【課題】圧電性能に優れたペロブスカイト型酸化物を提供する。
【解決手段】下記一般式（Ｐ）で表される組成を有するペロブスカイト型酸化物の製造方法において、下記式（１）及び（２）を充足する条件で、組成を決定する。
（Ｂａ，Ｂｉ，Ａ）（Ｔｉ，Ｆｅ，Ｍ）Ｏ_３・・・（Ｐ）、
０．９８≦ＴＦ（Ｐ）≦１．０２・・・（１）、
ＴＦ（ＢｉＦｅＯ_３）＜ＴＦ（ＡＭＯ_３）＜ＴＦ（ＢａＴｉＯ_３）・・・（２）
（式（Ｐ）中、Ｂａ，Ｂｉ，及びＡはＡサイト元素、Ｔｉ，Ｆｅ，及びＭはＢサイト元素。Ａ及びＭは、Ｐｂを除く各々１種又は複数種の金属元素である。式（１），（２）中、ＴＦ（Ｐ）は上記一般式（Ｐ）で表される酸化物の許容因子、ＴＦ（ＢｉＦｅＯ_３）、ＴＦ（ＡＭＯ_３）、及びＴＦ（ＢａＴｉＯ_３）はそれぞれ（）内に記載の酸化物の許容因子である。） （もっと読む）

【課題】難エッチング材を含む部材であっても、簡便に、かつ、良好な形状にパターニングすることができるドライエッチングによるパターニング方法及びインクジェットヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】被エッチング部材のドライエッチングを施す面に感光性樹脂のマスク２４ａを形成した後、撥水処理２８を施す。撥水処理後、感光性樹脂のマスクをポストベークする。次いで、感光性樹脂のマスクを介してドライエッチングを施すことにより被エッチング部材をパターニングする。被エッチング部材としては、磁性体材料、強誘電体材料、及び貴金属の少なくとも一種を含む膜を有するものを好適に用いることができる。 （もっと読む）

【課題】上下の電極間のショートが防止される信頼性の高い圧電素子、及びそれを容易に製造することができる圧電素子の製造方法を提供する。
【解決手段】支持体１２上に、下部電極１８と、圧電膜２０ａと、上部電極２２ａとが、この順に積層されており、圧電膜２０ａの側面に、下部電極を１８構成する材料を含む酸化膜２８が形成されている圧電素子１１。圧電素子用部材１０の上部電極２２側に形成したマスク２４を介してドライエッチングすることにより上部電極２２及び圧電膜２０をパターニングした後、パターニングされた圧電膜２０ａの側面（側壁付着膜２６）を酸化させて酸化膜２８にする。好ましくは、プラズマ酸化により酸化処理を行う。 （もっと読む）

【課題】空洞を有する被エッチング部材上にテーパー形状の側面を有するマスクを容易に形成して良好にパターニングを行うことができるドライエッチングによるパターニング方法及びそれに用いるモールド並びにインクジェットヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】空洞１３を有する被エッチング部材１０のドライエッチングを施す面に光硬化性樹脂２４を付与し、被エッチング部材上に形成すべきテーパー形状の側面を有するマスク２４ａに対応したパターンを有するモールド５０を光硬化性樹脂に押し付ける。光硬化性樹脂に光を照射して硬化させた後、モールドを引き離すことにより、被エッチング部材上にモールドのパターンが反映されたテーパー形状の側面を有するマスクを形成する。マスクを介してドライエッチングを施すことにより被エッチング部材をパターニングした後、マスクを除去する。 （もっと読む）

【課題】 数１００ガウス程度の磁場強度で電流を誘起でき、また電気分極の強度や方向を制御できるマルチフェロイック素子を提供する。
【解決手段】 マルチフェロイックナノ発電機は、金属電極２に挟まれたマルチフェロイック固体材料１からなる構造を有し、金属電極２に平行に交流磁界５が印加するように配置し、金属電極２間に誘起される電流を利用する。 （もっと読む）

【課題】非常に小さいナノドメインの信頼性のある再現可能な生成を可能にするデータ記憶媒体を提供する。
【解決手段】記憶媒体は、支持基板１０４と、中間酸化層１０２と、間隔を置いて配置された金属領域１００”と絶縁材料を含む電極層１００’と、電極層１００’を覆う強誘電体材料による感光材料層１０１と、データ記憶媒体１０の近くに移動されており、強誘電体層１０１に対向している導電性の近視野顕微鏡チップ５を含み、電極層１００’と近視野顕微鏡チップ５との間に電場が加えられ、力線１０６が強誘電体層１０１の一部分を通過する結果、ナノドメイン１０７は強誘電体層１０１の表面に形成される。ナノドメイン１０７のこのサイズは導電領域１００”の幅、または視野顕微鏡チップ５の曲率半径に依存する。記憶媒体は、感光材料層１０１に全体的に平行な基準面を有し、近視野顕微鏡チップ５が基準面に沿って動かされるように適合される。 （もっと読む）

【課題】正方晶系の結晶構造を有する膜厚５００ｎｍ以上の、（００１）単一配向の機能性酸化物膜を備えた機能性酸化物構造体を提供する。
【解決手段】機能性酸化物構造体１は、基板１０上に、膜厚が５００ｎｍ以上の正方晶系の結晶系を有する機能性酸化物膜３０が成膜されたものであって、機能性酸化物膜３０が、（００１）単一配向の結晶配向性を有することを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】エッチングレートの高速化とレジスト選択比を向上させる。
【解決手段】プロセスガスとして複数のフッ素系ガスからなる混合ガスを用い、前記プロセスガスを供給しながら高真空でプラズマを生成し、かつ低周波のバイアス電力を印加してエッチングを行うことを特徴とするドライエッチング方法を提供することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】強誘電体メモリに書き込んでおいた情報が強誘電体メモリの製造工程における加熱処理によって消失してしまうことを防ぐ。
【解決手段】強誘電体メモリ（１０２）を備えた半導体記憶装置（１０）は、高温下でのデータ保持能力が強誘電体メモリ（１０２）よりも高い不揮発性メモリ（１０３）と、強誘電体メモリ（１０２）と不揮発性メモリ（１０３）との接続及び非接続を切り替える接続回路（１０４）とを備えている。強誘電体メモリ（１０２）は、不揮発性メモリ（１０３）に書き込まれた当該装置固有のデータの少なくとも一部を、接続回路（１０４）を介して受けて保持する。 （もっと読む）

【課題】スネーク電流を防止することができるスイッチング素子を有する半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体素子の製造方法は、基板上に転移金属酸化膜及び漏洩制御膜を互い違いに１回〜２０回積層してバリスタ膜を形成する。転移金属酸化膜はその安定した状態に比べて過剰な転移金属を含むように形成される。漏洩制御膜は、Ｍｇ膜、Ｔａ膜、Ａｌ膜、Ｚｒ膜、Ｈｆ膜、ポリシリコン膜、導電性炭素群膜及びＮｂ膜からなる一群から選択された一つで形成される。 （もっと読む）

集積回路(10)上のメモリ(14)のための電力供給電圧は、メモリを作動する間、動的に調整される。メモリを作動することは、供給電圧（V_DD1）でメモリに給電することを含む。メモリの作動中、集積回路のテストメモリ(16)は並行して電力を供給される。テストメモリおよびメモリは、各々第１のビットセル構成タイプのビットセルを含む。テストメモリのテストに基づいてメモリを作動させながら、供給電圧の電圧レベルが、調整される（30）。電圧レベルが、メモリの失敗した作動を保証しないだけでなく、供給電圧を正確に最小化した値とみなすように、外部の変化によって調整される。システム及び方法は、いかなる種類ものメモリでも実装されうる。メモリ(14)およびテストメモリ(16)は、分離されるか、または、集積回路上に散在して物理的に実装されうる。
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【課題】強誘電体または圧電体の検査方法で、短時間で素子の欠陥分布が判明することが可能なシステムを提供することを目的とする。
【解決手段】強誘電体素子５の下部電極２と上部電極４の両端に一定電圧を与えることが可能な直流電源２１部と、強誘電体３で一定の電圧によって発生したキャリアが発する蛍光のうち、一定の光子エネルギーを有する蛍光を受光して収集することができるレンズ２３（受光部）、蛍光像の分布により欠陥分布を判定することが可能な処理装置２５（判定部）を備えたことを特徴とする検査システム。 （もっと読む）

ブロック共重合体などの自己組織化材料は、ピッチマルチプリケーションのためのマンドリル（１６２）として使用される。共重合体は、基板（１１０）上に堆積され、所望のパターンへと自己組織化を促される。ブロック共重合体を形成するブロックのうちの一つ（１６４）は、選択的に除去される。残っているブロックは、ピッチマルチプリケーションのためのマンドリル（１６２）として使用される。スペーサ材料は、ブロック（１６２）上にブランケット堆積される。スペーサ材料は、マンドリル（１６２）の側壁上にスペーサを形成するために、スペーサエッチングに暴露される。マンドリル（１６２）は、独立したスペーサを残すために選択的に除去される。スペーサは、下部基板（１１０）内にパターンを画定するために、ピッチ増倍化マスク機構として使用されうる。
（もっと読む）

【課題】原料として安価な微粒子材料を用い、光導波路素子や薄膜キャパシター素子に適用可能な緻密で高透明、低リーク電流のサブミクロンオーダー、ナノメーターオーダー膜厚の脆性材料膜構造体を提供する。
【解決手段】脆性材料粒子を粒子径１００ｎｍ以下に粉砕後、基板に吹き付け、これを基板上に堆積することにより形成された、アモルファス相の含有体積分率３０％以下で、平均結晶粒径が５０ｎｍ以下の多結晶構造である脆性材料膜構造体。 （もっと読む）

可変調な注入障壁およびこれを備えた半導体素子が開示されている。更に具体的には、本発明は２端子で不揮発のプログラマブル抵抗器に関する。このような抵抗器は不揮発性のメモリデバイスに適用され、例えばディスプレイにおける能動スイッチとして用いられる。本デバイスは、電極層の間に強誘電体物質と半導体物質の混合物を備えた記録層を備える。好ましくはこの混合物の物質は両方ともポリマーである。 （もっと読む）

【課題】半導体装置及びその形成方法を提供する。
【解決手段】セルゲートパターン及び周辺ゲートパターン周辺に互いに異なる絶縁パターンをそれぞれ配置してセルゲートパターン及び周辺ゲートパターン周辺に互いに異なる熱処理負担（Ｈｅａｔ Ｂｕｄｇｅｔ）をそれぞれ与えるための方策を提供する。そのために、セルアレイ領域及び周辺回路領域を有する半導体基板を準備する。セルアレイ領域に第１及び第２セルゲートパターンが配置される。周辺回路領域に位置して第２セルゲートパターンに隣り合う周辺ゲートパターンが形成される。第１及び第２セルゲートパターン周辺に埋め込み絶縁パターンが配置される。周辺ゲートパターンの周辺に平坦化絶縁パターンが配置される。 （もっと読む）

【課題】スパッタ法を用いて、良質なＢｉＦｅＯ₃膜を直接シリコン基板の上に形成できるようにする。
【解決手段】単結晶シリコンからなり、主表面が清浄化された基板１０１を用意し、基板１０１の上に膜厚２００ｎｍ程度のＢｉＦｅＯ₃の結晶からなるＢｉＦｅＯ₃結晶膜１０２が形成された状態とする。ここで、ＢｉＦｅＯ₃結晶膜１０２の形成は、主として、ビスマスと鉄との酸化物からなる焼結体のターゲットを用いたＥＣＲプラズマスパッタ法により行う。ビスマスと鉄との酸化物からなる焼結体のターゲットとしては、Ｂｉ₂Ｏ₃：Ｆｅ２Ｏ₃＝１．１：１の割合で原料を混合して焼結したＢｉ_1.1ＦｅＯ₃ターゲットを用いる。 （もっと読む）

【課題】ＰＺＴ系の強誘電体膜において、焼結助剤やアクセプタイオンを添加することなく、Ｂサイトに１０モル％以上のドナイオンを添加することを可能とする。
【解決手段】本発明の強誘電体膜は、多数の柱状結晶からなる柱状結晶膜構造を有し、下記式（Ｐ）で表されるペロブスカイト型酸化物を主成分とするものである。
Ａ_１＋δ［（Ｚｒ_ｘＴｉ_１−ｘ）_１−ｙＭ_ｙ］Ｏ_ｚ・・・（Ｐ）
（式中、ＡはＡサイト元素であり、Ｐｂを主成分とする少なくとも１種の元素である。Ｚｒ，Ｔｉ，及びＭはＢサイト元素である。ＭはＶ，Ｎｂ，Ｔａ，及びＳｂからなる群より選ばれた少なくとも１種の元素である。０＜ｘ≦０．７、０．１≦ｙ≦０．４。δ＝０及びｚ＝３が標準であるが、これらの値はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準値からずれてもよい。） （もっと読む）

【課題】ＰＺＴ系の強誘電体膜において、焼結助剤やアクセプタイオンを添加することなく、Ｂサイトに１０モル％以上のドナイオンを添加することを可能とする。
【解決手段】本発明の強誘電体膜は、多数の柱状結晶からなる柱状結晶膜構造を有し、下記式（Ｐ）で表されるペロブスカイト型酸化物を主成分とするものである。
Ａ_１＋δ［（Ｚｒ_ｘＴｉ_１−ｘ）_１−ｙＭ_ｙ］Ｏ_ｚ・・・（Ｐ）
（式中、ＡはＡサイト元素であり、Ｐｂを主成分とする少なくとも１種の元素である。Ｚｒ，Ｔｉ，及びＭはＢサイト元素である。ＭはＶ，Ｎｂ，Ｔａ，及びＳｂからなる群より選ばれた少なくとも１種の元素である。０＜ｘ≦０．７、０．１≦ｙ≦０．４。δ＝０及びｚ＝３が標準であるが、これらの値はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準値からずれてもよい。） （もっと読む）

【課題】ＰＺＴ系の強誘電体膜において、焼結助剤やアクセプタイオンを添加することなく、Ｂサイトに１０モル％以上のドナイオンを添加することを可能とする。
【解決手段】本発明の強誘電体膜は、多数の柱状結晶からなる柱状結晶膜構造を有し、下記式（Ｐ）で表されるペロブスカイト型酸化物を主成分とするものである。
Ａ_１＋δ［（Ｚｒ_ｘＴｉ_１−ｘ）_１−ｙＭ_ｙ］Ｏ_ｚ・・・（Ｐ）
（式中、ＡはＡサイト元素であり、Ｐｂを主成分とする少なくとも１種の元素である。Ｚｒ，Ｔｉ，及びＭはＢサイト元素である。ＭはＶ，Ｎｂ，Ｔａ，及びＳｂからなる群より選ばれた少なくとも１種の元素である。０＜ｘ≦０．７、０．１≦ｙ≦０．４。δ＝０及びｚ＝３が標準であるが、これらの値はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準値からずれてもよい。） （もっと読む）