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Fターム[5F136EA13]の内容

半導体又は固体装置の冷却等 (35,223) | 放熱部材、発熱体の取付 (3,558) | 発熱体への放熱部材の取付 (2,546) | 接着による取付 (1,492) | ロウ材、半田を用いる取付 (838)

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【課題】半導体素子の発熱量が短時間で急激に増大した場合に、半導体素子が発した熱の潜熱蓄熱材への蓄熱を効率的に行うことが可能な半導体装置を提供すること。
【解決手段】ケース10内のEHD流体からなる絶縁性流体50には、半導体素子20から受けた熱を相変化に伴う潜熱として蓄熱する潜熱蓄熱材を封入したマイクロカプセルが分散されている。そして、針状電極81と環状電極82との間への電圧印加による絶縁性流体50の強制的な対流に伴って、半導体素子20の上面20b近傍のマイクロカプセルを入れ替えている。 (もっと読む)


【課題】回路層上に半導体素子をはんだ材を介して、容易に、かつ、確実に接合することが可能なパワーモジュール用基板、冷却器付パワーモジュール用基板、パワーモジュール及びこのパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁層11の一方の面に、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる回路層12が配設され、この回路層12上にはんだ層2を介して半導体素子3が配設されるパワーモジュール用基板10であって、回路層12の一方の面には、ZnO含有の無鉛ガラスを含有するAgペーストの焼成体からなるAg焼成層30が形成されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】電子部品の両端面の外側にヒートシンクを設けたものを、トランスファーモールド法によって樹脂で封止してなる電子装置において、樹脂封止時における電子部品へのダメージを適切に低減できるようにする。
【解決手段】電子部品10の両端面11、12の外側にヒートシンク20、30を設けてなる一体化部材110を金型100に投入し、樹脂40で封止するようにした電子装置の製造方法において、第1のヒートシンク20の外面22にて、当該外面22の内周部から端面23まで連続して形成された凹部1を設け、樹脂封止工程では、樹脂40を、両ヒートシンク20、30の内面21、31間だけでなく、第1のヒートシンク20の外面22側にも流すことにより、樹脂40を凹部1に充填する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、パワー半導体モジュールと冷却器の熱抵抗を低減するとともに、より小型化した電力変換装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明にかかる電力変換装置は、第1の接合部材3を介して第1の冷却器5上の第1面に接合された、第1のパワー半導体モジュール1と、第2の接合部材4を介して第2の冷却器6上の第1面に接合された、第2のパワー半導体モジュール2とを備え、第1の冷却器5と第2の冷却器6とは、第1、第2のパワー半導体モジュール1、2が接合された面と反対の各第2面が、互いに対向して配置され、第1の冷却器5と第2の冷却器6とを通って、冷媒が直列に流れる。 (もっと読む)


【課題】電気的効率が高く、放熱特性に優れている焼成接合を用いたパワーモジュール及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、焼成接合を用いたパワーモジュール及びその製造方法に関するものであって、パワーモジュール100は、金属板11の表面に絶縁層13が形成された基板10;基板10上に配線パターン21と電極パターン23とで形成された回路層20;配線パターン21上に搭載されるデバイス40;配線パターン21とデバイス40との間に金属ペーストを塗布し、配線パターン21とデバイス40とが接合されるように焼成して形成された焼成接合層30;及びデバイス40と電極パターン23とを電気的に連結するリードフレーム60を含んで構成されるものである。 (もっと読む)


【課題】ベースプレートと放熱器との間の向上された接触を可能にし、そしてさらに、強化された耐久性を提供する。
【解決手段】ベースプレート34、特にパワーモジュールの為のベースプレート34、に関係しており、金属、特にアルミニウム、で形成された母材38を備えていて、ここにおいては少なくとも2つの補強材42が母材38中において互いに隣り合わせに設けられていて、そしてここにおいては、補強材42が互いに離れているベースプレート34とする。 (もっと読む)


【課題】絶縁基板にクラックや割れが発生することを防止して、電子部品から発生する熱の放散が良好な長期信頼性に優れた回路基板および電子装置を提供することにある。
【解決手段】回路基板10は、貫通孔を有する絶縁基板1と、該絶縁基板1の両面に貫通孔を塞ぐように取着されており電子部品20が搭載される金属板3と、貫通孔内に配置され絶縁基板1の両面に取着された金属板3に両端がそれぞれ接合された金属体5と、外面が貫通孔の内壁面にろう材層2を介して接合され内面が金属体5の側面に接合されており金属体5よりも小さい熱膨張係数を有する枠体6とを備えている。電子部品20から発生する熱を効率よく外部に放散し、絶縁基板1にクラックや割れが発生することを防止する。 (もっと読む)


【課題】櫛形タイプの冷却フィンを備えた熱交換器であっても、パワーモジュールに使用して、X線検査によりボイドを正確に検出すること。
【解決手段】パワーモジュール2の熱交換器1は、ケース3と、ケース3に収容された櫛形タイプの冷却フィン4と、ケース3の上面に接合剤10により接合されたヒートスプレッダとを備える。IGBT6は、ヒートスプレッダの上面に接合剤10により固定される。冷却フィン4は、平板状のベース部4aの下面から複数のフィン部4dが互いに隙間9を置いて平行かつ斜めに突き出している。冷却フィン4は、複数のフィン部4dにつき、隣り合う一方のフィン部4d1の先端4eと他方のフィン部4d2の基端4fとが同じ幅W2を有すると共に、ベース部4aの上面及び下面と直交する方向に重なるように配置される。 (もっと読む)


【課題】アルミ製ベースプレートの一方の面に対象物を設けるとともに他方の面に放熱体を設け、対象物または放熱体をベースプレートにハンダ付けするにあたって、前記ベースプレートの表層側を最適なメッキ層によって形成し、ハンダの濡れ性をさらに向上させた放熱構造を提供することを課題としている。
【解決手段】本発明は、アルミ製ベースプレート2の一方の面に対象物を密着させて設けるとともに、他方の面に放熱体3を設け、前記ベースプレート2の表層側を、ハンダHの濡れ性を向上させるメッキ層によって形成し、対象物及び放熱体3の一方又は両方をベースプレート2にハンダ付けし、対象物の熱がベースプレート2を介して放熱体3に伝導されて放熱されることにより、対象物が冷却される放熱構造であって、少なくともニッケル及びスズを前記メッキ層に含有させ、ニッケルのベースプレート2全体に占める重量比率が0.18乃至0.48%であり、スズのベースプレート2全体に占める重量比率が0.10乃至0.38%である。 (もっと読む)


【課題】コストの安い構造を有する上、該構造によりそれに搭載する電子部品から生じる熱の金属板への熱伝達が従来より良い放熱台を提供する。
【解決手段】電子部品3を搭載するための放熱台であって、その一面に、第一エリア411と、第二エリア412とが、互いに独立に形成されている金属板4と、前記第二エリアの表面のみに形成されている絶縁層5と、前記絶縁層の表面上に形成されている第一導電層61と第二導電層62とからなっている放熱台。 (もっと読む)


【課題】金属ステージの熱抵抗を小さくし、放熱性を向上させ、半導体装置の温度上昇を抑制できるようにする。
【解決手段】電子装置を、金属ベース21と、金属ベース21の上方に設けられ、金属ステージ用開口部20Aを有し、配線層23を含む配線基板20と、金属ステージ用開口部20Aに設けられ、グランドラインとなる金属ステージ27と、金属ステージ27の上方に設けられた半導体装置4とを備えるものとし、金属ステージ27を、半導体装置4側の端面よりも金属ベース21側の端面の方が大きくなるようにする。 (もっと読む)


【課題】基板への取り付けが容易で、かつ、放熱効果の高い半導体モジュールを提供する。
【解決手段】樹脂体20は、半導体チップ10を覆うよう板状に成形されている。端子31、32および33は、半導体チップ10に電気的に接続するとともに樹脂体20から突出している。端子31および33は、電子制御ユニット110の基板130上の配線パターン180に半田付けされる。第1金属板40は、板状に形成され、一方の面43が樹脂体20の面21から露出するとともに他方の面44が半導体チップ10に電気的に接続している。第1金属板40は、樹脂体20から板面方向に延出するよう形成される延出部42を有している。第1金属板40の一方の面43のうち延出部42の面積をSm、樹脂体20の面21の面積をSrとすると、第1金属板40および樹脂体20は、0.5≦Sm/Sr≦1.0の関係を満たすよう形成されている。 (もっと読む)


【課題】本発明は、圧入等実装において外部応力に対応できる半導体装置を提供する。

【解決手段】本発明の半導体装置は、皿形状を有する放熱板と、放熱板の皿内部に配設された半導体素子と、半導体素子上に取り付けられたリードピンと、リードピンの一部と半導体素子を覆うように放熱板の皿内部に充填された保護樹脂とを備えた半導体装置において、リードピンは半導体素子上に電気的接続状態で取り付けられている取付部、取付部よりも径が小さい棒状のピン部、及び取付部とピン部との間を連結し取付部とピン部との中間径を有する中間部とで構成され、かつピン部の径と中間部の径との比率が1:1.5から1:2.0の範囲である。また、リードピンの中間部の長さと中間部を含んだピン部の長さとの比率が1:2から1:4の範囲である。 (もっと読む)


【課題】 半導体モジュールは、その信頼性の向上が求められている。
【解決手段】 実施形態は、半導体素子11と、半導体素子11にはんだ19を介して接合されるヒートスプレッダ13と、ヒートスプレッダ13にはんだ19を介して接合されるバスバー15と、半導体素子11及びヒートスプレッダ13間、及び、ヒートスプレッダ13及びバスバー15間にそれぞれ設けられた複数の突起を有する突起部17と、を備え、半導体素子11とヒートスプレッダ13、及び、ヒートスプレッダ13とバスバー15は、互いに近接する方向に加圧された状態ではんだ19により接合される構成とした。 (もっと読む)


【課題】放熱特性が向上した放熱基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】銅基板330、銅基板330の一面に形成されたアルミナ層320、アルミナ層320に形成された第1回路層340からなる放熱基板を用い、アルミナ層320を貫くように開口部390を形成し、開口部390を通じてアルミナ層320から露出された銅基板330にソルダパッド610を付着した後、これに発熱素子600を実装することにより、銅基板330の露出面に発熱素子600が直接実装されるパッケージ700を具現する。 (もっと読む)


【課題】第一の金属板の上に搭載された電子部品等の発熱体からの熱の放散を促進することができ、かつ、熱サイクル負荷時におけるセラミックス基板の割れの発生を抑制し、信頼性の高いヒートシンク付パワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】セラミックス基板21と、セラミックス基板21の一方の面に接合された第一の金属板22と、セラミックス基板21の他方の面に接合された第二の金属板23と、第二の金属板23の他方の面側に接合されたヒートシンク11と、を備えたヒートシンク付パワーモジュール用基板10であって、第一の金属板22は、銅又は銅合金で構成され、この第一の金属板22の一方の面が電子部品3が搭載される搭載面22Aとされており、第二の金属板23は、耐力が30N/mm以下のアルミニウムで構成され、ヒートシンク11は、耐力が100N/mm以上の金属材料で構成され、その厚さが2mm以上とされている。 (もっと読む)


【課題】収納ケース内の発熱部品を冷却しやすい電力変換装置を提供する。
【解決手段】
電力変換装置1は、半導体素子20を内蔵した半導体モジュール2を複数個積層した積層体6と、該積層体6を収納する収納ケース3と、該収納ケース3に収納された発熱部品4とを備える。積層体6は、貫通冷媒流路60と沿面冷媒流路61とを内部に有する。貫通冷媒流路は、複数の半導体モジュール2の貫通孔24が連通してなる。また、沿面冷媒流路61は、貫通冷媒流路60に連結すると共に放熱板21に沿って形成されている。そして、積層体6と収納ケース3とが熱的に接触している。 (もっと読む)


【課題】 3次元的に熱伝導性が良く、従来に比べて放熱性を著しく向上させることの可能な放熱性基板を提供する。
【解決手段】 基板骨格面11上に配置された複数のグラファイトシートのうちの少なくとも一部のグラファイトシート2aは、複数のグラファイトシートの他のグラファイトシート2b,2c,2dよりも基板骨格面11の法線方向Zに長さが長くなっており、基板骨格面11上の複数のグラファイトシートが配置される側において、基板骨格面11から前記少なくとも一部のグラファイトシート2aの長さZ1よりも短い距離にあって基板骨格面11と該基板骨格面11に平行な面とに挟まれた範囲に、金属材料31が充填されて基板本体10が形成され、前記少なくとも一部のグラファイトシート2aにおいて、基板本体10に埋設されていない部分がフィン部25となっている。 (もっと読む)


【課題】フラックスろう付法を適用してもセラミックス基板と金属板との接合部に剥離を生じさせず、接合信頼性の高いヒートシンク付パワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】側面13aに高酸素濃度部17を有する金属板13とセラミックス基板11とを積層状態にろう付する第1ろう付工程と、金属板13とヒートシンク14とをフラックス16を用いたろう付法により接合する第2ろう付工程とを有し、第2ろう付工程において、金属板13とヒートシンク14との間からはみ出したフラックス16と金属板13の高酸素濃度部17とを反応させるヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法。 (もっと読む)


【課題】絶縁性板材と、絶縁性板材の上面に積層固定される導電性板材と、導電性接着剤を介して導電性板材の上面に電気接続状態で積層固定され、通電により発熱する発熱体とを備える半導体装置において、絶縁性板材と導電性板材との熱膨張係数の差に基づく発熱体や導電性接着剤への応力集中を緩和し、半導体装置の品質低下を抑える。
【解決手段】絶縁性板材3の上面3a及びこれに対向する導電性板材4の下面41bに、互いに噛み合う凹凸面31,44をそれぞれ形成し、これら凹凸面31,44同士を噛み合わせることで、絶縁性板材3の上面3a及び導電性板材4の下面41bに沿う面方向への絶縁性板材3及び前記導電性板材4の相対移動を規制する。 (もっと読む)


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