【課題】テトラエトキシシラン等のシラン系有機材料を用いたプラズマＣＶＤ法によりシリケートガラスを形成した場合でも、シリケートガラスから半導体層へのフッ素の侵入を防止することのできる電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】液晶装置の製造方法において、ゲート電極３ｃの形成工程、低濃度不純物導入工程、および高濃度不純物導入工程を行った後、シランガス等のシラン系無機原料を用いたＣＶＤ法により第１絶縁膜４１１を形成する。次に、第１アニール工程において第１絶縁膜４１１をアニールした後、テトラエトキシシラン等のシラン系有機原料を用いたプラズマＣＶＤ法によりシリケートガラスからなる第２絶縁膜４１２を形成する。 （もっと読む）

【課題】効率的に薄膜形成装置を洗浄することができる薄膜形成装置の洗浄方法等を提供する。
【解決手段】まず、反応管２にフッ化水素を含むクリーニングガスを供給して、装置内部に付着した付着物を除去する。次に、反応管２に酸素ラジカルを供給して装置内部に付着した珪フッ化物を酸化する酸化工程を実行する。続いて、反応管２にフッ化水素を含むクリーニングガスを供給して酸化された珪フッ化物を除去する酸化物除去工程を実行する。そして、この酸化工程と酸化物除去工程とを複数回繰り返す。これにより、効率的に薄膜形成装置１が洗浄される。 （もっと読む）

【課題】ＤＲＡＭキャパシタの誘電体膜に求められる高誘電率化および低リーク電流化を両立させることができる、酸化ジルコニウム膜を含む誘電体膜の成膜方法および成膜装置を提供すること。
【解決手段】 酸化ジルコニウム膜を含む誘電体膜を成膜する成膜方法は、シクロペンタジエニル環を構造中に含むＺｒ化合物からなるジルコニウム原料と酸化剤とを供給して被処理基板上に酸化ジルコニウム膜を成膜する工程と、シクロペンタジエニル環を構造中に含むチタン化合物からなるチタン原料と酸化剤とを供給して前記酸化ジルコニウム膜の上に酸化チタン膜を成膜する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】膜中の有機成分の脱離による大きな体積収縮を抑制し、クラックなどの構造破壊を抑制することのできる光薄膜形成技術を提供する。
【解決手段】処理室に基板を搬入する工程と、前記処理室に有機シリコン系ガスを供給し、前記有機シリコン系ガスに紫外光を照射してシリコン酸化膜を形成する工程と、前記処理室に無機シリコン系ガスを供給し、前記無機シリコン系ガスに紫外光を照射してシリコン酸化膜を形成する工程と、を備えるように半導体装置の製造方法を構成する。 （もっと読む）

【課題】有機アルミニウムと有機シラン化合物との混合物または反応物をＣＶＤにより成膜し、封止膜等に用いる。
【解決手段】一般式（１）の有機アルミニウム化合物
Ｒ^１_ｍＡｌＸ_ｎ（ＯＲ^２）_{３−（ｍ＋ｎ）} （１）
（式中、Ｒ^１、Ｒ^２は、炭素数１〜２０の炭化水素基、Ｘは水素又は弗素等、ｍは１乃至３の数、ｎは０乃至２の数を表す。）
と、一般式（２）の有機シラン化合物
Ｒ^３_ｐＳｉ（ＯＲ^４）_４−ｐ （２）
（式中、Ｒ^３、Ｒ^４は、水素原子または炭素数１〜２０の炭化水素基、ｐは０乃至３の整数を表す。）
との混合物または反応物を用い、化学気相成長法により、炭素含有酸化アルミニウム酸化ケイ素膜を得て、それを封止膜、ガスバリア部材、ＦＰＤデバイス、半導体デバイス等に用いる。 （もっと読む）

【課題】 低温領域において、膜中の塩素濃度が低く、フッ化水素に対する耐性の高いシリコン窒化膜を形成する。
【解決手段】 処理室内の基板に対してモノクロロシランガスを供給する工程と、処理室内の基板に対してプラズマ励起させた水素含有ガスを供給する工程と、処理室内の基板に対してプラズマ励起または熱励起させた窒素含有ガスを供給する工程と、処理室内の基板に対してプラズマ励起させた窒素ガスおよびプラズマ励起させた希ガスのうち少なくともいずれかを供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことで、基板上にシリコン窒化膜を形成する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】所望の膜厚分布を有する薄膜を堆積可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】少なくとも第１の原料ガスおよび第２の原料ガスを基板に対して交互に供給することにより、第１の原料ガスと第２の原料ガスとの反応により生じる反応生成物質の薄膜を基板に堆積する成膜方法が開示される。この方法は、基板が収容される処理容器内にガスを供給することなく処理容器内を真空排気するステップと、処理容器内に不活性ガスを所定の圧力まで供給するステップと、処理容器内の真空排気を停止した状態で、不活性ガスが所定の圧力に満たされた処理容器内に第１の原料ガスを供給するステップと、第１の原料ガスの供給を停止するとともに処理容器内を真空排気するステップと、処理容器内に第２の原料ガスを供給するステップと、第２の原料ガスの供給を停止するとともに処理容器内を真空排気するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】基板保持具に棚状に積載された複数枚の基板に対して、互いに反応する複数種類の処理ガスを順番に供給して成膜処理を行うにあたり、処理ガスを切り替える時の雰囲気を容易に置換すること。
【解決手段】Ｚｒ系ガスやＯ_３ガスなどの処理ガスを反応管１２内に供給するためのガス吐出口５２の各々形成された第１のガスインジェクター５１ａ、５１ｂとは別に、反応管１２の長さ方向に沿うようにスリット５０の形成された第３のガスインジェクター５１ｃを設けて、処理ガスを切り替える時には、このスリット５０から反応管１２内にパージガスを供給して当該反応管１２内の雰囲気を置換する。 （もっと読む）

【課題】 化学量論的に窒素に対しシリコンが過剰な窒化シリコン膜を形成する。
【解決手段】 処理室内の基板に対してシリコン含有物を供給して、シリコン含有物を熱分解させて、基板上に数原子層以下のシリコン膜を堆積させる工程と、処理室内に残留したシリコン含有物を処理室内から除去する工程と、処理室内の基板に対して窒素含有物を供給して、シリコン膜の窒素含有物による窒化反応が不飽和となる条件下でシリコン膜を熱窒化する工程と、処理室内に残留した窒素含有物を処理室内から除去する工程と、を１サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返すことで、基板上に化学量論的に窒素に対しシリコンが過剰な窒化シリコン膜を形成する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】生産性よく、半導体装置の不良の少ない高品質な膜を形成でき、歩留りの低下を防止できる基板処理装置及び半導体製造装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板を処理する複数の処理室と、前記各処理室内へ原料を供給する原料供給系と、前記各処理室内へ反応剤を供給する反応剤供給系と、前記原料供給系に設けられ前記複数の処理室で共用とされる原料供給部と、前記反応剤供給系に設けられ前記複数の処理室で共用とされる反応剤供給部と、基板を収容した前記各処理室内に前記原料と前記反応剤とを交互に供給して前記基板を処理すると共に、前記原料供給部と前記反応剤供給部とを前記各処理室で時間分割して用いるように、前記原料供給系、前記反応剤供給系、前記原料供給部および前記反応剤供給部を制御する制御部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】低誘電率、低エッチングレート、高絶縁性の特性を備える絶縁膜を形成する。
【解決手段】処理容器内の加熱された基板に対して、所定元素含有ガスと、炭素含有ガスと、窒素含有ガスとを供給することで、基板上に所定元素を含む所定厚さの炭窒化層を形成する工程と、処理容器内の加熱された基板に対して、所定元素含有ガスと、酸素含有ガスとを供給することで、基板上に所定元素を含む所定厚さの酸化層を形成する工程と、を交互に繰り返すことで、基板上に、炭窒化層と酸化層とが交互に積層されてなる所定膜厚の酸炭窒化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】ノズルを縦型反応管に適正に取り付ける方法を提供する。
【解決手段】マニホールド２０９にノズル２０を取り付けるに際して、保持治具１０をノズル２０の上下両端部に取り付け、ノズル２０の水平部をマニホールド２０９の取付口２１０に処理室２０１側から挿入し、上下の保持治具１０の前端面を処理室２０１の内周面に当接させることでノズル２０と処理室２０１の内周面とのクリアランスおよび平行を自動的に保持する。ノズル２０を保持治具１０で位置決めした状態で、ノズル２０の水平部を取付口２１０に設置された継手２１１に固定し、その後、上下の保持治具１０をノズル２０９から取り外す。 （もっと読む）

【課題】 極薄膜状態であっても、物理的な特性及び電気的な特性に優れている窒化シリコン膜を成膜することが可能な窒化シリコン膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】 被処理体の表面上に窒化シリコン膜を成膜する窒化シリコン膜の成膜方法であって、窒化シリコン膜を被処理体の表面上に成膜する前に、少なくともアミノシラン系ガスを用いて、被処理体の表面上に窒化シリコン膜のシードとなるシード層を形成する（ステップ２〜４）。 （もっと読む）

【課題】高品質な単結晶ＳｉＣ基板の使用量を減らすことが可能であり、信頼性を向上させることができるＳｉＣ半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】支持基板１として、単結晶ＳｉＣと異なる材料を用いて構成され、かつ活性層３を形成する工程および半導体素子の構成要素４〜１０、１４〜１７を形成する工程における温度以上の耐熱性を有するものを用い、接合工程では、半導体素子の動作温度以下の温度で直接接合する。このような製造方法では、支持基板１と単結晶ＳｉＣ基板１１とを半導体素子の動作温度以下の温度で接合しているため、支持基板１と単結晶ＳｉＣ基板１１との接合界面で発生する応力を小さくすることができ、ＳｉＣ半導体装置が使用される際に半導体素子に印加される応力を小さくすることができる。すなわち、ＳｉＣ半導体装置の信頼性が低下することを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】ＴｉＮ膜の上部に形成するＴｉＯ膜の少なくとも一部の結晶構造をブルッカイト型構造又はルチル型構造とし、ＴｉＯ膜の誘電率を高める。
【解決手段】ジルコニウム酸化膜の膜厚を制御することにより、ジルコニウム酸化膜の少なくとも一部の結晶構造を立方晶系構造又は正方晶系構造とし、これにより、チタン酸化膜の少なくとも一部の結晶構造をブルッカイト型構造又はルチル型構造とする。 （もっと読む）

【課題】誘電特性及び漏れ電流特性を向上させることのできる半導体素子の誘電体膜の形成方法及びキャパシタの形成方法を提供する。
【解決手段】誘電体膜は、原子層堆積法により、ウェーハ上に酸化ジルコニウム（ＺｒＯ_２）及び酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）で構成された誘電体膜を形成する方法であって、チャンバー内に、１つのＺｒと１つのＡｌ原子とが１つの分子を構成しているソースガスを注入し、ウェーハ上に、ＺｒＯ_２とＡｌ_２Ｏ_３とからなる［ＺｒＯ_２］ｘ［Ａｌ_２Ｏ_３］ｙ（ここで、ｘ及びｙは正数である）膜を形成するステップを繰り返すことにより、ＺｒＯ_２とＡｌ_２Ｏ_３とで構成された厚さ３０Å〜５００Åの誘電体膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】バッチ式の縦型炉を用いてプラズマアシストＡＬＤ法により窒化膜を形成する際、炉底部付近でのローディング効果を抑制する。
【解決手段】反応容器１０２内に複数段にウエハを載置可能なボート１０１と、前記反応容器の側面に沿ってＲＦ電極１０６で挟まれたプラズマ空間１０５と、該プラズマ空間から前記反応容器内の前記各段のウエハに略均等にガスを供給可能な供給口Ｆ１，Ｆ２と、を備えたバッチ式の縦型炉１００を用いて、窒化すべきガスの導入、吸着、パージ、プラズマ励起された窒化ガスの導入による前記窒化すべき吸着ガスの窒化およびパージ、を１サイクルとして所定の膜厚までサイクルを繰り返すプラズマアシストＡＬＤ法において、前記窒化すべきガス導入時のキャリアガス量よりも前記窒化ガス導入時のキャリアガス流量を少なくし、特に窒化ガスとしてのＮＨ３とキャリアガスとしてのＮ２の流量比をＮＨ３の５０に対してＮ２を３以下とする。 （もっと読む）

【課題】処理ガスを基板面内に十分拡散させて、面内均一性、面間均一性を向上させることのできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数の基板２００を積層して収容する処理室２０１と、該処理室内へ原料ガスを供給する原料ガス供給部２４０ｃと、前記処理室内へ改質ガスを供給する改質ガス供給部２４０ｂと、前記処理室内へ不活性ガスを供給する不活性ガス供給部２４０ａ、２４０ｄと、前記処理室内を排気する排気部２４６と、を備えた基板処理装置において、前記原料ガスと前記改質ガスを互いに混合しないように交互に複数回供給して基板上に膜を形成する際に、前記排気を停止した状態で前記原料ガスを供給する原料ガス供給工程を行い、その後、前記処理室内を調圧しつつ前記排気を再開し、かつ、前記原料ガスの供給を停止した状態で前記不活性ガスを供給する膜厚分布制御工程を行い、さらにその後、前記改質ガスを供給する改質ガス供給工程を行う。 （もっと読む）

【課題】 トレンチの微細化がさらに進展しても、トレンチの内部に、膨張可能な膜及び酸化障壁となる膜を形成することが可能なトレンチの埋め込み方法を提供すること。
【解決手段】 トレンチ内部に酸化障壁膜の形成工程（ステップ３）、酸化障壁膜上に膨張可能な膜の形成工程（ステップ４）、焼成することで収縮する埋め込み材でトレンチを埋め込む工程（ステップ５）、埋め込み材の焼成工程（ステップ６）と、を含み、ステップ３の工程が、アミノシラン系ガスを供給して、トレンチの内部に第１のシード層を形成する工程（ステップ３１）、第１のシード層上に窒化シリコン膜を形成する工程（ステップ３２）と、を含み、ステップ４の工程が、アミノシラン系ガスを供給して、窒化シリコン膜上に第２のシード層を形成する工程（ステップ４１）と、第２のシード層上にシリコン膜を形成する工程（ステップ４２）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】１つの実施形態は、例えば、ＣＶＤ装置による成膜処理に対する新規な前処理を行うことができる基板処理装置及び成膜システムを提供することを目的とする。
【解決手段】１つの実施形態によれば、ＣＶＤ装置による成膜処理を行う基板の前処理を行なうための基板処理装置であって、前記基板を保持する基板ステージが配された基板処理室と、前記基板処理室内で前記基板ステージを介して前記基板を加熱する加熱部と、前記基板処理室内で、前記加熱部により加熱された前記基板の表面を酸化する酸化処理部と、前記基板処理室内で、前記酸化処理部により酸化された前記基板の表面に有機溶剤を塗布する塗布処理部とを備えたことを特徴とする基板処理装置が提供される。 （もっと読む）