【課題】異なる処理を含む一連の処理工程において他の処理からの影響を抑制することができる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハを載置する載置部を四つ備え移動する回転トレーと、ウエハを処理する第一のガスを供給する第一のシャワーヘッドと、ウエハを処理する第二のガスを供給する第二のシャワーヘッドと、回転トレーの移動を抑制する制御部と、を有し、制御部は、第一のシャワーヘッドと載置部とにより少なくとも一部が囲まれた第一の処理室と、第二のシャワーヘッドと載置部とにより少なくとも一部が囲まれた第二の処理室と、を形成するように制御する。 （もっと読む）

【課題】 低温下においても成膜速度を向上させ、生産性を向上させることができる半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】 処理室内に収容され、第１の温度に加熱された基板に対して、原料ガスを供給することで、基板上にシリコン含有層を形成する工程と、第１の温度よりも高い第２の温度に加熱された大気圧未満の圧力下にある反応予備室内で、酸素含有ガスと水素含有ガスとを反応させて酸素を含む反応種を生成し、その反応種を大気圧未満の圧力雰囲気下にある処理室内の第１の温度に加熱された基板に対して供給することで、基板上に形成されたシリコン含有層を酸化してシリコン酸化層に変化させる工程と、を交互に繰り返すことで、基板上に所定膜厚のシリコン酸化膜を形成する。シリコン含有層をシリコン酸化層に変化させる工程では、水素含有ガスリッチな条件下でシリコン含有層の酸化を行う。 （もっと読む）

【課題】基材上に金属酸化物膜を形成するための循環堆積法を提供する。
【解決手段】基材上に金属酸化物膜を形成するための循環堆積法であって、金属ケトイミネートを堆積チャンバーに導入し、該金属ケトイミネートを加熱基材上に堆積させる工程、該堆積チャンバーをパージして未反応の金属ケトイミネートと任意の副生成物を除去する工程、酸素含有源を該加熱基材に導入する工程、該堆積チャンバーをパージして任意の未反応の化学物質と副生成物を除去する工程、及び所望の膜厚が確立されるまで循環堆積法を繰り返す工程を含む循環堆積法が提供される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化ケイ素、炭素ドープ窒化ケイ素、炭素ドープ酸化ケイ素、炭素ドープ酸窒化フィルムを低い堆積温度で形成する方法を開示する。
【解決手段】この堆積に用いられるケイ素含有前駆体は、モノクロロシラン（ＭＣＳ）及びモノクロロアルキルシランである。この方法は、好ましくは、プラズマ原子層堆積、プラズマ化学気相成長、及びプラズマサイクリック化学気相成長を用いることによって実行される。 （もっと読む）

【課題】溶媒中に溶解している低揮発性固体ＡＬＤ前躯体の使用を可能にする溶液安定化技術及びデリバリ技術と特定のＡＬＤ操作モードとの新規な組み合わせを提供する。
【解決手段】ＴＨＦなどの溶媒中に溶解している広範囲の低揮発性固体ＡＬＤ前駆体を用いる。不安定な溶質は溶液中で安定化されてもよく、溶液の全量が室温でデリバリされてもよい。溶液が気化された後、気相前駆体溶液及び反応溶液は交互に堆積室内にパルス状に供給し、所定厚のＡＬＤ膜を成長をする。 （もっと読む）

【課題】ハードマスクとして好適に用いられるアモルファスカーボン膜の製造法を提供する。また、半導体装置における保護膜や封止膜に適したアモルファスカーボン膜の製造法を提供する。
【解決手段】プラズマ雰囲気形成領域を内部に有するチャンバーを備えるCVD装置を用意し、チャンバー内圧を6.66Pa以下、バイアス印加手段を介して成膜用の基体を設置するステージに印加するバイアスを100〜1500W、基体の成膜時の基体温度を200℃以下、成膜用の原料ガスの流量を100〜300cc/min.（0℃、大気圧）、プラズマ雰囲気を形成するための希ガスの流量を50〜400cc/min.（0℃、大気圧）とし、基体をプラズマ雰囲気に対面させ、基体上にアモルファスカーボン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】Ｇｅ基板と絶縁膜との界面に、良好なＧｅ酸化膜を形成する。
【解決手段】上面に絶縁膜（Ｈｉｇｈ−ｋ膜）３２が積層されたＧｅ基板３１の絶縁膜３２の表面から、酸素原子含有ガスを含む処理ガスのプラズマを照射する。絶縁膜３２越しにＧｅ基板３１を酸化させて、絶縁膜３２とＧｅ基板３１との界面にＧｅ酸化膜３３を形成する。絶縁膜３２がＧｅ酸化膜３３に対して保護膜として機能し、形成されたＧｅ酸化膜３３の劣化を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】基板に形成される凹部をボイドの形成を低減しつつ、高スループットで埋め込むことが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】基板が載置される基板載置部を含み真空容器内に回転可能に設けられる回転テーブルと、回転テーブルにおける基板載置部が形成される面に対して第１の反応ガスを供給する第１の反応ガス供給部と、第１の反応ガス供給部から回転テーブルの周方向に離間して設けられ回転テーブルにおける基板載置部が形成される面に対して、第１の反応ガスと反応する第２の反応ガスを供給する第２の反応ガス供給部と、第１及び第２の反応ガス供給部から回転テーブルの周方向に離間して設けられ、回転テーブルにおける基板載置部が形成される面に対して、第１の反応ガスと第２の反応ガスとの反応性生成物を改質する改質ガス及びエッチングするエッチングガスを活性化して供給する活性化ガス供給部とを含む成膜装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】ＤＲＡＭキャパシタの誘電体膜に求められる高誘電率化および低リーク電流化を両立させることができる、酸化ジルコニウム膜を含む誘電体膜の成膜方法および成膜装置を提供すること。
【解決手段】 酸化ジルコニウム膜を含む誘電体膜を成膜する成膜方法は、シクロペンタジエニル環を構造中に含むＺｒ化合物からなるジルコニウム原料と酸化剤とを供給して被処理基板上に酸化ジルコニウム膜を成膜する工程と、シクロペンタジエニル環を構造中に含むチタン化合物からなるチタン原料と酸化剤とを供給して前記酸化ジルコニウム膜の上に酸化チタン膜を成膜する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】良好な埋込特性が得られるバッチ式の成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】凹部を含むパターンが形成された複数の基板を多段にして反応管に搭載するステップと、シリコン含有ガス及び酸素含有ガスを前記反応管へ供給することにより、前記複数の基板上に酸化シリコン膜を成膜する成膜ステップと、フッ酸ガス及びアンモニアガスを前記反応管へ供給することにより、前記成膜ステップにおいて成膜された前記酸化シリコン膜をエッチングするエッチングステップと、を含み、前記成膜ステップと前記エッチングステップとが交互に繰り返される成膜方法が開示される。 （もっと読む）

【課題】 高誘電率及び高温状態で安定したキャパシタ絶縁膜の形成を実現する。
【解決手段】 基板上に形成された下電極の上に、キャパシタの絶縁膜としてルチル型のチタン酸化膜を形成する半導体デバイスの製造方法であって、チタン酸化膜の結晶格子の大きさとほぼ等しい大きさの結晶格子を有する絶縁膜をチタン酸化膜の下地膜として形成する。 （もっと読む）

【課題】安定してプラズマを発生させることができる原子層堆積装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に薄膜を形成する原子層堆積装置であって、成膜容器と、薄膜の原料である原料ガスを成膜容器に供給する原料ガス供給部と、原料ガスと反応して薄膜を形成する反応ガスを成膜容器に供給する反応ガス供給部と、成膜容器の内部にプラズマを発生させるために高周波電流を供給する高周波電源と、原料ガスと反応ガスとが交互に供給されるように、原料ガス供給部と反応ガス供給部とを制御し、かつ、高周波電源が高周波電流を供給するタイミングを制御する制御部と、点火プラグを備える点火室と、成膜容器と点火室との間に配置されるバルブと、を備えることを特徴とする原子層堆積装置。 （もっと読む）

【課題】所望の膜厚分布を有する薄膜を堆積可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】少なくとも第１の原料ガスおよび第２の原料ガスを基板に対して交互に供給することにより、第１の原料ガスと第２の原料ガスとの反応により生じる反応生成物質の薄膜を基板に堆積する成膜方法が開示される。この方法は、基板が収容される処理容器内にガスを供給することなく処理容器内を真空排気するステップと、処理容器内に不活性ガスを所定の圧力まで供給するステップと、処理容器内の真空排気を停止した状態で、不活性ガスが所定の圧力に満たされた処理容器内に第１の原料ガスを供給するステップと、第１の原料ガスの供給を停止するとともに処理容器内を真空排気するステップと、処理容器内に第２の原料ガスを供給するステップと、第２の原料ガスの供給を停止するとともに処理容器内を真空排気するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】基板保持具に棚状に積載された複数枚の基板に対して、互いに反応する複数種類の処理ガスを順番に供給して成膜処理を行うにあたり、処理ガスを切り替える時の雰囲気を容易に置換すること。
【解決手段】Ｚｒ系ガスやＯ_３ガスなどの処理ガスを反応管１２内に供給するためのガス吐出口５２の各々形成された第１のガスインジェクター５１ａ、５１ｂとは別に、反応管１２の長さ方向に沿うようにスリット５０の形成された第３のガスインジェクター５１ｃを設けて、処理ガスを切り替える時には、このスリット５０から反応管１２内にパージガスを供給して当該反応管１２内の雰囲気を置換する。 （もっと読む）

【課題】 化学量論的に窒素に対しシリコンが過剰な窒化シリコン膜を形成する。
【解決手段】 処理室内の基板に対してシリコン含有物を供給して、シリコン含有物を熱分解させて、基板上に数原子層以下のシリコン膜を堆積させる工程と、処理室内に残留したシリコン含有物を処理室内から除去する工程と、処理室内の基板に対して窒素含有物を供給して、シリコン膜の窒素含有物による窒化反応が不飽和となる条件下でシリコン膜を熱窒化する工程と、処理室内に残留した窒素含有物を処理室内から除去する工程と、を１サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返すことで、基板上に化学量論的に窒素に対しシリコンが過剰な窒化シリコン膜を形成する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】生産性よく、半導体装置の不良の少ない高品質な膜を形成でき、歩留りの低下を防止できる基板処理装置及び半導体製造装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板を処理する複数の処理室と、前記各処理室内へ原料を供給する原料供給系と、前記各処理室内へ反応剤を供給する反応剤供給系と、前記原料供給系に設けられ前記複数の処理室で共用とされる原料供給部と、前記反応剤供給系に設けられ前記複数の処理室で共用とされる反応剤供給部と、基板を収容した前記各処理室内に前記原料と前記反応剤とを交互に供給して前記基板を処理すると共に、前記原料供給部と前記反応剤供給部とを前記各処理室で時間分割して用いるように、前記原料供給系、前記反応剤供給系、前記原料供給部および前記反応剤供給部を制御する制御部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 金属薄膜上に金属酸化膜を形成する際に、金属薄膜の酸化を抑制させる。
【解決手段】 原料と酸化剤とを用い、金属薄膜が形成された基板上に、ハフニウム、イットリウム、ランタン、アルミニウム、ジルコニウム、ストロンチウム、チタン、バリウム、タンタル、ニオブからなる群から選択される少なくとも１種類以上の元素を含む金属酸化膜を、酸化による結晶粒の異常成長が起こらない温度であって、かつ、アモルファス状態となる第１温度で形成するステップと、原料と酸化剤とを用い、アモルファス状態の金属酸化膜上に、アモルファス状態を維持しつつ、ハフニウム、イットリウム、ランタン、アルミニウム、ジルコニウム、ストロンチウム、チタン、バリウム、タンタル、ニオブからなる群から選択される少なくとも１種類以上の元素を含む金属酸化膜を、第１温度を超える第２温度で形成するステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】金属含有膜のための気相成長前駆体としての使用に適した有機金属化合物を提供する。特定の有機金属前駆体を用いて金属含有膜を被着させる方法も提供する。そのような金属含有膜は、電子装置の製造において特に有用である。
【解決手段】周期表のランタニド又は第３族〜第１６族から選択される金属の酸化物を成膜する方法であって、エノラート配位子を含む金属含有前駆体を用い、金属前駆体を蒸気状態で反応チャンバーに導入し、基体上に化学吸着させる工程と、パージする工程と、酸素源を導入する工程と、パージする工程とを含む気相成長により成膜する。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮを有する窒化物の上にマイクロ波プラズマを用いてゲート絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ層１３，ＡｌＧａＮ層１４ａが積層されたＦＥＴ構造と、フィールド酸化膜１５とゲート電極２０との間にかけて、形成されたゲート絶縁膜１９ｂを備える。ゲート絶縁膜１９ｂは、アルミナ２４ａとシリコン酸化膜２４ｂから構成される二層構造とする。 （もっと読む）

【課題】ノズルを縦型反応管に適正に取り付ける方法を提供する。
【解決手段】マニホールド２０９にノズル２０を取り付けるに際して、保持治具１０をノズル２０の上下両端部に取り付け、ノズル２０の水平部をマニホールド２０９の取付口２１０に処理室２０１側から挿入し、上下の保持治具１０の前端面を処理室２０１の内周面に当接させることでノズル２０と処理室２０１の内周面とのクリアランスおよび平行を自動的に保持する。ノズル２０を保持治具１０で位置決めした状態で、ノズル２０の水平部を取付口２１０に設置された継手２１１に固定し、その後、上下の保持治具１０をノズル２０９から取り外す。 （もっと読む）