【課題】閾値電圧の絶対値及びヒステリシスが小さい有機薄膜トランジスタを製造しうる有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を提供すること。
【解決手段】環状エーテル構造を有する繰り返し単位と、酸により脱離しうる有機基を有する繰り返し単位とを含有する高分子化合物（Ａ）を含む有機薄膜トランジスタ絶縁層材料。 （もっと読む）

【課題】半導体特性に影響を与えることなく、印刷法により形成される半導体の形状再現性に優れた電界効果型トランジスタの製造方法を提供すること。
【解決手段】基材上に、少なくともゲート電極、ソース電極、ドレイン電極と、半導体層およびゲート絶縁膜とが形成されてなる電界効果型トランジスタの製造方法であって、少なくともゲート絶縁膜上に半導体層を形成する工程を有し、該ゲート絶縁膜は露光によりシランカップリング剤と反応可能な官能基を生成し得る材料で形成されており、該工程の前に、ゲート絶縁膜上の半導体を形成する領域の周囲を露光する工程及び露光部においてフッ化アルキル基を有するシランカップリング剤と該官能基とを反応させる工程を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高誘電率かつ絶縁性に優れた薄膜を与え得る硬化性組成物に関するものであり、さらに当該組成物を用いて形成した薄膜をゲート絶縁膜として適用し、良好な特性を示す薄膜トランジスタを提供することである。
【解決手段】Ａ）ポリシロキサン系樹脂、Ｂ）有機金属化合物、Ｃ）有機溶剤を必須成分として含有し、有機金属化合物の含有率がポリシロキサン系樹脂に対して１０〜８０重量％である硬化性組成物により達成でき、該組成物からなる膜をゲート絶縁膜として用いた薄膜トランジスタは良好な特性を有する。 （もっと読む）

【課題】メタクリロキシ基もしくはアクリロキシ基を有するポリオルガノシルセスキオキサンを含む半導体絶縁膜用組成物と、それを用いた薄膜の製造方法、及びそれによって有機溶媒に耐性を示す絶縁膜を提供する。
【解決手段】メタクリロキシ基もしくはアクリロキシ基を有するポリオルガノシルセスキオキサンに、ビニルモノマーおよび重合開始剤を加えて半導体絶縁膜用組成物とし、スピンコート法などで塗布した後、加熱または紫外線照射によってビニル基のラジカル重合を行ない、続いてアルコキシ基の縮合重合により複合的に硬化させてシリコーン系絶縁膜（ＰＳＱ膜）を製造する。 （もっと読む）

【課題】より低温、より短期間で処理することができる誘電体層、誘電性組成物を提供することである。
【解決手段】電子デバイスの製造方法は、誘電性材料、架橋剤、及び赤外線吸収剤を含有する誘電性組成物を基材上に成膜する工程と、誘電性組成物を赤外線に暴露して誘電性組成物を硬化させ、基材上に誘電体層を形成する工程と、基材上に半導体層を形成する工程とを含むことを特徴とする。また、電子デバイスは、架橋された誘電性材料及び赤外線吸収剤を含有する誘電体層を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】比較的低い低分子量、比較的低い融点および高い蒸気圧を有する第四族金属前駆体の提供。
【解決手段】次式で表される第四族金属前駆体の一群。Ｍ（ＯＲ^１）_２（Ｒ^２Ｃ（Ｏ）Ｃ（Ｒ^３）Ｃ（Ｏ）ＯＲ^１）_２（ここで、Ｍは、Ｔｉ、Ｚｒ及びＨｆからなる群より選択される第四族金属であり；Ｒ^１は、直鎖又は分岐鎖のＣ_１〜１０アルキル、及びＣ_６〜１２のアリールからなる群より選択され、好ましくはメチル、エチル又はｎ−プロピルから選択され；Ｒ^２は、分岐鎖のＣ_３〜１０アルキル及びＣ_６〜１２アリールからなる群より選択され、好ましくはイソ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、イソ−ブチル、又はｔｅｒｔ−アミルから選択され；Ｒ^３は、水素、Ｃ_１〜１０アルキル及びＣ_６〜１２アリールからなる群より選択され、好ましくは水素である） （もっと読む）

【課題】低温で塗布形成可能で高い絶縁性と誘電率を有し、かつ表面処理可能な絶縁性薄膜の形成用溶液、それを用いて形成した絶縁性薄膜、絶縁性薄膜をゲート絶縁層として用いることで優れた性能を有する電界効果型トランジスタ及びその製造方法並びに画像表示装置を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に形成されたゲート電極と、ゲート電極上に形成された高分子と、高分子と酸素原子を介して結合を有し第４族元素、第５族元素、第６族元素、第１３族元素、亜鉛、錫のうちから選ばれる金属原子と、金属原子と酸素原子または窒素原子を介して結合を有する有機分子とを含む絶縁性薄膜からなるゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上に離間して形成されたソース電極及びドレイン電極と、ソース電極及びドレイン電極間に形成された半導体と、を備えることを特徴とする電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁層にカルド型樹脂が用られることによって高性能化された有機半導体素子を、さらに、より一層高性能化し、飛躍的に半導体特性が優れる有機半導体素子を提供する。
【解決手段】基板１と、前記基板上に形成され、有機半導体材料からなる有機半導体層２ｃおよび前記有機半導体層に接するように形成された。カルド型樹脂の硬化物からなるゲート絶縁層２ｂを備える有機半導体トランジスタ２と、を有する有機半導体素子１０であって、前記ゲート絶縁層２ｂに、ゲート絶縁層２ｂの表面エネルギーを低下させる機能を有する機能性添加剤を含有することを特徴とする有機半導体素子。 （もっと読む）

【課題】ＥＳＤによる半導体内部回路の破壊を防止し、かつミリ波・準ミリ波帯のような高周波領域において当該半導体内部回路の高周波特性が劣化しないＥＳＤ保護回路を提供する。
【解決手段】本発明の静電気放電保護回路は、半導体集積回路に接続され、静電気放電から前記半導体集積回路を保護する静電気放電保護回路であって、導電性半導体基板１０と、前記導電性半導体基板１０の上方に形成された誘電体層１３ｂと、前記誘電体層１３ｂの表面上に形成されている第２の配線層１５とを備え、前記第２の配線層１５は、一端がパッドに接続され、他端が前記半導体集積回路に接続された第１の信号線１７と、一端が前記第１の信号線１７に接続され、他端が接地された第２の信号線１８とを含む。 （もっと読む）

【課題】表面自由エネルギーを変化させる際に照射する紫外線による濡れ性変化層の絶縁性の低下を抑制することが可能な積層構造体並びに該積層構造体を有する電子素子、電子素子アレイ、画像表示媒体及び画像表示装置を提供する。
【解決手段】積層構造体１０は、基板１１上に、紫外線を照射することにより表面自由エネルギーが変化する材料を含む濡れ性変化層１２の紫外線照射領域１２ａに導電体層１３が形成されている積層構造を有し、紫外線を照射することにより表面自由エネルギーが変化する材料は、ポリアミド酸を脱水閉環反応させることにより得られる有機溶媒に可溶な特定ポリイミドである。 （もっと読む）

【課題】高い誘電率及び高い破壊強度、さらには良好な機械的強度及び加工性を有するポリマー複合材料を提供する。
【解決手段】本明細書に開示されているのは、ポリマー材料前駆体とナノ粒子とを混合し、それぞれのナノ粒子が基材及び基材上に配置されるコーティング組成物を含むようにすることと、ポリマー材料前駆体を重合してポリマー材料を形成し、ナノ粒子をポリマー材料内に分散させてポリマー組成物を形成することとを含む、ポリマー組成物を形成する方法である。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率の高い誘電材料を、電場による配向処理を行わずに製造する方法を提供する。また、当該方法を用いて、比誘電率の高い誘電膜を提供する。
【解決手段】 誘電材料の製造方法を、高誘電率無機粒子と磁性体粒子とを複合化して高誘電率複合粒子を製造する高誘電率複合粒子製造工程と、樹脂またはエラストマーの未硬化物に、該高誘電率複合粒子を混合して混合材料を調製する混合工程と、該未硬化物が流動可能な状態で、該混合材料に磁場をかけることにより、該高誘電率複合粒子を磁力線の方向に配向させる配向工程と、該高誘電率複合粒子を配向させた状態で、該未硬化物を硬化させる硬化工程と、を有するように構成する。 （もっと読む）

【課題】低抵抗の配線を形成するための積層構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、高表面エネルギー領域と低表面エネルギー領域が形成されている濡れ性変化層を形成する工程と、高表面エネルギー領域を覆うように、濡れ性変化層から所定の間隔を隔て対向基板を設置する工程と、高表面エネルギー領域上に導電性材料を含む溶液を供給する工程と、導電性材料を含む溶液を乾燥または硬化させることにより、高表面エネルギー領域上に導電層を形成する工程を有することを特徴とする積層構造体の製造方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 成膜温度が１２０℃〜２００℃でリーク電流値が１０^−８Ａ／ｃｍ^２以下の塗布膜が形成できるとともに、高誘電体膜との積層により低リーク電流及び高比誘電率がシリコン窒化膜と同等以上の特性が得られる誘電体層形成用塗布液及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の誘電体層形成用塗布液は、一般式Ｓｉ（ＯＲ^１）_ａ、及びＲ^２_ｂＳｉ（ＯＲ^３）_ｃで表されるＳｉアルコキシド、これらの部分加水分解物及び縮合物から選ばれる一種以上のＳｉアルコキシド誘導体を主成分として有機溶剤に溶解してなる。ここで、Ｒ^１及びＲ^３はそれぞれ独立に炭素数１〜８のアルキル基であり、Ｒ^２は炭素数２以上の置換基である。ａはＳｉの価数であり、ｂ、ｃはそれぞれ１以上の整数でｂ＋ｃがＳｉの価数である。 （もっと読む）

【課題】吸湿性が低く、特性が経時的に劣化し難い有機半導体装置、かかる有機半導体装置を備え信頼性の高い電子デバイスおよび電子機器を提供する。
【解決手段】ソース電極２０ａと、ドレイン電極２０ｂと、ゲート電極５０と、ゲート電極５０に対してソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂを絶縁するゲート絶縁層４０と、ゲート絶縁層４０に接触して設けられた有機半導体層３０と、有機半導体層３０のゲート絶縁層４０と反対側に接触して設けられたバッファ層６０とを有し、ゲート絶縁層４０およびバッファ層６０の少なくとも一方を、下記一般式（１）、または（２）で表される絶縁性高分子を主材料として構成される。
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【課題】小さな誘電損失および高い信頼性を有し、均質な表面粗度および粒子を有するＰＶＤＦ薄膜を提供する。
【解決手段】前駆溶液からポリ（ビニリデンフルオリド）（「ＰＶＤＦ」）膜を基板上に作成するにあたり、まずＰＶＤＦ膜用の前駆溶液を調製するステップと、含水塩と、吸湿性化学物質とからなる群より選択される添加剤を前駆溶液に溶解させるステップと、ＰＶＤＦを前駆溶液に添加するステップによりＰＶＤＦ溶液を作成する。そのＰＶＤＦ溶液を基板にコーティングして蒸着直後のＰＶＤＦ膜を形成させ、ＰＶＤＦ膜は高温にて乾燥および結晶化させる。乾燥および結晶化させた蒸着直後のＰＶＤＦ膜は、さらに温度が高い高温（蒸着直後のＰＶＤＦ膜の融点よりも低い）にてアニーリングする。添加物はさらなる高温にて脱水する。 （もっと読む）

【課題】電気・電子デバイスの部材として好適に用いることができ、イオン液体を内包するカプセルを提供する。
【解決手段】〔１〕芯物質と該芯物質を内包する壁膜とからなり、該芯物質がイオン液体を含有し、該壁膜が無機質壁膜であることを特徴とするカプセル。
〔２〕該無機質壁膜が加水分解性金属化合物の加水分解生成物であることを特徴とする〔１〕記載のカプセル。
〔３〕該イオン液体が親水性のイオン液体であることを特徴とする〔１〕〜〔２〕のいずれかに記載のカプセル。
〔４〕有機溶媒および前記〔１〕〜〔３〕のいずれかのカプセルを含有することを特徴とするカプセル分散液。 （もっと読む）

自己組織化ブロック共重合体を使用して、ラインアレイにおいて、サブリソグラフィーでナノスケールの微細構造を作製するための方法、ならびに、これらの方法から形成される膜およびデバイスが提供される。
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【課題】化学蒸着又は原子層蒸着の前駆体として使用される三座β-ケトイミネートの金属錯体の提供。
【解決手段】三座βケトイミネートの金属含有錯体、例えばビス(2,2-ジメチル-5-(1-ジエチルアミノ-2-プロピルイミノ)-3-ヘキサノナト-N,O,N’)ストロンチウム、ビス(2,2-ジメチル-5-(1-メチルエチルアミノ-2-プロピルイミノ)-3-ヘキサノナト-N,O,N’)ニッケル、Ti(O-iPr)3(2,2-ジメチル-5-(1-ジメチルアミノ-2-プロピルイミノ)-3-ヘキサノナト、ビス(4-(1-ジメチルアミノ-2-プロピルイミノ)-2-ペンタノナト)コバルト、トリス(4-(1-ジメチルアミノ-2-プロピルイミノ)-2-ペンタノナト)ランタン、トリス(2,2-ジメチル-5-(1-ジメチルアミノ-2-プロピルイミノ)-3-ヘキサノナト)イットリウムなどの化合物が挙げられる。 （もっと読む）

【課題】強誘電性ポリマーメモリ素子の、容易且つ安価な製造方法を提供する。
【解決手段】メモリ素子は、第１の電極１４と、第１の電極１４上に形成された第１の強誘電性ポリマー層１６と、第２の電極１８と、第２の電極１８上に形成された第２の強誘電性ポリマー層２２と、第３の電極２４と、第１の強誘電性ポリマー層１６と第２の強誘電性ポリマー層２２との間に形成された保護層２０とを有する。第１の電極１４、第２の電極１８、及び第３の電極２４、並びに、第１の強誘電性ポリマー層１６及び第２の強誘電性ポリマー層２２は、第１の強誘電性コンデンサ構造２８及び第２の強誘電性コンデンサ構造３０を規定する。第２の電極１８は、第１の強誘電性コンデンサ構造２８及び第２の強誘電性コンデンサ構造３０に共通である。 （もっと読む）