【課題】圧電特性の均一化を図ることができる強誘電体膜の形成方法、並びに対象物の特性の均一化を図ることができる熱処理装置を提供する。
【解決手段】基板１上に強誘電体前駆体膜を形成し、次に強誘電対前駆体膜を加熱することで強誘電体膜を形成し、最後に基板１の表面と裏面とに対し全体的に冷却ガス４を吹き付けて強誘電体膜を冷却する。 （もっと読む）

【課題】抗電界Ｅｃが小さく残留分極Ｐｒが大きいビスマス層状構造強誘電体結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の製造方法は、ビスマスおよびビスマス化合物から選ばれる少なくとも１つのビスマス供給用材料を含む材料を用いてビスマスを含む層状構造強誘電体の結晶（Ａ）を形成する工程と、結晶（Ａ）を、酸素分圧が１気圧以上の雰囲気下において熱処理する熱処理工程とを含む。ビスマス供給用材料に含まれるビスマスの純度は、９９．９９９モル％以上である。 （もっと読む）

【課題】 キュリー温度を制御できる範囲が広く、室温付近の相転移が無く、優れた強誘電特性を示すチタン酸バリウムを主成分とした強誘電セラミック材料を提供する。
【解決手段】 （１００−ａ−ｂ）ＢａＴｉＯ_３・ａＢｉ_２Ｏ_３・ｂＭ_２Ｏ_３（式中、ＭはＢｉ以外の３価の金属を示す。ａ、ｂは１≦ａ≦１５、０≦ｂ≦５、５≦ａ＋３ｂ≦１５である。）で表される酸化物からなる強誘電セラミック材料。前記Ｍが第５周期の遷移金属、原子番号が５９以上６９以下の希土類金属から選ばれる３価の金属であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】圧電性能と耐久性とがいずれも良好なＰＺＴ系の圧電体膜を提供する。
【解決手段】圧電体膜の製造方法は、式（Ｐ）で表されるペロブスカイト酸化物からなる圧電体膜の製造方法において、ａ／ｂ≧１．０７の条件で成膜を行う工程（Ａ）と、ａ／ｂ＜１．０７の条件で成膜を行う工程（Ｂ）とを順次実施して、パイロクロア相を含まないペロブスカイト単相構造であり、ａ／ｂ≦１．０６である圧電体膜を製造する。Ｐｂ_ａ（Ｚｒ_ｘ，Ｔｉ_ｙ，Ｍ_{ｂ−ｘ−ｙ}）_ｂＯ_ｃ・・・（Ｐ）（式中、Ｍは１種又は２種以上のＢサイト元素を示す。０＜ｘ＜ｂ、０＜ｙ＜ｂ、０≦ｂ−ｘ−ｙ。ａ：ｂ：ｃ＝１：１：３が標準であるが、これらのモル比はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準モル比からずれてもよい。） （もっと読む）

【課題】圧電体におけるヒステリシス特性の２つの抗電界が両方とも正電界側とすることができ、かつ応力を生じさせることなく、膜厚を２μｍ超にすることができ、圧電特性に優れた鉛含有ペロブスカイト型酸化物膜、その作製方法、このような酸化物膜からなる圧電体を用いる圧電素子、およびこれを用いる液体吐出装置を提供する。
【解決手段】鉛含有ペロブスカイト型酸化物膜は、（１００）および／または（００１）配向を主成分とし、かつ鉛を主成分とし、膜厚が、２μｍ超であり、ヒステリシス特性における２つの坑電界が、いずれも正であることにより、または、これに加えさらに、酸化物膜に含有されるカチオンのうちの鉛以外のカチオンに対する鉛のモル比を表す鉛量が、１．０７以上であり、Ｘ線回析のθ／２θ測定において実質的に不純物相を含まない。 （もっと読む）

【課題】従来に比してヒステリシスの偏り、非対称性が小さく、圧電定数がプラス方向で大きく良好な特性を持ち、正電圧印加（正電界印加状態）でも大きな変位が得られ、正常に駆動させることができ、汎用の駆動ＩＣを用いることができる鉛含有圧電膜、その作製方法、これを用いる圧電素子およびこれを用いる液体吐出装置を提供する。
【解決手段】鉛を含有する圧電膜であり、その膜厚が、３μｍ以上であり、ｄ３１（＋）／ｄ３１（−）＞０．５であり、ｄ３１（＋）＞１００ｐｍ／Ｖであり、好ましくは、圧電膜中の鉛量が１．０３以下である。なお、ｄ３１（＋）およびｄ３１（−）は、それぞれ圧電膜に上部および下部電極を形成して上部電極に正電圧および負電圧を印加した時に測定される圧電膜の圧電定数である。 （もっと読む）

【課題】摩擦力、剪断力、衝撃力などの機械的な外力が加えられることによって生じる変形によって発光する新規な発光材料を提供する。
【解決手段】本発明の発光材料は、ウルツ鉱型構造の酸化亜鉛と、立方晶又はウルツ鉱型構造の硫化亜鉛と、立方晶の酸化マンガンとの結晶構造の中から少なくとも２種類以上の結晶構造を有するものや、一般式（Ｃａ_１−ｘＡ’_ｘ）_ｙＢａ_１−ｙＴｉＯ_３、（Ｍｇ_１−ｘＡ’_ｘ）_ｙＢａ_１−ｙＴｉＯ_３、及び（Ｓｒ_１−ｘＡ’_ｘ）ｙＢａ_１−ｙＴｉＯ_３（０．０００１≦ｘ≦０．０５，０．００５≦ｙ≦０．９９５，Ａ’はＤｙ，Ｌａ，Ｇｄ，Ｃｅ，Ｓｍ，Ｙ，Ｎｄ，Ｔｂ，Ｐｒ，Ｅｒからなる群より選ばれる希土類元素）からなるもの等のような、複数の結晶構造が混在した混相を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】延伸処理を行うことなく、大きな残留分極を有する強誘電性キャストフィルム及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の強誘電性キャストフィルムの製造方法は、下記の工程を含む。
（Ｉ）ポリフッ化ビニリデンを誘電率３〜１００の溶媒に溶解した溶液を、該溶液のゲル化温度よりも高く、且つ、前記ゲル化温度＋６０℃以下の温度でキャスティングすることにより、未延伸のキャストフィルムを製造する工程。
（ＩＩ）前記未延伸のキャストフィルムに、振幅１９０〜４００ＭＶ／ｍの交流電場を印加する工程。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物層の表面のアモルファス層を低減し、金属酸化物層の誘電率を向上させること。
【解決手段】金属酸化物の前駆体層を分解して金属酸化物層を形成する工程と、金属酸化物層にレーザを照射して前記金属酸化物層を結晶化する工程と、結晶化された金属酸化物層に対して、１０〜３００Ｈｚの間隔で、最初のパルスの照射フルエンスを６０〜１００ｍＪ／ｃｍ^２とし、最後のパルスの照射フルエンスを１０ｍＪ／ｃｍ^２以下とし、照射フルエンスの減少速度Ｖが−１５０≦Ｖ［ｍＪ／（ｃｍ^２ｍｉｎ）］＜０となるように、各パルスの照射フルエンスを減少させながらパルスレーザを照射する除冷工程と、を備える金属酸化物層の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ビニリデンフルオライド系オリゴマー材料を用いた積層体の製造方法、その積層体、およびビニリデンフルオライド系オリゴマー膜を提供することを目的とする。
【解決手段】基板表面にビニリデンフルオライド系ポリマーを摩擦転写し、該ビニリデンフルオライド系ポリマー表面にビニリデンフルオライド系オリゴマーを蒸着することによって、ビニリデンフルオライド系オリゴマー膜を前記基板上に積層させる。ビニリデンフルオライド系ポリマーは、ビニリデンフルオライドとトリフルオロエチレンの共重合体（Ｐ（ＶｄＦ／ＴｒＦＥ）共重合体）を用いる。 （もっと読む）

【課題】低抵抗性で耐熱性に優れ、表面凹凸が小さい低抵抗金属層を備える積層体、このような積層体上に形成され、膜質のバラツキや表面粗さの小さい高品質な圧電体層を備える圧電素子、およびこの圧電素子を用いた液体吐出装置を提供する。
【解決手段】圧電素子１０は、積層体３０を用いるもので、基板１２、熱酸化膜１４、密着金属層１６、金含有層１８、密着金属層２０、金属層２２、圧電体層２４、上部電極層２６をこの順で積層した積層構造を有する。密着金属層１６、金含有層１８、密着金属層２０および金属層２２は、電極層、特に、下部電極層として用いられる低抵抗金属層２８を構成し、基板１２、熱酸化膜１４および低抵抗金属層２８は、積層体３０を構成する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ状態を安定させ、かつ、好適な成膜条件によって、良質な膜を成膜できる成膜装置および成膜方法、これらによって成膜した圧電膜、および、この圧電膜を用いる液体吐出装置を提供することにある。
【解決手段】真空容器と、ターゲットホルダと、基板ホルダと、アノードとを有し、前記アノードは、前記基板ホルダの外周を取り囲むように設けられた筒状部材と、前記筒状部材の内周面に、前記基板ホルダと直交する方向に互いに離間した状態で取り付けられ、かつ、前記成膜用基板よりも大きい中心開口を持つ環状である複数枚の板状部材とを有し、前記真空容器内に前記ガスを導入し、前記ターゲットホルダと基板ホルダとの間に、電圧をかけてプラズマを生成し、前記成膜用基板上に前記成膜材料の薄膜を形成することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】強誘電性能に優れた新規組成のペロブスカイト型酸化物を提供する。
【解決手段】ペロブスカイト型酸化物は、下記一般式で表されるものである。（Ａ_ａ，Ｂ_ｂ）（Ｃ_ｃ，Ｄ_ｄ，Ｘ_ｘ）Ｏ_３（Ａ：Ａサイト元素である。Ａ＝Ｂｉ、０＜ａ。Ｂ：１種又は複数種のＡサイト元素である。０≦ｂ＜１．０。Ｃ：Ｂサイト元素である。Ｃ＝Ｆｅ、０＜ｃ＜１．０。Ｄ：１種又は複数種のＢサイト元素である。０≦ｄ＜１．０。０＜ｂ＋ｄ。Ｘ：１種又は複数種のＢサイト元素である。ＣとＤの化学式上の平均価数よりも化学式上の平均価数が大きい元素である。０＜ｘ＜１．０。（Ａサイトの化学式上の平均価数）＋（Ｂサイトの化学式上の平均価数）＞６．０。Ｏ：酸素。Ａサイト元素とＢサイト元素と酸素のモル比は１：１：３が標準であるが、これらのモル比はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準モル比からずれてもよい。） （もっと読む）

【課題】圧電性能に優れた強誘電性酸化物を提供する。
【解決手段】特定構造の結晶対称性を有する下記一般式（ａ１）で表される組成を有する強誘電性酸化物においてＡサイト元素となり得るイオン半径及びイオン価数を有するＡサイト元素Ａと、Ｂサイト元素となりうるイオン半径及びイオン価数を有するＢサイト元素Ｂを選択して構成元素を決定し、特定構造の結晶対称性を有する強誘電性酸化物に対して、自発分極方向に電界を印加して自発分極方向へ変位させた時のＢｉ元素のＢｏｒｎ有効電荷が、同じ特定構造のＢｉＦｅＯ_３のＢｉ元素のＢｏｒｎ有効電荷より大きくなるように組成を決定し、この組成の強誘電性酸化物を製造する。
ＡＢＯ_３・・・（ａ１）
（式（ａ１）中、ＡはＢｉを主成分とする1種又は複数種のＡサイト元素、Ｂは１種又は複数種のＢサイト元素、Ｏは酸素。） （もっと読む）

【課題】不良解析の際に、メモリセルのレイアウトを制限したり、工程数を増加することなく、メモリセル数を数えやすくすること。
【解決手段】半導体基板２上にメモリセル３ａの繰り返しパターンが形成されたメモリセルアレイ領域３を有し、メモリセルアレイ領域３上に形成された所定層の電源配線４ａ、接地配線４ｂを、少なくともメモリセルアレイ領域３において、メモリセル３ａの配置と対応させて縦方向及び横方向に格子状にレイアウトしている。 （もっと読む）

【課題】バイポーラ分極−電界曲線が非対称ダブルヒステリシス性を示し、大きな変位が期待される、強誘電性材料又は反強誘電性材料からなる酸化物体を提供する。
【解決手段】酸化物体は、強誘電性材料又は反強誘電性材料からなり、最大印加電界Ｅｍａｘと最小印加電界Ｅｍｉｎの絶対値とを同一に設定して（Ｅｍａｘ＝｜Ｅｍｉｎ｜）測定されるバイポーラ分極−電界曲線が、少なくとも５個の変曲点を有し、かつ、最大分極値Ｐｍａｘと最小分極値Ｐｍｉｎの絶対値とが異なる（Ｐｍａｘ≠｜Ｐｍｉｎ｜）非対称ダブルヒステリシス性を有するものである。１種又は２種以上のペロブスカイト型酸化物からなり、不可避不純物を含んでいてもよい。 （もっと読む）

【課題】バイポーラ分極−電界曲線がダブルヒステリシス性を示し、大きな変位が期待される新規な強誘電体膜を提供する。
【解決手段】強誘電体膜は、最大印加電界Ｅｍａｘと最小印加電界Ｅｍｉｎの絶対値とを同一に設定して（Ｅｍａｘ＝｜Ｅｍｉｎ｜）測定されるバイポーラ分極−電界曲線が、少なくとも５個の変曲点を有し、かつ、最大分極値Ｐｍａｘと最小分極値Ｐｍｉｎの絶対値とが略等しい（Ｐｍａｘ≒｜Ｐｍｉｎ｜）ダブルヒステリシス性を有するものである。強誘電体膜は、１種又は２種以上のペロブスカイト型酸化物からなり、不可避不純物を含んでいてもよい。 （もっと読む）

【課題】鉛やアルカリ金属を使用せず、広い温度領域で安定した結晶構造を有し、高い絶縁性及び圧電性を備えている圧電材料およびそれを用いた圧電素子を提供する。
【解決手段】正方晶の結晶構造を有する、Ｂａ（Ｓｉ_ｘＧｅ_ｙＴｉ_ｚ）Ｏ_３（ただし０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦０．５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表される酸化物からなる圧電材料。上記の圧電材料が一対の電極によって挟持された圧電素子において、前記一対の電極の少なくとも一つがＳｒＲｕＯ_３またはＮｉである圧電素子。 （もっと読む）

【課題】圧電効果の大きな組成範囲の強誘電体膜を備えた素子を効率よく製造する。
【解決手段】第３中間電極７を備えた圧力勾配型プラズマガンを用いてＨｅガスと酸素ガスの混合プラズマを発生させ、この混合プラズマ中の酸素ラジカルにより成膜材料を酸化させる強誘電体膜を形成する。放電ガスとしてＨｅを用いることにより高濃度の酸素ラジカルを発生させることができるため、圧電効果の大きな組成範囲、例えばＰｂ（Ｚｒ_ｘＴｉ_１−ｘ）Ｏ_３（ｘ＞０．４）の膜を効率よく製造することができる。 （もっと読む）

【課題】各種干渉を排除し、寸法を縮小するため積層した複数メモリ層を有し、複数データ値を記憶するよう適合された非磁気メモリセルを用いた記憶装置を提供する。
【解決手段】記憶装置１００は制御器１０２と制御器１０２を介してアクセス可能な複数個の抵抗性基本メモリセル１０６とを含む。複数個の抵抗性基本メモリセル１０６の各抵抗性基本メモリセルは、複数個のデータ値を記憶するヒステリシス特性を有するように選択された複数個のメモリ層１３０，１３２、１３４、１３６を含み、第１外部電極１２２と第２外部電極１２４との間に挟まれる。第１外部電極１２２は第１スイッチ１０８に結合され、第２外部電極１２４は第２スイッチ１１０に結合される。 （もっと読む）