【課題】十分なガスバリア性を有し耐屈曲性を有するガスバリア性積層フィルムを製造可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】基材を収容する真空チャンバーと、真空チャンバー内に、有機金属化合物と該有機金属化合物と反応する反応ガスと、を含む成膜ガスを供給するガス供給装置と、上記真空チャンバー内に配置される一対の電極と、この一対の電極に交流電力を印加し、成膜ガスのプラズマを発生させるプラズマ発生用電源と、上記ガス供給装置または上記プラズマ発生用電源とのいずれか一方または両方を制御し、有機金属化合物と反応ガスとが反応して、有機金属化合物を形成していた金属元素または半金属元素を含み且つ炭素を含まない化合物を生じる第１の反応条件と、有機金属化合物と反応ガスとが反応して、有機金属化合物を形成していた炭素と金属元素または半金属元素とを含む含炭素化合物を生じる第２の反応条件と、を切り替える制御部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は光電素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による光電素子であって、表面及び表面と垂直する法線方向を有する基板と、基板の表面に位置して表面と接触する第一半導体層と、第一半導体層と基板の表面の間に位置する少なくとも一つの空洞構造とを有し、少なくとも一つの空洞構造は幅と高さを有し、幅は空洞構造における表面に平行する方向の最大寸法であり、高さは空洞構造における法線方向に平行する方向の最大寸法であり、高さは幅より小さい。 （もっと読む）

【課題】放電電極内に特別な加熱機構を保有してない放電電極の温度制御が可能な製膜装置および製膜方法を提供する。
【解決手段】基板３０に製膜するためのプラズマを生成する放電電極５と、放電電極５の温度を計測する電極温度計測手段と、基板３０を表面で保持する基板テーブルと、放電電極５、電極温度計測手段、および基板テーブルと、を有する製膜室１と、製膜室１内の圧力を計測する製膜室圧力計測手段と、製膜室１に気体を導入する気体導入手段と、製膜室１内を所定の圧力となるように気体を排気する気体排気手段８と、放電電極５の温度に基づいて、気体導入手段と気体排気手段８との少なくとも１つの作動状況の変化を繰り返す間欠動作を制御する制御手段と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高い膜密度を保ちつつ結晶性を高くした微結晶シリコン膜の作製方法を提供する。
【解決手段】本発明の微結晶シリコン膜の作製方法は、絶縁膜５５上に、第１の条件により混相粒５７ａを有する第１の微結晶シリコン膜５７をプラズマＣＶＤ法で形成し、その上に、第２の条件により第２の微結晶シリコン膜５９をプラズマＣＶＤ法で形成する。第１の条件は、処理室内に供給する原料ガスとしてシリコンを含む堆積性気体と水素が含まれたガスを用い、処理室内の圧力を６７Ｐａ以上１３３３Ｐａ以下とする条件であり、第１の条件における原料ガスの供給は、堆積性気体の流量に対する水素の流量を５０倍以上１０００倍以下にして堆積性気体を希釈したガスの供給と、当該ガスの堆積性気体の流量より低く、且つ絶縁膜上へのシリコンの堆積より絶縁膜上に堆積したシリコンのエッチングが優位となる堆積性気体の流量にしたガスの供給を交互に行うものである。 （もっと読む）

【課題】現在、良質な膜を得るために、下地膜から非晶質シリコン膜までの形成プロセスは、各々の成膜室にて行われている。これらの成膜条件をそのまま用いて同一成膜室にて下地膜から非晶質シリコン膜までを連続形成すると、結晶化工程で十分に結晶化されない。
【解決手段】水素希釈したシランガスを用いて非晶質シリコン膜を形成することにより、下地膜から非晶質シリコン膜までを同一成膜室内で連続形成しても、結晶化工程で十分に結晶化可能となる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタにおいて生じるリーク電流を抑えつつ、表示装置の生産性を向上させることを目的とする。
【解決手段】基板３０１と、基板３０１に形成されている複数の薄膜トランジスタＴＦＴと、を有する表示装置であって、薄膜トランジスタＴＦＴは、ゲート電極３０３と、ゲート電極３０３の上側に配置される微結晶半導体層３０５と、微結晶半導体層３０５上に配置される非晶質半導体層３０６と、を有し、非晶質半導体層３０６の水素濃度が、１２ａｔｏｍ％以下である、ことを特徴とする表示装置。 （もっと読む）

【課題】 窒化物上へゲルマニウム・スペーサを選択的に堆積するための構造及び方法を提供すること。
【解決手段】 半導体製造プロセス中でゲルマニウム構造体を選択的に形成する方法は、化学的酸化物除去（ＣＯＲ）プロセスにおいて自然酸化物を除去し、次いで、加熱された窒化物及び酸化物表面を加熱されたゲルマニウム含有ガスに曝して、ゲルマニウムを選択的に窒化物表面上にだけ形成し、酸化物表面上には形成しない。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好な半導体装置を、生産性高く作製する。
【解決手段】第１の条件により、高い結晶性の混相粒を低い粒密度で有する種結晶を絶縁膜上に形成した後、第２の条件により混相粒を成長させて混相粒の隙間を埋めるように、種結晶上に第１の微結晶半導体膜を形成し、第１の微結晶半導体膜上に、第１の微結晶半導体膜に含まれる混相粒の隙間を広げず、且つ結晶性の高い微結晶半導体膜を成膜する第３の条件で第２の微結晶半導体膜を積層形成する。 （もっと読む）

【課題】 減圧環境下においても、障害物と接触したことを検出することが可能な搬送装置を提供すること。
【解決手段】 前進後退が可能な、搬送体Ｇを支持する支持部材７１と、支持部材７１が前進したとき、支持部材７１の先端が障害物に接触したことを検出するセンサ８と、を備え、センサ８が、支持部材７１の先端に接地された状態で設けられた、可撓性を有する第１の導電性リング８１と、第１の導電性リング８１の内側に、第１の導電性リング８１から離隔して設けられた、第２の導電性リング８２と、第１の導電性リング８１が障害物に接触し変形して第２の導電性リング８２に接触したとき、第１の導電性リング８１と第２の導電性リング８２とが短絡したことを検出する検出器と、を含む。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好な半導体装置を、生産性高く作製する。
【解決手段】第１の条件により、高い結晶性の混相粒を低い粒密度で有する種結晶を形成した後、種結晶上に、第２の条件により種結晶の混相粒を成長させて混相粒の隙間を埋めるように、種結晶上に微結晶半導体膜を積層形成する。第１の条件は、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体の流量に対する水素の流量を５０倍以上１０００倍以下にして堆積性気体を希釈し、且つ処理室内の圧力を１３３３Ｐａより大きく１３３３２Ｐａ以下とする条件である。第２の条件は、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体の流量に対する水素の流量を１００倍以上２０００倍以下にして堆積性気体を希釈し、且つ処理室内の圧力を１３３３Ｐａ以上１３３３２Ｐａ以下とする条件である。 （もっと読む）

【課題】
複数の凹部または複数の排気孔を設けたカソード電極を備えるプラズマ処理装置において、カソード電極の近傍のみにプラズマを発生させて基板近傍のプラズマ発生を抑制し、膜中への不要物質の混入を防ぐとともに、カソード電極の全ての凹部または全ての排気孔に均一にプラズマを生成することができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】
凹部または排気孔を備えるカソード電極と基板保持機構との間にアノード電極を配置し、該アノード電極は前記カソード電極の凹部または排気孔に対向する位置に貫通孔を備え、前記カソード電極と前記アノード電極との間の距離が可変である、プラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】軽量かつコンパクトで簡素な構造により、変換器の内部における反射波とプラズマの発生を防止して、放電室において安定したプラズマを発生させることのできる真空処理装置を提供する。
【解決手段】互いに平行に対向し、その間にプラズマ処理が施される基板Ｓが配置される放電用のリッジ電極２１ａ，２１ｂを有したリッジ導波管からなる放電室２と、この放電室２の長さ方向両端に隣設されて、互いに平行に対向する一対の平板状のリッジ部３１ａ，３１ｂを有したリッジ導波管からなる変換器３Ａ，３Ｂと、高周波電源５Ａ，５Ｂと、電源接続用の同軸ケーブル４Ａ，４Ｂと、変換器３Ａ，３Ｂの内部において対向するリッジ部３１ａ，３１ｂの間に充填される充填材３５とを備え、充填材３５は、同軸ケーブル４Ａ，４Ｂが変換器３Ａ，３Ｂに接続される電源導入部Ｃの近傍の範囲で電源導入部Ｃと同心円の円柱状に設置されてなる構成の真空処理装置とする。 （もっと読む）

【課題】リッジ電極および基板の熱変形を抑制し、大型の基板にも安定したプラズマ処理が行える真空処理装置を提供する。
【解決手段】平板状に形成されて互いに平行に対向配置され、その間にプラズマが生成される一方および他方のリッジ電極２１ａ，２１ｂを有するリッジ導波管である放電室２と、その両端に隣設され、対向配置された一対のリッジ部を有するリッジ導波管からなり、高周波電力をＴＥモードに変換して放電室２に伝送し、リッジ電極２１ａ，２１ｂ間にプラズマを発生させる一対の変換器と、リッジ電極２１ｂの外側に間隔を空けて平行に設置され、プラズマ処理が施される基板Ｓがセットされ、該基板Ｓの温度を均等に加熱する均熱温調器１１と、リッジ電極２１ａの外側に設置され、該リッジ電極２１ａおよびプラズマ処理が施される基板Ｓの板厚方向を通過する熱流束を制御する熱吸収温調ユニット１２とを有する。 （もっと読む）

【課題】品質の良いアルミニウム系ＩＩＩ族窒化物の結晶を得るため反応温度を得るとともに、反応器内のガス対流をできるだけ抑止することができる結晶成長装置を提供すること。
【解決手段】アルミニウム系ＩＩＩ族窒化物を基板上に気相成長させる結晶成長装置１は、縦管８と横管７とから構成されるＴ字状の反応器を備えている。結晶成長装置１は、縦管８と横管７に臨んだ領域には、基板を保持するタングステン製の加熱支持台２２と、加熱支持台２２を誘導加熱する高周波コイル２４と、横管７に導入されＩＩＩ族ハロゲン化物を基板上に供給するハロゲン化物ガス管１５と、横管７に導入され窒素源ガスを基板上に供給する窒素源ガス管１７とを備えている。 （もっと読む）

【課題】リッジ電極及び基板の熱変形を抑制し、大型の基板にも安定した製膜処理が行える真空処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマが生成される排気側リッジ電極２１ａ及び基板側リッジ電極２１ｂを有するリッジ導波管からなる放電室２と、高周波電力を方形導波管の基本伝送モードであるＴＥモードに変換して放電室２に伝送し、排気側リッジ電極２１ａ及び基板側リッジ電極２１ｂの間にプラズマを発生させる一対の変換器と、基板側リッジ電極２１ｂの外面側に設置されて温度を均等に加熱する均熱温調器４０と、排気側リッジ電極２１ａの外面側に設置されてプラズマ処理が施される基板Ｓの板厚方向の熱流束を制御する熱吸収温調ユニット５０とを有し、基板Ｓを排気側リッジ電極２１ａ及び基板側リッジ電極２１ｂの間に設置してプラズマ処理を施す。 （もっと読む）

【課題】簡素かつコンパクトで安価な構造により、変換器と放電室との境界部における反射波の発生を抑制し、高品質なプラズマ処理を行うことができる真空処理装置を提供する。
【解決手段】互いに平行に対向し、その間にプラズマが生成される一対のリッジ電極２１ａ，２１ｂを有したリッジ導波管からなる放電室２と、放電室２の両端に隣設されて互いに平行に対向する一対の平板状のリッジ部３１ａ，３１ｂを有したリッジ導波管からなる変換器３Ａ，３Ｂと、高周波電力をリッジ部３１ａ，３１ｂに供給する電源手段とを有し、一対のリッジ電極２１ａ，２１ｂのリッジ電極対向間隔ｄ１が、一対のリッジ部３１ａ，３１ｂの対向間隔ｄ２よりも狭く設定されてリッジ段差Ｄが存在し、このリッジ段差Ｄの部分に、一対のリッジ部３１ａ，３１ｂと一対のリッジ電極２１ａ，２１ｂの間を、各々の対向間隔を漸減させて接続する漸減部３２ａ，３２ｂを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好な半導体装置を、生産性高く作製する。
【解決手段】第１の条件により、高い結晶性の混相粒を低い粒密度で有する種結晶を形成した後、第２の条件により混相粒を成長させて混相粒の隙間を埋めるように、種結晶上に微結晶半導体膜を積層形成する。第１の条件は、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体の流量に対する水素の流量を５０倍以上１０００倍以下にして堆積性気体を希釈し、且つ処理室内の圧力を６７Ｐａ以上１３３３Ｐａ以下とする条件である。第２の条件は、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体と、水素との流量比を周期的に増減させながら処理室に供給し、且つ処理室内の圧力を１３３３Ｐａ以上１３３３２Ｐａ以下とする条件である。 （もっと読む）

【課題】製造工程において半導体膜の膜質を低下させることなくその性能を維持し、少ない工程数によって、かつ、製造上の歩留まり及びスループットの優れた構造を有する薄膜トランジスタ及びその製造方法等を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ１００は、酸化物半導体膜１２０を有し、当該酸化物半導体膜１２０は、各薄膜半導体毎に、ゲート電極１６０下及び隣接された薄膜トランジスタ間とにそれぞれ形成された第１領域１２１及び１２２と、ソース電極１４０及びドレイン電極１５０下であって第１領域１２１の前記水平方向におけるそれぞれの両端に並設されており、ソース電極１４０及びドレイン電極１５０にそれぞれ電気的に接続され、かつ、非駆動時に前記第１領域１２１及び１２２より低抵抗である第２領域１２３及び１２４と、を有している。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル基板と製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のエピタキシャル基板は結晶性基板を備える。結晶性基板は微細な凹凸を備えるとともにパターニング不要のエピタキシャル表面を有する。本発明によるエピタキシャル基板は化合物半導体材料から、良好な品質のエピタキシャル層の成長を得るという利点を有する。さらに、本発明によるエピタキシャル基板の製造方法は低コストかつ製造時間短縮といった利点を有する。 （もっと読む）

【課題】電極に形成された導波路を伝搬する高周波を制御可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】内部に、基板Ｇを載置する載置台１１５と該載置台上方においてプラズマが発生されるプラズマ空間とを有する真空容器１００と、第１の電極部２００ａと第２の電極部２００ｂとの２つの電極部に分離され、真空容器の内部に間隔を開けて配列された複数の電極対２００と、２つの電極部を横断するように設けられ、真空容器の内部にプラズマを励起するための高周波を供給する複数の同軸管２２５とを備え、複数の同軸管の内部導体は２つの電極部の一方、外部導体は他方に接続され、複数の同軸管から供給された高周波が２つの電極部間に形成された導波路２０５を伝搬した後、導波路に設けられた誘電体板２１０のプラズマ露出面から真空容器に放出してプラズマを励起するプラズマ処理装置１０が提供される。 （もっと読む）