【課題】大気圧プラズマ処理装置、大気圧プラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】処理ガスが流通する流路５１（第２の配管５０）に介装され、前記流路５１
を開閉可能なバルブ５２と、前記流路５１から前記処理ガスが供給され、前記処理ガスを
大気圧下でプラズマ化するプラズマ発生部１６と、前記プラズマ発生部１６及び前記バル
ブ５２に接続され、前記バルブ５２の開放時から一定の遅延時間経過後に前記プラズマ発
生部１６を駆動させる制御部６０と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】３層以上の膜を成膜するに際して、第１の膜の成分が第３の膜に含まれることを防ぐ成膜方法を提供する。
【解決手段】上部電極１０４と下部電極１０２が設けられた成膜装置１００により３層以上の膜を成膜する多層膜の成膜に際して、下部電極１０２上に基板１１０を配して第１の膜１１２を成膜し、前記第１の膜１１２の形成時よりも上部電極１０４と前記基板１１０の間の距離を長くし、前記第１の膜１１２上に第２の膜１１４を成膜し、前記第２の膜１１４の形成時よりも前記上部電極１０４と前記基板１１０の間の前記距離を短くし、前記第２の膜１１４上に第３の膜１１６を成膜する。 （もっと読む）

【課題】 加熱装置全体としての断熱性を維持しながら、昇温時、温度安定時間の短縮と急冷時間の短縮を図る加熱装置を提供すること。
【解決手段】筒状の側壁内に基板を処理する処理室を設け、この側壁に支持されると共に基板を加熱する発熱体２０を備えた加熱装置である。側壁内層５０、側壁中層６０及び側壁外層７０で区切られた二つの空間が形成される。発熱体２０を取り付ける側壁内層５０と側壁中層６０との間の第一の空間Ｓ１には冷却媒体流通通路１４が形成される。側壁中層６０と側壁外層７０との間の第二の空間Ｓ２には断熱材６３が封入されている。 （もっと読む）

【課題】被処理体を支持する支持体構造における上下の両端部側におけるガスの乱流の発生を抑制して形成される薄膜の膜厚の面内均一性及び膜質の改善を図ることが可能な支持体構造を提供する。
【解決手段】処理ガスを一側から他側に向けて水平方向に流すようにした処理容器構造内で処理すべき複数枚の被処理体Ｗを支持する支持体構造において、天板部９２と、底部９４と、天板部と底部とを連結し、被処理体を支持する複数の支持部１００がその長さ方向に沿って所定のピッチで形成されると共に複数の支持部の内の最上段の支持部と天板部９２との間の距離と複数の支持部の内の最下段の支持部と底部９４との間の距離とが共に支持部間のピッチ以下の長さに設定されている複数の支持支柱９６とを備える。これにより、支持体構造における上下の両端部側におけるガスの乱流の発生を抑制する。 （もっと読む）

【課題】電気的特性の測定を精度高く行うことが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、基板１０の裏面１０ｂに、絶縁体からなり、厚さが１μｍ以下の保護膜２２を形成する工程と、保護膜２２を設ける工程の後に、基板１０の表面１０ａに、ＭＯＣＶＤ法を用いて、ＧａＮ系半導体層を成長させる工程と、ＧａＮ系半導体層を成長させる工程の後に、ＧａＮ系半導体層の電気的特性を測定する工程と、を有する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ステップ搬送の停止期間中に非成膜ゾーンで発生する張力上昇とそれに伴う応力集中を防止できるステッピングロール方式の薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】帯状の可撓性基板１に機能性薄膜を積層形成するための薄膜形成装置で、成膜ユニット５，６，７，８を含む成膜ゾーンＺ１，Ｚ２と、成膜ゾーンの上流側および下流側に配設された第１および第２搬送制御ロール１６，２６と、搬送の停止期間中に各成膜ユニットに密閉空間を画成すべく各成膜ユニットに併設された遮蔽手段５３，５４，６３，６４，７３，７４，８３，８４と、搬送中に基板の張力を制御する第１張力制御手段１６，１７，１８，１９と、成膜ゾーンの下流側に隣接した非成膜ゾーンＺ３，Ｚ４とを備え、搬送の停止期間中に、遮蔽手段が基板を挟んで閉じた状態で、非成膜ゾーンにおける基板の張力を制御する第２張力制御手段３，４を備えた。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置における電極面内のプラズマ強度の均一性を高める。
【解決手段】基板を保持することが可能な第１電極と、第１電極と対向するように配置され、第１電極と対向する面にプラズマとなるガスを供給するガス供給穴１４ａが複数開口された第２電極１４とを備え、第２電極１４の第１電極と対向する面には、ガス供給穴１４ａを取り囲むように溝１４ｃが設けられているプラズマ処理装置とする。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高い微結晶シリコン膜を作製する方法を提供する。
【解決手段】本発明の微結晶シリコン膜の作製方法は、絶縁膜５５上に、第１の条件により第１の微結晶シリコン膜５７をプラズマＣＶＤ法で形成し、第１の微結晶シリコン膜上に、第２の条件により第２の微結晶シリコン膜５９を形成し、第１の条件は、処理室内に供給する原料ガスとしてシリコンを含む堆積性気体と水素が含まれたガスを用い、堆積性気体の流量に対する水素の流量を５０倍以上１０００倍以下にして堆積性気体を希釈し、且つ処理室内の圧力を６７Ｐａ以上１３３３Ｐａ以下とする条件であり、第２の条件は、処理室内に供給する原料ガスとしてシリコンを含む堆積性気体と水素が含まれたガスを用い、堆積性気体の流量に対する水素の流量を１００倍以上２０００倍以下にして堆積性気体を希釈し、且つ処理室内の圧力を１３３３Ｐａ以上１３３３２Ｐａ以下とする条件である。 （もっと読む）

薄膜太陽電池を堆積するためのクランプユニットおよび信号給電方法を提供する。クランプユニットは、電極板モジュール、信号給電モジュール（２０１）および支持フレームを含む。電極板モジュールにシールドカバー（２０４）が設けられる。信号給電モジュール（２０１）は、胴部セクションおよびヘッド部セクションを含み、ヘッド部セクションが矩形形状の信号給電表面である。信号給電モジュール（２０１）のヘッド部セクションは、電極板モジュールの給電ポートと表面接触して接続される。給電ポートは、電極板モジュールのカソード板の背面側の中心部分に配置されるくぼんだ矩形表面上に設けられる。クランプユニットは、事実上、定在波効果および表皮効果を除去し、歩留まりを改善し、コストを低減することができる。
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シリコン系薄膜太陽電池のための可動堆積ボックス（０２）は、可動チャンバに設けられた少なくとも１群のカソード板（２０３）および１枚のアノード板（２０８）からなる電極アレイを含み、給電ソケット（２０３−１）がカソード板（２０３）の裏側の中心領域の円または半円凹部表面に位置付けられ、平坦な中間部分を有する給電要素（２０１）の円または半円端面（２０１−１）が信号給電ソケット（２０３−１）に接触し、ＲＦ／ＶＨＦ電源信号を給電し、アノード板（２０８）が接地され、カソード板のシールドカバー（２０４）がスルーホール（２０４−１）を有し、カソード板（２０３）から絶縁される。
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【課題】バッファで改善された結晶性および平坦性を有効に機能積層体に引き継がせることにより、機能積層体の平坦性および結晶性を向上させた半導体素子をその製造方法とともに提供する。
【解決手段】基板１上に、バッファ２と、複数の窒化物半導体層を含む機能積層体３とを具える半導体素子１００であって、機能積層体３は、バッファ２側にｎ型またはｉ型である第１のＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ層４(０≦ｘ＜１)を有し、バッファ２と機能積層体３との間に、第１のＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ層４とＡｌ組成が略等しいｐ型不純物を含むＡｌ_ｚＧａ_１−ｚＮ調整層５(ｘ−０．０５≦ｚ≦ｘ＋０．０５、０≦ｚ＜１)を具え、バッファ２は、少なくとも機能積層体３側にＡｌ_αＧａ_１−αＮ層(０≦α≦１)を含み、該Ａｌ_αＧａ_１−αＮ層のＡｌ組成αと、第１のＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ層４のＡｌ組成ｘとの差が、０．１以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】膜質の良い絶縁膜を成膜する。
【解決手段】本発明の成膜装置１は電離装置２５を有している。電離装置２５は反応ガスの経路の途中に設けられており、反応ガスは経路を流れる途中で電離装置２５で電離され、成膜室２内部に電離された反応ガスが導入される。電離された反応ガスを成膜室２内部に導入しながら、ターゲット６をスパッタリングすれば、スパッタ粒子と反応ガスとが反応して、基板１１表面に反応物の膜が形成される。反応ガスを電離してからスパッタを行うと、反応ガスを電離させない場合に比べて、成膜速度が速く、かつ、膜質の良い膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】真性微結晶シリコン層のための方法を提供すること。
【解決手段】一実施形態では、真性微結晶シリコン層を形成する方法は、加工チャンバ内に配置された基板の表面へガス混合物中で供給されるシランガスを動的に増加させるステップと、加工チャンバへ供給されるガス混合物中で印加されるＲＦ電力を動的に減少させて、ガス混合物中でプラズマを形成するステップと、基板上に真性微結晶シリコン層を形成するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の温度を非接触で正確に測定することのできる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置５０は、半導体基板６が収容されるチャンバ１と、チャンバ１内に反応ガス２６を供給する反応ガス供給部１４と、半導体基板６を加熱するヒータ８と、チャンバ１の外部に設けられ、半導体基板６からの放射光を受光して半導体基板６の温度を測定する放射温度計４４と、半導体基板６と放射温度計４４との間で放射光の光路４８を覆う管状部材４７とを有する。管状部材４７には、不活性ガス供給部４から不活性ガス２５が供給される。管状部材４７は、外周面に内周面より放射率の低い材料を用いて構成されることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】形成される膜の膜質および膜厚が均一となるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明のプラズマ処理装置１は、処理室２内に配設された第１の電極３と、第１の電極３に対向し、基板１０を保持できる第２の電極４と、処理室２内から排気を行なう排気手段と、処理室２内にガスを供給するガス供給手段と、を備え、第１の電極３は、第２の電極４に対向する側に凸部４１を有し、凸部４１の先端部にガス供給口４２が形成されたものであって、複数の凸部４１（４１ａ〜４１ｅ）の先端部の幅が、第１の電極３の中央部に比べ、外周部の方が小さい。 （もっと読む）

【課題】 結晶シリコンとアモルファスシリコンとを含むシリコンを活性層に有する薄膜半導体装置は、活性層がゲート絶縁層から剥がれやすく、良好な特性が得られない。
【解決手段】 基板（１０１）に、ゲート電極（１０２）、窒化シリコンを含むゲート絶縁層（１０３）、結晶シリコンとアモルファスシリコンとを含むシリコン層（１０５）、コンタクト層（１０７）、ならびにソース電極及びドレイン電極（１０８）が、順に積層された半導体装置であって、前記シリコン層（１０５）の内部で、前記基板に近い側から前記ソース電極及びドレイン電極に近い側に向かって、前記結晶シリコンの体積比率が大きくなっており、かつ、前記ゲート絶縁層（１０３）と前記シリコン層（１０５）との間に酸化シリコンを含む層（１０４）が挟まれていることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】異種基板上にＧａＮ系半導体を成長させることにより発生する貫通転位を低減し、低転位密度（例えば、１０^５／ｃｍ^２以下）のＧａＮ系半導体をエピタキシャル成長させることができるＧａＮ系半導体エピタキシャル基板の製造方法を提供する。
【解決手段】異種材料からなる成長用基板（例えばＮＧＯ基板）上にＧａＮ系半導体をエピタキシャル成長させる際に、成長用基板上に、第１ＧａＮ系半導体層をエピタキシャル成長させ（第１工程）、第１ＧａＮ系半導体層における転位発生部分にエッチピットを形成し（第２工程）、エッチピットにＳｉ_３Ｎ_４膜を選択的に形成し（第３工程）、Ｓｉ_３Ｎ_４膜上に第２ＧａＮ系半導体層をエピタキシャル成長させる（第４工程）。 （もっと読む）

【課題】比較的小さい膜厚で結晶性の良いIII族窒化物半導体の結晶を成長させることができるIII族窒化物半導体の成長方法を提供する。
【解決手段】本発明のIII族窒化物半導体の成長方法は、基板(10)上に、III族窒化物半導体の結晶核(40)を島状に形成する第１の工程と、窒素源ガスを供給しながら珪素源ガスとIII族源ガスを交互に供給することにより、前記結晶核(40)を島状に成長させる第２の工程と、該第２の工程後、窒素源ガスとIII族源ガスを供給し、前記島状の結晶核(40)からIII族窒化物半導体を各々成長させ、層状のIII族窒化物半導体(45)を形成する第３の工程と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】反りのない優れた結晶性を有するＧａＮ系半導体をエピタキシャル成長させることができるＧａＮ系半導体エピタキシャル基板の製造方法を提供する。
【解決手段】希土類ペロブスカイト基板上１１に、ＡｌＮからなる低温保護層１２を成長させ、この低温保護層１２上に、Ａｌの組成ｘ１が０．４０≦ｘ１≦０．４５のＡｌ_ｘ１Ｇａ_１−ｘ１Ｎからなる第１ＡｌＧａＮ系半導体層を成長させる。そして、前記第１ＡｌＧａＮ系半導体層上に、Ａｌの組成ｘ２が０≦ｘ２≦０．４５のＡｌ_ｘ２Ｇａ_１−ｘ２Ｎからなる第２ＡｌＧａＮ系半導体層以降の成長層を積層させて、組成勾配層１３，１４とする。 （もっと読む）

【課題】量産性に優れた薄膜トランジスタを提供する。また半導体装置の作製において有
用な半導体薄膜を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ法により作製された希ガス元素を１×１０^２０／ｃｍ^３〜１
×１０^２１／ｃｍ^３で含む半導体膜を形成し、前記半導体膜の一部を除去して、活性層を
形成し、トップゲート型薄膜トランジスタまたはボトムゲート型薄膜トランジスタを作製
する。また、プラズマＣＶＤ法により作製された希ガス元素を１×１０^２０／ｃｍ^３〜１
×１０^２１／ｃｍ^３で含む半導体膜を剥離層として用いた半導体装置を作製する。また、
プラズマＣＶＤ法により作製された希ガス元素を１×１０^２０／ｃｍ^３〜１×１０^２１／
ｃｍ^３で含む半導体膜をゲッタリングサイトとして用いた半導体装置を作製する。 （もっと読む）