【課題】半導体基板に対し簡易な手法により均質な絶縁膜を高速に形成できるようにする。
【解決手段】絶縁膜形成装置１は、堆積部１０の電子ビーム蒸着源１２からハフニウム金属の原子線を照射して、基板７０のシリコン酸化膜７２上に液体状のハフニウム微粒子７３を堆積させて堆積状態とし、照射部２０のプラズマ源２２から窒素原子、活性窒素分子及び窒素イオンでなる活性粒子７４を照射することにより、表面に窒化ハフニウムシリケート膜７６を形成すると共にシリコン酸化膜７２をシリコン酸窒化膜７５に変化させ、基板７０を成膜状態とする。この結果絶縁膜形成装置１は、基板７０へのハフニウム微粒子７３の堆積処理及び窒素プラズマでなる活性粒子７４の照射処理を行うことにより、高誘電率ゲート絶縁膜として機能し得る窒化ハフニウムシリケート膜７６を短時間で容易に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】処理される試料の温度の精度あるいは信頼性を向上させたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】内側でプラズマが形成される処理室３と、該処理室内の下方に配置され、その上面に試料５が載置される試料台であってその内部に冷凍サイクルの冷媒が通流して蒸発器として動作する円筒形を有する試料台４と、該試料台４の内部に配置され、前記円筒の中心について同心状に配置された前記冷媒の流路と、前記試料台４の下方に配置され、該試料台４の振動を検出する少なくとも１つの検知器３７と、前記冷凍サイクル上の圧縮機と前記試料台４との間に配置され、前記検知器３７の出力から前記流路内側を通流する前記冷媒の乾き度を検出し、その結果に基づいて前記試料台４に流入する前記冷媒の温度を調節する調節部３３と、を備えたプラズマ処理装置とする。 （もっと読む）

【課題】良好な品質を有し光電変換効率の高いシリコン系薄膜光電変換装置を簡易な製造装置を用いて低コストでかつ高効率で製造する方法を提供する。
【解決手段】本シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法は、第１のｐ型半導体層１１、ｉ型非晶質シリコン系光電変換層１２、および第１のｎ型半導体層１３を含む非晶質ｐｉｎ構造積層体１０を備え、非晶質ｐｉｎ構造積層体１０が第１のｐ型半導体層１１または第１のｎ型半導体層１３に結晶質シリコン系半導体を含む積層型シリコン系薄膜光電変換装置１００の非晶質ｐｉｎ構造積層体を、同一のプラズマＣＶＤ成膜室内で、プラズマＣＶＤ成膜室のカソードとアノードの距離が３ｍｍ以上２０ｍｍ以下、成膜圧力が２００Ｐａ以上３０００Ｐａ以下および電極単位面積当たりの電力密度が０．０１Ｗ／ｃｍ²以上０．３Ｗ／ｃｍ²以下の条件で形成する。 （もっと読む）

【課題】真空チャンバー３の天井壁１５側に対する複数本の誘導結合型電極４７の着脱作業の容易化をより一層図ること。
【解決手段】真空チャンバー３の天井壁１５の外壁面に一対の支持櫓９５が着脱可能に設けられ、各支持櫓９５にスプリングバランサ１０１が吊すように設けられ、各スプリングバランサ１０１の作動部材１０７の先端部に真空チャンバー３の天井壁１５の通孔１７に挿通可能かつ上下方向へ移動可能な一対のスライドバー１１１が連結され、各一対のスライドバー１１１の下端部にホルダ６５を係止可能な係止部材１１５が連結されていること。 （もっと読む）

【課題】処理室内部の部材の表面に形成される膜の膜剥がれが抑制されたプラズマプロセス装置を得ること。
【解決手段】処理室１と、処理室１内で被処理基板３を載置する第１電極４と、処理室１内で第１電極４と平行に向かい合う第２電極２と、第１電極４と第２電極２との間の処理空間に所望の処理ガスを供給する処理ガス供給手段８と、処理室１内の排気および調圧を行う排気手段と、前記処理空間に電力を供給して前記処理ガスのプラズマを発生させるための電圧を第２電極２に供給する電源７と、を備え、第１電極４は、被処理基板３を載置する側の面において、載置領域を除いた領域の少なくとも一部に掘り込み部４ａを備える。 （もっと読む）

【課題】複数本の誘導結合型電極４５の着脱作業を含む一連の誘導結合型電極４５のメンテナンス作業を簡略化する。
【解決手段】一対の可動支持部材３１に梁部材６３の両端部が着脱可能に支持され、梁部材６３に複数の分割サポート部材６９Ｓが左右方向に沿って設けられ、分割サポート部材６９Ｓに複数の第１支持孔７５及び複数の第２支持孔７７が左右方向に沿って形成され、一対の可動支持部材３１にアレイアンテナユニット３５をセットした状態で、一対の可動支持部材３１を上方向へ移動させると、各第１アンテナ側コネクタ４７が第１天井側コネクタ１７に接続しかつ各第２アンテナ側コネクタ５１が第２天井側コネクタ１９に接続するようになっていること。 （もっと読む）

【課題】表面ラフネスの精度をさらに改善でき、進展するコンタクトホールやラインなどの微細化に対応可能なアモルファスシリコンを成膜できる成膜装置を提供すること。
【解決手段】下地を有した被処理体１を収容する処理室１０１と、処理に使用するガスを供給する処理ガス供給機構１１４と、加熱装置１３３と、排気機構１３２と、コントローラ１５０とを具備し、処理室１０１に、被処理体１を複数収容するとともに、コントローラ１５０が、下地を加熱し、加熱した下地にアミノシラン系ガスを流し、下地の表面にシード層を形成する工程と、下地を加熱し、加熱した下地の表面のシード層にアミノ基を含まないシラン系ガスを供給し、アミノ基を含まないシラン系ガスを熱分解させることで、シード層上にアモルファスシリコン膜を形成する工程とが実施されるように処理ガス供給機構１１４、加熱装置１３３及び排気機構１３２を制御する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、エピタキシャル構造体及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明のエピタキシャル構造体の製造方法は、少なくとも一つの結晶面を有する基板を提供する第一ステップと、前記基板の結晶面に複数の空隙を含むカーボンナノチューブ層を配置する第二ステップと、前記基板の結晶面にエピタキシャル層を成長させる第三ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】 製品コストを低減でき、かつ、メンテナンスの省力化、短時間化を促進できる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】 被処理基板に対して処理を施す処理室と、複数のガスを処理室内に導入するガス導入部と、処理室上に配置され、複数のガスをガス供給機構からガス導入部に導く複数のガス流路と、これらガス流路のうちの少なくとも一本を流れるガスを加熱するヒーターとを内部に有するインレットブロック１３と、を具備し、ヒーターがロッドヒーター２３であり、インレットブロック１３がロッドヒーター挿入用孔１３ｃを有し、ロッドヒーター２３が、ロッドヒーター挿入用孔１３ｃに挿入されている。 （もっと読む）

【課題】シンプルな製造工程により界面状態の良好な結晶性薄膜を立体形状を含む所望のパターンに形成可能であり、結晶化に要する熱処理温度を低減させることが可能な結晶性薄膜又は結晶性構造体の製造方法、及び当該製造方法により形成された結晶性薄膜を備えた構造体を提供する。
【解決手段】結晶性薄膜又は結晶性構造体の製造方法においては、蒸着・結晶化促進工程において、スパッタリング法による金属酸化物の蒸着、及びレーザー光照射による金属酸化物の結晶化促進が同時に行われる。蒸着・結晶化促進工程を経た基板３４は、所定の温度条件下においてアニールされる。これにより、金属酸化物が完全に結晶化された状態になる。 （もっと読む）

【課題】小型で設置面積の小さい真空処理装置を提供する。
【解決手段】中心に搬送ユニット１０５配置し、処理室に設けられた処理台を備え、被処理物を処理台に設置し、ガスを利用して被処理物を処理する処理室１０３，１０３’、１０４、１０４’を複数有する真空処理装置において、ガスを供給する流量調節ユニット１０７，１０７’を二つの処理室１０３―１０４、１０３’―１０４’間に配置した。 （もっと読む）

【課題】材料が多量に余っているにも関わらず早い時点でバルブが全開になる等して制御不能となるのを防ぐことができる材料ガス制御装置を提供する。
【解決手段】前記導出管Ｌ２に設けられた第１バルブ１と、前記混合ガスにおける材料ガスの濃度を測定する濃度測定機構ＣＳと、前記濃度測定機構ＣＳにより測定される材料ガスの測定濃度が、予め設定された設定濃度となるように前記第1バルブ１の開度を制御する第１バルブ制御部２４と、前記導入管Ｌ１に設けられた第２バルブ３２と、前記第１バルブ１の開度が全開の開度から第１所定値だけ小さい開度である閾値開度になった場合において、所定時間内に前記第２バルブ３２の開度を、前記第１バルブ１の開度が閾値開度になった時点での変更前開度から第２所定値だけ大きい変更後開度となるように制御する第２バルブ制御部と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】裏面照射型固体撮像素子をより高い歩留まりで製造することが可能なエピタキシャル基板およびその製造方法を提供する
【解決手段】本発明の裏面照射型固体撮像素子用エピタキシャル基板１００は、炭素、または、炭素および窒素が添加され、抵抗率が１００Ω・ｃｍ未満であるｐ型シリコン基板１と、該ｐ型シリコン基板上のｐ型第１エピタキシャル層２と、該第１エピタキシャル層上のｐ型またはｎ型第２エピタキシャル層３と、を有し、前記第１エピタキシャル層２は、ｐ型不純物のピーク濃度が２．７×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上１．１×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】一度に処理する基板の枚数を増大させ、ＧａＮのエピタキシャル膜の生産性を向上させることができる膜の形成方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理室内に搬入する搬入工程と、前記処理室内にガリウム塩化物ガスを供給する第１ステップと、前記処理室から前記ガリウム塩化物ガスをパージする第１パージステップと、前記第１パージステップの後に前記処理室内にアンモニアガスを供給する第２ステップと、前記処理室から前記アンモニアガスをパージする第２パージステップとを有する初期膜形成工程と、前記初期膜形成工程の後に、前記処理室内に前記ガリウム塩化物ガスと前記アンモニアガスを同時に供給し、エピタキシャル膜を形成するエピ膜形成工程とによりＧａＮ膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】太陽電池を製作するためのプラズマデポジション装置及び方法を提供する。
【解決手段】少なくとも１つの基板を支持するための長手方向軸を持つコンベヤと、少なくとも１つの基板上に反応生成物の層を堆積するためのそれぞれ少なくとも１つのプラズマトーチを持つ少なくとも２つのモジュールと、前記コンベヤと前記少なくとも２つのモジュールとを含むチャンバと、排気システムとを備え、前記少なくとも１つのプラズマトーチは、少なくとも１つの基板から離れて置かれている、太陽電池を製作するためのプラズマデポジション装置。他の実施形態では、基板を支持する手段と、反応物を供給する手段と、前記基板上に生成物を堆積するためのプラズマトーチと、前記基板に対して前記プラズマトーチを振動させる手段とを備え、前記プラズマトーチは、前記基板から離れて置かれている、太陽電池を製作するためのプラズマデポジション装置。 （もっと読む）

【課題】真空処理室において高温で処理された後に搬送されるウェハを微小異物や汚染が問題にならない温度に効率良く冷却できる真空処理装置を提供する。
【解決手段】試料を収納するカセットが設置されるカセット台と、大気搬送室と、該大気搬送室から搬送された試料を収納し大気圧雰囲気もしくは真空に切り替え可能なロードロック室と、該ロードロック室に連結された真空搬送室と、真空搬送された試料を処理する真空処理室と、を備える真空処理装置において、前記大気搬送室内に配置され、前記真空処理室で処理された後の高温の試料８を冷却する冷却部を備え、該冷却部は、試料８を載置し冷却液１７の流路が設けられた試料台１５と、試料８の搬入口側に配置され試料台１５に向かって冷却用ガス１０を吹き付けるガス吹き付け管１１と、試料台１５を境に前記搬入口の反対側に配置され、吹き付けられた冷却用ガス１０を排気する排気口１２と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】真空シール性能、耐プラズマ性、ならびに耐腐食ガス性などの性能を併せ持ち、また、長期にわたり真空シール性能が低下することなく、使用時に、高荷重下でも、金属パーティクルが発生することがない複合シール材を提供する。
【解決手段】シール溝に装着した際に、シール溝の一方の側壁側に位置する第１のシール部材と、シール溝に装着した際に、シール溝の他方の側壁側に位置する第２のシール部材とを備え、第１のシール部材が、弾性部材から構成され、第２のシール部材が、第１のシール部材よりも硬質の材料から構成された複合シール材であって、第２のシール部材が、第１のシール部材と連結する連結部と、シール溝の開口部側に位置し、第１のシール部材から離反する方向へ、連結部から延出する開口部側延出部とを備える。 （もっと読む）

【課題】 簡便な手法・構成で、有機亜鉛化合物の自己分解や微量の水分との反応によるパーティクルの発生を効果的に抑制することができるとともに、効率よく高純度の有機亜鉛化合物を貯蔵し、あるいは搬送・供給することができる方法および供給装置を提供すること。
【解決手段】 有機亜鉛化合物の液体材料を処理対象とし、該液体材料が周期表第４族の金属または金属化合物と接液することによって、該液体材料中での不純物の発生を抑制することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 吸着／反応した後の原料ガスの排出時間を短縮し、原料ガスの置換効率、原料ガスの利用効率を高めると共に、処理対象物以外に付着した薄膜の処理を容易にする真空成膜装置及び成膜方法の提供。
【解決手段】 原料ガスを反応室に供給し、反応室内に設けられた昇降自在の支持ステージ上に載置される処理対象物Ｓ上で原料ガスの反応により成膜する真空成膜装置１であって、真空成膜装置１の外壁で構成され、開閉自在の天板１１ａを備えた外チャンバー１１と、外チャンバー１１内の下方部分に設置され、開閉自在の天板１２ａを備えた反応室である内チャンバー１２との二重構造チャンバーにより構成されており、内チャンバー１２内に原料ガスを供給するガスノズル１５が処理対象物Ｓの表面に平行になるように内チャンバー１２内に設けられており、処理対象物Ｓ上で成膜されるように構成されている。この装置を用いて成膜する。 （もっと読む）

【課題】プラズマの均一性を維持するとともに、成膜速度を向上させることができるプラズマ成膜装置を提供する。
【解決手段】内部に原料ガスを供給する原料ガス供給口１１２と、前記原料ガスを排気する排気口１１４と、を備える成膜容器１１０と、前記成膜容器内に設けられ、基板Ｓを支持する基板支持部１２０と、前記成膜容器内に設けられ、前記原料ガスに曝され、複数の第１開口部１３５を備える第１電極１３０と、前記成膜容器内に設けられ、誘電体で覆われ、複数の第２開口部１４５を備える第２電極１４０と、プラズマを発生させるため、第１電極と第２電極とに高周波電力を印加する高周波電源１５０と、を備え、第２電極は第１電極に対して、前記原料ガス供給口から供給される原料ガスの下流側に設けられる。 （もっと読む）