【課題】基板上に｛１００｝配向性のABO₃型ペロブスカイト型酸化物からなる誘電層を有し、インクジェットヘッド用の圧電体等に好適に用いることのできる誘電体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板５上に、（１１１）配向性の金属自然配向膜３６と、金属自然配向膜３６上に該金属自然配向膜３６に接して設けられた、｛１００｝配向性のＬａがＡサイトに入ったABO₃型ペロブスカイト型酸化物からなる第１の下部電極３１と、第１の下部電極３１上に該第１の下部電極３１に接して設けられた、｛１００｝配向性の（Ｓｒ_x，Ｃａ_y，Ｂａ_z）ＲｕＯ₃（但しｘ＋ｙ＋ｚ＝１）系ABO₃型ペロブスカイト型酸化物からなる第２の下部電極３２と、第２の下部電極３２上に該第２の下部電極３２に接して設けられた、｛１００｝配向性のABO₃型ペロブスカイト型酸化物からなる誘電層７と、該誘電層上に設けられた上部電極８とを設けて誘電体を構成する。 （もっと読む）

【課題】 環境負荷を低減し、圧電特性に優れた圧電セラミックス及び圧電素子を提供する。
【解決手段】 チタン酸亜鉛酸ビスマスナトリウムバリウムを含む複合酸化物からなり、チタン及び亜鉛の総量に対する亜鉛の割合が、０．３５ｍｏｌ％以上１．２５ｍｏｌ％である。 （もっと読む）

【課題】配向性の良好な配向性酸化物セラミックスの製造方法を提供する。
【解決手段】酸化物結晶Ｂを含むスラリーを得る工程と、前記酸化物結晶Ｂに磁場を印加するとともに前記酸化物結晶Ｂの成形体を得る工程と、前記成形体を酸化処理して、前記酸化物結晶Ｂの一部もしくは全体とは異なる結晶系を有する酸化物結晶Ｃからなる配向性酸化物セラミックスを得る工程を有する配向性酸化物セラミックスの製造方法。（１）原料を反応、（２）酸化物結晶Ａを還元、または（３）酸化物結晶Ａを高温に保持、急冷することで得られた酸化物結晶Ｂを含むスラリーを用いることができる。 （もっと読む）

【課題】フッ化ビニリデンオリゴマー膜の分極処理を大量生産に適した方法を提供する。
【解決手段】フッ化ビニリデンオリゴマー膜２２に、正負一方の側で大きさが繰り返し変化する所定電圧を印加してコロナポーリングを行う分極処理方法において、所定電圧は、直流電圧と交流電圧を重畳させた重畳電圧とする。また、フッ化ビニリデンオリゴマー膜２２を上部電極２１と下部電極２３で挟みこんだ積層体４Ａ，４Ｂを作製し、この状態で所定電圧の印加によるコロナポーリングを実行する。 （もっと読む）

【課題】圧電体を挟む２つの電極および圧電体層の結晶性の関係が良好な圧電素子を提供する。
【解決手段】圧電素子は、第１電極２０と、第２電極４０と、第１電極２０および第２電極４０の間に挟持された圧電体層３０と、を含む圧電素子であって、第１電極２０および圧電体層３０は、ペロブスカイト型の結晶構造を有する酸化物を主成分とし、第２電極４０は、面心立方の結晶構造を有する金属を主成分とし、第１電極２０、圧電体層３０および第２電極４０は、それぞれ優先配向構造を有し、第１電極２０、圧電体層３０および第２電極４０の、優先配向軸におけるＸ線回折強度測定のピークの半値幅を、それぞれｆ１、ｆ２およびｆ３（°）としたとき、式（１）：ｆ１＞ｆ２＞ｆ３
の関係を満たす。 （もっと読む）

【課題】メモリの単位メガバイト当たり製造コストを、単にモノリシック回路集積法で慣用的に製造される回路の数分の一に低減させる。
【解決手段】各層が別々に最適化されるように、別々の層（１０３）上へのメモリ回路（１０３）および制御論理回路（１０１）の物理的分離が可能な三次元（３ＤＳ）メモリ（１００）。幾つかのメモリ回路（１０３）について１つの制御論理回路（１０１）で十分であり、コストを低減できる。３ＤＳメモリ（１００）の製造は、メモリ回路（１０３）を５０μｍ以下の厚さに薄肉化する工程と、該メモリ回路を、ウェーハ基板形態のまま回路積層体に接合する工程とを有する。微粒子の高密度層間垂直バス相互接続部（１０５）が使用されている。３ＤＳメモリ（１００）製造方法は、幾つかの性能および物理的サイズ効率を可能にしかつ確立された半導体加工技術により実施される。 （もっと読む）

【課題】基板と白金層と強誘電体層とを有する層構造体において、白金層と基板の間の接着性を改善する層構造体を提供する。
【解決手段】基板Ｓと、白金層ＰＳと、白金層ＰＳ上に形成された強誘電体層ＦＳとを有しており、基板Ｓの表面ＯＳは二酸化ケイ素を含み、基板Ｓと白金層ＰＳとの間にアモルファス酸化アルミニウムから成る中間層ＺＳが設けられる。この中間層ＺＳにより強誘電体層ＦＳのモルフォロジーが改善され、層構造体の均一性が保証される。 （もっと読む）

【課題】硝酸塩や溶媒としてのＰＲＴＲ対象物質を使用せず且つ廃液も生じさせずに製造できる鉛を含有しない圧電セラミックス膜形成用組成物、圧電素子及び液体噴射ヘッド並びに液体噴射装置を提供する。
【解決手段】Ｂｉ^３＋、Ｆｅ^３＋及びＭｎ^３＋を含み、溶媒としてアセチルアセトン及び２−エチルヘキサン酸を含む圧電セラミックス膜形成用組成物とする。 （もっと読む）

【課題】 保存安定性を長期に亘って良好に保持することができるセラミックス薄膜形成
用組成物の保存方法、セラミック薄膜の製造方法、圧電素子の製造方法、液体噴射ヘッド
の製造方法を提供する。
【解決手段】 セラミックス薄膜を構成する有機金属化合物と、水と、を少なくとも混合
してセラミックス薄膜形成用組成物とし、該セラミックス薄膜形成用組成物を冷結晶化さ
せた後、冷結晶化のピーク領域の上限温度より高く融解開始温度より低い温度で保存する
。 （もっと読む）

【課題】 変位量の低下を抑制した強誘電体薄膜を形成することができる強誘電体薄膜形
成用組成物、液体噴射ヘッドの製造方法、及びアクチュエーター装置の製造方法を提供す
る。
【解決手段】 ＡＢＯ_３の化学式を有するペロブスカイト構造の強誘電体薄膜をゾル−ゲ
ル法により形成するための強誘電体薄膜形成用組成物であって、強誘電体薄膜を構成する
有機金属化合物と、水とを少なくとも含むゾルからなり、前記ゾルは、Ｂサイトを構成し
得る金属の総量をＸｍｏｌ／ｋｇとし、未反応水分量をＹｍｏｌ／ｋｇとしたとき、２Ｘ
＜Ｙ＜５Ｘを満たすようにする。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成されたアモルファス膜の結晶化を、基板表面に対して垂直方向（即ち下から上方向）ではなく略平行方向（即ち横方向）に進行させる結晶化膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様は、基板上にアモルファス膜１を形成し、前記アモルファス膜１にレーザ光を照射してレーザ光照射領域１ａを結晶化し、前記アモルファス膜１に熱処理を施すことにより、前記レーザ光照射領域以外のアモルファス膜１を結晶化することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低コストで安定した品質の薄膜を製造することができる薄膜製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜製造方法であって、基板２０上に形成させる薄膜の原料溶液中に、基板２０を配置する配置工程と、基板２０の第１主面２０ａに光を照射することにより、第１主面２０ａ上に薄膜を形成する形成工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された強誘電体薄膜の薄膜全体において残留分極量を向上させた強誘電体薄膜を提供する。
【解決手段】基板上に形成されたペロブスカイト型金属酸化物を含有する強誘電体薄膜であって、前記強誘電体薄膜はスピネル型金属酸化物からなる複数の柱状構造体から形成される柱状構造体群を含有し、前記柱状構造体群が前記基板表面に対して垂直方向に立位している、または前記垂直方向を中心として−１０°以上＋１０°以下の範囲で傾斜している強誘電体薄膜。 （もっと読む）

【課題】鉛を含有せず、歪み量が大きい圧電素子を有する液体噴射ヘッド、液体噴射装置及び圧電素子並びに圧電材料を提供する。
【解決手段】ノズル開口２１に連通する圧力発生室１２と、第１電極６０と、第１電極６０上に形成された圧電体層７０と、圧電体層７０上に形成された第２電極８０と、を備えた圧電素子３００と、を具備し、圧電体層７０は、Ｂｉ、Ｌａ、Ｆｅ及びＭｎを含むペロブスカイト型複合酸化物からなり、電界誘起相転移を示す液体噴射ヘッドとする。 （もっと読む）

塩素、臭素又はヨウ素と反応しやすい誘電体材料にフッ素を含むパッシベーション層を堆積する方法が本明細書に開示される。パッシベーション層は、反応しやすい誘電体層を保護することができ、それにより、パッシベーション層に塩素、臭素又はヨウ素を含む前駆体を用いて堆積が可能となる。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法で、良好な強誘電体膜を所定の厚さで形成する。
【解決手段】誘電体膜を有する基板を製造する製造装置であって、複合酸化物を含む原材料体が塗布された基板を、大気圧以上の圧力に加圧した、体積比２０％以上の酸素を含む雰囲気中で熱処理して結晶化させる熱処理装置を備える製造装置および製造方法を提供する。当該製造装置は、光制御デバイスとして用いられる強誘電体膜を有する基板を製造してもよい。熱処理装置は、原材料が塗布された基板を雰囲気中に保持するチャンバと、熱処理中における予め定められた期間の間、チャンバ内の雰囲気の圧力を予め定められた圧力に調整する圧力調整部と、を有してもよい。 （もっと読む）

【課題】圧電特性及び駆動耐久性の良好な鉛含有ペロブスカイト型酸化物からなる圧電体膜を簡易な方法により成膜する。
【解決手段】本発明の鉛含有ペロブスカイト型酸化物からなる圧電体膜の成膜方法は、スパッタリング法による成膜において、成膜途中で、前記基板の電位を第1の基板電位Ｖｓｕｂ１から、前記圧電体膜の鉛組成を所望の組成とするように第２の基板電位Ｖｓｕｂ２に変更する。 （もっと読む）

【課題】 プラズマＣＶＤ法により良質な結晶性珪素膜を高い成膜レートで成膜する方法を提供する。
【解決手段】 複数の孔を有する平面アンテナにより処理容器内にマイクロ波を導入してプラズマを生成するプラズマＣＶＤ装置を用い、式Ｓｉ_ｎＨ_２ｎ＋２（ここで、ｎは２以上の数を意味する）で表される珪素化合物を含む成膜ガスを前記マイクロ波により励起してプラズマを生成させ、該プラズマを用いてプラズマＣＶＤを行うことにより被処理体の表面に結晶性珪素膜を堆積させる。 （もっと読む）

【課題】効率的にぺロブスカイト構造酸化物薄膜の結晶方位制御ができ、容易に高品位の正方晶系ぺロブスカイト構造酸化物薄膜を提供し得る方法を提供する。
【解決手段】蛍石型の結晶構造を有する金属フッ化物を主成分とする基板の（１１１）面上または（１００）面上に、正方晶系の結晶構造を有し、かつ（００１）、（１０１）または（１１１）の単一結晶配向を有するぺロブスカイト構造酸化物薄膜を作製する（ただし、（１００）面上に、（００１）の単一結晶配向を有する場合を除く）。蛍石型の結晶構造を有する金属フッ化物を主成分とする基板は、金属サイトまたはＦサイトの一部を他の元素で置換して格子定数を制御されていてもよい。 （もっと読む）

【課題】圧電性能に優れたペロブスカイト型酸化物を提供する。
【解決手段】
本発明のペロブスカイト型酸化物は、下記の第１成分、第２成分、及び第３成分を含むことを特徴とするものである。
第１成分：ＢｉＦｅＯ_３、第２成分：Ａサイトの平均イオン価数が２価であり、かつ結晶系が正方晶系である少なくとも１種のペロブスカイト型酸化物、第３成分：結晶系が、単斜晶系、三斜晶系、及び斜方晶系のうちいずれかである少なくとも１種のペロブスカイト型酸化物（ここで、各成分のペロブスカイト型酸化物においては、Ａサイト元素とＢサイト元素と酸素のモル比は１：１：３が標準であるが、これらのモル比はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準モル比からずれてもよい。）。 （もっと読む）