【課題】信頼性を向上させることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子２，３と、はんだ層９ａ〜９ｄを介して、前記半導体素子２，３と接合されたヒートスプレッダ５，１５と、前記半導体素子２，３と、前記ヒートスプレッダ５，１５と、の間の寸法を規定する規定部と、前記ヒートスプレッダ５，１５の前記半導体素子２，３が接合される領域の外側に設けられ、内部に溶融したはんだを収納する収納部１０と、内部に保持した溶融したはんだを前記収納部１０との間において流通させる保持部１１と、を備えている。そして、前記保持部１１は、前記溶融したはんだを冷却する際に、前記収納部１０に収納された前記溶融したはんだの量が不足する場合には前記溶融したはんだを補充し、前記溶融したはんだの量が過剰である場合には前記溶融したはんだを回収する。 （もっと読む）

【課題】凹部を含む突起を有する構造において、凹部のエアー抜けを改善し、凹部にボイドを巻き込まない構造を備えた樹脂封止型半導体装置を提供することを第１の目的とする。また、凹部内にボイドを巻き込まない構造を備えた樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供することを第２の目的とする。
【解決手段】ヒートシンク１０は、当該ヒートシンク１０の一面１１のうち半導体素子３０が実装される実装領域１６において、一面１１の面方向のうちの一方向に沿って形成された線状の凹部１４と、凹部１４の両側にそれぞれ位置する突起部１５と、により構成された線状突起１３を有している。これにより、接合層２０は凹部１４の延設方向である一方向に沿って濡れやすくなるので、凹部１４に位置するエアーが抜けやすく、凹部１４にボイドを巻き込まない構造とすることができる。 （もっと読む）

【課題】小電流用配線が自身よりも大電流が流れる部位と導通することを抑制できる半導体装置を提供する。
【解決手段】大電流が流れるエミッタ用パッド１２ａ及びコレクタ用パッド１２ｂと、小電流が流れる小電流用配線（１３１，１３３，１３４）とを含む半導体チップ１０と、コレクタ用パッド１２ｂに電気的に接続された金属からなるコレクタ用端子３０と、エミッタ用パッド１２ａに電気的に接続された金属からなる第２部材（ブロック体５０及びエミッタ用端子２０）とを備え、半導体チップ１０、ブロック体５０、エミッタ用端子２０、コレクタ用端子３０が一体的にモールド樹脂６０にてモールドされた半導体装置１００である。この第２部材（ブロック体５０及びエミッタ用端子２０）は、一部がモールド樹脂６０の外部に露出し、小電流用配線（１３１，１３３，１３４）を覆っている絶縁性保護膜８０に対向する位置にスリット部５１が設けられている。 （もっと読む）

【課題】外観上で製品寿命を予測することにより、製品寿命による交換を適正に実施することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１０は、半導体チップ１と、半導体チップ１が取り付けられた回路基板２と、回路基板２の半導体チップ１が取り付けられた面と対向する面に取り付けられたベース板３とを備えている。ベース板３は、回路基板２が取り付けられる側の一方面３ａおよび一方面３ａに対向する他方面３ｂを有する第１の部材３１と、第１の部材３１と異なる熱膨張係数を有する第２の部材３２とを含んでいる。第２の部材３２は、第１の部材３１の表面に表れないように第１の部材３１に周囲を覆われている。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの一面に金属ブロック体をはんだ接合する構成を備えるものにあって、半導体チップのはんだ接合部分に作用する応力を小さくすることができながら、そのための構成を簡単に済ませる。
【解決手段】半導体チップ１２の上面に、金属ブロック体１３をはんだ１７により接合すると共に、それらの上下両面側に夫々金属放熱板１４、１５をはんだ１７により接合し、それらをモールド樹脂層１６でモールドする。金属ブロック体１３を、薄型の四角錘台状に構成し、その側壁部の半導体チップ１２の表面から立上る部分の角度θを、鋭角形状例えば４５°以上、９０°未満の範囲にする。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の作動の信頼性を向上させる半導体素子の冷却構造、を提供する。
【解決手段】半導体素子の冷却構造は、絶縁基板６０と、互いに間隔を隔てて配置される複数の半導体素子５６ｐ，５６ｑと、伝熱板７０と、ヒートシンク８０とを備える。絶縁基板６０は、表面６０ａと、表面６０ａの裏側に配置される裏面６０ｂとを有する。複数の半導体素子５６ｐ，５６ｑは、表面６０ａ上に搭載される。伝熱板７０は、裏面６０ｂ上に設けられる。ヒートシンク８０は、伝熱板７０に対して絶縁基板６０の反対側に設けられ、伝熱板７０を介して伝えられた半導体素子５６ｐ，５６ｑの熱を放熱する。絶縁基板６０には、互いに隣り合って配置された半導体素子５６ｐ，５６ｑ間で延びる溝６３が形成される。伝熱板７０は、裏面６０ｂと対向しながら複数の半導体素子５６間で連続するように設けられる。 （もっと読む）

【課題】熱干渉が緩和された回路装置を提供する。
【解決手段】本発明の混成集積回路装置１０Ａは、回路基板１２と、回路基板１２の上面に配置された制御素子２３およびチップ素子２４と、回路基板１２を部分的に開口させた開口部１８と、開口部１８を下面から塞ぐ実装基板２８と、実装基板２８の上面に実装されたパワー素子２２と、実装基板２８と回路基板１２とを離間させるスペーサ２６とを備えている。スペーサ２６で実装基板２８と回路基板１２とが離間されることにより、実装基板２８に実装されたパワー素子２２が動作状況下にて発熱しても、この熱が回路基板１２上に実装された制御素子２３に与える熱的な影響が小さくなる。 （もっと読む）

【課題】
耐クラック性及び耐剥離性に優れたアルミニウム合金−セラミックス複合体を効率的に生産することができるアルミニウム合金−セラミックス複合体の製造方法を提供する。
【解決手段】
本発明によれば、平板状のセラミックス多孔体にアルミニウム合金を含浸することにより、両主面にアルミニウム合金層を有する平板状のアルミニウム合金−セラミックス複合体母板を形成する工程と、前記複合体母板の少なくとも一主面に直線状欠陥又は断続的欠陥を導入し、その後、割断することにより、側面において前記セラミックス多孔体及び前記アルミニウム合金層が露出したアルミニウム合金−セラミックス複合体を形成する工程を備え、前記セラミックス多孔体は、炭化珪素と黒鉛の少なくとも一方を含有し、セラミックス充填量が５０質量％以上であり、且つ厚さが０．３５ｍｍ〜３．８ｍｍであり、前記アルミニウム合金は、アルミニウムの含有量が７０質量％以上であり、前記複合体母板は、厚さが０．５ｍｍ〜４．０ｍｍであり、前記アルミニウム合金層は、厚さが０．０１ｍｍ〜０．３ｍｍである、アルミニウム合金−セラミックス複合体の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】放熱性が向上された回路装置を提供する。
【解決手段】本発明の混成集積回路装置１０Ａは、回路基板１２と、回路基板１２の上面に配置された制御素子２３およびチップ素子２４と、回路基板１２を部分的に開口させた開口部１８と、開口部１８を下面から塞ぐ実装基板２８と、実装基板２８の上面に実装されたパワー素子２２とを備えている。回路基板１２よりも熱伝導性に優れる材料からなる実装基板２８にパワー素子２２を実装することにより、パワー素子２２から発生した熱を実装基板２８を経由して良好に外部に放出することができる。 （もっと読む）

【課題】冷熱サイクル時の絶縁板のクラックの発生や、絶縁板と第２金属板との接合界面での剥離の発生を抑制しうる絶縁回路基板を提供する。
【解決手段】絶縁回路基板４は、絶縁板５と、絶縁板５の片面にろう付されかつ絶縁板５とは反対側の面が、発熱体となるパワーデバイス３を搭載する電子素子搭載部11を有する配線面９となされている回路板６と、絶縁板５の他面にろう付された応力緩和板７とよりなる。回路板６の電子素子搭載部11に取り付けられるパワーデバイス３から発せられる熱は、回路板６および絶縁板５を経て応力緩和板７に伝わる。応力緩和板７の輪郭を形成しかつ応力緩和板(7)の厚み方向に幅を持つ輪郭面10に、応力緩和板７の輪郭面10の沿ってのびかつ絶縁板５の熱応力を低減する熱応力緩和用凹部となる凹溝12を設ける。 （もっと読む）

【課題】半導体素子と金属部材のはんだ接合部に生じる熱応力を低減することのできる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１０は、はんだ１７を介して接続された半導体素子１１，１２と少なくとも金属を含む金属部材１６を有する。半導体素子１１の一面には、はんだ１７を取り囲むように所定厚さを有するはんだ形状制御部材２１が設けられている。そして、はんだ形状制御部材２１の内周面と、半導体素子１１，１２の一面とのはんだ１７側でなす角度が９０度未満となっている。 （もっと読む）

【課題】電力用半導体モジュールを樹脂封止する過程、ヒートシンクにハンダ接合する過程などで電力用半導体素子に大きな熱応力が生じると電力用半導体素子が割れてしまい、電気特性が異常となり、出荷不適合となるという問題があることから、電力用半導体素子の熱応力の低減が必要である。
【解決手段】導電性と放熱性を有するヒートスプレッダ、このヒートスプレッダに固着された電力用半導体素子、及びこの電力用半導体素子にヒートスプレッダを介し接続された電極端子を有する電力用パワーモジュールであって、電力用半導体素子の側面領域を、保護樹脂で覆い、電力用パワーモジュールを冷却するヒートシンクを、固着層で一体化したものである。 （もっと読む）

【課題】セラミックス基板とアルミニウム又はアルミニウム合金からなるアルミニウム層との界面強度が高く信頼性に優れたパワーモジュール用基板を効率よく生産することができるパワーモジュール用基板の製造方法、及び、パワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１１の一方の面のうち少なくともアルミニウム層１２が形成される領域に、Ｃｕを固着し、Ｃｕを含有する固着層２４を形成する固着工程と、固着層２４が形成されたセラミックス基板１１を鋳型５０内に配置し、この鋳型５０内に溶融アルミニウムＭを充填し、セラミックス基板１１と溶融アルミニウムＭとを接触させる溶融アルミニウム充填工程と、セラミックス基板１１と接触した状態で溶融アルミニウムＭを凝固させる凝固工程と、を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】良熱伝導層を設けることによる不具合を解消することができるとともに、温度差ΔＴｊｓを小さく設定することにより、半導体素子の温度検出の高精度化を図ることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】放熱板１０９の上面では、たとえば温度センサ１０４の直下領域から温度センサ１０４側の端部に向けて金属層１０７と接合されていなく、金属層１０７との間に空間１１０が形成されている。空間１１０の上の基板部分（金属配線層１０２、絶縁基板１０１、および、金属層１０７）は、浮上して片持ち梁部分として存在している。片持ち梁部分から放熱板１０９へ向かって熱が拡散することを防止することができるから、定常状態では片持ち梁部分の温度を略均一とすることができる。たとえば温度センサ１０６のＢ点での温度Ｔｂは、片持ち梁部分の根元部のＣ点での温度Ｔｃとは略等しくなる。 （もっと読む）

【課題】反りの発生を抑制することができ、かつ、ヒートシンクとパワーモジュールとの接合信頼性に優れたヒートシンク付パワーモジュール用基板、基板製造方法、及び、このヒートシンク付パワーモジュール用基板を用いたパワーモジュールを提供する。
【解決手段】セラミックス基板１１と、前記セラミックス基板１１の表面に一面が接合されたアルミニウムからなる第一の金属板１２と、前記セラミックス基板の裏面に一面が接合されたアルミニウムからなる第二の金属板１３と、該第二の金属板１３の前記セラミックス基板と接合された前記一面と反対側の他面に接合されたアルミニウム又はアルミニウム合金からなるヒートシンク４０とを備え、前記第一の金属板１２及び前記第二の金属板１３のうち前記セラミックス基板１１との接合界面近傍にはＡｇが固溶されており、前記第二の金属板１３及び前記ヒートシンク４０の接合界面近傍にはＣｕが固溶されている。 （もっと読む）

【課題】冷却機能を備えた電力変換装置において、小型化に繋がり、製品化の上で必要な信頼性の向上や生産性の向上に繋がること。
【解決手段】上アーム回路を構成する第１パワー半導体素子５２，５６と、下アーム回路を構成する第２パワー半導体素子６２，６６と、第１パワー半導体素子の一方の側及び他方の側に配置される第１導体板５３４及び第２導体板５８４と、第２パワー半導体素子の一方の側及び他方の側に配置される第３導体板５４４及び第４導体板５７４とは、リカバリ電流が第１導体板５３４、第１パワー半導体素子５２，５６、第２導体板５８４、第３導体板５４４、第２パワー半導体素子６２，６６、第４導体板５７４の順に流れた時に、ループ形状のリカバリ電流経路を形成するように配置され、第１放熱板５２２と第２放熱板５６２には、ループ形状のリカバリ電流によって渦電流６０５，６０６が誘起されて、スイッチング動作時のインダクタンスを低減する。 （もっと読む）

【課題】ボルト締結に耐えうる強度を確保できる液冷ジャケットを提供する。
【解決手段】熱輸送流体が流れる凹部１１を有するジャケット本体１０に、凹部１１の開口部を封止する封止体３０をボルト締結して構成される液冷ジャケット１において、ジャケット本体１０および封止体３０は、ボルト締結用の貫通孔１７，３７が形成された周縁部１６，３３を備え、ジャケット本体１０および封止体３０の少なくとも一方は、被冷却体との接触面３２を有する放熱部３１を備えており、周縁部３３の材質強度が、放熱部３１の材質強度よりも高くなるように構成したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】放熱性に優れ、動作時の発熱によって、搭載電子素子の接合強度が低下したり、或いは、電気的特性が変動するといった問題を生じにくい信頼性の高い電子デバイスを提供すること。
【解決手段】基板１は、第１基板層１１、絶縁層１２及び第２基板層１３を、この順序で積層した構造を含んでいる。第２基板層１３の表面の面内に、電子素子を取り付ける凹部１３１が設けられている。貫通電極２は、第１基板層１１及び絶縁層１２を貫通し、端部が凹部１３１の底面に露出している。柱状ヒートシンク３のそれぞれは、第１基板層１１の厚み方向に設けられた縦孔１１３内に充填されている。縦孔１３１は、第１基板層１１を貫通して第１基板層１１と絶縁層１２との境界で止まるように設けられ、基板１を平面視して、所定の面積占有率をもって凹部１３１の周りに分布している。 （もっと読む）

【課題】熱交換性能が低下することを抑制しつつ、簡便に製造できる電子機器を提供することにある。
【解決手段】パワーモジュール１１であって、セラミックスからなる熱交換部材１２と、表面にカルボキシル基を修飾した金属ナノフィラー、及びエポキシ樹脂を含む接着シート１５によって熱交換部材１２に接着された配線層１４と、配線層１４にはんだ付けされたパワー素子１６とを備えた。 （もっと読む）

【課題】半導体装置内部で発生する熱を効率的に外部へ放熱する。
【解決手段】半導体装置１は、リードフレーム２に実装された半導体素子３、半導体素子３内に設けられた第１伝熱層４、第１伝熱層４に接続された第２伝熱層５、第２伝熱層５に接続された第３伝熱層６、及び樹脂層７を含む。樹脂層７は、半導体素子３、第１伝熱層４、第２伝熱層５を封止し、樹脂層７からは第３伝熱層６が表出する。半導体素子３で発生した熱は、第１伝熱層４、第２伝熱層５、第３伝熱層６へと効率的に伝熱され、樹脂層７から表出する第３伝熱層６から外部へと放熱される。 （もっと読む）