【課題】 良好な絶縁性、平坦性を有する絶縁膜を形成する。
【解決手段】 シロキサンポリマーを含有する樹脂を塗布した後、不活性ガスを主成分とし、酸素の濃度が５ｖｏｌ％以下且つ水の濃度が１ｖｏｌ％以下の雰囲気で前記樹脂を加熱処理して絶縁膜を形成することを特徴とする。また、好ましくは酸素の濃度が１ｖｏｌ％以下且つ水の濃度が０．１ｖｏｌ％以下にする。また、前記シロキサンポリマーを含有する樹脂はメチル基及びフェニル基を含むことを特徴とする。また、前記不活性ガスは窒素であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 容器から吐出部まで基板に塗布する液体を気密に搬送する半導体製造装置において、容器を取り替える際にも液体が空気と接触することを可及的に抑制することができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】 半導体製造装置１０は、基板に対して塗布液を吐出する吐出部と、塗布液を収容する液体容器２０内へ不活性ガスを供給し、該液体容器２０内を加圧する気体供給管１６と、気体供給管による加圧を利用して、液体容器から吐出部へ塗布液を気密状態で供給する塗布液供給管１２と、液体容器と塗布液供給管とを接続／取外し可能な第１の接続部Ｃ１ａと、液体容器と気体供給管とを接続／取外し可能な第２の接続部Ｃ２ａと、塗布液を溶かすことができる溶媒を第１の接続部へ供給する溶媒供給管１５とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 低誘電率であり、かつ剥離液による膜減りや誘電率の上昇が生じ難いシリカ系被膜を形成できるシリカ系被膜形成用塗布液を提供する。
【解決手段】（Ａ１）アルキルトリアルコキシシランを加水分解反応させて得られる反応生成物、（Ａ２）トリアルコキシシランを加水分解反応させて得られる反応生成物、および（Ｂ）ポリアルキレングリコールおよびその末端アルキル化物からなる群から選ばれる１種以上を含むことを特徴とするシリカ系被膜形成用塗布液。 （もっと読む）

【課題】 高い膜強度と低い比誘電率を有するＣＭＰ犠牲膜やエッチング・ストッパー膜等の半導体加工用保護膜を形成するための塗布液、その調整方法および該塗布液より得られる半導体加工用保護膜に関する。
【解決手段】 （ａ）テトラアルキルオルソシリケート(TAOS)およびアルコキシシラン(AS)をテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（TMAOH）および水の存在下で加水分解して得られるケイ素化合物、またはテトラアルキルオルソシリケート(TAOS)をテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（TMAOH）および水の存在下で加水分解または部分加水分解した後、アルコキシシラン(AS)またはその加水分解物もしくは部分加水分解物と混合し、さらに必要に応じてこれらの一部または全部を加水分解して得られるケイ素化合物、（ｂ）有機溶媒、および（ｃ）水を含む液状組成物であり、しかも該液状組成物中に含まれる水の量が３５〜６５重量％の範囲にあることを特徴とする半導体加工用保護膜形成用塗布液。 （もっと読む）

【課題】 低誘電率であり、かつ剥離液による膜減りや誘電率の上昇が生じ難いシリカ系被膜を形成できるシリカ系被膜形成用塗布液を提供する。
【解決手段】（Ａ）アルキルトリアルコキシシランおよびトリアルコキシシランからなるシラン化合物を加水分解反応させて得られる反応生成物、および（Ｂ）ポリアルキレングリコールおよびその末端アルキル化物からなる群から選ばれる１種以上を含むことを特徴とするシリカ系被膜形成用塗布液。 （もっと読む）

【課題】 低誘電率であり、かつ剥離液による膜減りや誘電率の上昇が生じ難いシリカ系被膜を形成できるシリカ系被膜形成用塗布液を提供する。
【解決手段】（Ａ）アルキルトリアルコキシシランを加水分解反応させて得られる反応生成物、および（Ｂ）ポリアルキレングリコールおよびその末端アルキル化物からなる群から選ばれる１種以上を含むことを特徴とするシリカ系被膜形成用塗布液。 （もっと読む）

【課題】 配向性が制御され、特性の良好な強誘電体を形成することができる強誘電体膜の形成方法および強誘電体膜を提供する。
【解決手段】 本発明の強誘電体膜の形成方法は、複合酸化物の原材料体２０を結晶化する工程を含み、
初期核を形成するための第１の熱処理を行う工程と、
結晶成長をさせるために、前記第１の熱処理と比して低い温度である第２の熱処理を行う工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 緻密な膜を形成することができ、優れた保存安定性を有する強誘電体薄膜形成用組成物及び強誘電体薄膜並びに液体噴射ヘッドを提供する。
【解決手段】 強誘電体薄膜を構成する材料となる金属を含むコロイド溶液を少なくとも含有し、コロイド平均粒子直径が１〜１００ｎｍであると共に２つ以上のピークを有する粒子径分布が得られる強誘電体薄膜形成用組成物、及びこの強誘電体薄膜形成用組成物により形成される強誘電体薄膜、並びにこの強誘電体薄膜を有する圧電素子を備えた液体噴射ヘッドとする。 （もっと読む）

【課題】 塗布均一性に優れ、熱的に安定な酸化物被膜を形成することができる酸化物被膜形成用塗布液、均一で熱的に安定な酸化物被膜の製造法及び均一で熱的に安定な酸化物被膜を有する半導体装置の製造法を提供する。
【解決手段】 （Ａ）一般式（Ｉ）
【化１】


（式中Ｒは、炭素数１〜４のアルキル基、Ｒ′は炭素数１〜３のアルキル基、ｍは０、１または２を意味する）で表されるアルコキシシラン化合物を溶媒の存在下に加水分解及び縮重合させ、加水分解によって生成する１価アルコールを除去してなる酸化物被膜形成用塗布液、この塗布液を、基体表面上に塗布後、５０〜２００℃で乾燥し、ついで３００〜１０００℃で焼成することを特徴とする酸化物被膜の製造法及びこの塗布液を、半導体素子表面上に塗布後、５０〜２００℃で乾燥し、ついで３００〜１０００℃で焼成して酸化物被膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造法。 （もっと読む）

【課題】 塗布均一性に優れ、熱的に安定な酸化物被膜を形成することができる酸化物被膜形成用塗布液、均一で熱的に安定な酸化物被膜の製造法及び均一で熱的に安定な酸化物被膜を有する半導体装置の製造法を提供する。
【解決手段】 （Ａ）一般式（Ｉ）
【化１】


（式中Ｒは、炭素数１〜４のアルキル基、Ｒ′は炭素数１〜３のアルキル基、ｍは０、１または２を意味する）で表されるアルコキシシラン化合物を溶媒の存在下に加水分解及び縮重合させ、加水分解によって生成する１価アルコールを除去してなる酸化物被膜形成用塗布液、この塗布液を、基体表面上に塗布後、５０〜２００℃で乾燥し、ついで３００〜１０００℃で焼成することを特徴とする酸化物被膜の製造法及びこの塗布液を、半導体素子表面上に塗布後、５０〜２００℃で乾燥し、ついで３００〜１０００℃で焼成して酸化物被膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造法。 （もっと読む）

【課題】 微細ＬＳＩの製造プロセスに適する極めて低い温度で、強誘電体薄膜又は高誘電体薄膜を製造する。
【解決手段】 強誘電体薄膜又は高誘電体薄膜を形成方法は、基板１０２上に、強誘電体又は高誘電体よりなる第１の微粒子１０１ａが混合され、第１の微粒子１０１ａを構成する金属元素と同一の金属元素を含む有機化合物原料１０４を塗布する工程と、塗布された有機化合物原料１０４を金属酸化物のアモルファス膜１０５に変化させる工程と、レーザーを照射して、第１の微粒子１０１ａの結晶構造と同一の結晶構造を持つように、金属酸化物のアモルファス膜１０５の結晶化を行なう工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】 表面が平坦かつ均一な膜厚のゲート絶縁膜等を形成することができる技術を提供する。
【解決手段】 液体材料を複数回塗布することによってゲート絶縁膜を形成する。具体的には、パターンサイズの異なる半導体膜２０２Ａ、２０２Ｂが形成された基板１１上にゲート絶縁膜を形成するための液体材料を塗布し、これを焼成することによって第１ゲート絶縁膜２２０を形成する。第１ゲート絶縁膜２２０を形成することによって半導体膜表面と基板表面との間に生じた段差を小さくした後、この第１ゲート絶縁膜２２０の上に更に液体材料を塗布し、焼成することによって第２ゲート絶縁膜２３０を形成する。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法やＭＯＣＶＤ法などで成膜したのと同等の配向性を有した強誘電体薄膜を、スピンコート法、ＭＯＤ法などの塗布法で安価に成膜することを可能にする。
【解決手段】基板１上の電極２上に任意量の強誘電体薄膜の原料溶液を塗布し乾燥する工程を１回又は複数回行い、得られた薄膜を焼成して薄膜を一度に結晶化する工程を含む塗布法による強誘電体薄膜の製造方法において、上記一度に結晶化したときの強誘電体薄膜の膜厚を１５nm以下として、所望の厚さの強誘電体薄膜３が得られるまで、上記塗布・乾燥工程と結晶化工程を繰り返す。 （もっと読む）

【課題】特に集成回路の製造において用いられる多孔質有機ポリシリカフィルムの調製において有用な組成物が提供される。かかる組成物およびフィルムを形成する方法も提供される。
【解決手段】Ｂ−ステージ有機ポリシリカ物質およびポロゲンを含む組成物であって、ポロゲンがアリール基含有有機基でキャップされたポリオール部分を含む組成物。多孔質有機ポリシリカ誘電体を調製する方法であって：ａ）請求項１記載の組成物を基体上に配置する工程；ｂ）Ｂステージ有機ポリシリカ誘電体を硬化させて、実質的にポロゲンを分解することなく有機ポリシリカフィルムを形成する工程；さらにｃ）ポロゲンを少なくとも部分的に除去して、多孔質有機ポリシリカフィルムを形成する条件に有機ポリシリカフィルムを付す工程を含む方法。 （もっと読む）

【課題】 ＦＳＧ膜と反射防止膜との界面で膜剥がれが生じない半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板上に酸化膜１を介してメタル膜２を形成する工程と、上記メタル膜上に反射防止膜３を形成する工程と、上記反射防止膜上にレジストパターン４を形成し、このレジストパターンをマスクとして上記反射防止膜及びメタル膜をエッチングし、複数個のメタル配線５を形成する工程と、上記メタル配線上及びメタル配線間にフッ素添加の酸化シリコン膜（ＦＳＧ膜）からなる層間絶縁膜６を形成する工程と、上記層間絶縁膜の形成後に熱処理を行なう工程と、上記熱処理後に上記ＦＳＧ膜上にＴＥＯＳ膜７を形成する工程と、ＣＭＰにより上記ＴＥＯＳ膜またはＴＥＯＳ膜及びＦＳＧ膜を研磨し上面を平坦化する工程と、平坦化された面にシリコン酸化膜８を形成する工程とを含むものである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体素子などにおいて好適に用いられる膜形成用組成物、ならびに絶縁膜およびその形成方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る絶縁膜形成用組成物は、（Ａ）ゼオライトのMFI構造を有し、前記MFI構造を構成するシロキサンの１０員環によって形成される孔内に含窒素化合物が存在する、ポリオルガノシロキサン化合物と、（Ｂ）下記一般式（１）で表される化合物、下記一般式（２）で表される化合物、および下記一般式（３) で表される化合物より選ばれる少なくとも１種のシラン化合物を、加水分解、縮合して得られる化合物と、（Ｃ）有機溶媒とを含有する。
Ｓｉ（ＯＲ）_４ ・・・・・（１）
Ｒ^１_ａＳｉ（ＯＲ^２）_４−ａ・・・・・（２）
Ｒ^３_ｂ（Ｒ^４Ｏ）_３−ｂＳｉ−（Ｒ^７）ｄ−Ｓｉ（ＯＲ^５）_３−ｃＲ^６_ｃ ・・・・・（３） （もっと読む）

【課題】 従来のポーラス膜と同等又はそれ以下の比誘電率を有し、しかも十分に機械強度に優れたシリカ系硬化被膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 上記課題を解決する本発明のシリカ系硬化被膜の形成方法は、基板上に形成されたシリカ系被膜内部に第１の触媒を含有する液体を浸透させる第１工程と、第１工程の後にシリカ系被膜を硬化してシリカ系硬化被膜を得る第２工程とを有するものである。 （もっと読む）

【課題】 誘電率及び／又はＳｉＣＯＨ膜の信頼性に影響を及ぼさない方法を用いて、漏れ電流が改善されたＳｉＣＯＨ膜を提供すること。
【解決手段】 深紫外線（ＤＵＶ）に曝されていない従来技術のＳｉＣＯＨ誘電体膜を含む従来技術の誘電体膜に比べて改善された絶縁特性を有するＳｉ、Ｃ、Ｏ及びＨ原子（以下ＳｉＣＯＨ）からなる誘電体膜の製造方法が開示される。改善された特性は、ＳｉＣＯＨ誘電体膜の誘電率に悪影響を及ぼす（増加させる）ことなく達成される、漏れ電流の減少を含む。本発明によれば、堆積時のＳｉＣＯＨ誘電体膜をＤＵＶレーザ・アニールに曝すことにより、減少された漏れ電流及び改善された信頼性を呈するＳｉＣＯＨ誘電体膜が得られる。本発明のＤＵＶレーザ・アニール・ステップは、おそらく、膜から弱く結合されたＣを除去し、それにより漏れ電流を改善する。 （もっと読む）

【課題】 従来のポーラス膜と同等又はそれ以下の比誘電率を有し、しかも十分に機械強度に優れたシリカ系硬化被膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 上記課題を解決する本発明のシリカ系硬化被膜の形成方法は、基板上に形成されたシリカ系被膜上に第１の触媒を含有する液体を塗布する第１工程と、第１工程の後にシリカ系被膜を硬化してシリカ系硬化被膜を得る第２工程とを有するものである。 （もっと読む）

【課題】 絶縁特性に優れたシリカ質膜の製造法とそれに用いられるコーティング組成物の提供。
【解決手段】 数平均分子量が１００〜５０，０００の、パーヒドロポリシラザンまたは変性パーヒドロポリシラザンと、ケイ素原子に対するアルミニウム原子のモル比で１０ｐｐｂ以上１００ｐｐｍ以下のアルミニウム化合物とを含むコーティング組成物と、それをを基板に塗布し、水蒸気、酸素、またはそれらの混合ガスを含む雰囲気中で焼成することを特徴とするシリカ質膜の製造法。 （もっと読む）