【課題】電力利用効率を向上できる高周波電力供給装置、プラズマ処理装置、及び半導体薄膜の製造方法を得ること。
【解決手段】高周波電力供給装置は、変動負荷に高周波電力を供給する高周波電力供給装置であって、高周波電源と、前記高周波電源と前記変動負荷との間に配され、前記変動負荷からの反射電力を分離するサーキュレータと、前記サーキュレータにより分離された反射電力の位相及び振幅を調整する調整部と、前記高周波電源から出力された電力と前記調整部により調整された反射電力とを合成して前記サーキュレータへ出力する電力合成部とを備えている。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高い微結晶半導体膜及びその作製方法を提供する。また、電気特性が良好な半導体装置を、生産性高く作製する方法を提供する。
【解決手段】厚さが７０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の微結晶半導体膜であり、微結晶半導体膜の表面から一部が突出する結晶粒を有し、当該結晶粒は配向面を有し、且つ１３ｎｍ以上の大きさの結晶子を有する微結晶半導体膜である。また、微結晶半導体膜の膜密度が２．２５ｇ／ｃｍ^３以上２．３５ｇ／ｃｍ^３以下、好ましくは２．３０ｇ／ｃｍ^３以上２．３３ｇ／ｃｍ^３以下である。 （もっと読む）

【課題】キャリア移動度がさらに向上した有機半導体デバイス、該デバイスに含まれる薄膜及び該薄膜に含まれる化合物が求められていた。
【解決手段】式（１）


（式中、Ｘ及びＹは、それぞれ独立して、硫黄原子、酸素原子、セレン原子、テルル原子、及びＳＯ_２を表す。Ｒ^１〜Ｒ^８は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜３０のアルキル基、炭素数１〜３０のアルコキシ基、炭素数２〜３０のアルケニル基、炭素数２〜３０のアルキニル基、炭素数１〜３０のアルキルチオ基、炭素数６〜３０のアリール基又は炭素数４〜３０のヘテロアリール基を表す。）
で表されるジカルコゲノベンゾジピロール化合物。 （もっと読む）

【課題】絶縁性基板を静電的に吸着する静電チャックと基板との間に供給される冷却ガスのリークを抑えることができるプラズマ処理方法、及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】
真空槽１１内の絶縁性基板Ｓ（基板Ｓ）を静電チャック１７に対して静電吸着し、且つ、基板Ｓの裏面と静電チャック１７の凹部１７ｃとによって形成される冷媒空間に該基板Ｓを冷却するヘリウムガスを供給しつつ、真空槽１１内にプラズマを生成して基板Ｓをエッチング処理する。基板Ｓに対するエッチング処理を実施しているときに、第１スイッチＳＷ１と第２スイッチＳＷ２との切り替えを周期的に行うことによって静電チャック１７のチャック電極１７ｂに印加する直流電圧の極性を周期的に変える。 （もっと読む）

【課題】電界効果型トランジスタの活性層に好適に用いられる非晶質酸化物の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に、非晶質酸化物層２を形成する前に、基板１表面にオゾン雰囲気中で紫外線を照射したり、基板１表面にプラズマを照射したり、あるいは基板１表面を過酸化水素を含有する薬液により洗浄する。または、非晶質酸化物層２を形成する工程をオゾンガス、窒素酸化物ガス等の少なくともいずれかを含む雰囲気中で行う。または、基板１上に、非晶質酸化物層２を形成する後に、非晶質酸化物層２の成膜温度よりも高い温度で熱処理する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で電極の給電点からの反射電力を小さくできる高周波プラズマ発生装置を得る。
【解決手段】第２インピーダンス整合器１４ａ−１４ｄは、可変移相器１１ａ−１１ｄで設定される位相が給電点７ａ−７ｄですべて同じになるような同相状態では、増幅器１２ａ−１２ｄ側へ反射される電力が最小となるように各インピーダンスが整合され、第１インピーダンス整合器１３Ａ、１３Ｂは、可変移相器１１ａ−１１ｄで設定される位相が給電点７ａ、７ｂと７ｃ、７ｄで１８０度異なるような逆相状態では、第２インピーダンス整合器１４ａ−１４ｄの各インピーダンスの整合は同相状態の整合と同じままで、増幅器１２ａ−１２ｄ側へ反射される電力が最小となるようにインピーダンスが整合され、第１及び第２高周波給電回路は、電極間の電界強度の平均が一様になるように、同相状態と逆相状態を高速に交互に切り替えて高周波を給電点７ａ−７ｄに供給する。 （もっと読む）

【課題】良好な品質を有し光電変換効率の高いシリコン系薄膜光電変換装置を簡易な製造装置を用いて低コストでかつ高効率で製造する方法を提供する。
【解決手段】本シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法は、第１のｐ型半導体層１１、ｉ型非晶質シリコン系光電変換層１２、および第１のｎ型半導体層１３を含む非晶質ｐｉｎ構造積層体１０を備え、非晶質ｐｉｎ構造積層体１０が第１のｐ型半導体層１１または第１のｎ型半導体層１３に結晶質シリコン系半導体を含む積層型シリコン系薄膜光電変換装置１００の非晶質ｐｉｎ構造積層体を、同一のプラズマＣＶＤ成膜室内で、プラズマＣＶＤ成膜室のカソードとアノードの距離が３ｍｍ以上２０ｍｍ以下、成膜圧力が２００Ｐａ以上３０００Ｐａ以下および電極単位面積当たりの電力密度が０．０１Ｗ／ｃｍ²以上０．３Ｗ／ｃｍ²以下の条件で形成する。 （もっと読む）

【課題】 薄膜の厚み及び膜質の均一性を十分に図りつつ、アンテナ素子２１の洗浄メンテナンスの煩雑化を抑えて、アンテナ素子２１の洗浄メンテナンスの作業時間を大幅に短縮することができる。
【解決手段】
導電材料により構成された断面円形状の電極棒３７と、電極棒３７の外側に囲むように設けられかつ誘電材料により構成された断面環状の外筒３９と、を備え、電極棒３７の外周面及び外筒３９の内周面のうちの少なくともいずれかに溝４５又は４７が形成され、溝４５又は４７が電極棒３７の基端側から先端側にかけて連続して延びていること。 （もっと読む）

【課題】相対的に高い変換効率を持つ新規なカルコゲナイト系化合物半導体及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】以下の構成を備えたカルコゲナイト系化合物半導体及びその製造方法。（１）カルコゲナイト系化合物半導体は、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、元素Ｘ₃（＝Ｓ及び／又はＳｅ）、及び、Ｏを必須元素として含む。（２）カルコゲナイト系化合物半導体は、（ａ）Ｃｕ、Ｚｎ及びＳｎを含み、（ｂ）Ｃｕ、Ｚｎ及びＳｎから選ばれるいずれか１以上の元素を含む、１種又は２種以上の非結晶の酸化物及び／又は水酸化物を含む前駆体を硫化及び／又はセレン化することにより得られる。前駆体は、大気開放型ＣＶＤ装置にＣｕ源、Ｚｎ源及びＳｎ源を含むＣＶＤ原料を供給し、ＣＶＤ原料を同時に気化させることにより形成するのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】複数本の誘導結合型電極５３の着脱作業を含む一連の誘導結合型電極５３のメンテナンス作業を簡略化すること。
【解決手段】真空チャンバー３の天井壁１５の内壁面に可動ガイドレール２９が上下方向へ移動可能に設けられ、可動ガイドレール２９に複数の分割ホルダ４１Ｓが左右方向に移動可能に支持され、各分割ホルダ４１Ｓにおける各一対の第１保持孔４５及び第２保持孔４７に誘導結合型電極５３が挿通した状態で保持され、可動ガイドレール２９に複数の分割ホルダ４１Ｓをセットした状態で、可動ガイドレール２９を基準のレール高さ位置まで上方向へ移動させると、各第１アンテナ側コネクタ５７が第１天井側コネクタ１７に接続しかつ各第２アンテナ側コネクタ６１が第２天井側コネクタ１９に接続すること。 （もっと読む）

【課題】化学気相堆積により、基板上にＧｅの連続した層を堆積する方法を提供する。
【解決手段】非反応性キャリアガスと、高次のゲルマニウム前駆体ガス、即ちゲルマン（ＧｅＨ_４）より高次のゲルマニウム前駆体ガスとの混合物が適用される。好適には、約２７５℃と約５００℃との間の堆積温度で堆積が行われ、混合物中の前駆体ガスの分圧は、約２７５℃と約２８５℃との間の温度で少なくとも２０ｍＴｏｒｒであり、約２８５℃と約５００℃との間の温度で少なくとも１０ｍＴｏｒｒである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、エピタキシャル構造体及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明のエピタキシャル構造体の製造方法は、少なくとも一つの結晶面を有する基板を提供する第一ステップと、前記基板の結晶面に複数の空隙を含むカーボンナノチューブ層を配置する第二ステップと、前記基板の結晶面にエピタキシャル層を成長させる第三ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】爆発の危険性が高いＳｉＨ_４を用いずとも、安全、比較的低温度で、しかも低廉なコストでＳｉ系膜を提供できる技術を提供することである。
【解決手段】Ｓｉ系膜を形成する為の膜形成材料であって、前記膜形成材料が、ｔ−Ｃ_４Ｈ_９ＳｉＸ_３（Ｘは任意の基）と、前記ｔ−Ｃ_４Ｈ_９ＳｉＸ_３と反応する反応性化合物とを有する。 （もっと読む）

【課題】成膜種を効率よく生成することができ、高品質の薄膜を成膜することができるプラズマ処理方法及び処理装置を提供する。
【解決手段】被処理体３を収納して被処理体３上に薄膜を成膜する反応チャンバー１と、反応チャンバー１内に配置され、被処理体３を保持するステージ４と、反応チャンバー１内に第１のガスを供給する第１のガス供給部１０と、反応チャンバー１内に第１のガスとは異なる第２のガスを供給する第２のガス供給部１４と、反応チャンバー１内に高周波放電を発生させる高周波プラズマ源７とを備えるプラズマ処理装置を用い、反応チャンバー１内において、高周波放電によってプラズマ化された第１のガスと、プラズマ化が抑制された第２のガスとを接触させて分解反応を起こさせ、該分解反応に基づいて、ステージ４に保持された被処理体３上に薄膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】Ｇａ_２Ｏ_３基板を有する発光素子の製造時におけるバッファ層の剥離の発生を抑制することができる発光素子の製造方法及び発光素子を提供する。
【解決手段】ＬＥＤ素子１を、ＭＯＣＶＤ装置２内でＧａ_２Ｏ_３基板１０上にバッファ層１１を形成し、その後、ＭＯＣＶＤ装置２内を窒素雰囲気とし、７００℃から１０３５℃の成長温度にてバッファ層１１上にＧａＮ層１２ａを形成して製造する。 （もっと読む）

【課題】 高品質なシリコン膜を高速で結晶成長させる技術を提供する。
【解決手段】 １２００℃〜１４００℃に加熱されているとともに１５００ｒｐｍ〜３５００ｒｐｍで回転している基板６に向けて、基板の表面に直交する方向から、塩化シランガス１８を供給する。このときの塩化シランガス１８の供給量を、基板６の表面１ｃｍ^２当たり２００μｍｏｌ／分以上とする。 （もっと読む）

【課題】結晶性半導体の核生成を均一にする。
【解決手段】ガス管から導入された成膜ガスを拡散する第２のガス拡散室と、前記第２のガス拡散室と分散板を隔てて設けられ、該分散板のガス孔から成膜ガスが導入される第１のガス拡散室と、を介して、前記第１のガス拡散室とシャワー板を隔てて設けられた処理室内に該シャワー板のガス孔から成膜ガスを供給し、前記成膜ガスを導入することによって前記処理室内の圧力を２０００Ｐａ以上１０００００Ｐａ以下とし、前記処理室内に電界を生じさせる一対の電極のうち、一方の電極面から電界強度が均一な高周波電力を供給することでグロー放電プラズマを生成させ、前記対向する電極の他方に配された基板上に結晶核を生じさせ、その後、該結晶核を成長させて結晶性半導体膜を作製する。 （もっと読む）

【課題】凹部のない大面積で高品質なＣＶＤダイヤモンド単結晶及びこれを実現する製造方法の提供。
【解決手段】主面が｛１００｝であるダイヤモンド単結晶基板の｛１００｝側面同士を近接させて４枚以上配置し、該配置した単結晶基板の主面にダイヤモンドを気相合成により成長させた後、該単結晶基板を除去して１枚の大面積ＣＶＤダイヤモンド単結晶を製造する方法であって、前記ダイヤモンド単結晶基板の配置が、近接する任意の４枚の単結晶基板の、隣接する２枚の単結晶基板Ａ１とＡ２とからなる単位Ａと、他の２枚の単結晶基板Ｂ１とＢ２とからなる単位Ｂとにおいて、Ａ及びＢが対向する側の面がそれぞれ同一平面上にあり、かつＡ１とＡ２が対向する側面間の間隔の真中の面と、Ｂ１とＢ２が対向する側面間の間隔の真中の面とが、単位Ａと単位Ｂが対向する面の方向にずれている配置であることを特徴とする大面積ＣＶＤダイヤモンド単結晶を製造する方法。 （もっと読む）

【課題】レンズの反射を抑制することが可能な酸化膜を低温下で形成する。
【解決手段】基板に形成されたレンズの上に、第１元素を含む第１原料、第２元素を含む第２原料、酸化剤および触媒を用いて空気の屈折率より大きく、レンズの屈折率より小さい屈折率を有する下層酸化膜を形成する下層酸化膜形成工程と、下層酸化膜の上に、第１原料、酸化剤および触媒を用いて空気の屈折率より大きく、下層酸化膜の屈折率より小さい屈折率を有する上層酸化膜を形成する上層酸化膜形成工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ＶＨＦ帯の高周波電力の供給を行って大面積の被処理基板を処理した場合でも均一なプラズマを得ること。
【解決手段】プラズマ成膜装置において、第１の電極における第２の主面は複数の第１の給電点と複数の第２の給電点と少なくとも１つの第３の給電点と少なくとも１つの第４の給電点とを有し、前記複数の第１の給電点と前記複数の第２の給電点とは、対称点に関して対称な位置であって対称軸に関して対称な位置に配されるとともに、給電される高周波電力の位相差が互いに１８０度であり、前記少なくとも１つの第３の給電点と前記少なくとも１つの第４の給電点とは、それぞれ、前記対称点から等距離であり前記対称軸上となる位置に配される、あるいは前記対称点から等距離であり前記対称軸に関して対称な位置に配された１組の給電点を含む。 （もっと読む）