【目的】Ｓｉ−半導体素子とＳｉＣ−半導体素子を有する半導体装置において、それぞれの半導体素子を動作可能温度で動作させることができて、冷媒の圧力損失を小さくできるフィン付ベースを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】Ｓｉ−ＩＧＢＴチップ４同士をまとめ、ＳｉＣ−Ｄｉチップ５同士をまとめることで、ＳｉＣ−Ｄｉチップ５下のフィン１ａ間隔を広くすることができる。その結果、Ｓｉ−ＩＧＢＴチップ４は１７５℃まで動作させ、ＳｉＣ−Ｄｉチップ５は２５０℃まで動作させることができる。また、Ｓｉ−ＩＧＢＴチップ４とＳｉＣ−Ｄｉチップ５に接続する配線バー５６，５７，５９を介しての相互の熱干渉６５，６６，６７を小さくするができる。その結果、全体のフィン１ａ間隔を広くすることができて圧力損失を小さくできる。 （もっと読む）

【課題】 突起高さを高くしやすく、半田欠陥の発生を安定して防止でき、且つ、冷却フィンとの接触性も良好に確保できる、半導体基板用放熱板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板搭載面１ａに半導体基板３との間隔を確保するための突起群を備え、該突起群は一対の突起１０，１０の集合体であり、該一対の突起１０，１０は、前記半導体基板搭載面１ａにプレス加工で形成される窪み１１の両側に分離してメタルフローにより形成される。 （もっと読む）

【課題】パワートランジスタと基板の鉛フリーはんだ接合において、マイグレーションや腐食などの耐食性の問題や加圧・加熱不足による接合性の問題、さらに使用中での繰り返し応力での接合信頼性を改善した半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体素子において、基板１５の一主面に凹凸形状の表面処理部が設けられ、表面処理部上にはんだ接合層１７が形成され、このはんだ接合層を介して半導体実装部品の実装基板が接合されている。 （もっと読む）

【課題】 半田付け時の半田の温度を制御して好適に半田付けを行うことができる半田付け用治具および半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 半田７０の半田付けに際して，半田付け用治具１００を用いる。半田付け用治具１００は，下側基材１１０と上側基材１２０とを有している。下側基材１１０には，温度制御部材１１１と蓋部材１１２とを備えている。温度制御部材１１１は，半田付けに用いられる半田の融点より低い融点の材質のものである。半田付けの際には，下側基材１１０の側と上側基材１２０の側とから加熱される。その加熱により温度制御部材１１１の温度が融点に達すると，温度制御部材１１１は溶融する。温度制御部材１１１が溶融するため，素子下電極３０の温度は温度制御部材１１１の融点に保たれる。これにより，半田７０は溶融して半田付けに供されるが，既に半田付けされた半田５０は溶融しない。 （もっと読む）

【課題】多様な高品質の半導体装置を効率的に製造する。
【解決手段】半導体装置１は、放熱部材１０と、放熱部材１０上に形成され、回路パターン２１と、樹脂を含む絶縁層２２とを含む配線層２０と、配線層２０上に実装され、電子素子とそれを封止する封止樹脂とを含む半導体素子３０，４０とを有している。半導体素子３０，４０実装後の封止工程が不要であり、また、形成する回路パターン２１と、用いる半導体素子３０，４０の変更により、様々な機能の半導体装置１を効率的に取得することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】冷却液通路内の圧力上昇を防止しうる液冷式放熱装置を提供する。
【解決手段】 液冷式放熱装置１は冷却液通路５を有する放熱ベース２を備えている。放熱ベース２を形成する両金属板3,4を外方に膨出させて冷却液通路５の通路形成部11を形成する。通路形成部11に、部分的に途切れた途切れ部分14を設け、通路形成部11の途切れ部分14に臨む２つの端部を上金属板３を膨出させることにより形成する。下金属板４に通路形成部11の途切れ部分14に臨む２つの端部を外部に通じさせる２つの貫通穴25を形成する。下金属板４の外面に、一方の貫通穴25に通じる吐出口6aおよび他方の貫通穴25に通じる吸込口6bを有し、かつ冷却液通路５内で冷却液を循環させるポンプ６を取り付ける。ポンプ６と上金属板３との間が冷却液通路５内を外部に通じさせる連通部となる。連通部にシート状水素透過許容部材70を配置する。 （もっと読む）

【課題】高い放熱効率および耐久性を兼ね備え、搭載する半導体チップを大電力で動作させることのできる半導体モジュールを得る。
【解決手段】セラミックス基板２の一面に厚さＴ_１の金属回路板３が、他面に厚さＴ_２の金属放熱板４が、それぞれろう材５を介して接合されている。金属回路板３と金属放熱板４はどちらも銅または銅合金の１種であるが、その材質は異なり、金属回路板３の表面の見かけの熱膨張係数が（３〜９）×１０^−６／Ｋ、金属放熱板４の表面の見かけの熱膨張係数が（９〜１７）×１０^−６／Ｋの範囲である。 （もっと読む）

【課題】バネやグリスを用いなくても伝熱性が高く、シールが容易で、周囲の熱を冷媒に吸収しやすくする。
【解決手段】半導体実装体１１および金属製スペーサ１２を金属製冷却板１３、１４にて両側から挟持して半導体冷却構造体１を構成し、スペーサ１２および冷却板１３、１４に冷媒流路１９を形成し、さらに、半導体冷却構造体１を複数個積層して、隣接する半導体冷却構造体１における冷却板１３、１４の間に、冷媒流路１９と連通する冷媒流通空間１８を形成する。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜と冷却フィンとの間の良好な接合を得つつ、冷却フィンによる放熱性能を十分に発揮させることができる構造の半導体モジュールおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ヒートスプレッダ１３、１４と冷却フィン１８、１９とを別体で構成し、ヒートスプレッダ１３、１４表面に形成した絶縁膜１３ｂ、１４ｂを介して、ヒートスプレッダ１３、１４と冷却フィン１８、１９とを接合する構成において、冷却フィン１８、１９を、フィン部１８ａ、１９ａと平板部１８ｂ、１９ｂとが重ねられて、フィン部１８ａ、１９ａのフィン山と平板部１８ｂ、１９ｂとがろう付けにより接合されて、フィン部１８ａ、１９ａのフィン山と平板部１８ｂ、１９ｂとの接合部にフィレット５１が形成された構成とし、冷却フィン１８、１９の平板部１８ｂ、１９ｂと絶縁膜１３ｂ、１４ｂとを半田付けにより接合する。 （もっと読む）

【課題】製造及び放熱部材への取り付けが容易であり、放熱性に優れ、かつ高剛性の金属−セラミックス複合板材を提供する。
【解決手段】セラミックス粒子と結合材のシリカとからなる多孔体の気孔に、金属を浸透させてなり、放熱部材にネジ止めされる金属−セラミックス複合板材であって、前記金属−セラミックス複合板材は、４箇所以上のネジ止め用穴と、少なくとも前記ネジ止め用穴の周囲の放熱部材側の面に設けられた段付の凹部を有し、前記段付の凹部によって形成された鍔状部のネジ締結時の変形が１５μｍ以下であることを特徴とする金属ーセラミックス複合板材。 （もっと読む）

【課題】樹脂モールドの前の段階で絶縁不良の検査である絶縁検査工程を行うことができるようにする。
【解決手段】冷却プレート１８の表面に溶射絶縁膜１６と溶射アルミ膜１７とを成膜したのち、溶射アルミ膜１７と冷却プレート１８を電極として、これらの間に電流が流れるかを検査する。これにより、溶射アルミ膜１７と冷却プレート１８との間の絶縁が行えているか否かを検査できるため、樹脂モールド部１９によるモールド化を行う前に、絶縁検査工程を行うことが可能となる。したがって、樹脂モールドの前の段階で絶縁不良の検査である絶縁検査工程を行うことができる半導体モジュールの製造方法とすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ヒートパイプの受熱部および放熱部の熱抵抗を低く抑えることができるヒートシンクを提供する。
【解決手段】受熱体２と、前記受熱体２に形成され、円形状の断面形状を有する一つまたは複数個の第１孔11と、前記第１孔11に嵌合される１本または複数本のヒートパイプ４とを備えることで、ヒートパイプ４の外面の円周方向のほぼ全面で熱接続を行うとともに、潰し加工することによるヒートパイプ４の内容積の減少を防ぐことができ、小さな熱抵抗で受熱ブロック２からヒートパイプ４に熱を伝えることができる構成とした。 （もっと読む）

【課題】モジュール積層体を構成する各部材を精度良く位置決めできると共に、モジュール積層体の積層方向の寸法精度を高めることができる電力変換装置を提供すること。
【解決手段】電力変換装置１は、半導体モジュール２を複数個積層して構成してなる。半導体モジュール２は、半導体素子２１と放熱板２２と封止部２３と壁部２４と貫通冷媒流路とを有する。半導体モジュール２及び蓋部３は、放熱面２２１の法線方向に積層されて１つのモジュール積層体１０を構成している。壁部２４の内側には、沿面冷媒流路４２が形成されている。半導体モジュール２及び蓋部３は、互いの積層方向Ｘの位置決めをすると共に、モジュール積層体１０の積層方向Ｘの寸法Ｌを決めるガイド部材６に保持されている。半導体モジュール２の壁部２４同士の間及び蓋部３と半導体モジュール２の壁部２４との間には、弾性シール部材２９が配設されている。 （もっと読む）

【課題】加熱もしくは冷却時の温度変化に伴う反りを解消し、接合の信頼性を高めることができるパワーモジュール用基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板２の両面に異なる厚さの金属層６，７が積層されたパワーモジュール用基板３であって、両金属層６，７を構成する結晶粒の平均粒径が、厚みの厚い金属層７よりも厚みの薄い金属層６の方が小さく形成されていることから、ろう付け等の加熱処理あるいはその後の温度環境に伴う反りの発生を防止して、接合の信頼性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】ユニット表面が傷ついたとしても、中身の半導体チップ等についてはリユースすることができる構造の半導体モジュールを提供する。
【解決手段】半導体チップ１１等の構成部品を熱硬化性樹脂モールド部２１にて覆うことで耐熱性を確保しつつ、熱硬化性樹脂モールド部２１の外縁部を熱可塑性樹脂モールド部２２にて覆う。また、熱可塑性樹脂モールド部２２によって水路３０の一部を構成し、半導体チップ１１等の構成部品を熱硬化性樹脂モールド部２１および熱可塑性樹脂モールド部２２にて覆ったユニット１０を積層することで、冷却機構を構成する水路３０が内蔵された構造を構成する。このような構成とすることで、熱可塑性樹脂モールド部２２のみに傷がついたような場合には、熱可塑性樹脂モールド部２２を加熱して軟化させて除去し、熱可塑性樹脂モールド部２２以外の部分を用いてリビルト品を製造すれば、リユースすることができる。 （もっと読む）

【課題】セラミック層と、前記セラミック層の片側に配置された第１金属層と、前記第１金属層のセラミック層配置側とは反対側に配置されるとともにＮｉを必須元素として含む第２金属層とが積層状に接合一体化された放熱用絶縁基板であって、絶縁基板のそり、割れ、剥離などの不良の発生を防止すること。
【解決手段】絶縁基板１Ａの第１金属層３と第２金属層５との間に超弾性合金層４が介在されている。 （もっと読む）

【課題】省スペースで且つ電子基板への実装性に優れたヒートシンクを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係るヒートシンクは小型のため、実装された電子部品間の小さなスペースにも比較的容易に設置することができる。また、本発明に係るヒートシンクは、他の電子部品と同等の手順で電子基板への実装が可能なため電子基板に実装する際の生産性が高い。特に、ヒートシンク８０〜８６は実装機による自動実装が可能であり、電子基板に実装する際の生産性が極めて高い。特に、ヒートシンク８４、８６は実装時には非接触領域Ａが形成されておらず平坦な形状を有している。優れた実装性と高い放熱能力とを両立することができる。 （もっと読む）

【課題】封止部を介した伝熱をも利用して半導体素子の冷却性能を向上させることができる電力変換装置を提供すること。
【解決手段】半導体モジュール２を複数個積層して構成してなる電力変換装置１。半導体モジュール２は、半導体素子２１と放熱板２２と封止部２３と壁部２４と貫通冷媒流路４１とを有する。複数の半導体モジュール２は放熱面２２１の法線方向に積層されている。積層方向の両端に配される半導体モジュール２には蓋部３が配設されている。隣り合う半導体モジュール２の間及び蓋部３と半導体モジュール２との間であって壁部２４の内側には、沿面冷媒流路４２が形成されている。封止部２３は、貫通冷媒流路４１に面する側面に凹凸部２６を設けてなる。 （もっと読む）

【課題】半導体モジュールの冷却効率が高い冷却器を提供する。
【解決手段】冷却器１は、冷却ケース３と、冷却フィン５と、凹部６とを備える。冷却ケース３は、冷媒１０が流れる流路３０を内部に有し、半導体モジュール２を載置する載置面３１を外面に備える。冷却ケース３を構成し、流路３０を挟んで相対向する一対の壁部４ａ，４ｂのうち、一方の壁部４ａからケース内側に突出するように、冷却フィン５が形成されている。凹部６は、他方の壁部４ｂのケース内面４０に形成されている。冷却ケース３は、一方の壁部４ａが、他の部分とは別部材として構成されている。そして、冷却フィン５の先端部５０が凹部６内に位置している。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の温度勾配を低減するとともに、半導体装置における放熱性能を向上すること。
【解決手段】電気回路に実装されるＩＧＢＴ（半導体素子）１１と、電気回路１００に形成されＩＧＢＴ１１との間で電気的に接続される回路パターン２１と、ＩＧＢＴ１１と回路パターン２１との間に介在して両者を電気的に接続する接続層３０と、を備える。接続層３０は、ＩＧＢＴ１１と回路パターン２１とを機械的に接合するはんだ層３２と、駆動時に温度が最大になるＩＧＢＴ１１の一部に臨んで設けられはんだ層３２と比較して電気抵抗が高いダイオード３１と、を有する。 （もっと読む）