【課題】異種材料の基板上に形成した平坦かつ薄い半導体基板であって、異種材料の基板からの剥離が容易な半導体基板、半導体装置及びそれらの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明によると、第１の面に所定の間隔で配置した複数の半球状の凸部を有する基板と、前記基板の第１の面に形成した第１の半導体層と、を有することを特徴とする半導体基板が提供される。また、前記複数の半球状の凸部の表面積の合計と前記第１の面との比は１以上である。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体を用いた半導体装置のオン抵抗を低減できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、アンドープのＡｌＧａＮ層１０４と、該ＡｌＧａＮ層１０４の上に形成され、ＡｌＧａＮ層１０４とオーミック接触するソース電極１０７及びドレイン電極１０８とを有している。ＡｌＧａＮ層１０４の上部における少なくとも各電極１０７、１０８と接触する部分には、不純物拡散層１１０が形成されている。不純物拡散層１１０は、ＡｌＧａＮ層１０４に対しアクセプタ性を示す不純物が拡散し、且つ、ＡｌＧａＮ層１０４における窒素空孔と不純物とが結合してなる不純物準位が、ＡｌＧａＮ層１０４の伝導帯端の近傍に形成される。 （もっと読む）

【課題】製造工程の煩雑化を伴うことなく製造中におけるウエハの割れを防止すること。
【解決手段】窒化物半導体素子形成用ウエハは、基板の上に、下地層、第１導電型窒化物半導体層、活性層、および第２導電型窒化物半導体層が順に積層されて構成されている。基板は、窒化物半導体素子材料とは異なる材料からなる。また、下地層および／または第１導電型窒化物半導体層の膜厚は、基板の中央側と基板の周縁側とで異なっており、基板の周縁側からその基板の中央側へ向かうにつれて大きくても良いし、基板の周縁側からその基板の中央側へ向かうにつれて小さくても良い。窒化物半導体素子は、窒化物半導体素子形成用ウエハを用いて作製されたものである。 （もっと読む）

【課題】処理対象である複数の基板が多段に配置される熱処理装置であって、基板間の処理の均一性を改善することができる熱処理装置を提供する。
【解決手段】複数の基板を多段に支持する支持体１６と、前記支持体を内部に収容可能な反応管であって、該反応管の長手方向に配列され前記反応管の内部にガスを供給する複数のガス供給管が設けられる当該反応管１０と、前記反応管内において、前記複数のガス供給管の開口端１７ａ−ｄと、前記反応管内に収容される前記支持体との間に配置される板状部材１１ｂであって、前記複数のガス供給管に対応して形成される開口部が設けられる当該板状部材と、前記反応管の外側に配置され、前記反応管内に収容される前記支持体により支持される前記複数の基板を加熱可能な加熱部とを備える熱処理装置。 （もっと読む）

【課題】本発明は、エピタキシャル構造体及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明のエピタキシャル構造体の製造方法は、少なくとも一つのエピタキシャル成長面を有する基板を提供する第一ステップと、前記基板のエピタキシャル成長面の上に複数の空隙を含むカーボンナノチューブ層を懸架するように配置する第二ステップと、前記基板のエピタキシャル成長面にエピタキシャル層を成長させて、前記カーボンナノチューブ層を包む第三ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】光照射に適合した、少なくとも１つの電位障壁、又は表面障壁を持つ半導体デバイスの製造または処理に関し、高い絶縁破壊電圧と、大電流で低いキヤリア密度を有するデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】ａ）基板１を用意するステップと、ｂ）第１エピタキシャル半導体層３を基板１の上に設けるステップと、ｃ）１次元または２次元の繰り返しパターンを形成するステップと、を含み、パターンの各部分が、０．１〜５０の範囲のアスペクト比を有するようにした方法を開示する。対応する半導体デバイス、電子回路および装置も開示している。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥が発生したり、膜厚のばらつきが生じたりすることなく、均一で信頼性の高い薄膜を形成することのできるエピタキシャル成長用サセプタを提供する。
【解決手段】ウエハを載置するウエハ載置面１１に凹部１２を有するエピタキシャル成長用サセプタであって、前記凹部は底面に凸面１３を有し、前記凹部１２は中心軸Ｏ_１を有し、前記ウエハ載置面１１を垂直に分割し、前記凹部１２の前記中心軸を含む断面が、前記中心軸Ｏ_１と前記凸面１３の周縁との中間部で、前記中心軸Ｏ_１上の上端と前記外周縁とをとおる円の外周面よりも外側に突出する領域を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、エピタキシャル構造体及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明のエピタキシャル構造体の製造方法は、少なくとも一つのエピタキシャル成長面を有する基板を提供する第一ステップと、前記基板のエピタキシャル成長面にバッファ層を成長させる第二ステップと、前記バッファ層の表面に複数の空隙を含むカーボンナノチューブ層を配置し、前記基板のエピタキシャル成長面の一部を前記カーボンナノチューブ層の複数の空隙によって露出させる第三ステップと、前記バッファ層の表面にエピタキシャル層を成長させ、前記カーボンナノチューブ層を覆う第四ステップと、前記基板を除去する第五ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】
半極性窒化物を備え、窒化物核生成層又はバッファ層に特徴を有するデバイス構造を提供する。
【解決手段】
基板上の、またはこの基板を覆う窒化物の核生成層または緩衝層と、
前記窒化物の核生成層または緩衝層上の、またはそれらを覆う半極性窒化物膜であって、この半極性ＩＩＩ族窒化物膜の成長表面は該基板の表面に平行である半極性窒化物膜とを備え、前記窒化物核生成層またはバッファ層の一つ以上の特徴が、前記半極性ＩＩＩ族窒化物膜の５μｍ×５μｍの面積あたりの表面凹凸が７ｎｍ未満であり、前記半極性ＩＩＩ族窒化物膜の微小構造品質は、ｘ線回折で測定された０．４３°未満の半値全幅（ＦＷＨＭ）を有するロッキング・カーブにより特徴づけられる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、エピタキシャル構造体の製造方法に関する。
【解決手段】本発明のエピタキシャル構造体の製造方法は、少なくとも一つの結晶面を有する基板を提供する第一ステップと、前記基板の結晶面に複数の空隙を含むカーボンナノチューブ層を配置し、前記基板の結晶面の一部を前記カーボンナノチューブ層の複数の空隙によって露出させる第二ステップと、前記基板の結晶面にエピタキシャル層を成長させ、前記カーボンナノチューブ層を覆う第三ステップと、前記基板及び前記カーボンナノチューブ層を除去する第四ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、エピタキシャル構造体及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明のエピタキシャル構造体の製造方法は、少なくとも一つのエピタキシャル成長面を有する基板を提供する第一ステップと、前記基板のエピタキシャル成長面に複数の空隙を含むカーボンナノチューブ層を配置する第二ステップと、前記基板のエピタキシャル成長面に真性半導体エピタキシャル層を成長させる第三ステップと、前記真性半導体エピタキシャル層の上に、ドープされた半導体エピタキシャル層を成長させる第四ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、エピタキシャル構造体及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明のエピタキシャル構造体の製造方法は、少なくとも一つのエピタキシャル成長面を有する基板を提供する第一ステップと、前記基板のエピタキシャル成長面に複数の空隙を含む第一カーボンナノチューブ層を配置する第二ステップと、前記基板のエピタキシャル成長面に第一エピタキシャル層を成長させて、前記第一カーボンナノチューブ層を包ませる第三ステップと、前記第一エピタキシャル層の表面に複数の空隙を含む第二カーボンナノチューブ層を配置し、前記第二カーボンナノチューブ層が配置された表面は、前記第一エピタキシャル層のエピタキシャル成長面である第四ステップと、前記第一エピタキシャル層のエピタキシャル成長面に第二エピタキシャル層を成長させて、前記第二カーボンナノチューブ層を包ませる第五ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、表面に凹凸を加工した基板上に、低転位で均一な窒化物半導体層を形成できる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、主面上に凹凸構造が設けられた基板と、前記主面の全面に設けられ、ｐ型不純物およびｎ型不純物の少なくともいずれかがドープされた、多結晶および非晶質の少なくともいずれかである窒化物層と、前記窒化物層の上に設けられた窒化物半導体層と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 歩留まりを向上させることができる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体素子の製造方法は、（ａ）成長基板を準備する工程と、（ｂ）前記成長基板上に半導体層を形成する工程と、（ｃ）前記半導体層を複数の素子部に分割するとともに、各素子部間の半導体層の少なくとも一部を犠牲層として残す工程と、（ｄ）前記半導体層上に金属層を形成する工程と、（ｅ）前記半導体層に、前記金属層を介して支持基板を設ける工程と、（ｆ）前記成長基板に、前記素子部の全部を覆い、かつ前記犠牲層の外縁内に収まるようにレーザーを照射することにより、前記成長基板を前記半導体層から剥離する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】特性および信頼性を低下させることなくＩＩＩ−Ｖ族発光デバイスを成長させるための基板を提供すること。
【解決手段】ホストおよび該ホストに接合されたシード層を含む基板が準備され、次いで、ｎ型領域およびｐ型領域の間に配置された発光層を含む半導体構造が、前記シード層上に成長される。幾つかの実施形態では、接合層が、前記ホストを前記シード層に結合させる。シード層は、前記シード層に形成される転位によって、または前記シード層と前記接合層の間、即ちこれら二つの層間の界面での滑りによって半導体構造における歪みが解除されるように、前記半導体構造における歪みの緩和のための臨界圧力よりも薄くすることができる。幾つかの実施形態において、前記ホストは、前記接合層をエッチング除去することにより前記半導体構造およびシード層から分離されてよい。 （もっと読む）

【課題】
サセプタの大型化を可能にし、大型化に伴うデメリットを抑制する。
【解決手段】
ＭＯＣＶＤ装置用サセプタは、良熱伝導体で形成され、内側部分と外側部分に分割されたサセプタ主部分と；良熱伝導体より高い熱伝導率を有する高熱伝導体で形成され、内側部分と外側部分の外部側壁との間の熱移動を促進する熱伝導部材であって、内側部分を包囲して配置された内側包囲部分と、外側部分の外部側壁と面一に配置された外面延在部分と、内側包囲部分と外面延在部分との間で熱移動を行う熱伝導部分と、を含む熱伝導部材と；を有する。 （もっと読む）

【課題】気相成長時に原料ガス流量は大きく変化した場合においても、基板上において、膜質劣化のない膜体を高い再現性の下に作製することが可能な気相成長装置及び気相成長方法を提供する。
【解決手段】実施形態の気相成長装置は、ガス導入部、及びこのガス導入部と連続するようにして設けられたガス反応部を含む反応管と、前記反応管の、前記ガス反応部の内部に表面が露出し、前記表面に基板を載置及び固定するためのサセプタとを具える。また、前記反応管の前記ガス導入部において、前記反応管の高さ方向において順次に配置されてなる複数のガス導入菅と、前記反応管の外部において、前記複数のガス導入管それぞれに供給すべきガスを切り替えるための切替装置とを具える。 （もっと読む）

【課題】製造コストを大幅に減少させることができる、新規な半導体製造方法を提供する。
【解決手段】半導体製造方法は、成長基板を提供する工程Ｓ１１と、前記成長基板に半導体基板を形成する工程Ｓ１２と、前記成長基板と前記半導体基板との間に複数の溝を有する第一構造を形成する工程Ｓ１３と、後続の素子の製造を進め、半導体素子を半導体基板に形成する工程Ｓ１４と、前記成長基板の温度と前記半導体基板を変更する工程Ｓ１５とを含んでいる。工程Ｓ１５において、成長基板と半導体基板とは膨張係数が異なるので、応力が集中し、互いに剥離する。このように、レーザ剥離技術によって成長基板を除去する工程を必要としないため、コストを効果的に減少させることができる。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子を歩留まりよく製造する。
【解決手段】 （ａ）成長基板上に、ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体から構成され、空洞を備える空洞含有層を形成する。（ｂ）空洞含有層上に、ｎ型のＩＩＩ族窒化物系化合物半導体から構成され、空洞を閉じるｎ層を形成する。（ｃ）ｎ層上に、ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体から構成される活性層を形成する。（ｄ）活性層上に、ｐ型のＩＩＩ族窒化物系化合物半導体から構成されるｐ層を形成する。（ｅ）ｐ層上方に、支持基板を接着する。（ｆ）空洞が形成されている位置を境界として、成長基板を剥離する。工程（ａ）または（ｂ）において、空洞を閉じる前に、加熱を行いながら、層を構成する材料の少なくとも一部の供給を減少させる。 （もっと読む）

【課題】波長２４０〜３００ｎｍの領域における紫外光の透過性に優れた窒化アルミニウム単結晶、該単結晶からなる層を有する積層体、該積層体を製造する方法、および該積層体から紫外光の透過性に優れる窒化アルミニウム単結晶を製造する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
酸素原子、及び炭素原子を含む窒化アルミニウム単結晶であって、酸素原子の濃度を［Ｏ］ｃｍ^−３、炭素原子の濃度を［Ｃ］ｃｍ^−３としたときに、下記式（１）の条件を満足することを特徴とする窒化アルミニウム単結晶。
［Ｏ］−［Ｃ］ ＞ ０ （１） （もっと読む）