこの液状エポキシ樹脂組成物の硬化物を素子と基板間に介在してなる高信頼性半導体装置を提供する。
【解決手段】（Ａ）液状エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）無機充填剤及び（Ｄ）可撓化剤を成分とする無溶剤型の液状エポキシ樹脂組成物であって、硬化前の揺変指数が２５℃で１．０以下であり、硬化後の２５℃での弾性率が９．０ＧＰａ以下であり、１２５℃〜−５５℃での平均熱膨張係数が５．０×１０^−５／℃以下であり、２５℃での破壊靭性が２．０ＭＰａ・ｍ^０．５以上である液状エポキシ樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】素子搭載用基板に半導体素子を搭載したときの接続信頼性を高める。
【解決手段】半導体モジュール１０は、素子搭載用基板２０およびこれに搭載された半導体素子５０を備える。樹脂基板２２の一方の主表面Ｓ１には、半導体素子５０に設けられた外部電極５２の位置に対応して複数箇所に基板電極２８が設けられている。基板電極２８には樹脂基板２２を貫通する貫通孔２４が形成されている。貫通孔２４は、基板電極２８の中央部分に開口部を有する。はんだボール４０の一部は、貫通孔２４に入り込んでいる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置を基板上に実装することを利用して、半導体装置に電気的に接続され
る基板上の配線状態を簡略化あるいは多様化できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置としてのＩＣチップ４１は、内部回路を含んだ基材２と、基材２
の能動面３側に突出して設けられた樹脂突部７ａ，７ｂと、樹脂突部７ａ，７ｂ上に設け
られた島状の導電膜８ａ，８ｂを含んでなる複数の端子６ａ，６ｂとを有する。複数の端
子６ａ，６ｂは、内部回路と導通した端子を含み、複数の端子６ａのうちの少なくとも２
つの端子を接続する再配線１１が能動面３側に形成されている。ＩＣチップ４１は第１基
板４２に実装され、第２基板４３が第１基板４２に接続される。第２基板４３上にはクロ
ス配線又は飛び越し配線は無いが、ＩＣチップ４１の再配線１１とこれに繋がる端子６ａ
とにより、２番の配線４６と４番の配線４６とが電気的に接続された状態となっている。 （もっと読む）

【課題】圧着ヘッドの移動機構へのヒータブロックからの熱影響を抑制できかつ圧着ツール先端の平行度と平面度を確保できる熱圧着装置を提供する。
【解決手段】圧着ツール１７と圧着ツール１７の先端部を除く部分を覆って加熱するヒータブロック１８とを備えた圧着ヘッド１１を受け台１０に向けて移動させ、圧着ツール１７の先端と受け台１０との間で被圧着部材を加熱加圧する熱圧着装置１において、受け台１０に対して遠近方向に移動駆動可能な可動支持部１２に対して圧着ヘッド１１を間隔をあけて配設し、圧着ヘッド１１のヒータブロック１８はその長手方向に間隔をあけて配設された複数の固定ボルト機構２１にて可動支持部１２に対して間隔をあけて固定し、圧着ツール１７はその長手方向に間隔をあけてかつヒータブロック１８を貫通させて配設した複数の調整ねじ機構３０にて位置調整可能に可動支持部１２に固定した。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高く、かつ、容易に製造することができるとともに、半導体装置の大きさを大きくすることなく内部抵抗の一層の低抵抗化を図ることのできる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子２と、リード３と、半導体素子２の電極２ａとリード３とを電気的に接続する配線部材４と、を備え、配線部材４は、少なくとも導電性を有する材料によって被覆されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は仮基板上に配線基板を形成した後、当該仮基板を除去する工程を含む配線基板の製造方法及び配線基板関し、実装される電子部品との接続性の向上を図ることを課題とする。
【解決手段】半導体チップ４０を搭載した配線基板の製造方法であって、支持体１０の表面接続パッド１８の形成位置と対応する位置に窪んだ凹状の曲面状凹部１３を形成する工程と、配線部材３０を形成する工程と、配線部材３０から支持体１０を除去することにより、支持体１０に形成された曲面状凹部１３に対応し基板表面から突出した曲面凸状パッド１８を形成する工程と、半導体チップ４０の外部接続端子となるポスト状端子４０ａを前記接続パッド１８にはんだ付けする工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】数千もしくはそれ以上の高密度多Ｉ/Ｏ数のリラウトに対してチャネル問題が大幅に緩和され、かつ放熱特性に優れた多層配線基板を提供する。
【解決手段】少なくとも１層の配線層２が、該配線層２に形成された複数の配線部１２の間を、該配線層４を備えた絶縁層３の内部に湾曲して立体的に配置された導体ワイヤ５により電気的に接続されており、配線層１２の少なくとも一部の配線部１２が、絶縁層３を貫通して形成された導体部７を介して、多層配線基板１０のベースボード１の配線層４に接続されているように、構成する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で、接合不良の問題を解消することが可能な電子部品の接合装置を提供すること。
【解決手段】電子部品の接合装置は、電子部品を保持する接合ヘッドと、接合ヘッドを保持し昇降可能なヘッド側昇降体６と、ヘッド側昇降体６が昇降可能に取り付けられる第１フレームと、接合ヘッドを昇降させる昇降機構と、ヘッド側昇降体６および昇降機構に連結されて昇降可能な駆動側昇降体９と、駆動側昇降体９が昇降可能に取り付けられる第２フレームとを備えている。駆動側昇降体９は、ヘッド側昇降体６と駆動側昇降体９との連結部１６でヘッド側昇降体６に係合する係合凸部２８ａを備え、ヘッド側昇降体６は、係合凸部２８ａを上方向から付勢する弾性部材３９を備えている。ヘッド側昇降体６と駆動側昇降体９とは、弾性部材３９の付勢力で連結されている。 （もっと読む）

【課題】高精度の位置合わせを実現し、接合強度を向上する。
【解決手段】電極部１４がセルフアライン的に貫通孔１２との位置を補正しながら、貫通孔１２内部へ流し込まれ、そして、流し込まれた電極部１４が貫通孔１２内部と一体的に嵌合するとともに、電極部１５がセルフアライン的に電極端子１３との位置を補正しながら電極端子１３と接合して、回路基板１１に電子部品１６が実装される。このため、電極部１４と貫通孔１２との位置が高精度かつ容易に補正され、流し込まれた電極部１４が貫通孔１２内部と一体的に強固に嵌合する。 （もっと読む）

【課題】有機樹脂１中に帯電した導電性微粒子２が分散されてなる異方性導電樹脂３を、塗布口７を備えた塗布装置を用いて電気回路配線板４へ塗布し、電子部品９を塗布した部位へ実装する実装方法において、導電性微粒子２の含有率を変えることなしに、接合する電極１０と配線５の間に導電性微粒子２を確実に捕捉させる実装方法及び実装装置を提供する。
【解決手段】異方性導電樹脂３を塗出する塗布口７は導電性を有し、塗布口７と電気回路配線板４上の配線５との間に電圧を印加し、異方性導電樹脂３を塗布口７から配線５及び配線５の近傍へ向け塗布する事を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の信頼性を向上できるようにした半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】配線基板３と、配線基板３にフェースダウンで取り付けられた半導体チップ１と、配線基板３と半導体チップ１との間にある接着剤５と、配線基板３と半導体チップ１の側面とに接する樹脂層１５と、を備え、樹脂層１５に含まれる不純物（Ｃｌ^-）濃度は２ｍｇ／Ｌ以下である。このような構成であれば、接着剤５に水分が直接付着することを防ぐことができ、また、湿度により樹脂層１５から溶け出す不純物量を少なくすることができる。これにより、水分及び不純物がボイドを伝って半導体装置の内部へ入り込むことを防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置に設けられた突起電極の電気的な接続性を向上させること。
【解決手段】半導体装置の樹脂突起１８の上面２１に位置する配線２０の第１の部分２２は、その平面形状が外側に膨らむ凸部２８を含んでおり、凸部２８を含んでいない場合と比較して、接続面積を広くできる。したがって、電気的な接続性が向上した半導体装置１を得ることができる。また、矩形より接続面積は十分確保できるため接着剤の経時的劣化等により発生する対向する配線パターンとの接続面積の減少を抑制できる。このため、電気的な接続性が向上した電子デバイスを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体チップがフリップチップ実装された半導体装置において、十分なバンプ接合強度と良好な高周波特性を実現する。
【解決手段】半導体装置（４０）は、実装基板（４１）と、前記実装基板に導体バンプ（４３Ａ、４３Ｂ）を介して実装される半導体チップ（５０）とを含み、前記導体バンプは、前記半導体チップと接合される内側部分（４２ａ）と、前記内側部分を覆う外側部分（４２ｂ）とを有し、前記内側部分はＣｕ又はＡｌであり、前記外側部分は、前記内側部分よりも硬度の高い導電材料、たとえばＣｕ合金めっき膜又はＡｇ合金めっき膜である。 （もっと読む）

【課題】マスク／ヘッド間へのはんだボールの挟み込みを起こすことなく、微小はんだボール等の導電性ボールを基板の接続パッドに搭載する装置および方法を提供する。
【解決手段】導電性ボール搭載装置は、外枠１０とその内部の内筒２０とを有するヘッド３０を有し、外枠１０の下端に、導電性ボールの搭載位置に開口１２を有するマスク１４と、マスクの上面から外部へ排気する排気口１６とを備えている。内筒２０は、外枠１０内のマスク１４上方に配置され、篩２２によって上部と下部の空間に仕切られている。上部の空間２４は内筒２０上端に導電性ボール供給口２８が開口した導電性ボール仮貯留室を構成し、下部の空間２６は下端が開放され、篩の下方へ外部から給気する給気口を有している。振動装置により、内筒２０は外枠１０に実質的に拘束されずに振動可能であり、これにより基板上の各導電性ボール配列対象区域毎に導電性ボール搭載を行なう。 （もっと読む）

【課題】先ダイシング法と、フリップチップボンディングを採用した実装プロセスとを連続して行うことが可能であり、製造プロセスの簡素化と、製品中にボイドが無く信頼性の向上に寄与しうる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】回路表面に接着フィルム３が接着され、かつ該回路毎に区画する溝６が形成されてなるウエハ１の回路表面側に表面保護シートを貼着する工程、上記ウエハの裏面研削をすることで個々のチップへの分割を行う工程、個別のチップを接着フィルムとともにピックアップし接着フィルムを介して、チップ搭載用基板にダイボンドする工程、およびダイボンドされた接着フィルム付きチップを加熱しチップ搭載用基板に固着する工程を含み、かつ接着フィルムをウエハに接着した後、チップをチップ搭載用基板に固着するまでの段階で、接着フィルムを含む積層体を、常圧に対し０．０５ＭＰａ以上の静圧により加圧する工程を１回以上含む。 （もっと読む）

半田材料による混成された２つの部材をコーティングするための方法。
半田材料（６）により互いに関係付けられる二つの部材により構成されるコンポーネントの混成化された領域をコーティングするこの方法は、前記コンポーネントの混成された部材間で定められる空間を毛細管現象により充填することができるコーティング物質を、前記コンポーネントに近接して堆積することを含む。
前記物質に関して非可湿性の領域（１０）が前記コンポーネントの下部部材（３）上の混成化領域の周辺上で、非可湿性領域は、前記物質に関して反湿潤であるカバーを堆積することにより、定められ、ＰＥＣＶＤにより加えられ、且つ、前記第１部材上で、ハイブリッド化と一致して、コーティング物質のための湿潤表面（１２）を定める。
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本発明は、半導体基板（５２）と、半導体基板（５２）に電気的に接続されたＩ／Ｏパッド（５４）と、Ｉ／Ｏパッド（５４）に電気的に接続された、応力を吸収するための応力緩衝要素（７４）と、応力緩衝要素（７４）に電気的に接続されたアンダーバンプメタライゼーション（７０）と、アンダーバンプメタライゼーション（７０）に電気的に接続されたはんだボール（６０）と、はんだボール（６０）と半導体基板（５２）との間の金属要素（６１）と、半導体基板（５２）および金属要素（６１）を保護するとともにＩ／Ｏパッド（５４）を少なくとも部分的に露出するパッシベーション層（５６，５８）と、を具えている半導体コンポーネント用の応力緩衝パッケージ（４９）に関するものであり、応力緩衝要素（７４）とパッシベーション層（５６，５８）との間の界面の粗度が金属要素（６１）とパッシベーション層（５６，５８）との間の界面の粗度よりも低くなるようにしたことを特徴とする。また、本発明は、半導体コンポーネント用の応力緩衝パッケージ（４９）を製造する方法にも関するものである。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージのはんだ接合部における接続信頼性の向上を図ったプリント回路板を提供する。
【解決手段】補強部１６の形成時において、補強材料の一部が、サブストレート１５ｂのコーナー部に設けられた、はんだボール１４内に侵入し、このはんだボール１４を変形させる。 （もっと読む）

【課題】 基板の変形を矯正し、適切な処理を可能とする。
【解決手段】電子部品の実装装置１００は、基板を支持する貼付けステージ１５と、貼付けステージに設けられ、基板Ｐの実装部位９を支持する貼付けバックアップステージ１６と、貼付けバックアップステージ１６に対して所定の加熱温度と加圧力をもって作用する貼付けツール１７と、を有し基板Ｐに接合材Ｓを貼付ける貼付けユニット３を有し、複数のユニット２，４，５の間で基板Ｐを搬送する搬送機構と、を備え、バックアップステージ１６に設けられ、載置された基板Ｐの変形を矯正する基板矯正手段１９を備えた。 （もっと読む）