【課題】被処理物が落電等で損傷するのを防止するプラズマ表面処理装置を提供する。
【解決手段】電極３１にて処理ガスをプラズマ化する。この処理ガスを被処理物９に接触させる。処理容器１０が閉状態のときは、押さえ具２７が支持部２１及び被処理物９上に載り、引っ掛け部２７ａが係止部２６から離れる。このとき、押さえ具２７は、支持部２１と被処理物９の他は、いかなる部材とも接触していない。支持部２１は、押さえ具２７と、絶縁保持部と、絶縁性の連結部材２５と、被処理物９の他は、いかなる部材とも接触していない。したがって、支持部２１及び押さえ具２７は、電気的に浮いている。ひいては、被処理物９が電気的に浮いた状態（電気的フロート）になっている。 （もっと読む）

【課題】高々３００℃程度の低温処理を前提とされたアルミナ膜を形成する原子層成長装置において、装置内部に堆積する堆積物の発生が抑制できるようにする。
【解決手段】成膜室１０２の上部には、高周波発生源１０８が設けられ、また、高周波発生源１０８には、高周波電力を供給するための高周波電力供給部１０９が接続されている。また、ガス導入口１０５には、成膜室１０２にアルミニウムの原料ガスを供給するための原料ガス供給部１５１が接続している。また、ガス導入口１０６には、成膜室１０２に酸素ガスを供給する酸化ガス供給部１６１が接続している。また、有機樹脂から構成されて成膜室１０２の内壁に形成された堆積阻止膜１１１を備える。 （もっと読む）

【課題】非極性ＩＩＩ族窒化物層を有する多層構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に複数の核形成層を形成する工程と、該核形成層上に非極性ＩＩＩ族窒化物層を形成する工程とを備え、複数の核形成層がそれぞれ独立して下記式（Ｉ）で表される窒化物から選択される。


上記式において、ＡとＢは異なっており、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、ＩＮ又はＴｌから選択され、且つ０≦ｘ≦１である。該複数の核形成層によって、応力の緩和、格子不整合（ｍｉｓｍａｔｃｈ）の減少、転位延長の阻止、転位密度の低減に有利になるため、表面が平坦で且つ結晶品質の良いＩＩＩ族窒化物層を形成することができる。 （もっと読む）

基板に第III族金属窒化膜を蒸着させるための装置であり，窒素源から窒素プラズマを生成するプラズマ発生器と，基板に第III族金属窒化物を蒸着させるために，第III族金属を含む反応試薬を，窒素プラズマから生じる反応性窒素種と反応させる反応室と，プラズマ発生器から反応室への窒素プラズマの通過を促進させるプラズマ導入口と，窒素プラズマの通過用の１又はそれ以上の流路を有するバッフルとを備える。バッフルは，プラズマ導入口と基板との間に配置され，プラズマ導入口と基板との間で窒素プラズマが直通することを防止する。
（もっと読む）

【課題】 放電方向に均一な放電を発生させ、放電効率を高める構造を提供すること。
【解決手段】 放電用電極体９，１０は電極２，３と電極２，３を覆う固体誘電体とを備えたものであって、固体誘電体の放電側表面がアルミナと、希土類元素（ＲＥ）を含む酸化物とからなり、かつＡｌをＡｌ_２Ｏ_３換算で６８質量％以上、９４質量％以下、希土類元素（ＲＥ）をＲＥ_２Ｏ_３換算で６質量％以上、３２質量％以下含有するものからなる。また、放電用電極アセンブリ１００は、放電用電極体を２つ備えてなり、これら放電用電極体を対向させてなる。放電処理装置は、放電用電極アセンブリを用いてプラズマを発生させるようになしたものである。これらにより、放電効率が向上するとともに、放電用電極体の放電側表面のプラズマに対する耐食性が向上する。 （もっと読む）

【課題】 熱処理容器内の全域を素早く均一な温度に昇温することができ、熱処理容器内に収納された複数枚の処理基板の全てに対して均一な熱処理を短時間で行うことができるようにする。
【解決手段】縦型炉装置１０は、第１のヒータ２の内側面２１、収納部１２の内側面１３、隔壁１４、第２のヒータ３の外側面３１を、平面視において互いに相似形である正方形状に形成し、互いの中心位置を一致させて備えている。ボート４は、収納部１２内の第１のヒータ２及び第２のヒータ３からの距離が互いに等しい４箇所のそれぞれで、処理基板Ｗの主面を内側面１３及び隔壁１４の外側面に平行にして処理基板Ｗを１０枚ずつ搭載している。処理基板Ｗは、第１のヒータ２が発生する熱によって外側面の全面を略均一に加熱され、第２のヒータ３が発生する熱によって内側面の全面を略均一に加熱される。 （もっと読む）

【課題】対向するカソード／アノードの放電空間を複数有するプラズマ処理装置において、配線とカソードとの間に異常放電を発生させず、基板面内のプラズマ処理の均一化を図る。
【解決手段】プラズマ処理装置１００は、チャンバ３と、カソード１と、複数のアノード２とを備える。複数のアノード２は、カソード放電面に対してアノード放電面が対向するように配置されている。カソード１は、カソード端面に給電部５を有し、カソード放電面およびアノード放電面は、共通する一定の対称軸に関して線対称な形状である。カソード放電面およびアノード放電面の前記対称軸方向の最大幅は、前記対称軸に垂直な方向の最大幅よりも小さい。給電部５は、前記対称軸を含みカソード放電面に対して垂直な面である基準面とカソード端面との交差線上にある。アノード２は、前記基準面に対し面対称な位置に、接地部４３を有している。 （もっと読む）

【課題】高い結晶性をもった物を製造することが可能なドライプロセス装置を提供する。
【解決手段】基板保持部１０ａに保持された基板１４の温度を所望の温度に保つ温度調整器と、前記基板保持部１０ａとターゲット保持部１０ｂとにそれぞれ配置された高周波電極１１ａ、１１ｂと、両電極の陰陽を切り替える陰陽切替器と、前記チャンバー内の気体を外部の排出するあたりその排気速度を調整する排気調整器と、前記チャンバー内へ供給する気体の供給速度を調整する給気調整器と、この給気調整器を介して前記チャンバーに供給する気体の種類を変更する気体切替器とからなり、前記基板保持部１０ａに保持された基板１４に対しスパッタリング法、イオン注入法、ＣＶＤ法等の異なった複数のドライプロセスを選択して連続実行する。 （もっと読む）

【課題】同時に複数の基板をローディング／アンローディングすることができる原子層蒸着装置を提供する。
【解決手段】複数の基板をプロセスモジュールに移動するときに、複数の基板をローディング／アンローディング可能な原子層蒸着装置は、基板をローディングおよびアンローディングするローディング／アンローディングモジュール１０と、複数の基板を同時に収容して蒸着工程が実行される複数のプロセスチャンバ３１を備え、プロセスチャンバの内部の排気ガスを吸入して、プロセスチャンバの上部に排出させるように排気部が備えられたガス噴射ユニットが備えられるプロセスモジュール３０と、ローディング／アンローディングユニットとプロセスモジュールとの間に備えられ、基板を移送するが複数の基板を同時にパージして移送するトランスファーロボットを備えるトランスファーモジュール２０とを含む。 （もっと読む）

【課題】改善された光子／電子の変換効率を備える半導体基板を製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明は、半導体基板の製造方法に関する。当該方法は、絶縁型基板上に第１の半導体層（７）を設けるステップと、拡散バリア層（９）を設けるステップと、第２の半導体層（１１）を設けるステップとを備える。拡散バリア層を設けることにより、高ドープされた第１の半導体層から第２の半導体層への拡散を抑制することが可能になる。本発明はまた、これに相当する半導体基板、および当該基板を備えるオプトエレクトロニクスデバイスに関する。 （もっと読む）

【課題】基板のエッジ領域の膜厚が、内側領域の膜厚に比べて厚くなる膜厚の盛りあがり現象の発生を抑制できる技術を提供する。
【解決手段】スピンチャック４１に保持された基板Ｗの側方周囲を取り囲む円環板状の部材であって、その外周とカップ４３の内壁との間に排気手段と連通する平面視で円環状の微小間隙Ｋ１を形成するとともに、その内周と基板Ｗの端面との間に排気手段と連通する平面視で円環状の微小間隙Ｋ２を形成する部材（側方整流部材４５）を設ける。被処理基板Ｗの周囲には、基板Ｗの表面から側方整流部材４５の上面に沿って流れ、微小間隙Ｋ１を通って排気される気流ＡＲ１と、基板Ｗの表面に沿って流れ、微小間隙Ｋ２を通って排気される気流ＡＲ２とが形成される。その結果、基板Ｗのエッジ領域付近に形成される気流が安定し、膜厚の盛りあがりが生じにくくなる。 （もっと読む）

【課題】部分的に絶縁膜が形成されているシリコン基板上を単結晶で覆うことができる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】部分的に絶縁膜が形成されたＳｉ基板１０上に、ａ−Ｓｉ膜１４を成膜する（図１（ｂ））。このＳｉ基板１０を熱処理すると、基板のＳｉ結晶を種としてａ−Ｓｉが固相Ｅｐｉ化される（図１（ｃ））。基板の厚さ方向に対して充分にＥｐｉ結晶化された範囲を保護するようにレジスト膜１８を形成し（図１（ｄ））、エッチング処理を行い（図１（ｅ））、その後、アッシング処理によってレジスト膜１８を剥離し、このＳｉ基板１０上に再度ａ−Ｓｉ膜を成膜する（図１（ｆ））。再度、上記熱処理を行うことで、ａ−Ｓｉが固相Ｅｐｉ化される（図１（ｇ））。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好な薄膜トランジスタを、生産性高く作製する方法を提供する。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極上にゲート絶縁層を形成し、ゲート絶縁層上に、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体と、水素と、ヘリウム、アルゴン、ネオン、クリプトン、キセノン等の希ガスとを用い、プラズマを発生させて、厚さ３〜１０ｎｍ、好ましくは３〜５ｎｍの第１の半導体層を形成する。次に、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体と、水素と、窒素を含む気体とを用い、プラズマを発生させて、非晶質半導体と、第１の半導体層を種結晶として部分的に結晶成長させて、形成される微結晶半導体で形成される複数の錐形状の凸部を有する第２の半導体層を形成する。次に、一導電型を付与する不純物元素が添加された半導体層を形成し、導電層を形成して、薄膜トランジスタを作製する。 （もっと読む）

【課題】金属電極及び周辺の構成を適正化する。
【解決手段】マイクロ波プラズマ処理装置１０は、処理容器１００と、マイクロ波を出力するマイクロ波源９００と、処理容器内の天井面に隣接して設けられ、マイクロ波源９００から出力されたマイクロ波を処理容器内に放出する誘電体板３０５と、誘電体板３０５のプラズマ側の面にて誘電体板３０５に隣接して設けられ、周縁から誘電体板３０５の一部を処理容器内に露出させる菱形状の金属電極３１０とを有する。金属電極３１０と誘電体板３０５とは、処理容器１００の天井面を区切る仮想領域であって金属電極３１０の２本の対角線Ｄ１，Ｄ２にそれぞれ平行な２本ずつの直線から画定され、金属電極３１０と誘電体板３０５とを含む最小の矩形領域をセル領域Ｃｅｌとして、セル領域Ｃｅｌの短辺の長さに対する長辺の長さの比は、１．２以下になっている。 （もっと読む）

【課題】基板上全体に均一な膜厚および膜質を有する薄膜を形成させることができる真空処理装置を提供する。
【解決手段】電源部から高周波電力が給電点に供給され、対向電極に設置した基板との間にプラズマを形成する複数の放電電極３ａ〜３ｈを備え、前記放電電極３ａ〜３ｈのうち、ガス流量の調整を必要とする放電電極３ａ，３ｈは、第１の原料ガス配管１６ａを介して、原料ガスの流量を調整する第１の流量制御器ＭＦＣ１を備えた第１のガス供給系Ｇ１に接続され、その他の放電電極３ｂ〜３ｇは、第２の原料ガス配管１６ｂを介して、原料ガスの流量を調整する第２の流量制御器ＭＦＣ２を備えた第２のガス供給系Ｇ２に接続されている。 （もっと読む）

【課題】タクトタイムを短縮でき、生産性を向上させることが可能な真空装置を提供する。
【解決手段】基板２３，２４を基板トレイ１１上に載置する載置機構４１と、基板トレイ１１を搬入し基板２３，２４を加熱する手段１ｂを有するロードロック室２と、ロードロック室２の出口側に連結しロードロック室２から設定温度に加熱された基板２３，２４を載置した基板トレイ１１を搬入し、基板２３，２４を設定温度で処理する処理室１と、処理室１の出口側に連結されたアンロードロック室３と、アンロードロック室３から搬出された基板トレイ１１上から基板２２，２３を回収する回収機構４２と、回収機構４２と載置機構４１との間を連結し基板トレイ１１を回収機構４２側から載置機構４１側へ戻す筒状の搬送室を有するトレイリターン機構１０とを備える。ロードロック室２、処理室１、アンロードロック室は真空排気可能であり搬送室を密閉構造とすることが可能である。 （もっと読む）

【課題】基板を低温に維持したまま、膜の高温アニール等の熱処理をし、または熱ＣＶＤ膜を基板表面に形成することができる安価な膜形成方法および膜形成装置を提供する。
【解決手段】支持台４上に支持された基板１の表面上に、複数の高温ガスビーム２ｂ，２ｃを相互に所要の間隔を置いてほぼ垂直に吹き付けると基板表面１ａ上の膜のみをアニールできる。これと共に、これら高温ガスビーム２ｂ，２ｃと前記基板１の表面とにより画成された高温空間６に、堆積性を有する膜形成用の熱分解ガス７を供給し、それを熱分解させて活性種を生成させ基板１の表面に吹き付けることにより、熱ＣＶＤ膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】シートフィルムなどの担持体に形成された薄膜材料を基板に転写することで基板に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、薄膜形成のために必要な真空度が得られ、しかもメンテナンス性に優れた装置を提供する。
【解決手段】上側ブロックと下側ブロックとの間で、薄膜を形成されたシートフィルムと基板とを挟み込んで薄膜を基板に転写させる薄膜形成装置である。上側ブロックを装着される上板１１と下側ブロックを装着される底板１９とが、アングル１０１により組まれたフレーム１０により結合される。その側面の開口部に、パネル状の前板１３、側板１４および裏板１６がシール部材１３８、１４８および１６８を介して取り付けられて処理チャンバ１が構成される。 （もっと読む）

【課題】副生成物の付着を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハを収容する処理室と、ウエハを加熱するヒータと、処理室の下部を形成するインレットフランジ１０と、インレットフランジ１０の第一ポート１２に設置されたガス供給管、棒状電極と、インレットフランジ１０の第二ポート１３に設置されたガス排気管と、を備えている基板処理装置において、インレットフランジ１０に金属成形ヒータ２０を設け、第一ポート１２および第二ポート１３にカートリッジヒータ３０を設ける。金属成形ヒータ２０およびカートリッジヒータ３０により、インレットフランジ１０、第一ポート１２周辺および第二ポート１３周辺を加熱することができるので、副生成物の発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】多種多様な基板に対して適切なドーズ量で、しかも均一に電子ビームを照射して短時間で良好な基板処理を行うことができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】電子ビーム発生ユニット４０Ａ，４０Ｂの出射窓４０ｇから電子ビームＥＢがスキャン方向（第１方向）Ｙに走査されながら基板表面に照射されるとともに、当該基板Ｗが水平移動方向（第２方向）Ｘに移動して基板表面Ｗｆに対して電子ビームＥＢが２次元的に照射される。ここで、出射窓４０ｇと基板Ｗとの距離Ｄについては、基板Ｗに対応した値に調整される。また、基板Ｗの移動速度、電子銃４０ｂに与える電流および電子銃４０ｂに与える加速電圧についても、基板Ｗに応じた値に調整される。このように距離Ｄ、移動速度および電流値が基板Ｗに対応して調整された状態で電子ビーム照射が基板Ｗ上の層間絶縁膜Ｆに対して行われる。 （もっと読む）