【課題】成膜装置のメンテナンスのための作業負荷を軽減する。
【解決手段】減圧可能な反応室４と反応室の内部に設けられている電極面２Ａを有する電極部２と加熱冷却面６２Ａを有する加熱冷却ヘッド６２とを備える成膜装置であって、加熱冷却ヘッドが、加熱冷却面をある空間を挟んで電極２に対抗させる位置と、加熱冷却面を直接的又は間接的にその電極の電極面に当接させる位置との間を移動可能である。加熱冷却ヘッドは、電極部を冷却し、電極部に堆積した成膜付着物３を剥離させる。 （もっと読む）

本発明は、ポリマー基板上に層を形成する方法において；少なくとも１つの前駆体とポリマー基板を接触させるステップと、紫外線光を適用して少なくとも１つの前駆体を分解させ、ポリマー基板上に層を被着させるステップと、を含む方法を提供している。同じく提供されているのは、ポリマー基板の入った容器内に亜鉛とドーパントを含む少なくとも１つの前駆体を導入するステップと、紫外線光を適用して少なくとも１つの前駆体を分解させ、ポリマー基板上にドープ酸化亜鉛を含む層を被着させるステップと、によって得られる、ポリマー基板上に被着された酸化亜鉛を含むドープ層である。 （もっと読む）

【課題】大電流が触媒線に流された場合でも、触媒線又は触媒線と接続された接続端子からの放電を抑制することができる触媒化学気相成長装置を提供すること。
【解決手段】触媒線６、接続端子１２、及び電源回路８を有する触媒線発熱回路２０を、接地された真空チャンバ３に対して電気的にフローティング状態となるように設ける。仮に触媒線発熱回路２０の電位がグランド電位であると、触媒線６に電力が印加される際に、触媒線６又は接続端子１２から、真空チャンバ３の外壁内面等に向けて放電が発生してしまうことが懸念される。しかしながら、触媒線発熱回路２０はフローティング状態であるので、その電位がグランド電位となることはなく、電源回路８により大電流が触媒線６に流された場合でも、触媒線６又は接続端子１２からの放電を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】複数種類の面方位のＹＡＧ（Ｙ_３Ａｌ_５Ｏ_１２）のいずれにも簡易な工程でＩＩＩ族窒化物半導体層を形成する半導体素子の製造方法の提供。
【解決手段】半導体素子１０において、ＹＡＧ基板１２は、面方位（１００）、（１１０）、（１１１）のいずれかの単結晶基板として形成される。半導体素子１０を製造する場合、まずＹＡＧ基板上にＴＭＡｌガスを供給し、ＩＩＩ族元素であるアルミニウムにより核形成層１８を形成する。次に核形成層１８の表面にＮＨ_３ガスを供給して核形成層１８の表面をＶ族化してＡｌＮからなるＩＩＩ−Ｖ族化合物層２４を形成する。次にＩＩＩ−Ｖ族化合物層２４上にＴＭＡｌガスとＮＨ_３ガスとの混合ガスを供給してＩＩＩ−Ｖ族化合物層２０を形成する。最後にＩＩＩ−Ｖ族化合物層２０上にＩＩＩ族窒化物半導体層１６を成長結晶させる。 （もっと読む）

【課題】 Ｃｕとの密着性を良好とすることが可能な金属酸化膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】 下地上に有機金属化合物を含むガスを供給し、下地上に金属酸化膜を成膜する金属酸化膜の成膜方法であって、下地上に有機金属化合物を供給して下地上に金属酸化膜を成膜し（工程２）、かつ、金属酸化膜の成膜プロセスの最後に、金属酸化膜を酸素含有ガス又は酸素含有プラズマに曝す（工程４）。 （もっと読む）

【課題】結晶粒間に鬆がない緻密な結晶性半導体膜（例えば微結晶半導体膜）を作製する技術を提供することを目的とする。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置の反応室内における反応ガスの圧力を４５０Ｐａ〜１３３３２Ｐａとし、当該プラズマＣＶＤ装置の第１の電極と第２の電極の間隔を１ｍｍ〜２０ｍｍ、好ましくは４ｍｍ以上１６ｍｍ以下として、前記第１の電極に６０ＭＨｚ以下の高周波電力を供給することにより、第１の電極および第２の電極の間にプラズマ領域を形成し、プラズマ領域を含む気相中において、結晶性を有する半導体でなる堆積前駆体を形成し、堆積前駆体を堆積させることにより、５ｎｍ以上１５ｎｍ以下の結晶核を形成し、結晶核から結晶成長させることにより微結晶半導体膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に対し簡易な手法により均質な絶縁膜を高速に形成できるようにする。
【解決手段】絶縁膜形成装置１は、堆積部１０の電子ビーム蒸着源１２からハフニウム金属の原子線を照射して、基板７０のシリコン酸化膜７２上に液体状のハフニウム微粒子７３を堆積させて堆積状態とし、照射部２０のプラズマ源２２から窒素原子、活性窒素分子及び窒素イオンでなる活性粒子７４を照射することにより、表面に窒化ハフニウムシリケート膜７６を形成すると共にシリコン酸化膜７２をシリコン酸窒化膜７５に変化させ、基板７０を成膜状態とする。この結果絶縁膜形成装置１は、基板７０へのハフニウム微粒子７３の堆積処理及び窒素プラズマでなる活性粒子７４の照射処理を行うことにより、高誘電率ゲート絶縁膜として機能し得る窒化ハフニウムシリケート膜７６を短時間で容易に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波による加熱処理装置において基板の面内温度分布の均一性を向上させる。
【解決手段】基板を処理する処理室２０１と、処理室内で基板を支持する基板支持部５と、処理室の壁面に開口する基板搬入搬出口１０を開閉すると共に基板搬入搬出口１０を閉じた際には処理室の内壁面の一部を構成する開閉部９と、処理室内にマイクロ波を供給するマイクロ波供給部４と、を備えている。処理室の内壁面のうち、基板支持部５上に支持された基板Ｗの処理面に対向する面７と開閉部が構成する面９とを結ぶ面８が、基板Ｗの処理面に対して斜めに構成された。 （もっと読む）

【課題】良好な膜質の半導体膜を大面積の絶縁透光性基板の面内に均一に形成でき、かつ異なる製膜ロット間での膜質の差が小さい半導体膜の製造装置及び方法を得ること。
【解決手段】Ｈ_２ガス又はＨ_２ガスとＳｉＨ_４ガスとの混合ガスを分散供給するシャワーヘッド４と基板ステージ１とが内部に設けられた真空容器を製膜室として備えた半導体膜の製造装置であって、シャワーヘッド４と基板ステージ１との間の空間にプラズマを発生させる高周波電源５と、シャワーヘッド４と基板ステージ１との間の複数のモニタ箇所でプラズマの電子温度を測定するラングミュアプローブ８と、シャワーヘッド４と基板ステージ１との間隔を調整する伸縮アーム１０と、各モニタ箇所での電子温度の測定値が設定値と一致するように、伸縮アーム１０を制御してシャワーヘッド４と基板ステージ１との間隔を調整する制御コントローラ１とを有する。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高い微結晶半導体膜を作製する。また、電気特性が優れ、信頼性の高い薄膜トランジスタ、及びそれを有する表示装置を生産性高く作製する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置の処理室に設けられた複数の凸部を備える電極から、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体を導入し、高周波電力を供給し、グロー放電を発生させて、基板上に結晶粒子を形成し、該結晶粒子上にプラズマＣＶＤ法により微結晶半導体膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】着脱可能な記録媒体が誤って取り外されないよう、使用者の注意を喚起するとともに、記録媒体を取り外すことができるか否かの確認を操作画面上で行うことのできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理に関する情報を操作する操作画面の表示を制御する制御手段と、着脱可能な外部記憶装置に前記情報を出力する出力手段とを有する基板処理装置であって、前記制御手段は、前記外部記憶装置が装着されている場合、装着された外部記憶装置を取り外すためのボタンが押下可能な場所に配置されるよう制御し、前記外部記憶装置が装着されていない場合、前記ボタンが押下されないよう制御する基板処理装置である。 （もっと読む）

基板（３）に上の多層コーティング及び多層コーティングを製造するための方法が提供される。前記コーティングは前記コーティングを通る原子の拡散を最小化するように構成され、前記方法は、基板を反応空間に導入し、前記基板上に第１の材料（１）の層を堆積し、及び前記第１の材料（１）の層上に第２の材料（２）の層を堆積することを含む。前記第１の材料（１）及び第２の材料（２）のの層の堆積は、前記反応空間に前駆体を交互に導入することを含み、続いてそれぞれの前駆体導入後にパージングすることを含む。前記第１の材料は、酸化チタン及び酸化アルミニウムを含む群から選択される前駆体、前記第２の材料は、酸化チタン及び酸化アルミニウムを含む群から選択される他の前駆体である。境界領域が、酸化チタン及び酸化アルミニウムの間に形成される。
（もっと読む）

【課題】ＣＶＤ装置が大型化してもチャンバ内を容易に密閉可能であり、多様な形状、及び多様な組み合わせのチャンバを容易に密封可能な、薄膜製造装置及び薄膜の製造方法を提供することである。
【解決手段】成膜チャンバ群１４を構成する各チャンバの、薄膜を成膜する対象となる基板を出し入れするための基板出入り口に、基板が通過する開口部と当該開口部を塞ぐスライド扉を配し、開口部の周囲又は扉部の相当位置に気密性と弾性を有するチューブを取り付け、チューブに気体を導入することで、チューブを膨張させて、膨張したチューブを対向する開口部の周囲又は扉部の相当位置に押し当てることにより、チャンバ内を密閉することのできる薄膜製造装置１を提供する。 （もっと読む）

【課題】複数の基板を同時に表面処理する場合に、全ての基板の表面を均一に処理できる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】複数の基板１１２を傾斜させて、かつ、間隔をあけて垂直方向に積層保持する縦型基板保持具と、前記複数の基板の間隔よりも狭い間隔で垂直方向に配置された複数のガス導入口１５７と、を備え、前記縦型基板保持具を、その長手方向を回転軸として回転させる事で、傾斜した前記基板面に衝突したガス流が攪拌されて全ての基板に均一に原料ガスが供給された後に垂直方向に配置された複数のガス排気口１５８から排気される。 （もっと読む）

基板上に材料を堆積及び結晶化する方法が開示され、特定の実施態様において、その方法は、堆積され、吹きつけられる種及びエネルギー輸送種を有するプラズマの生成を含んでもよい。第一の期間の間、基板にバイアス電圧は印加されず、プラズマ堆積を通じて種が基板上に堆積する。第二の期間の間、基板に電圧が印加され、堆積した種に向かって及び内部にイオンが引き付けられ、それにより堆積した層が結晶化する。このプロセスを十分な厚みが得られるまで繰り返すことができ、他の実施態様では、バイアス電圧又はバイアスパルス継続時間を変更して、生ずる結晶化の量を変えることができる。他の実施態様において、ドーパントを用いて、堆積した層をドープしてもよい。
（もっと読む）

【課題】原料ガスをウエハに全体にわたって均一に接触させる。
【解決手段】ウエハ群を保持して回転するボートと、ボートが搬入されるインナチューブおよびインナチューブを取り囲むアウタチューブから構成されたプロセスチューブと、インナチューブ内にガスを導入する第一ガス導入ノズルおよび第二ガス導入ノズルと、プロセスチューブ内を排気する排気口と、プロセスチューブ内を加熱するヒータユニットとを備えているＣＶＤ装置において、インナチューブの側壁に一対のスリットを開設し、インナチューブをインナチューブ受けによって回転かつ昇降可能に支持する。原料ガスをウエハの中心を通すことにより、原料ガスをウエハに均一に接触させることができるので、ウエハ面内均一性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】ガスを処理室内にある複数の基板の主面全体にわたって均一に接触させ、成膜均一性を向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】インナチューブ２内に設置され、供給量の多い処理ガスを導入する処理ガス導入ノズル２２ａの水平方向の角度を、基板を複数搭載したボートの回転動作と同期させて、変動させる。また、インナチューブ２内に設置され、供給量の少ない処理ガスを導入する処理ガス導入ノズル２２ｂの水平方向の角度は、基板の中心付近に向けて固定しておく。 （もっと読む）

【課題】複数のプラズマの高周波電源の電力を投入することでエネルギー密度を高めるとともに、高周波電力が同時に供給されることによって処理が不均一となる現象を抑制する。
【解決手段】プラズマを発生させる電極１２０に複数の高周波電源１１８，１１９が接続されたプラズマ処理装置であって、いずれかの高周波電源の高周波信号を生成する発振器１１２，１１６にはその発振が連続する時間に比べて１０％以下の時間の停止と前記停止後に再発振とを繰り返し行わせるリセット回路１１７を接続したプラズマ処理装置とする。 （もっと読む）

【課題】膜質を高く維持し、且つスループットも低下させることなく原料ガスの消費量を大幅に抑制することが可能な成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗを収容する処理容器２２と、原料ガスを供給する原料ガス供給系５４と、反応ガスを供給する反応ガス供給系５６と、弁開度が調整可能な開閉弁８０Ｂを有して真空引きする真空排気系７８とを備えた成膜処理装置２０による成膜方法において、真空排気系の開閉弁８０Ｂを閉じた状態で原料ガス供給系の開閉弁６２Ｂを最初の所定の期間は開状態した後に直ちに閉状態にして処理容器内へ原料ガスを一時的に供給して吸着させる吸着工程と、反応ガス供給系の開閉弁６６Ｂを開状態にして反応ガスを処理容器内へ供給しつつ真空排気系の開閉弁８０Ｂを最初は開状態としてその後は弁開度を徐々に小さくして反応ガスを反応させて薄膜を形成する反応工程とを、間欠期間を挟んで交互に複数回繰り返す。 （もっと読む）

【課題】膜厚分布を均一化しながら、放電電極における反射電力を抑制して、薄膜製造装置の設備コストの低減を図ることを目的とする。
【解決手段】高周波電源１７ａ，１７ｂからの高周波電力が供給される給電点５３，５４を両端部にそれぞれ有し、高周波電力により対向電極２との間にプラズマを形成する放電電極３ａ〜３ｈと、放電電極と高周波電源とを電気的に接続し、高周波電源から出力される高周波電力を放電電極の各給電点にそれぞれ伝送する伝送線路と、伝送線路に接続された整合器３ａｔ〜３ｈｔ，３ａｂ〜３ｈｂと、伝送線路における整合器と放電電極の各給電点との間にそれぞれ接続点を設け、接続点を電気的に接続するループ回路２０と、ループ回路に接続された第１のインピーダンス素子と、伝送線路の接続点と放電電極との間に接続された第２のインピーダンス素子とを備える。 （もっと読む）